JP2008016559A - 固体撮像装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】光導波路内へ効率良く光を導いて受光部への集光効率を向上させる。
【解決手段】固体撮像装置10は、複数のフォトダイオード11及び垂直転送路13が形成された半導体基板15と、この上に形成された転送電極17と、遮光膜18と、開口20を有する絶縁層21と、インナーレンズ層22と、平坦化層23と、カラーフイルタ24と、マイクロレンズ層26とを備えている。フォトダイオード11の上方に位置するインナーレンズ層22は、光導波路31及び凸レンズ面32が一体に形成されており、凸レンズ面32から入射した光が光導波路31の内部に入射してフォトダイオード11へと光を導く。
【選択図】図2
【解決手段】固体撮像装置10は、複数のフォトダイオード11及び垂直転送路13が形成された半導体基板15と、この上に形成された転送電極17と、遮光膜18と、開口20を有する絶縁層21と、インナーレンズ層22と、平坦化層23と、カラーフイルタ24と、マイクロレンズ層26とを備えている。フォトダイオード11の上方に位置するインナーレンズ層22は、光導波路31及び凸レンズ面32が一体に形成されており、凸レンズ面32から入射した光が光導波路31の内部に入射してフォトダイオード11へと光を導く。
【選択図】図2
Description
本発明は、CCD等の固体撮像装置に関するものである。
近年、CCDなどの固体撮像装置を用いて撮像した撮影画像をデジタルの画像データに変換し、内蔵メモリやメモリカードなどの記録媒体に記録するデジタルカメラが普及してきている。このデジタルカメラに設けられているような固体撮像装置では、マトリクス状に配列された受光素子(フォトダイオード)が形成された半導体基板の上面に、各受光素子の位置に合わせた開口を有する遮光膜を形成し、さらにこの遮光膜の開口上方に位置するマイクロレンズを形成しており、このマイクロレンズで撮影レンズ光学系からの入射光が集光され、遮光膜の開口を通過して各受光素子に受光される。
一方、最近では、固体撮像装置の小型化、高画素化が益々進んできており、これに伴なって受光素子へ入射光を通過させる開口の面積が小さくなってきている。これにより、従来のマイクロレンズによって受光素子に集光する構造では、集光効率が不十分となってきているため、受光素子への集光効率を高めるための構造を有する固体撮像装置が例えば、特許文献1に記載されている。
特許文献1に記載されている固体撮像装置では、受光部(受光素子)とマイクロレンズとの間に垂直に延びる光導波路が形成されており、マイクロレンズで集光した光を光導波路によって受光部へ導くようにしている。
特開平7−45805号公報
しかしながら、上記特許文献1に記載されている固体撮像装置では、マイクロレンズの光軸付近から入射した光は、光導波路の内部で焦点が結ばれるため受光部へ導くことができるが、マイクロレンズの周縁付近から入射した光は、光導波路の外側へ拡散してしまうため、受光部への集光効率が低く、感度が不十分になってしまう可能性がある。また、上記特許文献1に記載の固体撮像装置では、光導波路の壁面に金属薄膜を形成しているが、この金属薄膜を配しただけでは、受光部へ効率良く光を導くことはできず、マイクロレンズから入射した光を損失してしまう可能性がある。
本発明は、上記事情を考慮してなされたもので、光導波路内へ効率良く光を導き、また光導波路に入射した光の損失を防いで受光部への集光効率を向上させることができる固体撮像装置を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、本発明の固体撮像装置は、複数の受光部が形成された半導体基板と、前記受光部の上方に位置するマイクロレンズとを備えた固体撮像装置において、前記半導体基板と前記マイクロレンズとの間に位置し、前記受光部からマイクロレンズに向かって垂直に延びる光導波路と、この光導波路の上端部に位置し、上方に向かって凸となる凸レンズとが一体に形成されたインナーレンズ層を備えることを特徴とする。
なお、前記光導波路は、略柱状に形成され、その中央部に位置する高屈折率領域と、側壁部に位置する低屈折率領域とからなることが好ましい。また、前記高屈折率領域は、シリコン窒化物や、樹脂から形成されること、さらにまた、前記低屈折率領域は、空気を封入した空隙部であることが好ましい。
あるいは、前記インナーレンズ層の上面に沿って、カラーフィルタ層を設けることや、前記インナーレンズ層を、複数種類の色のうちいずれかの色で、それぞれ着色することが好ましい。
本発明の固体撮像装置では、半導体基板とマイクロレンズとの間に位置し、受光部からマイクロレンズに向かって垂直に延びる光導波路と、この光導波路の上端部に位置し、上方に向かって凸となる凸レンズとが一体に形成されたインナーレンズ層を備えているので、マイクロレンズから入射した光をインナーレンズの凸レンズによって光導波路へ導き、効率良く受光部へ受光させることができる。
以下、図面を参照して本発明を適用したCCDの構造について説明する。図1は、平面図、図2は、図1のX−X線(水平転送方向Hと平行)における断面図である。なお、図1においては、遮光膜など一部の上面構造を省略している。本発明を実施した固体撮像装置としてのCCD10は、撮影領域において、2次元マトリクス状に配列された複数のフォトダイオード(受光部)11を有し、このフォトダイオード11の各列、すなわち垂直転送方向Vに沿って垂直転送路13が設けられて構成されている。
