JP4514576B2 - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4514576B2 JP4514576B2 JP2004293228A JP2004293228A JP4514576B2 JP 4514576 B2 JP4514576 B2 JP 4514576B2 JP 2004293228 A JP2004293228 A JP 2004293228A JP 2004293228 A JP2004293228 A JP 2004293228A JP 4514576 B2 JP4514576 B2 JP 4514576B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lens
- light receiving
- center
- solid
- imaging device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 88
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 49
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 33
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 33
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 claims description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 22
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 19
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 11
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14621—Colour filter arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14623—Optical shielding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
Description
図1〜図6は、本発明の第1実施形態による固体撮像装置の構造を説明するための図である。まず、図1〜図6を参照して、本発明の第1実施形態による固体撮像装置60の構造について説明する。
また、第1実施形態では、複数のレンズ11は、連続した1つの層からなる。これにより、隣接するレンズ11間に隙間が形成されるのが抑制されるので、大きく斜め方向に傾いた入射光に対応して複数のレンズ11のレンズ中心11dを、対応する受光部5の中心に対して大きくずらして配置する場合にも、複数のレンズ11を所定の間隔(隙間)を隔てて不連続に配置する場合と異なり、隣接するレンズ11間の隙間の領域に起因して受光部5に集光されない入射光が生じるという不都合が発生するのを抑制することができる。
図18は、本発明の第2実施形態による固体撮像素子の受光領域の中央部における画素部分の構造を示した断面図である。図19は、本発明の第2実施形態による固体撮像素子の受光領域の端部近傍における画素部分の構造を示した断面図である。この第2実施形態では、上記第1実施形態と異なり、フレームトランスファ型CCDの固体撮像素子に本発明を適用した例について説明する。
図24は、本発明の第3実施形態による固体撮像素子の受光領域の中央部における画素部分の構造を示した断面図である。図25は、本発明の第3実施形態による固体撮像素子の受光領域の端部近傍における画素部分の構造を示した断面図である。この第3実施形態では、上記第1実施形態と異なり、インターライン型CCDの固体撮像素子において、レンズの上に凸の形状の上面部に平坦な上端面部を形成しない場合について説明する。まず、図24および図25を参照して、本発明の第3実施形態による固体撮像素子42の構造について説明する。
5、25 受光部
11、30、51 レンズ
11a、30a、51a 上面部
13、32、53 カラーフィルタ層
Claims (10)
- 基板に形成された受光部と、
前記基板上に形成されたカラーフィルタ層と、
前記基板と前記カラーフィルタ層との間に形成され、前記受光部に光を集光するための複数のレンズとを備え、
前記レンズのそれぞれは、上に凸の形状の上面部を有するとともに、前記上面部の上端部が前記カラーフィルタ層の下面に実質的に接触し、且つ、下に実質的に平坦な形状の下端部を有するとともに、前記下端部が共通の平坦な下面部を構成し、
前記レンズの上面部の上端部以外の領域を覆うように形成され、前記レンズの上面部の上端部と実質的に同じ高さを有する実質的に平坦な上面部を有する樹脂層をさらに備え、
前記カラーフィルタ層は、前記レンズの上面部の上端部と前記樹脂層の上面部との上に形成されている、固体撮像装置。 - 前記レンズの上面部の上端部は、前記カラーフィルタ層の下面に実質的に接触する実質的に平坦な上端面部を含む、請求項1に記載の固体撮像装置。
- 前記レンズは、レンズ中心が前記受光部の中心に対して所定の距離ずらして配置されている、請求項1または2に記載の固体撮像装置。
- 隣接する2つの前記受光部間の領域で、かつ、前記基板と前記レンズとの間の領域に形成された遮光部材をさらに備え、
前記レンズの下端部は、前記遮光部材の上端部より上に配置されている、請求項1〜3のいずれか1項に記載の固体撮像装置。 - 前記遮光部材の上端部と同等以上の高さを有する実質的に平坦な上面を有する平坦化層をさらに備え、
前記レンズは、前記平坦化層の上面上に形成されている、請求項4に記載の固体撮像装置。 - 前記平坦化層は、前記遮光部材を覆うように形成されている、請求項5に記載の固体撮像装置。
- 前記平坦化層は、前記遮光部材の側面および下面を覆うように形成され、
前記遮光部材の上端部と前記平坦化層の上面とは実質的に同じ高さを有する、請求項5に記載の固体撮像装置。 - 複数の前記受光部により前記基板に形成された受光領域をさらに備え、
前記レンズは、前記複数の受光部の各々に対応するように複数設けられ、
前記受光領域の端部近傍における前記レンズのレンズ中心と、対応する前記受光部の中心との間のずれ量は、前記受光領域の中央部近傍における前記レンズのレンズ中心と、対応する前記受光部の中心との間のずれ量に比べて大きい、請求項1〜7のいずれか1項に記載の固体撮像装置。 - 複数の前記受光部により前記基板に形成された受光領域をさらに備え、
前記レンズのレンズ中心と、対応する前記受光部の中心との間のずれ量は、前記受光領域の中央部近傍から前記複数の受光部が配置される方向に沿って前記受光領域の端部へ行くにしたがって徐々に大きくなるように構成されている、請求項1〜8のいずれか1項に記載の固体撮像装置。 - 前記受光部と射出瞳との間の距離をLとし、前記受光部の上面の高さ位置から隣接する2つの前記レンズの境界部の高さ位置までの距離より大きく、前記受光部の上面の高さ位置から前記レンズのレンズ中心の高さ位置までの距離より小さい任意の距離をhとし、前記受光領域内の任意の前記受光部の中心と前記受光領域の中心との間の距離をaとした場合に、前記レンズのレンズ中心と、対応する前記受光部の中心との間のずれ量は、a×h/Lで表される式によって求められる、請求項9に記載の固体撮像装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004293228A JP4514576B2 (ja) | 2003-10-23 | 2004-10-06 | 固体撮像装置 |
KR1020040084992A KR100636765B1 (ko) | 2003-10-23 | 2004-10-22 | 고체 촬상 장치 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003363528 | 2003-10-23 | ||
JP2004293228A JP4514576B2 (ja) | 2003-10-23 | 2004-10-06 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005150697A JP2005150697A (ja) | 2005-06-09 |
JP4514576B2 true JP4514576B2 (ja) | 2010-07-28 |
Family
ID=34703164
