TWI406405B - 影像感測器及其製造方法 - Google Patents

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Description

影像感測器及其製造方法 參考相關申請案
本案請求2009年4月9日於韓國智慧財產局提出申請之韓國專利申請案第10-2009-0030962號之權益，該案全文係以引用方式併入此處。
發明領域
本揭示係有關一種影像感測器及其製造方法。
 發明背景
影像感測器為一種包括數百萬個光電轉換元件之裝置，當接收光時依據光數量而定，將光轉換成電信號。影像感測器係應用於數位輸入裝置而允許影像被數位化來傳送該數位影像。本世代對多種安全裝置及數位門禁的需求成指數地倍增，因而也相應地有快速發展。
影像感測器包括一像素陣列，其中多個像素排列成矩陣形式，及各像素包括一感光元件及一透射與信號輸出元件。依據透射與信號輸出元件而定，影像感測器廣義劃分為電荷耦合裝置(CCD)影像感測器及互補金氧半導體(CMOS)影像感測器。
CMOS影像感測器經由微透鏡會聚外部光束，被會聚的光透射至感光元件諸如光二極體，及輸出該信號。
CMOS影像感測器進一步經精製來完成更高解析度，晚近正在進行有關將像素尺寸縮小為1微米或以下之研究。
由於微透鏡的尺寸也隨著像素尺寸的縮小而縮小，除非縮小透鏡的焦距，否則相鄰像素間的串擾產生而造成解析度的降級。
 發明概要
本揭示之一個面相係提供一種防止相鄰像素之串擾及經由改良感光效率來提高解析度之影像感測器。
本揭示之另一面相提供一種製造影像感測器之方法。
根據本揭示之一個面相，提供一種影像感測器包括一感光元件、位於該感光元件上之一濾色片、位於該濾色片上之一微透鏡、位於該感光元件與該濾色片間之一絕緣層，及包括暴露該感光元件之一溝槽及填充於該溝槽之一填充物。該填充物具有於可見光區約85%或以上之光透射比及比絕緣層更高之折射率。
該填充物具有比該絕緣層之折射率更高1.1倍至1.5倍之折射率。
絕緣層包括氧化矽、SiC、SiCOH、SiCO、SiOF、或其組合。
填充物具有約1.6至1.85之折射率。
填充物可為如下化學式1表示之化合物。
如上化學式1中，3≦n<190，R1 及R2 係選自於氫、經取代之或未經取代之C1至C10烷基、經取代之或未經取代之C3至C12環烷基、經取代之或未經取代之C6至C12芳基、經取代之或未經取代之C3至C12雜芳基、及其組合所組成之組群，及R3 係選自於由經取代之或未經取代之C2至C10伸烷基、經取代之或未經取代之C3至C12伸環烷基、經取代之或未經取代之C6至C12伸芳基、經取代之或未經取代之C3至C12伸雜芳基、及其組合所組成之組群。
溝槽具有約1.8至約4之縱橫比。
溝槽具有該感光元件之約0.8倍至1.2倍寬度。
根據本揭示之另一面相，提供一種製造一影像感測器之方法，包括提供一感光元件，於該感光元件上提供一絕緣層，於該絕緣層內提供一溝槽，以包括以茀為主之化合物填充該溝槽，於該絕緣層及該填充物上提供一濾色片，及於該濾色片上提供一微透鏡。
該以茀為主之化合物可以如上化學式1表示，及具有約4,000至約30,000之分子量(Mw)。
填充物可進一步包括交聯劑、酸催化劑、及有機溶劑。
該方法進一步包括於該填充物填充之後，固化該填充物。該填充物具有約1.6至約1.85之折射率及於可見光區約85%或以上之光透射比。
圖式簡單說明
第1圖為根據一個實施例之CMOS影像感測器之剖面圖。
第2圖為第1圖之影像感測器之「A」部分之放大示意圖。
第3圖為剖面圖循序顯示第1圖之CMOS影像感測器之製造方法。
 較佳實施例之詳細說明
將參考附圖更完整說明本發明如後，其中顯示本揭示之具體實施例。如熟諳技藝人士瞭解，所述實施例可以多種不同方式修改，且皆未悖離本揭示之精髓及範圍。