このCCD10の断面構造は、図2に示すように、フォトダイオード(受光部)11と、このフォトダイオード11を除く部分に垂直転送路13を構成する電荷転送部14が形成された半導体基板15を備えており、電荷転送部14の上には、絶縁膜16を介して転送電極17が形成される。これら電荷転送部14及び転送電極17が垂直転送路13を構成し、フォトダイオード11に蓄積された電荷を垂直転送する。なお、転送電極17はドライエッチング法などによって例えば第1ポリシリコンから形成されている。また、絶縁膜16は、例えば熱酸化法やCVD(Chemical Vapor Deposition)法などによってSiO2(二酸化シリコン)から形成される。
さらに、半導体基板15の上部には、スパッタリング法により例えばアルミニウムなどの金属で形成され、転送電極17を覆って遮光する遮光膜18と、この遮光膜18の上面を覆うとともに、フォトダイオード11に合わせた位置に形成された開口20を有する絶縁層21と、開口20の内部に位置し、フォトダイオード11の上方に位置するインナーレンズ層22と、このインナーレンズ層22及び絶縁層21の上方を覆い、その上面が平坦化されるように形成された平坦化層23と、さらにこの平坦化層23の上面に位置するカラーフイルタ24と、このカラーフイルタ24の上方に位置し、インナーレンズ層22の上方に位置するように凸レンズ面25が形成された凸型マイクロレンズ層26とを備えている。インナーレンズ層22は、例えば、SiN(シリコン窒化物;屈折率1.9〜2.0)などからなり、絶縁層18、及び平坦化層23は、例えばBPSG(ホウ素リンシリケートガラス;屈折率1.4〜1.5)などからなる。また、カラーフイルタ24は、3色(R,G,B)又は4色(R,G,B+中間色)の色に対応する色素がそれぞれ含まれたレジスト材などからなる。
本実施形態形態のインナーレンズ層22は、例えば図3に示す製造工程に沿って形成される。先ず、インナーレンズ層22が形成される前の工程では、図3(A)に示すようにフォトダイオード11及び電荷転送部14が形成された半導体基板15の上面に絶縁膜16、転送電極17及び遮光膜18が形成される。なお、この図3(A)に示す状態までは従来の製造方法と同様の工程で形成される。そして図3(B)に示すように、絶縁膜16及び遮光膜18の上面に絶縁層21を形成し、さらにこの絶縁層21に開口20を形成する。なお、この絶縁層21の開口20を形成する工程としては、例えばリアクティブイオンエッチング(RIE)法を用いて所定の開口面積に形成する。次に図3(C)に示すように、開口20、及び絶縁層21の上面まで樹脂材料30によって覆う。これによって、開口20の内部に樹脂材料30が充填されて後述する光導波路31が形成される。なお、この図3(C)に示す樹脂材料30を成膜する際は、プラズマCVD法などによって形成する。
そして、図3(C)に示す状態から例えばレジストエッヂバック法などによって、図3(D)に示すように、光導波路31の上方に突出する凸レンズ面32を形成する。なお、このレジストエッジバック法によって凸レンズ面32を形成する場合、図3(C)に示す樹脂材料30の上面に感光材料を塗布し、凸レンズ面32に対応する部分をマスクするパターンを用いて露光し、不要部分を除去する。なお、この露光の際、凸レンズ面32に対応する部分の一部も溶解することにより曲面となり、凸レンズ面32が形成される。
このようにして、フォトダイオード11からマイクロレンズ層26に向かって垂直に延びる光導波路31と、この光導波路31の上端部に位置し、凸レンズ面32とが一体に形成されたインナーレンズ層22が形成される。そして、インナーレンズ層22が形成された後、平坦化層23と、カラーフイルタ24と、凸型マイクロレンズ層26とが形成され、CCD10の製造工程が終了する。そして、凸レンズ面32及び光導波路31を有するインナーレンズ層22は、図4に示すように、凸レンズ面32から入射した光が光導波路31の内部に入射する。よって、マイクロレンズ層26の凸レンズ25の周縁付近から入射する光Lは、マイクロレンズ層26の凸レンズ面25、及びインナーレンズ層22の凸レンズ面32によって屈折し、光導波路31の内部へ集光されてフォトダイオード11へと導かれる(実線Laで示す光路)。
以下、上記構成の作用について説明する。上述したように、マイクロレンズ層25から入射した光がインナーレンズ層22の凸レンズ面32によって集光されて光導波路31の内部へと導かれるので、フォトダイオード11へ効率良く集光を行うことが可能となり、CCD10の感度を向上させることができる。もしインナーレンズ層22の凸レンズ面32が無ければ、マイクロレンズ層26の凸レンズ面25の周縁付近から入射する光Lは、点線Lbで示す光路を通り、光導波路31へは導かれないため、集光効率が低下するが、本実施形態では、インナーレンズ層22に凸レンズ面32を一体に形成しているのでそのようなことが無い。
