JP2003273371A - 集積回路素子の実装構造および実装方法 - Google Patents

集積回路素子の実装構造および実装方法

Info

Publication number
JP2003273371A
JP2003273371A JP2002076082A JP2002076082A JP2003273371A JP 2003273371 A JP2003273371 A JP 2003273371A JP 2002076082 A JP2002076082 A JP 2002076082A JP 2002076082 A JP2002076082 A JP 2002076082A JP 2003273371 A JP2003273371 A JP 2003273371A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
integrated circuit
circuit element
pin
light receiving
mounting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2002076082A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3955487B2 (ja
Inventor
Yasushi Shirakawa
泰史 白川
Masaki Taniguchi
正記 谷口
Shinya Ezaki
伸也 江崎
Hideo Fukuda
秀雄 福田
Yuzo Shimizu
雄三 志水
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP2002076082A priority Critical patent/JP3955487B2/ja
Priority to US10/388,617 priority patent/US6924540B2/en
Priority to CN03107251A priority patent/CN1445859A/zh
Publication of JP2003273371A publication Critical patent/JP2003273371A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3955487B2 publication Critical patent/JP3955487B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
    • G11B7/13—Optical detectors therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H01L2924/1815—Shape

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Optical Head (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 短波長レーザ光を受光する集積回路素子に適
した実装構造を提供する。 【解決手段】 受光部１１を有する集積回路素子１と、
リード片４と、これらを電気的に接続するワイヤ４と
が、封止部３によって封止されている。封止部３には、
受光部１１上方の入光側表面に凹部５が形成されてい
る。これにより、受光部１１表面における封止部３の厚
みが薄くなり、吸収される光のエネルギーが少なくな
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスク装置用
のアンプ内蔵受光素子のような、受光部を有する集積回
路素子の実装構造に関する技術に属する。
【０００２】
【従来の技術】図１１はレーザユニット（ＬＤＵ）を有
する光ディスク装置の構成を機能的に示すブロック図で
ある。図１１に示すように、レーザユニットはレーザ素
子５２と、受光部を有する集積回路素子（ＯＥＩＣ：光
電子集積回路）５３とを備えており、レーザ素子５２か
ら光ディスク５１に対してレーザ光を照射し、その反射
光を集積回路素子５３の受光部によって受ける。
【０００３】そして、光ディスクの記録密度の向上を図
るために、照射するレーザ光のビーム径が絞られてお
り、このため、レーザ光の波長も次第に短くなってきて
いる。例えば、ＣＤの場合にはレーザ波長は７８０ｎｍ
であったのが、ＤＶＤの場合には６５０ｎｍ、そして、
現在開発中の次世代ＤＶＤの場合にはレーザー波長は、
高密度化のためさらに短波長になっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本願発明者等による波
長の短いブルーレザーを用いた試作や実験によって、次
のような問題が明らかになった。すなわち、従来のＤＶ
Ｄ用ＯＥＩＣと同様に、透明樹脂を用いて封止したとこ
ろ、波長の短いブルーレーザ光を受光したときに封止樹
脂が一部変形・変質してしまう、という問題が生じた。
【０００５】これは、従来のＤＶＤ用ＯＥＩＣでは起き
なかった問題である。その原因は、今のところ明確には
分かっていないが、レーザ光の波長が短くなったことに
よりそのエネルギーが従来に比べて増大し、樹脂で吸収
された光が熱となることが、要因の１つとしてこの問題
に関係していると推察される。
【０００６】前記の問題に鑑み、本発明は、短波長レー
ザ光を受光する集積回路素子に適した実装構造および実
装方法を提供することを課題とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記の課題を解決するた
めに、本発明は、受光部を有する集積回路素子の実装構
造として、前記集積回路素子と電気的に接続されたリー
ド片と、前記集積回路素子およびリード片を封止する封
止部とを備え、前記封止部は、前記受光部上方の入光側
表面に形成された凹部を有しているものである。
【０００８】そして、前記本発明に係る実装構造は、前
記集積回路素子と前記リード片とを電気的に接続するも
のであり、かつ、前記集積回路素子およびリード片とと
もに、前記封止部によって封止されたワイヤを備えてい
るのが好ましい。さらに、前記凹部底面の高さは、前記
ワイヤの高さよりも低いことが好ましい。
【０００９】また、前記本発明に係る実装構造におい
て、前記凹部の形状は、円柱状若しくは円錐台状、また
は、角柱状若しくは角錐台状であるのが好ましい。
【００１０】また、前記本発明に係る実装構造におい
て、前記凹部の内壁面は、深さ方向において内側に向い
た曲面形状を有しているのが好ましい。さらに、前記凹
部の内壁面は、放物面であるのが好ましい。
【００１１】また、前記本発明に係る実装構造におい
て、前記凹部は、上方から見たとき、前記集積回路素子
の所定のピンの位置が判別できる形状に形成されている
のが好ましい。そして、前記凹部の開口部の形状は矩形
であり、かつ、一の隅部の形状が他の隅部と異なってい
るのが好ましい。さらに、前記一の隅部は、開口部中心
に向かって突出しているのが好ましい。
【００１２】また、本発明は、受光部を有する集積回路
素子の実装構造として、前記集積回路素子と電気的に接
続されたリード片と、前記集積回路素子およびリード片
を封止する封止部とを備え、前記封止部は、前記受光部
上方に形成された孔部を有しているものである。
【００１３】そして、前記本発明に係る実装構造におい