如此處使用，當未另行定義時，「經取代之」一詞係指經以一取代基取代，該取代基係選自於由鹵素(F、Br、Cl、或I)、羥基、烷氧基、硝基、氰基、胺基、疊氮基、脒基、肼基、腙基、羰基、胺甲醯基、硫醇基、酯基、羧基、其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、烷基、C2至C16烯基、C2至C16炔基、芳基、C7至C13芳基烷基、C1至C4氧芳基、C1至C20雜芳基、C3至C20雜芳基烷基、環烷基、C3至C15環烯基、C6至C15環炔基、雜環烷基、及其組合所組成之組群。
如此處使用，當未另行定義時，「雜」一詞係指包括選自於由N、O、S、及P所組成之組群中之1至3個雜原子。
附圖中，各層、薄膜、面板、各區等之厚度經誇大表示以求清晰。類似之元件符號係指全文說明書中類似之元件。須瞭解當一個元件諸如一層、薄膜、區或基材被指稱為於另一個元件「上」時，該元件可直接位於另一個元件之上或也可存在有介入元件。相反地，當一個元件被指稱為「直接位於」另一個元件「之上」時，不存在有介入元件。
後文將參考第1圖說明根據一個實施例之影像感測器。
第1圖為根據一個實施例之CMOS影像感測器之剖面圖。
第1圖中，舉例說明彼此相鄰之一紅像素、一綠像素、及一藍像素，但非限制性。
參考第1圖，感光元件(PD)及透射電晶體(圖中未顯示)係集積於一半導體基材10上。感光元件(PD)包括光二極體。感光元件(PD)及透射電晶體係集積於各個像素。如該圖所示，感光元件(PD)包括紅像素之一感光元件PD1 、綠像素之一感光元件PD2 、及藍像素之一感光元件PD3 。感光元件(PD)感測光，而藉感光元件(PD)感測得之資訊係傳送至該透射電晶體。
此外，金屬線21及襯墊22係形成於基材10上。金屬線21及襯墊22可由具有低電阻率之金屬諸如鋁(Al)、銅(Cu)、銀(Ag)及其合金製成來減低信號延遲。
下絕緣層30係形成於金屬線21及襯墊22上。下絕緣層30可由無機絕緣材料諸如氧化矽(SiO2 )或低介電常數(低k)材料諸如SiC、SiCOH、SiCO、及SiOF製成。
下絕緣層30具有一溝槽35暴露各個像素之各個感光元件PD1 、PD2 、及PD3 。溝槽35係形成為提供1.8至4之縱橫比，例如可具有0.5微米至0.8微米之寬度及約1.5微米至2微米之高度。溝槽35係形成為提供該像素之各個感光元件PD1 、PD2 、及PD3 之寬度之0.8倍至1.2倍寬度以防光串繞及有效感光。
填充物40係形成於溝槽35。填充物40包括填充各填充物40之一厚部40a及形成於該絕緣層30上之一薄部40b。但填充物40之薄部40b可根據製法移除。
填充物40具有比絕緣層30更高的折射率。特別，填充物40具有絕緣層30之1.1倍至1.5倍之折射率。例如當絕緣層30包括具有1.45至1.5之折射率之氧化矽時，填充物40可具有1.6至1.85之折射率。
填充物40具有於可見光區為85%或以上之光透射比。
具有該高折射率及高光透射比之填充物40可包括以茀為主之化合物。
該以茀為主之化合物可包括化學式1表示之化合物之聚合物。
如上化學式1中，3≦n<190，R1 及R2 係選自於氫、經取代之或未經取代之C1至C10烷基、經取代之或未經取代之C3至C12環烷基、經取代之或未經取代之C6至C12芳基、經取代之或未經取代之C3至C12雜芳基、及其組合所組成之組群，及R3 係選自於由經取代之或未經取代之C2至C10伸烷基、經取代之或未經取代之C3至C12伸環烷基、經取代之或未經取代之C6至C12伸芳基、經取代之或未經取代之C3至C12伸雜芳基、及其組合所組成之組群。
填充物可製備成溶液，該溶液除了該以茀為主之化合物外，進一步包括交聯劑、酸催化劑及有機溶劑。溶液可藉諸如熱固化之方法固化來提供具有高折射率及透射比之填充物。
濾色片50係位於填充物40上。濾色片50包括形成於紅像素上之一紅濾色片50R、形成於綠像素上之一綠濾色片50G、及形成於藍像素上之一藍濾色片50B。紅濾色片50R、綠濾色片50G、及藍濾色片50B分別係位於紅像素之一感光元件PD1 、綠像素之一感光元件PD2 、及藍像素之一感光元件PD3 上。
上絕緣層60係形成於濾色片50上。上絕緣層60去除因濾色片50所導致之梯階且平滑之。上絕緣層60及下絕緣層30具有暴露該襯墊22之一接點孔65。
微透鏡70係形成於上絕緣層60上位於該等像素之各濾色片50R、50G、及50B之相對應位置。微透鏡70會聚來自於外側之光。
參考第2圖，示意說明根據本發明之一個實施例之影像感測器原理。
第2圖為第1圖之影像感測器之「A」部分之放大示意圖。
第1圖之「A」部分係指影像感測器之一單位胞元。
參考第2圖，自微透鏡70會聚之光通過濾色片50及然後藉全反射而於溝槽35中反射數次，因而收集入感光元件(PD)。全反射係由填充物40與絕緣層30間之折射率差所產生。當折射率差增加時，全反射更為有效。
於該單位像素中由微透鏡70所會聚之光係透過全反射流入位於像素之感光元件(PD)，故光會聚效率提高而防止光洩漏至相鄰像素。如此可提供具有高解析度之影像感測器。
此外，防止因填充於溝槽35之填充物40造成光漏失，且具有85%或以上之光透射比，因此感光元件感測之光效率提高。
第1圖所示CMOS影像感測器之製造方法將參考第3圖作說明。
第3圖為剖面圖循序顯示第1圖之CMOS影像感測器之製造方法。
首先，感光元件(PD)形成於該半導體基材10之各個像素上(S1)。感光元件(PD)可根據一般眾所周知之方法包括提供雜質區來形成，因而將免除其說明。
然後金屬層積層於半導體基材10上及接受光微影術來提供具有預定圖案之金屬線21及襯墊22(S2)。
然後下絕緣層30形成於基材之前表面(S3)。下絕緣層30可根據諸如化學氣相沉積(CVD)或溶液方法諸如旋塗法、隙塗法、及噴墨印刷法等方法形成。
隨後，溝槽35形成於下絕緣層30來暴露各個感光元件PD1 、PD2 、及PD3 (SP4)。溝槽35可根據微影術法形成。
填充物係塗覆於基材上(S5)。填充物40可形成為溶液。
填充物40可包括以茀為主之化合物。
以茀為主之化合物可包括化學式1表示之化合物。
如上化學式1中，3≦n<190，R1 及R2 係選自於氫、經取代之或未經取代之C1至C10烷基、經取代之或未經取代之C3至C12環烷基、經取代之或未經取代之C6至C12芳基、經取代之或未經取代之C3至C12雜芳基、及其組合所組成之組群，及R3 係選自於由經取代之或未經取代之C2至C10伸烷基、經取代之或未經取代之C3至C12伸環烷基、經取代之或未經取代之C6至C12伸芳基、經取代之或未經取代之C3至C12伸雜芳基、及其組合所組成之組群。
該以茀為主之化合物可具有約4000至約30,000之分子量(Mw)。當分子量係於前述範圍時，可改良使用該化合物之薄膜之平坦度及填充性質。
除了以茀為主之化合物外，填充物可包括交聯劑、酸催化劑及有機溶劑。
填充物40具有85%或以上之高光透射比及1.6至1.85之高折射率。考慮填充物於溶液狀態及於固化狀態皆具有實質上相等的折射率及光透射比。此外，有關具有高縱橫比之溝槽，填充物具有優異填充性質，因此可有效填充入細小溝槽藉此達成良好平坦度。此外，因填充物40具有於例如200℃至約300℃之優異熱固性質，其可有利地形成一層且具有優異耐化學性。藉此可防止因用來形成其它各層之化學品所引發的降級分解。
填充物40可根據溶液法塗覆，諸如旋塗法、隙塗法、及噴墨印刷法。
然後已塗覆之填充物40經熱固化。熱固程序可於200℃至400℃進行120秒至180秒。
已固化之填充物40包括填充於溝槽35之一厚部40a及形成於下絕緣層30上之一薄部40b。厚部40a可緊密填充而無空隙，及薄部40b可光滑地形成於其表面上。隨後，填充物40及下絕緣層30被部分移除而暴露出襯墊22(S6)。填充物40及下絕緣層30可藉濕蝕刻移除。
然後襯墊保護層45形成於基材之前表面上(S7)。
隨後襯墊保護層45接受光微影術而只留下於襯墊22上之襯墊保護層45a及移除其它部分(S8)。