なお、上記第1の実施形態を適用した構成に対してさらに集光効率の向上を図るための本発明の第2実施形態を以下に説明する。この第2実施形態を適用したCCD40は、例えば図5に示すように、インナーレンズ層41を備える。なお、上記第1実施形態と同様の形状及び材料を用いているものについては同符号を付して説明を省略する。インナーレンズ層41は、上記第1実施形態と同様に、フォトダイオード11の上方からマイクロレンズ層26に向かって垂直に延びる光導波路42と、この光導波路42の上端部に位置する凸レンズ面43とを一体に形成している。光導波路42は、その側壁部、すなわち開口20の内周面に沿って形成される薄膜状の低屈折率領域44(屈折率N1)と、この低屈折率領域44を除く光導波路41の略中央部分に形成される高屈折率領域45(屈折率N2)とからなる。高屈折率領域45は、低屈折率領域44よりも屈折率が高い材料で形成される(N1<N2)。よって、高屈折率領域45と低屈折率領域44の境界面46における臨界角をθとすると、この境界面46では全反射の条件;sinθ=N1/N2の式をほぼ満たすため、凸レンズ面43から光導波路42へ入射した光Lcは、境界面46で全反射してフォトダイオード11へ導かれる。これによって、集光効率がさらに向上する。なお、上述した条件を満たすインナーレンズ層41を形成するためには、高屈折率領域45を例えば、SiN(シリコン窒化物;屈折率N1=1.9〜2.0)、またはレジスト材などの樹脂から形成し、低屈折率領域44を例えば、PMMA(ポリメチルメタクリレート;屈折率N2=1.49)、PVA(ポリビニルアルコール;屈折率N2=1.5)などの樹脂、またはSiO2(二酸化シリコン;屈折率N2=1.46)などから形成することが好ましい。あるいは低屈折率領域44としては、光導波路42の壁面部に空隙を形成して空気(屈折率N2=1)を封入した状態にしてもよい。このように一般的に使用される材料又は空気から光導波路42が形成されているため、CCD(固体撮像装置)10を容易且つローコストに製造することができる。
このような低屈折率領域44と高屈折率領域45とを有するインナーレンズ層41を形成するためには、例えば図6に示すような製造工程に沿って形成される。先ず、上記第1実施形態と同様に、フォトダイオード11及び電荷転送部14が形成された半導体基板15の上面に絶縁膜16、転送電極17及び遮光膜18が形成された状態から、図6(A)に示すように、絶縁膜16及び遮光膜18の上面に絶縁層21を形成し、さらにこの絶縁層21に開口20を形成した状態にする。なお、この絶縁層21に開口20を形成する工程としては、上記第1実施形態と同様である。次に図6(B)に示すように、開口20の内周及び絶縁層21の上面に沿って薄膜51を形成する。そして、開口20の内周面に形成された薄膜51のみを残し、それ以外を異方的に除去するように、RIE法などによりエッチング処理して低屈折率領域44を形成する。
次に図6(C)に示すように、開口20、及び絶縁層21の上面まで樹脂材料52によって覆う。これによって、開口20の内部に樹脂材料52が充填されて高屈折率領域45が形成される。なお、この図6(C)に示す樹脂材料52を成膜する際は、プラズマCVD法などによって形成する。そして、図6(C)に示す状態から例えばレジストエッヂバック法などによって、図6(D)に示すように、光導波路42の上方に突出する凸レンズ面43を形成する。なお、この凸レンズ面43を形成する工程としては上記第1実施形態と同様である。
また、低屈折率領域44として光導波路の側壁部に空隙部を形成して空気を封入する場合は、以下の図7に示す製造工程に沿ってCCDの製造を行う。先ず、フォトダイオード11及び電荷転送部14が形成された半導体基板15の上面に絶縁膜16、転送電極17遮光膜18、及び絶縁層21を形成し、さらにこの絶縁層21に開口20を形成するまでの工程は上記実施形態と同様である。次に開口20の内周及び絶縁層21の上面に沿って薄膜60を形成する。そして薄膜60が形成された状態の開口20の内部に樹脂材料61、例えばSiNを充填する(図7(A)に示す状態)。なお、この樹脂材料61は、後の工程で高屈折率領域45となる部分である。そして、薄膜60を全て除去するように、RIE法などによりエッチング処理する。これによって、高屈折率領域45の周囲に空隙部62が形成された状態となる(図7(B)に示す状態)。
次に図7(C)に示すように、絶縁層21、樹脂材料61、及び空隙部62の上面に樹脂材料63を被覆する。なお、この際、被覆する樹脂材料63としては粘性の高いもの、例えばSiNを使用する。粘性の高い樹脂材料63を使用することによって、空隙部62が埋められることを防止し、空隙部62の内部に空気が封入された低屈折率領域44を形成することができる。
そして、図7(C)に示す状態から例えばレジストエッヂバック法などによって、図7(D)に示すように、光導波路42の上方に突出する凸レンズ面43を形成する。なお、この凸レンズ面43を形成する工程としては上記第1実施形態と同様である。
なお、上記実施形態では、インナーレンズ層の上方、且つマイクロレンズ層25の下面に沿ってカラーフィルタを配しているが、本発明はこれに限るものではなく、図8に示すようにインナーレンズ層22の凸レンズ面32の上面に沿ってカラーフィルタ層70を設ける構成としてもよい。なお、この場合、マイクロレンズ層25の下面に沿って設けるカラーフィルタは不要である。よって、従来のカラーフィルタを無くした分だけ固体撮像装置の薄型化を図ることができる。
あるいは、インナーレンズ層に着色してカラーフィルタとしての機能を持たせるようにしてもよく、例えば、PVAに合成染色材料を混合して着色したもの、あるいは周知の顔料分散技術によって形成したカラーレジスト材などからインナーレンズ層を形成すればよい。また、この場合もカラーフィルタを別に設ける必要はない。