て、前記集積回路素子の前記受光部を含む領域上に薄膜
が形成されており、前記孔部の開口部における前記薄膜
は、前記受光部を保護する保護膜と反射防止膜とから形
成されているのが好ましい。
【００１４】また、前記本発明に係る実装構造におい
て、前記孔部の形状は、円柱状若しくは円錐台状、また
は、角柱状若しくは角錐台状であるのが好ましい。
【００１５】また、前記本発明に係る実装構造におい
て、前記孔部は、上方から見たとき、前記集積回路素子
の所定のピンの位置が判別できる形状に形成されている
のが好ましい。そして、前記孔部の入光側開口部の形状
は矩形であり、かつ、一の隅部の形状が他の隅部と異な
っているのが好ましい。さらに、前記一の隅部は、開口
部中心に向かって突出しているのが好ましい。
【００１６】また、本発明は、受光部を有する集積回路
素子の実装方法として、前記集積回路素子、およびこれ
と電気的に接続されたリード片に対して、内部に貫通孔
が形成されたピンと、ピン挿入用の孔が形成された型と
を、前記ピンが前記型の孔を介して前記受光部上方に配
置されるように設置する第１の工程と、前記型内に封止
のための材料を流し込む第２の工程と、前記第２の工程
とともに、または、前記第２の工程の前若しくは後に、
前記受光部表面に、前記ピンの前記貫通孔を介して、前
記材料を硬化させるための気体を吹き付ける第３の工程
とを備えたものである。
【００１７】また、本発明は、前記本発明に係る実装方
法における第３の工程は、前記材料を硬化させるための
気体を吹き付ける代わりに、前記材料を硬化させるため
の液体を流し込むものである。
【００１８】そして、前記本発明に係る実装方法におい
て、前記材料は熱硬化性樹脂であり、前記気体または液
体は、前記熱硬化性樹脂を硬化させるための温度を有す
るのが好ましい。
【００１９】また、前記本発明に係る実装方法における
ピンの先端部は、円柱若しくは円錐台形状、または、角
柱若しくは角錐台形状であるのが好ましい。
【００２０】また、前記本発明に係る実装方法における
気体は、不活性ガス、または、不活性ガスを主成分とす
るものであるのが好ましい。
【００２１】また、前記本発明に係る実装方法における
ピンは、内部に、吹き付けた前記気体、または流し込ん
だ前記液体が抜けるための第２の貫通孔が形成されてい
るのが好ましい。
【００２２】また、前記本発明に係る実装方法における
第２の工程は、前記ピンを、その先端が前記集積回路素
子の表面に接触するように、設置するのが好ましい。
【００２３】また、前記本発明に係る実装方法における
第１の工程は、前記ピンを、その先端が前記集積回路素
子の表面から所定距離だけ離れるように、設置するのが
好ましい。さらに、前記集積回路素子と前記リード片と
はワイヤによって接続されており、前記所定距離は、前
記ワイヤの高さに相当する長さよりも短いことが好まし
い。
【００２４】また、前記本発明に係る実装方法におい
て、前記第３の工程の前に、または、前記第３の工程と
ともに、前記ピンの少なくとも先部を加熱するのが好ま
しい。
【００２５】また、本発明は、受光部を有する集積回路
素子の実装方法として、前記集積回路素子、およびこれ
と電気的に接続されたリード片に対して、内部に貫通孔
が形成されたピンと、ピン挿入用の孔が形成された型と
を、前記ピンが前記型の孔を介して前記受光部上方に配
置されるように設置する第１の工程と、前記型内に、封
止のための材料を流し込む第２の工程と、前記受光部表
面から、前記ピンの前記貫通孔を介して、流し込まれた
前記材料を吸い取る第３の工程とを備えたものである。
【００２６】そして、前記本発明に係る実装方法におけ
るピンの先端部は、円柱若しくは円錐台形状、または、
角柱若しくは角錐台形状であるのが好ましい。
【００２７】また、本発明は、受光部を有する集積回路
素子の実装方法として、前記集積回路素子、およびこれ
と電気的に接続されたリード片に対して、内部に貫通孔
が形成されたピンと、ピン挿入用の孔が形成された型と
を、前記ピンが前記型の孔を介して前記受光部上方に配
置されるように設置する第１の工程と、前記型内に、封
止のための材料を流し込む第２の工程と、前記第２の工
程において流し込まれ、前記受光部表面で硬化した材料
を、前記ピンに前記貫通孔を介して吸着させ、除去する
第３の工程とを備えたものである。
【００２８】そして、前記本発明に係る実装方法におい
て、前記材料は、熱硬化性樹脂であり、前記第２の工程
の前に、または、前記第２の工程とともに、前記ピンの
少なくとも先部を加熱するのが好ましい。
【００２９】また、前記本発明に係る実装方法における
ピンの先端部は、円柱若しくは円錐台形状、または、角
柱若しくは角錐台形状であるのが好ましい。
【００３０】また、前記本発明に係る実装方法におい
て、前記第２の工程の前に、前記貫通孔に気体を通すの
が好ましい。
【００３１】また、前記本発明に係る実装方法におい
て、前記第３の工程の後に、前記貫通孔に気体を通すの
が好ましい。
【００３２】また、本発明は、受光部を有する集積回路
素子の実装方法として、前記集積回路素子、およびこれ
と電気的に接続されたリード片に対して、紫外線硬化性
樹脂を、紫外線を照射しつつ塗布することによって、封
止を行う工程を備え、前記封止工程は、前記受光部表面
を避けつつ、前記紫外線硬化性樹脂を塗布し、前記集積
回路素子と前記リード片とを電気的に接続する部分を封
止するものである。
【００３３】また、本発明は、受光部を有する集積回路
素子の実装方法として、前記集積回路素子、およびこれ
と電気的に接続されたリード片に対して、紫外線硬化性
樹脂を、紫外線を照射しつつ塗布することによって、封
止を行う工程を備え、前記封止工程は、前記集積回路素
子の，前記受光部の形成面と反対側の面に、前記紫外線
硬化性樹脂を塗布し、前記受光部の形成面の方から、前
記集積回路素子と前記リード片とを電気的に接続する部
分が封止され、かつ、前記受光部表面が封止されないよ
うに、紫外線を照射するものである。
【００３４】また、本発明は、受光部を有する集積回路
素子の実装方法として、前記集積回路素子、およびこれ
と電気的に接続されたリード片に対して、前記受光部上
方の入光側表面に凹部が形成され、かつ、前記凹部の底
面に突起部が形成された封止部を形成する封止工程と、
前記封止部における前記凹部底面の部分を、前記突起部
を折取ることによって、除去する工程とを備えているも
のである。
【００３５】そして、前記本発明に係る実装方法におけ
る封止工程は、上面に穴部が形成された凸部を有する型
を、前記集積回路素子およびリード片に対して、前記受
光部上方に前記凸部が位置するように設置する工程と、
前記型内に、封止のための材料を流し込む工程とを備え
ているのが好ましい。
【００３６】また、前記本発明に係る実装方法における
封止工程は、前記集積回路素子およびリード片に対し
て、内部に貫通孔が形成されたピンと、ピン挿入用の孔
が形成された型とを、前記ピンが前記型の孔を介して前
記受光部上方に配置されるように、設置する工程と、前
記型内に、封止のための材料を流し込むとともに、前記
ピンの前記貫通孔に、前記材料を流し込む工程とを備え
ているのが好ましい。
【００３７】また、前記本発明に係る実装方法における
凹部底面の形状は、円または楕円であるのが好ましい。
【００３８】また、前記本発明に係る実装方法における
突起部の高さは、前記封止部における前記集積回路素子
と前記リード片との接続部分の高さよりも高いことが好