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004293228A Expired - Fee Related JP4514576B2 (ja) | 2003-10-23 | 2004-10-06 | 固体撮像装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4514576B2 (ja) |
KR (1) | KR100636765B1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008066702A (ja) * | 2006-08-10 | 2008-03-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像素子及びカメラ |
JP2019204932A (ja) * | 2018-05-25 | 2019-11-28 | 凸版印刷株式会社 | 固体撮像装置 |
WO2020089960A1 (ja) * | 2018-10-29 | 2020-05-07 | オリンパス株式会社 | 撮像装置、内視鏡、および、撮像装置の製造方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05346556A (ja) * | 1992-06-12 | 1993-12-27 | Victor Co Of Japan Ltd | 固体撮像素子 |
JPH06140610A (ja) * | 1992-10-27 | 1994-05-20 | Sony Corp | 固体撮像素子及びその製造方法 |
JPH0774331A (ja) * | 1993-09-02 | 1995-03-17 | Nikon Corp | マイクロレンズ付き固体撮像素子及びその製造方法 |
JP2000124438A (ja) * | 1998-10-19 | 2000-04-28 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
JP2002314058A (ja) * | 2001-04-17 | 2002-10-25 | Sony Corp | 固体撮像素子およびその製造方法 |
-
2004
- 2004-10-06 JP JP2004293228A patent/JP4514576B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-10-22 KR KR1020040084992A patent/KR100636765B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05346556A (ja) * | 1992-06-12 | 1993-12-27 | Victor Co Of Japan Ltd | 固体撮像素子 |
JPH06140610A (ja) * | 1992-10-27 | 1994-05-20 | Sony Corp | 固体撮像素子及びその製造方法 |
JPH0774331A (ja) * | 1993-09-02 | 1995-03-17 | Nikon Corp | マイクロレンズ付き固体撮像素子及びその製造方法 |
JP2000124438A (ja) * | 1998-10-19 | 2000-04-28 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
JP2002314058A (ja) * | 2001-04-17 | 2002-10-25 | Sony Corp | 固体撮像素子およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20050039670A (ko) | 2005-04-29 |
JP2005150697A (ja) | 2005-06-09 |
KR100636765B1 (ko) | 2006-10-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP1930950B1 (en) | Solid-state image pickup device, method for manufacturing solid-state image pickup device, and camera | |
KR100540421B1 (ko) | 반도체장치 및 그 제조방법 | |
JP5639748B2 (ja) | 固体撮像装置とその製造方法 | |
US7382011B2 (en) | Solid-state image sensing device equipped with inner lens | |
US7358110B2 (en) | Image sensor having inner lens | |
JP2005079338A (ja) | 固体撮像装置とその製造方法 | |
JPH11284158A (ja) | 固体撮像素子と固体撮像素子の製造方法 | |
JP2004047682A (ja) | 固体撮像装置 | |
KR20080097709A (ko) | 이미지 센서 및 그의 제조방법 | |
JP4923357B2 (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
JP2002359363A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
JP2007088057A (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法 | |
JP2009124053A (ja) | 光電変換装置及びその製造方法 | |
US7081998B2 (en) | Solid-state imaging apparatus | |
JP2009170562A (ja) | 固体撮像装置及び固体撮像装置の製造方法 | |
JP2010245202A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
JP4514576B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
US7474350B2 (en) | Solid state image pickup device comprising lenses for condensing light on photodetection parts | |
JP2007324321A (ja) | カラーフィルタ、その製造方法、これを用いた固体撮像素子、およびその製造方法 | |
JP2007042801A (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
JP2007287818A (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法 | |
JP2005033074A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
JP2004319896A (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
JP2006060250A (ja) | 固体撮像装置とその製造方法 | |
US7719072B2 (en) | Image sensor and method for fabricating the same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061012 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091029 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091110 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100107 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100413 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100511 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130521 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130521 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |