JP2009016707A - 半導体受光素子およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板上に設けられた半導体からなる受光部と、基板上に設けられた樹脂層と、樹脂層に周囲を囲まれて受光部の上に位置し、開口径が、受光部近傍で受光部より小さく、基板から離れるに従って連続的に広くなり、樹脂層の表面側で受光部より大きい逆錐体型開口と、逆錐体型開口の斜面に設けられ、且つ受光部の電極とは電気絶縁された金属からなる光反射膜とを備え、基板上の受光部以外の部分が遮光されている。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明の第1の実施形態にかかる半導体受光素子の概略構成を示す斜視図であり、図2は図1の実施形態の構成断面図、図3、図4は、図1の実施形態の光線路(光ファイバ、光導波路など)との光結合状態の模式図である。ここでは、具体的な構成材料の例としてGaInAs/InP系材料を用いて説明していくが、これは前述のように他の材料でも構わず、例えばGaAlAs/GaAs系、SiGe/Si系、GaN/Si系、SiC/Si系等の材料であっても構わない。また、光受光部は上記したような半導体材料により構成し、その基板を剥離してガラス基板やセラミック基板に貼り付けた構成であっても構わない。
次に、本発明の実施形態に係る半導体受光素子の製造工程の例について説明する。ここでは、説明の簡単化のため受光部周囲のみを切り出した図面により説明を行っていく。また、図1から図4で示した貫通電極6、8やパッド電極7、9の製造過程は図示を省略するが、これは一般的なパターニング工程やメタル形成工程(蒸着、メッキなど)、エッチング工程などにより実施可能なものであり、適宜組み合せれば良いものである。
なお、本発明は上述した各実施形態に限定されるものではない。例えば上述した本発明実施形態はいくつかの具体例を示しているが、これはあくまで構成例であり、本発明の主旨に従い個々の要素に他の手段(材料、寸法など)を用いても構わないものである。例えば、中間層143を2層以上の多層膜としておき、前述した中間層143のハーフエッチングの代りに多層膜の選択エッチングを行っても同様な効果が得られる。即ち、本発明はその要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施することが可能なものである。
Claims (5)
- 基板上に設けられた半導体からなる受光部と、
前記基板上に設けられた樹脂層と、
前記樹脂層に周囲を囲まれて前記受光部の上に位置し、開口径が、前記受光部近傍で前記受光部より小さく、前記基板から離れるに従って連続的に広くなり、前記樹脂層の表面側で前記受光部より大きい逆錐体型開口と、
前記逆錐体型開口の斜面に設けられ、且つ前記受光部の電極とは電気絶縁された金属からなる光反射膜と、を備え、
前記基板上の前記受光部以外の部分が遮光されていることを特徴とする半導体受光素子。 - 前記樹脂層の一部または全部が不透明樹脂からなることを特徴とする請求項1記載の半導体受光素子。
- 前記逆錐体型開口内に透明樹脂が充填されたことを特徴とする請求項1または2に記載の半導体受光素子。
- 基板上に半導体からなる受光部を設ける工程と、
前記受光部上に少なくとも1層の中間層を設ける工程と、
前記中間層上に樹脂層を設ける工程と、
前記樹脂層における前記受光部の上に位置する部分に、開口径が、前記受光部近傍で前記受光部より小さく、前記基板から離れるに従って連続的に広くなり、前記樹脂層の表面側で前記受光部より大きい逆錐体型開口を形成する工程と、
前記樹脂層上及び前記逆錐体型開口内に金属からなる光反射膜を設ける工程と、
前記逆錐体型開口の底部の前記中間層を除去することで前記逆錐体型開口の底部の前記光反射膜を選択的に除去する工程と、
を備えたことを特徴とする半導体受光素子の製造方法。 - 前記受光部上に孤立したパターンの前記中間層を設け、前記光反射膜を設ける前に前記中間層の一部を除去することを特徴とする請求項4記載の半導体受光素子の製造方法。
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