ましい。
【００３９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態につい
て、図面を参照して説明する。
【００４０】（第１の実施形態）図１は本発明の第１の
実施形態に係る集積回路素子の実装構造を示す外観図で
ある。図１において、１は受光部１１を有する集積回路
素子、２は集積回路素子１とワイヤ（図示せず）によっ
て電気的に接続されたリード片、３は集積回路素子１と
リード片２を封止する例えば樹脂によって形成された封
止部である。そして、封止部３の受光部１１上方の入光
側表面には、円錐台形状の凹部５が形成されている。
【００４１】図２は本実施形態に係る実装構造を示す断
面図である。図２に示すように、集積回路素子１とリー
ド片２とを接続するためにワイヤ４が設けられており、
ワイヤ４は集積回路素子１やリード片２とともに、封止
部３によって封止されている。そして、凹部５はワイヤ
４の高さよりも深く形成されており、凹部５底面の高さ
はワイヤ４の高さよりも低くなっている。
【００４２】図１および図２に示すように、受光部１１
の入光側表面に凹部５を形成することによって、受光部
１１表面における封止部３の厚みを薄くすることができ
る。これにより、受光部１１表面の封止部３における光
透過率が上がり、吸収される光のエネルギーが少なくな
る。すなわち、封止部３で熱に変わってしまう前に、光
を受光部１１に到達させることができる。したがって、
従来のような樹脂が融けるといった問題を、未然に回避
することができる。しかも、ワイヤ４部分の保護はなさ
れており、また受光部１１表面の保護も可能である。
【００４３】また、受光部１１表面の封止部３で吸収さ
れる光のエネルギーが少なくなるので、その分、レーザ
ー素子のパワーを落とすことができる。これにより、消
費電力を小さくできるとともに、その寿命を長く伸ばす
ことも可能になる。
【００４４】さらに、凹部５の形状が円錐台状になって
いるので、二次光や散乱光が受光部１１に入りにくくな
る。なお、凹部５の形状は、円錐台状の他に、円柱状、
角柱状、または角錐台状等であってもかまわない。ま
た、凹部５の内壁面が、深さ方向において内側に向いた
曲面形状を有してもよい。特に、内壁面が放物面である
のが好ましい。これにより、内壁面での反射光が受光部
１１に入ることを防ぐことができる。
【００４５】また、凹部５を、上方から見たとき、集積
回路素子１の所定のピン、例えば１番ピンの位置が判別
できる形状に、形成してもよい。これにより、マーキン
グを省略し、実装・組立時に必要となるパッケージの向
きを判別することができる。
【００４６】図３（ａ）は本実施形態に係る実装構造の
主要部の平面図である。図３（ａ）では、凹部５の開口
部の形状が矩形であり、かつ、その開口部の一の隅部Ｃ
１の形状が、他の隅部と異なっている。ここでは、隅部
Ｃ１が、開口部中心に向かって、突出している。そし
て、形状が他と異なる隅部Ｃ１によって、集積回路素子
１の１番ピン１２の位置が判別でき、パッケージの向き
も判別できるようになっている。
【００４７】なお、開口部の形状は、集積回路素子１の
所定のピンの位置が判別できるようなものであれば、ど
のようなものでもかまわない。図３（ｂ）〜（ｅ）に開
口部形状の他の例を示しており、いずれの例も隅部Ｃ１
を特定することができる。また、開口部以外、例えば、
底面の形状でピン位置を特定することも可能である。
【００４８】（第２の実施形態）図４は本発明の第２の
実施形態に係る集積回路素子の実装構造を示す断面図で
ある。図４では、封止部３の受光部１１上方に円錐台形
状の孔部６が形成されている。そして、集積回路素子１
の受光部１１を含む領域上には薄膜１３が形成されてい
る。薄膜１３は窒化膜および酸化膜から形成されてい
る。
【００４９】図４に示すように、受光部１１上方に孔部
６を形成することによって、受光部１１表面に封止部３
をなくすことができる。これにより、第１の実施形態と
同様の効果が得られる。また、チップの保護の観点から
みても、集積回路素子１は、受光部１１領域以外は保護
されている。また、集積回路素子１とリード片２とを電
気的に接続するワイヤ４も封止部３によって保護されて
いる。
【００５０】さらに、受光部１１の表面には薄膜１３が
形成されているので、受光部１１領域も薄膜１３によっ
て保護されており、信頼性の点でも問題はない。この薄
膜１３は、受光部１１を保護する保護膜と、反射防止膜
とから形成されているのが好ましい。この例では、窒化
膜が保護膜に相当し、酸化膜が反射防止膜に相当する。
また、受光面が十分な強度を持っている等、場合によっ
ては、この窒化膜を形成しなくてもかまわない。
【００５１】また、第１の実施形態と同様に、孔部６の
形状は、円錐台状の他に、円柱状、角柱状、または角錐
台状等であってもかまわない。また、孔部５の内壁面
が、深さ方向において内側に向いた曲面形状を有しても
よい。
【００５２】さらに、第１の実施形態と同様に、孔部６
を、上方から見たとき、集積回路素子１の所定のピンの
位置が判別できる形状に、形成してもよい。
【００５３】（第３の実施形態）図５は本発明の第３の
実施形態に係る集積回路素子の実装方法を示す工程断面
図である。図５において、図４と共通の構成要素には、
図４と同一の符号を付している。
【００５４】まず、図５（ａ）に示すように、受光部１
１を有する集積回路素子１と、ワイヤ４によって集積回
路素子１と電気的に接続されたリード片２とを準備す
る。そして図５（ｂ）に示すように、ピン２１と、ピン
２１挿入用の孔２２ａが形成された型２２とを設置す
る。このとき、ピン２１が、型２２の孔２２ａを介して
集積回路素子１の受光部１１上方に配置されるように位
置決めする（第１の工程）。ピン２１の内部には気体を
吹き付けるための第１の貫通孔２１ａと吹き付けた気体
が抜けるための第２の貫通孔２１ｂとが形成されてい
る。またピン２１の先端部の形状は、円錐台状である。
また、受光部１１にダメージを与えないように、ピン２
１の先端と受光部１１との間にわずかな隙間を空けて、
ピン２１の先端が受光部１１表面に接触しないようにす
る。
【００５５】そして図５（ｃ）に示すように、封止部形
成用の熱硬化性樹脂を流し込む（第２の工程）ととも
に、受光部１１表面に、ピン２１の貫通孔２１ａを介し
て、高温の不活性ガスを吹き付ける（第３の工程）。不
活性ガスの温度は、流し込む熱硬化性樹脂を硬化させる
ために十分な温度であればよい。これにより、流し込ま
れた熱硬化性樹脂は、受光部１１周辺に到達する前に、
不活性ガスの熱によって硬化する。
【００５６】その後、ピン２１および型２２を取り除く
と、図５（ｄ）に示すように、受光部１１上方に孔部６
を有する封止部３が形成されている。孔部６の形状は、
ピン２１の先端部が円錐台形状であったので、円錐台状
になっている。
【００５７】なお、第１の工程において、ピン２１と型
２２とのどちらを先に設置してもかまわない。すなわ
ち、型２２を先に設置してからその孔２２ａにピン２１
を位置決めしてもよいし、先にピン２１を配置してから
型２２を配置してもよい。あるいは、予めピン２１と型
２２とを組み合わせておいてから、集積回路素子１に対
して位置決めしてもかまわない。
【００５８】また、ピン２１を、その先端が集積回路素
子１の表面に接触するように、配置してもよい。これに
より、受光面上の樹脂を完全に、またはほぼ完全に、な
くすことができる。また、第１の実施形態で示したよう