上記実施形態においては、CCDに適用した例を上げているが、本発明はこれに限るものではなくCMOSなど他の固体撮像装置にも適用することができる。
本発明の固体撮像装置は、デジタルカメラや携帯電話用のカメラ部等の各種撮像装置に適用される他、電子内視鏡等の医療機器にも適用される。
10 CCD(固体撮像装置)
11 フォトダイオード(受光部)
15 半導体基板
22 インナーレンズ
31,42 光導波路
32,43 凸レンズ面
44 低屈折率領域
45 高屈折率領域
11 フォトダイオード(受光部)
15 半導体基板
22 インナーレンズ
31,42 光導波路
32,43 凸レンズ面
44 低屈折率領域
45 高屈折率領域
Claims (7)
- 複数の受光部が形成された半導体基板と、前記受光部の上方に位置するマイクロレンズとを備えた固体撮像装置において、
前記半導体基板と前記マイクロレンズとの間に位置し、前記受光部からマイクロレンズに向かって垂直に延びる光導波路と、この光導波路の上端部に位置し、上方に向かって凸となる凸レンズとが一体に形成されたインナーレンズ層を備えることを特徴とする固体撮像装置。 - 前記光導波路は、略柱状に形成され、その中央部に位置する高屈折率領域と、側壁部に位置する低屈折率領域とからなることを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。
- 前記高屈折率領域は、シリコン窒化物から形成されることを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。
- 前記高屈折率領域は、樹脂から形成されることを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。
- 前記低屈折率領域は、空気を封入した空隙部であることを特徴とする請求項1ないし4いずれか記載の固体撮像装置。
- 前記インナーレンズ層の上面に沿って、カラーフィルタ層を設けることを特徴とする請求項1ないし5いずれか記載の固体撮像装置。
- 前記インナーレンズ層は、複数種類の色のうちいずれかの色で、それぞれ着色されていることを特徴とする請求項1ないし5いずれか記載の固体撮像装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006184735A JP2008016559A (ja) | 2006-07-04 | 2006-07-04 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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Publication Number | Publication Date |
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ID=39073311
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011099091A1 (ja) * | 2010-02-09 | 2011-08-18 | パナソニック株式会社 | 固体撮像素子 |
WO2012070165A1 (ja) * | 2010-11-22 | 2012-05-31 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置とその製造方法 |
WO2018088281A1 (ja) * | 2016-11-14 | 2018-05-17 | パナソニック・タワージャズセミコンダクター株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
US11297271B2 (en) | 2019-02-06 | 2022-04-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Image sensor and image capture apparatus |
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2006
- 2006-07-04 JP JP2006184735A patent/JP2008016559A/ja active Pending
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WO2012070165A1 (ja) * | 2010-11-22 | 2012-05-31 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置とその製造方法 |
WO2018088281A1 (ja) * | 2016-11-14 | 2018-05-17 | パナソニック・タワージャズセミコンダクター株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
US11297271B2 (en) | 2019-02-06 | 2022-04-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Image sensor and image capture apparatus |
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