各濾色片50R、50G、及50B分別係形成於填充物40上位於各感光元件PD1 、PD2 、及PD3 之相對應位置(S9)。紅濾色片50R、綠濾色片50G、及藍濾色片50B可使用i-線步進器循序形成。但濾色片50R、50G、及50B可藉多種方法形成，及形成順序也可改變。
然後上絕緣層60形成於包括濾色片50R、50G、及50B之基材之前表面上(S10)。上絕緣層60可根據溶液法形成諸如旋塗法、隙塗法、及噴墨印刷法。
微透鏡70係形成於各個濾色片50R、50G、及50B上(S11)。
最後，上絕緣層60、填充物40之薄部40b、下絕緣層30、及位於襯墊22上之襯墊保護層45a被移除來暴露出襯墊22(S12)。選擇性地，可使用氧氣(O2 )進行灰化處理。
後文將參考實例舉例說明實施例之進一步細節。但後文為具體實施例而非限制性。
<填充物聚合物之合成> 合成例1
8.75克(0.05莫耳)α,α’-二甲氧-對二甲苯，26.66克氯化鋁及200克γ-丁內酯導入1升四頸瓶內，燒瓶裝配有機器攪拌器、冷凝器、300毫升滴液漏斗及帶有流入氮氣之氮氣導入管及該燒瓶經充分攪拌。10分鐘後，其中35.03克(0.10莫耳)4,4’-(9-亞茀基)二酚溶解於200克γ-丁內酯之溶液緩慢滴加30分鐘及反應12小時。於反應完成後，使用水移除酸及藉蒸發器濃縮。然後使用甲基戊基甲酮(MAK)及甲醇稀釋提供濃度為15wt%之MAK/甲醇為4/1(重量比)之溶液。溶液導入3升分液漏斗，及添加正庚烷移除包括單體之低分子材料。藉此提供如下化學式1A表示之聚合物(Mw=10,000，聚合散度=2.0)。
合成例2
根據合成例1之相同程序，但使用甲醛替代α,α’-二甲氧-對二甲苯，製備如下化學式1B表示之聚合物(Mw=7600)。
合成例3
根據合成例1之相同程序，但使用苄醛替代α,α’-二甲氧-對二甲苯，製備如下化學式1C表示之聚合物(Mw=5000)。
合成例4
根據合成例1之相同程序，但使用4-羥苄醛替代α,α’-二甲氧-對二甲苯，製備如下化學式1D表示之聚合物(Mw=5800)。
合成例5
根據合成例1之相同程序，但使用α,α’-二甲氧-對聯苯替代α,α’-二甲氧-對二甲苯，製備如下化學式1E表示之聚合物(Mw=4300)。
比較合成例1
50克(0.17莫耳)4,4’-氧二聯苯二甲酐，28.35克(0.14莫耳)4,4’-二胺二苯基醚，及6.8克(0.04莫耳)原冰片烯-2,3-二羧酐導入1升4頸瓶內，該燒瓶裝配有機械攪拌器、冷凝器、300毫升滴液漏斗、及帶有流入氮氣之氮氣導入管，及與700克NMP溶劑混合及攪拌。加熱至80℃及攪動3小時來進行反應。反應進行3小時及滴加於7升水之NMP反應溶液歷1小時後，攪動30分鐘及以布克納漏斗過濾提供聚醯亞胺(Mw=10,000，聚合散度=2.1)。
得自合成例1至5及比較合成例1之聚合物經測量來測定折射率及透射比。折射率係於633奈米測量，及透射比係於400奈米至800奈米之可見光區測量。聚合物之折射率及光透射比考慮於溶液狀態及已固化狀態實質上相等。
結果示於表1。
如表1所示，得自合成例1至5之聚合物具有1.6或以上之高折射率及85%或以上之高透射比。另一方面，根據比較合成例1之聚醯亞胺化合物具有比合成例1至5之透射比更低的透射比。
<製造填充物>
使用得自合成例1至5之以化學式1A至化學式1E表示之聚合物製備於如下實例1至11製備填充物。
實例1
稱重1.0克得自合成例1之以化學式1A表示之聚合物(Mw=10,000)，及加入0.05克如下化學式2表示之交聯劑(L-145，希特(CYTEC)製造)及0.01克對甲苯磺酸吡啶鎓，且溶解於8克丙二醇一甲醚乙酸酯(PGMEA)及經過濾提供填充物。
實例2
根據實例1之相同程序，但使用具有不同分子量之化學式1A表示之聚合物(Mw=5000)來替代實例1聚合物而製備填充物。
實例3
根據實例1之相同程序，但使用如下化學式3表示之交聯劑(粉鏈(Powderlink)1174)，希特製造)來替代化學式2表示之交聯劑。
實例4
根據實例1之相同程序，但未使用交聯劑來製備填充物。
實例5
根據實例1之相同程序，但使用得自合成例2之藉化學式1B表示之聚合物(Mw=7600)來替代得自合成例1之聚合物而製備填充物。
實例6
根據實例5之相同程序，但使用具有不同分子量之化學式1B表示之聚合物(Mw=22,000)來替代實例5聚合物而製備填充物。
實例7
根據實例1之相同程序，但使用得自合成例3之藉化學式1C表示之聚合物(Mw=5000)來替代得自合成例1之聚合物而製備填充物。
實例8
根據實例7之相同程序，但使用具有不同分子量之化學式1C表示之聚合物(Mw=11,000)來替代實例7聚合物而製備填充物。
實例9
根據實例1之相同程序，但使用得自合成例4之藉化學式1D表示之聚合物(Mw=5800)來替代得自合成例1之聚合物而製備填充物。
實例10
根據實例9之相同程序，但使用具有不同分子量之化學式1D表示之聚合物(Mw=12,500)來替代實例9聚合物而製備填充物。
實例11
根據實例1之相同程序，但使用得自合成例5之藉化學式1E表示之聚合物(Mw=4300)來替代得自合成例1之聚合物而製備填充物。
比較例1
根據實例1之相同程序，但使用得自比較合成例1之聚合物(Mw=10,000)來製備填充物。
<評估1>
實例1至11所得各填充物塗覆於用於CMOS影像感測器之晶圓上，該晶圓係根據旋塗法形成有0.8微米x 2.0微米溝槽及於200℃固化5分鐘。
測量該填充物之溝槽填充性質、薄膜平坦度及耐化學性。溝槽填充性質及薄膜平坦度係使用掃描電子顯微鏡(SEM)測量，及耐化學性之測量方式係經由將該晶圓浸泡於氫氧化三甲基銨(TMAH)(2.35%)、異丙醇(IPA)、丙二醇一甲醚乙酸酯(PGMEA)、及丙酮內各歷1分鐘時間，及使用KST4000-DLK(KMAC製造)測量厚度變化。結果顯示於表2。
表2中用於溝槽填充性質的評級，◎指示全部溝槽皆經良好填充，○指示溝槽係部分未經填充，及×指示並無任何溝槽經填充。用於薄膜平坦度之評級，係藉原子力顯微鏡(AFM)測量薄膜表面階級，及◎指示100奈米或以下之階級，○指示100奈米至1微米之階級，及×指示1微米或以上之階級。
如表2所示，須瞭解當該層係使用根據本發明之具體實施例之填充物製造時，可提供良好特性諸如溝槽填充性質、薄膜平坦度及耐化學性。另一方面，當該層係使用聚醯亞胺製造時，溝槽填充性質及薄膜不良，及對各溶劑之耐化學性低劣。
<評估2>
根據前述實施例之相同方法製造包括多個約1.4微米尺寸之像素之CMOS影像感測器。其包括於各實例1、3、5、7、9、及11及比較例1所得之填充物。此外，至於比較例2，製造不含溝槽或填充物所形成之習知CMOS影像感測器。
所得CMOS影像感測器使用T-10M光度計(柯尼卡-米諾達公司(Konica-Minolta Co. Ltd.)製造)測量來決定單位像素之亮度。
結果顯示於表3。
如表3所示，證實當溝槽係形成於CMOS影像感測器之感光元件上且該溝槽經以根據具體實施例之填充物填補時，流入各像素之光量比較包括聚醯亞胺填充物之比較例1情況及不含溝槽或填充物之比較例2之情況增加。也證實來自微透鏡之會聚光係通過根據本發明之具體實施例具有高折射率及高透射比之填充物流入相對應之感光元件，因而提高光效率。如此表示藉相對應像素之感光元件感測得之光效率增高而改良CMOS影像感測器之光效率。
雖然已經就目前視為實際具體實施例說明本揭示，但須瞭解本發明並非囿限於所揭示之實施例，反而相反地意圖涵蓋含括於隨附之申請專利範圍之精髓及範圍內之多項修改及相當配置。
10．．．半導體基材
21．．．金屬線
22．．．襯墊
30．．．下絕緣層
35．．．溝槽
40．．．濾色片
40a．．．厚部
40b．．．薄部
45．．．襯墊保護層
45a．．．襯墊保護層
50．．．濾色片
50B．．．藍濾色片
50G．．．綠濾色片
50R．．．紅濾色片
60．．．上絕緣層
65．．．接點孔
70．．．微透鏡
PD．．．感光元件
PD1 ．．．紅像素之感光元件
PD2 ．．．綠像素之感光元件
PD3 ．．．藍像素之感光元件
第1圖為根據一個實施例之CMOS影像感測器之剖面圖。
第2圖為第1圖之影像感測器之「A」部分之放大示意圖。
第3圖為剖面圖循序顯示第1圖之CMOS影像感測器之製造方法。
30．．．絕緣層
40．．．填充物
40b．．．薄部
50．．．濾色片
70．．．微透鏡
PD．．．感光元件

Claims (16)

  1. 一種影像感測器，包含：一感光元件；位於該感光元件上之一濾色片；位於該濾色片上之一微透鏡；位於該感光元件與該濾色片間之一絕緣層，及包括暴露該感光元件之一溝槽；及填充於該溝槽之一填充物，其中該填充物具有於可見光區之約85%或以上之光透射比及比該絕緣層更高之折射率，及其中該填充物包含如下化學式1表示之化合物之聚合物： 其中，於上述化學式1中，3≦n<190，R1 及R2 係相同或不同，且各自獨立地為氫、經取代之或未經取代之C1至C10烷基、經取代之或未經取代之C3至C12環烷基、經取代之或未經取代之C6至C12芳基、經取代之或未經取代之C3至C12雜芳基、或其組合，及R3 係經取代之或未經取代之C2至C10伸烷基、經取代之或未經取代之C3至C12伸環烷基、經取代之或未經取代之C6至C12伸芳基、經取代之或未經取代之C3至C12伸雜芳基、或 其組合。
  2. 如申請專利範圍第1項之影像感測器，其中該填充物具有一折射率，其比該絕緣層之折射率高1.1倍至1.5倍之折射率。
  3. 如申請專利範圍第2項之影像感測器，其中該絕緣層包含氧化矽、SiC、SiCOH、SiCO、SiOF、或其組合物。
  4. 如申請專利範圍第1項之影像感測器，其中該填充物具有約1.6至1.85之折射率。
  5. 如申請專利範圍第1項之影像感測器，其中該化學式1之R1 及R2 各自獨立地為氫。
  6. 如申請專利範圍第5項之影像感測器，其中該填充物包含如下化學式1A表示之化合物之聚合物：
  7. 如申請專利範圍第5項之影像感測器，其中該填充物包含如下化學式1B表示之化合物之聚合物：
  8. 如申請專利範圍第5項之影像感測器，其中該填充物包 含如下化學式1C表示之化合物之聚合物：
  9. 如申請專利範圍第5項之影像感測器，其中該填充物包含如下化學式1D表示之化合物之聚合物：
  10. 如申請專利範圍第5項之影像感測器，其中該填充物包含如下化學式1E表示之化合物之聚合物：
  11. 如申請專利範圍第1項之影像感測器，其中該溝槽具有約1.8至約4之縱橫比。
  12. 如申請專利範圍第1項之影像感測器，其中該溝槽具有該感光元件之寬度約0.8倍至1.2倍之寬度。
  13. 一種製造一影像感測器之方法，包含：配設一感光元件；於該感光元件上配設一絕緣層； 於該絕緣層中配設一溝槽；以包括以茀為主之化合物之填充物填補該溝槽；於該絕緣層及該填充物上配設一濾色片；及於該濾色片上配設一微透鏡；其中其中以茀為主之化合物以如下化學式1表示： 其中，於上述化學式1中，3≦n<190，R1 及R2 係相同或不同，且各自獨立地為氫、經取代之或未經取代之C1至C10烷基、經取代之或未經取代之C3至C12環烷基、經取代之或未經取代之C6至C12芳基、經取代之或未經取代之C3至C12雜芳基、或其組合，及R3 係經取代之或未經取代之C2至C10伸烷基、經取代之或未經取代之C3至C12伸環烷基、經取代之或未經取代之C6至C12伸芳基、經取代之或未經取代之C3至C12伸雜芳基、或其組合。
  14. 如申請專利範圍第13項之方法，其中該方法進一步包含於填補該填充物後固化該填充物，及該填充物具有比該絕緣層更高的折射率及於可見光區約85%或以上之光透射比。
  15. 如申請專利範圍第13項之方法，其中化學式1之R1 及R2 各自為氫。
  16. 如申請專利範圍第15項之方法，其中該填充劑包含一聚合物，該聚合物含有選自以下述化學式1A-1E構成之群組中的一或多種化合物：
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