な凹部５を形成するために、ピン２１を、その先端が集
積回路素子１の表面から所定距離だけ離れるように、設
置してもよい。そして、その所定距離を適宜設定するこ
とによって、凹部５の底面の厚さを制御することが可能
になる。例えば、ワイヤ４の高さに相当する長さよりも
短い距離だけ離すことによって、底面の厚さがワイヤ４
の高さよりも薄い凹部５を形成することができる。
【００５９】また、高温ガスを吹き付ける代わりに、封
止部用材料を硬化させるような液体を流し込んでもかま
わない。
【００６０】ガスは、不活性ガスの代わりに、不活性ガ
スを主成分とするものでもよい。
【００６１】ピン２１の先端部の形状は、円錐台状の他
に、円柱状、角柱状、または角錐台状などであってもか
まわない。この場合、ピン２１の先端部の形状に応じた
形状の孔部５または凹部６が形成される。
【００６２】また、第３の工程は、第２の工程とともに
行う代わりに、第２の工程の前、または後でもよい。さ
らに、第３の工程の前に、または、第３の工程ととも
に、ピン２１の少なくとも先部を加熱すれば、より効果
的に封止部３を形成することができる。
【００６３】（第４の実施形態）図６は本発明の第４の
実施形態に係る集積回路素子の実装方法を示す工程断面
図である。図６において、図４と共通の構成要素には、
図４と同一の符号を付している。
【００６４】まず、受光部１１を有する集積回路素子１
と、ワイヤ４によって集積回路素子１と電気的に接続さ
れたリード片２とを準備する。そして図６（ａ）に示す
ように、ピン２３と、ピン２３挿入用の孔２２ａが形成
された型２２とを設置する。このとき、ピン２３が、型
２２の孔２２ａを介して集積回路素子１の受光部１１上
方に配置されるように位置決めする（第１の工程）。ピ
ン２３の内部には、封止部形成用樹脂を吸い取るための
貫通孔２３ａが形成されている。またピン２３の先端部
の形状は円錐台状である。また、ピン２３の先端と受光
部１１との間にわずかな隙間を空けて、ピン２３の先端
が受光部１１表面に接触しないようにする。
【００６５】そして図６（ｂ）に示すように、封止部形
成用の熱硬化性樹脂を流し込み（第２の工程）、受光部
１１表面から、ピン２３の貫通孔２３ａを介して、流し
込まれた樹脂を吸い取る（第３の工程）。これにより、
流し込まれた樹脂は、受光部１１表面からは除去され
る。樹脂を吸い取るタイミングは、樹脂が硬化する前で
あってもよいし、硬化途中や硬化した後であってもよ
い。
【００６６】その後、ピン２３および型２２を取り除く
と、図６（ｃ）に示すように、受光部１１上方に孔部６
を有する封止部３が形成されている。孔部６の形状は、
ピン２３の先端部が円錐台形状であったので、円錐台状
になっている。
【００６７】（第５の実施形態）図７は本発明の第５の
実施形態に係る集積回路素子の実装方法を示す工程断面
図である。図７において、図４と共通の構成要素には、
図４と同一の符号を付している。
【００６８】まず、受光部１１を有する集積回路素子１
と、ワイヤ４によって集積回路素子１と電気的に接続さ
れたリード片２とを準備する。そして図７（ａ）に示す
ように、ピン２４と、ピン２４挿入用の孔２２ａが形成
された型２２とを設置する。このとき、ピン２４が、型
２２の孔２２ａを介して集積回路素子１の受光部１１上
方に配置されるように位置決めする（第１の工程）。ピ
ン２４の内部には、受光部１１の表面の封止部形成用樹
脂を吸着させて除去するための貫通孔２４ａが形成され
ている。またピン２４の先端部の形状は円錐台状であ
る。また、ピン２４の先端と受光部１１との間にわずか
な隙間を空けて、ピン２３の先端が受光部１１表面に接
触しないようにする。
【００６９】そして図７（ｂ）に示すように、封止部形
成用の熱硬化性樹脂を流し込む（第２の工程）。このと
き、ピン２４の少なくとも先部を加熱するのが好まし
い。あるいは、樹脂を流し込む前に予め加熱しておいて
もよい。そして図７（ｃ）に示すように、受光部１１表
面で硬化した樹脂３ａを、貫通孔２４ａから吸引するこ
とによってピン２４に吸着させ、ピン２４とともに除去
する（第３の工程）。その後、ピン２４および型２２を
取り除くと、受光部１１上方に孔部６を有する封止部３
が形成されている。孔部６の形状は、ピン２３の先端部
が円錐台形状であったので、円錐台状になっている。
【００７０】なお、第２の工程において、ピン２４の貫
通孔２４ａを介して高温のガスを吹き付けても良い。こ
れにより、樹脂の硬化が促進される。
【００７１】また、ピン２４の貫通孔２４ａ内部を掃除
するために、第２の工程の前に、貫通孔２４ａに気体を
通しても良いし、第３の工程の後に、貫通孔２４ａに気
体を通してもかまわない。
【００７２】（第６の実施形態）図８は本発明の第６の
実施形態に係る集積回路素子の実装方法を示す図であ
る。本実施形態では、紫外線硬化性樹脂を、紫外線を照
射しつつ塗布することによって、受光部１１上方に孔部
６を有する封止部を形成する。
【００７３】図８（ａ）の場合には、受光部１１を有す
る集積回路素子１、リード片２およびワイヤ４に対し
て、紫外線硬化性樹脂を、受光部１１表面を避けつつ、
塗布する。そして、樹脂を塗布しながら、紫外線を照射
して瞬間的に固めていく。いわば、樹脂を塗りつけてい
くような感じである。これによって、受光部１１表面以
外の、ワイヤ４を含む部分についてのみ、封止を行うこ
とでき、これにより、孔部６を有する封止部を形成する
ことができる。
【００７４】また図８（ｂ）の場合には、集積回路素子
１の裏面、すなわち受光部１１の形成面と反対側の面に
紫外線硬化性樹脂を塗布し、集積回路素子１の主面、す
なわち受光部１１の形成面の方から紫外線を照射し、瞬
間的に固める。このとき、受光部１１表面が封止されな
いようにする。表面張力によってワイヤ４の周辺のみを
封止することができる。これにより、必要な部分にのみ
封止を行うことができ、パッケージをより薄く軽くでき
る。
【００７５】（第７の実施形態）図９は本発明の第７の
実施形態に係る集積回路素子の実装方法を示す図であ
る。本実施形態では、まず、図９（ａ）に示すように、
受光部上方の入光側表面に凹部３１が形成され、かつ、
凹部３１の底面に突起部３２が形成された封止部３Ａを
形成する。図９（ｂ）は封止部３Ａの平面図であり、凹
部３１の底面は円形状になっている。このような封止部
３Ａは、例えば後述するように、型を利用したり、ピン
を利用したりして形成することができる。
【００７６】そして図９（ｃ）に示すように、突起部３
２を折取ることによって、凹部３１の底面の部分を除去
する。これにより、受光部１１の表面が封止部３から露
出し、孔部６が形成される。
【００７７】なお、凹部３１の底面の形状は、円の代わ
りに、楕円でもよいし、あるいは矩形や多角形であって
もかまわない。ただし、折取りやすさの面からみると、
円または楕円であるのが好ましい。
【００７８】また、突起部３２の高さは、ワイヤ４を封
止する部分の高さよりも高い方が、突起部３２が折取り
やすくなるので好ましい。
【００７９】図１０は図９（ａ）に示すような封止部３
Ａを形成する工程を説明する断面図である。図１０
（ａ）の場合には、上面に穴部２５ｂが形成された凸部
２５ａを有する型２５を、受光部１１上方に凸部２５ａ
が位置するように設置している。そして、型２５内に、
封止のための材料、例えば熱硬化性樹脂を流し込み、封
止部３Ａを形成する。この場合、突起部３２が確実に形
成されるように、圧力をかけて樹脂を押し込んだり、穴
部２５ｂに貫通孔をあけておき、その貫通孔から樹脂を
吸い上げたりしてもよい。
【００８０】また図１０（ｂ）の場合には、内部に貫通
孔２６ａが形成されたピン２６と、ピン挿入用の孔２２
ａが形成された型２２とを、ピン２６が型２２の孔２２
ａを介して受光部１１上方に配置されるように、設置す
る。そして、型２５内に、封止のための材料、例えば熱
硬化性樹脂を流し込むとともに、ピン２６の貫通孔２６
ａにも樹脂を流し込み、封止部３Ａを形成する。
【００８１】なお、上述の各実施形態では、集積回路素
子とリード片とがワイヤによって電気的に接続されてい
るものとしたが、この接続は、例えば接着、圧着、溶着
またはバンプなど、ワイヤ以外の手段によってなされて
いても、本発明は適用可能である。
【００８２】
【発明の効果】以上のように本発明によると、短波長レ
ーザ光を受光する集積回路素子について、実用上、適切
な実装構造を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る実装構造を示す
外観図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る実装構造を示す
断面図である。
【図３】（ａ）は本発明の第１の実施形態に係る実装構
造の主要部の平面図、（ｂ）〜（ｅ）は凹部開口部の他
の形状の例である。
【図４】本発明の第２の実施形態に係る実装構造を示す
断面図である。
【図５】本発明の第３の実施形態に係る集積回路素子の
実装方法を示す工程断面図である。
【図６】本発明の第４の実施形態に係る集積回路素子の
実装方法を示す工程断面図である。
【図７】本発明の第５の実施形態に係る集積回路素子の
実装方法を示す工程断面図である。
【図８】本発明の第６の実施形態に係る集積回路素子の
実装方法を示す工程断面図である。
【図９】本発明の第７の実施形態に係る集積回路素子の
実装方法を示す図である。
【図１０】本発明の第７の実施形態に係る集積回路素子
の実装方法を示す図である。
【図１１】レーザーユニットを有する光ディスク装置の
構成を示すブロック図である。
【符号の説明】
１ 集積回路素子 ２ リード片 ３，３Ａ 封止部 ４ ワイヤ ５ 凹部 ６ 孔部 １１ 受光部 １２ １番ピン（所定のピン） １３ 薄膜 ２１，２３，２４，２６ ピン ２１ａ 第１の貫通孔 ２１ｂ 第２の貫通孔 ２２，２５ 型 ２２ａ 孔 ２３ａ，２４ａ，２６ａ 貫通孔 ２５ａ 凸部 ２５ｂ 穴部 ３１ 凹部 ３２ 突起部 Ｃ１ 一の隅部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 江崎 伸也 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 福田 秀雄 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 志水 雄三 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 5D119 AA11 AA22 AA32 BA01 EB02 KA33 NA06 5D789 AA11 AA22 AA32 BA01 EB02 KA33 NA06 5F061 AA01 BA01 CA21 DA01 FA01 5F088 AA20 BA20 BB10 EA06 JA02 JA06 JA10 JA20 LA03

Claims (39)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 受光部を有する集積回路素子と、 前記集積回路素子と電気的に接続されたリード片と、 前記集積回路素子およびリード片を封止する封止部とを
    備え、 前記封止部は、前記受光部上方の入光側表面に形成され
    た凹部を有していることを特徴とする集積回路素子の実
    装構造。
  2. 【請求項２】 請求項１において、 前記集積回路素子と前記リード片とを電気的に接続する
    ものであり、かつ、前記集積回路素子およびリード片と
    ともに、前記封止部によって封止されたワイヤを備えた
    ことを特徴とする集積回路素子の実装構造。
  3. 【請求項３】 請求項２において、 前記凹部底面の高さは、前記ワイヤの高さよりも、低い
    ことを特徴とする集積回路素子の実装構造。
  4. 【請求項４】 請求項１において、 前記凹部の形状は、円柱状若しくは円錐台状、または、
    角柱状若しくは角錐台状であることを特徴とする集積回
    路素子の実装構造。
  5. 【請求項５】 請求項１において、 前記凹部の内壁面は、深さ方向において、内側に向いた
    曲面形状を有していることを特徴とする集積回路素子の
    実装構造。
  6. 【請求項６】 請求項５において、 前記凹部の内壁面は、放物面であることを特徴とする集
    積回路素子の実装構造。
  7. 【請求項７】 請求項１において、 前記凹部は、上方から見たとき、前記集積回路素子の所
    定のピンの位置が判別できる形状に、形成されているこ
    とを特徴とする集積回路素子の実装構造。
  8. 【請求項８】 請求項７において、 前記凹部の開口部の形状は、矩形であり、かつ、 一の隅部の形状が、他の隅部と異なっていることを特徴
    とする集積回路素子の実装構造。
  9. 【請求項９】 請求項８において、 前記一の隅部は、開口部中心に向かって、突出している
    ことを特徴とする集積回路素子の実装構造。
  10. 【請求項１０】 受光部を有する集積回路素子と、 前記集積回路素子と電気的に接続されたリード片と、 前記集積回路素子およびリード片を封止する封止部とを
    備え、 前記封止部は、前記受光部上方に形成された孔部を有し
    ていることを特徴とする集積回路素子の実装構造。
  11. 【請求項１１】 請求項１０において、 前記集積回路素子の前記受光部を含む領域上に、薄膜が
    形成されており、 前記孔部の開口部における前記薄膜は、 前記受光部を保護する保護膜と、反射防止膜とから形成
    されていることを特徴とする集積回路素子の実装構造。
  12. 【請求項１２】 請求項１０において、 前記孔部の形状は、円柱状若しくは円錐台状、または、
    角柱状若しくは角錐台状であることを特徴とする集積回
    路素子の実装構造。
  13. 【請求項１３】 請求項１０において、 前記孔部は、上方から見たとき、前記集積回路素子の所
    定のピンの位置が判別できる形状に、形成されているこ
    とを特徴とする集積回路素子の実装構造。
  14. 【請求項１４】 請求項１３において、 前記孔部の入光側開口部の形状は、矩形であり、かつ、 一の隅部の形状が、他の隅部と異なっていることを特徴
    とする集積回路素子の実装構造。
  15. 【請求項１５】 請求項１４において、 前記一の隅部は、開口部中心に向かって、突出している
    ことを特徴とする集積回路素子の実装構造。
  16. 【請求項１６】 受光部を有する集積回路素子、および
    これと電気的に接続されたリード片に対して、内部に貫
    通孔が形成されたピンと、ピン挿入用の孔が形成された
    型とを、前記ピンが前記型の孔を介して前記受光部上方
    に配置されるように、設置する第１の工程と、 前記型内に、封止のための材料を流し込む第２の工程
    と、 前記第２の工程とともに、または、前記第２の工程の前
    若しくは後に、前記受光部表面に、前記ピンの前記貫通
    孔を介して、前記材料を硬化させるための気体を吹き付
    ける第３の工程とを備えたことを特徴とする集積回路素
    子の実装方法。
  17. 【請求項１７】 請求項１６において、 前記第３の工程は、 前記材料を硬化させるための気体を吹き付ける代わり
    に、前記材料を硬化させるための液体を流し込むもので
    あることを特徴とする集積回路素子の実装方法。
  18. 【請求項１８】 請求項１６または１７において、 前記材料は、熱硬化性樹脂であり、 前記気体または液体は、前記熱硬化性樹脂を硬化させる
    ための温度を有することを特徴とする集積回路素子の実
    装方法。
  19. 【請求項１９】 請求項１６または１７において、 前記ピンの先端部は、円柱若しくは円錐台形状、また
    は、角柱若しくは角錐台形状であることを特徴とする集
    積回路素子の実装方法。
  20. 【請求項２０】 請求項１６において、 前記気体は、不活性ガス、または、不活性ガスを主成分
    とするものであることを特徴とする集積回路素子の実装
    方法。
  21. 【請求項２１】 請求項１６または１７において、 前記ピンは、内部に、吹き付けた前記気体、または流し
    込んだ前記液体が抜けるための第２の貫通孔が形成され
    ていることを特徴とする集積回路素子の実装方法。
  22. 【請求項２２】 請求項１６または１７において、 前記第２の工程は、前記ピンを、その先端が、前記集積
    回路素子の表面に接触するように、設置するものである
    ことを特徴とする集積回路素子の実装方法。
  23. 【請求項２３】 請求項１６または１７において、 前記第１の工程は、前記ピンを、その先端が、前記集積
    回路素子の表面から所定距離だけ離れるように、設置す
    るものであることを特徴とする集積回路素子の実装方
    法。
  24. 【請求項２４】 請求項２３において、 前記集積回路素子と前記リード片とは、ワイヤによって
    接続されており、 前記所定距離は、前記ワイヤの高さに相当する長さより
    も、短いことを特徴とする集積回路素子の実装方法。
  25. 【請求項２５】 請求項１６または１７において、 前記第３の工程の前に、または、前記第３の工程ととも
    に、前記ピンの少なくとも先部を加熱することを特徴と
    する集積回路素子の実装方法。
  26. 【請求項２６】 受光部を有する集積回路素子、および
    これと電気的に接続されたリード片に対して、内部に貫
    通孔が形成されたピンと、ピン挿入用の孔が形成された
    型とを、前記ピンが前記型の孔を介して前記受光部上方
    に配置されるように、設置する第１の工程と、 前記型内に、封止のための材料を流し込む第２の工程
    と、 前記受光部表面から、前記ピンの前記貫通孔を介して、
    流し込まれた前記材料を吸い取る第３の工程とを備えた
    ことを特徴とする集積回路素子の実装方法。
  27. 【請求項２７】 請求項２６において、 前記ピンの先端部は、円柱若しくは円錐台形状、また
    は、角柱若しくは角錐台形状であることを特徴とする集
    積回路素子の実装方法。
  28. 【請求項２８】 受光部を有する集積回路素子、および
    これと電気的に接続されたリード片に対して、内部に貫
    通孔が形成されたピンと、ピン挿入用の孔が形成された
    型とを、前記ピンが前記型の孔を介して前記受光部上方
    に配置されるように、設置する第１の工程と、 前記型内に、封止のための材料を流し込む第２の工程
    と、 前記第２の工程において流し込まれ、前記受光部表面で
    硬化した材料を、前記ピンに前記貫通孔を介して吸着さ
    せ、除去する第３の工程とを備えたことを特徴とする集
    積回路素子の実装方法。
  29. 【請求項２９】 請求項２８において、 前記材料は、熱硬化性樹脂であり、 前記第２の工程の前に、または、前記第２の工程ととも
    に、前記ピンの少なくとも先部を加熱することを特徴と
    する集積回路素子の実装方法。
  30. 【請求項３０】 請求項２８において、前記ピンの先端
    部は、円柱若しくは円錐台形状、または、角柱若しくは
    角錐台形状であることを特徴とする集積回路素子の実装
    方法。
  31. 【請求項３１】 請求項２８において、 前記第２の工程の前に、前記貫通孔に、気体を通すこと
    を特徴とする集積回路素子の実装方法。
  32. 【請求項３２】 請求項２８において、 前記第３の工程の後に、前記貫通孔に、気体を通すこと
    を特徴とする集積回路素子の実装方法。
  33. 【請求項３３】 受光部を有する集積回路素子、および
    これと電気的に接続されたリード片に対して、紫外線硬
    化性樹脂を、紫外線を照射しつつ塗布することによっ
    て、封止を行う工程を備え、 前記封止工程は、 前記受光部表面を避けつつ、前記紫外線硬化性樹脂を塗
    布し、前記集積回路素子と前記リード片とを電気的に接
    続する部分を封止することを特徴とする集積回路素子の
    実装方法。
  34. 【請求項３４】 受光部を有する集積回路素子、および
    これと電気的に接続されたリード片に対して、紫外線硬
    化性樹脂を、紫外線を照射しつつ塗布することによっ
    て、封止を行う工程を備え、 前記封止工程は、 前記集積回路素子の，前記受光部の形成面と反対側の面
    に、前記紫外線硬化性樹脂を塗布し、 前記受光部の形成面の方から、前記集積回路素子と前記
    リード片とを電気的に接続する部分が封止され、かつ、
    前記受光部表面が封止されないように、紫外線を照射す
    るものであることを特徴とする集積回路素子の実装方
    法。
  35. 【請求項３５】 受光部を有する集積回路素子、および
    これと電気的に接続されたリード片に対して、前記受光
    部上方の入光側表面に凹部が形成され、かつ、前記凹部
    の底面に突起部が形成された封止部を形成する封止工程
    と、 前記封止部における前記凹部底面の部分を、前記突起部
    を折取ることによって、除去する工程とを備えているこ
    とを特徴とする集積回路素子の実装方法。
  36. 【請求項３６】 請求項３５において、 前記封止工程は、 上面に穴部が形成された凸部を有する型を、前記集積回
    路素子およびリード片に対して、前記受光部上方に前記
    凸部が位置するように設置する工程と、 前記型内に、封止のための材料を流し込む工程とを備え
    たものであることを特徴とする集積回路素子の実装方
    法。
  37. 【請求項３７】 請求項３５において、 前記封止工程は、 前記集積回路素子およびリード片に対して、内部に貫通
    孔が形成されたピンと、ピン挿入用の孔が形成された型
    とを、前記ピンが前記型の孔を介して前記受光部上方に
    配置されるように、設置する工程と、 前記型内に、封止のための材料を流し込むとともに、前
    記ピンの前記貫通孔に、前記材料を流し込む工程とを備
    えたものであることを特徴とする集積回路素子の実装方
    法。
  38. 【請求項３８】 請求項３５において、 前記凹部底面の形状は、円または楕円であることを特徴
    とする集積回路素子の実装方法。
  39. 【請求項３９】 請求項３５において、 前記突起部の高さは、前記封止部における前記集積回路
    素子と前記リード片との接続部分の高さよりも高いこと
    を特徴とする集積回路素子の実装方法。
JP2002076082A 2002-03-19 2002-03-19 集積回路素子の実装方法 Expired - Fee Related JP3955487B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002076082A JP3955487B2 (ja) 2002-03-19 2002-03-19 集積回路素子の実装方法
US10/388,617 US6924540B2 (en) 2002-03-19 2003-03-17 Integrated circuit device installed structure and installation method
CN03107251A CN1445859A (zh) 2002-03-19 2003-03-19 集成电路器件的安装构造和安装方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002076082A JP3955487B2 (ja) 2002-03-19 2002-03-19 集積回路素子の実装方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003273371A true JP2003273371A (ja) 2003-09-26
JP3955487B2 JP3955487B2 (ja) 2007-08-08

Family

ID=28035408

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002076082A Expired - Fee Related JP3955487B2 (ja) 2002-03-19 2002-03-19 集積回路素子の実装方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6924540B2 (ja)
JP (1) JP3955487B2 (ja)
CN (1) CN1445859A (ja)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006332421A (ja) * 2005-05-27 2006-12-07 Sony Chemical & Information Device Corp 機能素子実装モジュール及びその製造方法
JP2007027559A (ja) * 2005-07-20 2007-02-01 Sharp Corp 表面実装型電子部品、その製造方法および光学電子機器
JP2007189182A (ja) * 2005-03-09 2007-07-26 Pioneer Electronic Corp 光検出半導体装置及びその製造方法
JP2008016142A (ja) * 2006-07-07 2008-01-24 Tdk Corp 受光素子及びそれを用いた光ヘッド並びにそれを用いた光記録再生装置
JP2008053546A (ja) * 2006-08-25 2008-03-06 Tdk Corp 受光素子
JP2009016707A (ja) * 2007-07-09 2009-01-22 Toshiba Corp 半導体受光素子およびその製造方法
JP2019533299A (ja) * 2016-08-01 2019-11-14 ▲寧▼波舜宇光▲電▼信息有限公司 カメラモジュールおよびそのモールド回路基板組立体とモールド感光組立体並びに製造方法
JP7373030B1 (ja) 2022-07-28 2023-11-01 セイコーＮｐｃ株式会社 光学デバイス、及び光学デバイスの製造方法

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003309271A (ja) * 2002-04-18 2003-10-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 集積回路素子の実装構造および実装方法
CA2685080A1 (en) 2007-04-24 2008-11-06 Flextronics Ap Llc Small form factor modules using wafer level optics with bottom cavity and flip-chip assembly
US8937393B2 (en) * 2007-05-03 2015-01-20 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit package system with device cavity
JP2009081346A (ja) * 2007-09-27 2009-04-16 Panasonic Corp 光学デバイスおよびその製造方法
US20090215216A1 (en) * 2008-02-21 2009-08-27 Impac Technology Co., Ltd. Packaging method of image sensing device
US9118825B2 (en) * 2008-02-22 2015-08-25 Nan Chang O-Film Optoelectronics Technology Ltd. Attachment of wafer level optics
US9419032B2 (en) * 2009-08-14 2016-08-16 Nanchang O-Film Optoelectronics Technology Ltd Wafer level camera module with molded housing and method of manufacturing
US9059359B2 (en) * 2012-12-27 2015-06-16 Seoul Viosys Co., Ltd. Photo detection device, photo detection package including the photo detection device, and portable device including the photo detection package
KR102175478B1 (ko) * 2013-01-21 2020-11-06 서울바이오시스 주식회사 광 검출 소자 및 이를 포함하는 광 검출 패키지
US9812602B2 (en) 2012-12-20 2017-11-07 Seoul Viosys Co., Ltd. Light detection device
EP2814064B1 (en) * 2013-06-10 2020-11-25 Nxp B.V. Integrated sensor chip package with directional light sensor, apparatus including such a package and method of manufacturing such an integrated sensor chip package
US9781324B2 (en) * 2016-02-18 2017-10-03 Ningbo Sunny Opotech Co., Ltd. Array imaging module and molded photosensitive assembly, circuit board assembly and manufacturing methods thereof for electronic device
KR102320911B1 (ko) * 2016-02-18 2021-11-02 닝보 써니 오포테크 코., 엘티디. 어레이 이미징 모듈 및 성형된 감광성 어셈블리, 회로 보드 어셈블리 및 전자 장치용 그 제조 방법
EP3429181B1 (en) * 2016-03-12 2024-10-16 Ningbo Sunny Opotech Co., Ltd. Array camera module, moulded photosensitive assembly and manufacturing method therefor, and electronic device
CN105681640B (zh) * 2016-03-28 2019-12-27 宁波舜宇光电信息有限公司 摄像模组及其制造方法
DE102016112049B3 (de) 2016-06-30 2017-08-24 Infineon Technologies Ag Verfahren zum herstellen von cz-siliziumwafern und verfahren zum herstellen einer halbleitervorrichtung
CN110987280A (zh) * 2019-12-02 2020-04-10 歌尔科技有限公司 防水防尘压力传感器及其加工方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3004310B2 (ja) 1990-04-10 2000-01-31 コニカ株式会社 ピラゾロアゾールアゾメチン色素
JP2769255B2 (ja) 1990-11-05 1998-06-25 松下電子工業株式会社 撮像装置およびその製造方法
US5534725A (en) * 1992-06-16 1996-07-09 Goldstar Electron Co., Ltd. Resin molded charge coupled device package and method for preparation thereof
US6261870B1 (en) * 1998-08-28 2001-07-17 Lsi Logic Corporation Backside failure analysis capable integrated circuit packaging
US6379988B1 (en) * 2000-05-16 2002-04-30 Sandia Corporation Pre-release plastic packaging of MEMS and IMEMS devices

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007189182A (ja) * 2005-03-09 2007-07-26 Pioneer Electronic Corp 光検出半導体装置及びその製造方法
JP2006332421A (ja) * 2005-05-27 2006-12-07 Sony Chemical & Information Device Corp 機能素子実装モジュール及びその製造方法
JP2007027559A (ja) * 2005-07-20 2007-02-01 Sharp Corp 表面実装型電子部品、その製造方法および光学電子機器
JP2008016142A (ja) * 2006-07-07 2008-01-24 Tdk Corp 受光素子及びそれを用いた光ヘッド並びにそれを用いた光記録再生装置
JP2008053546A (ja) * 2006-08-25 2008-03-06 Tdk Corp 受光素子
JP2009016707A (ja) * 2007-07-09 2009-01-22 Toshiba Corp 半導体受光素子およびその製造方法
JP2019533299A (ja) * 2016-08-01 2019-11-14 ▲寧▼波舜宇光▲電▼信息有限公司 カメラモジュールおよびそのモールド回路基板組立体とモールド感光組立体並びに製造方法
JP7373030B1 (ja) 2022-07-28 2023-11-01 セイコーＮｐｃ株式会社 光学デバイス、及び光学デバイスの製造方法
JP2024017867A (ja) * 2022-07-28 2024-02-08 セイコーＮｐｃ株式会社 光学デバイス、及び光学デバイスの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN1445859A (zh) 2003-10-01
US20040089859A1 (en) 2004-05-13
US6924540B2 (en) 2005-08-02
JP3955487B2 (ja) 2007-08-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2003273371A (ja) 集積回路素子の実装構造および実装方法
US7855440B2 (en) Functional device-mounted module and a process for producing the same
US6784409B2 (en) Electronic device with encapsulant of photo-set resin and production process of same
JP5705304B2 (ja) オプトエレクトロニクスデバイスおよびオプトエレクトロニクスデバイスを製造する方法
TWI276219B (en) Image pickup device and producing method thereof
US8153467B2 (en) Semiconductor device with groove structure to prevent molding resin overflow over a light receiving region of a photodiode during manufacture and method for manufacturing same
US7663200B2 (en) Integrated circuit device packaging structure and packaging method
CN102194771A (zh) 半导体装置及其制造方法
US8476591B2 (en) Radiation sensor device and method
CN106104344A (zh) 光纤的安装零件、光模块以及制造方法
US8243461B2 (en) Electronic device and process for manufacturing electronic device
JPH06204622A (ja) 光モジュールおよびカプセル封止方法
JP2009021307A (ja) 半導体装置、撮像装置、およびそれらの製造方法
JP2007140179A (ja) 光モジュールおよびその製造方法
WO2009113262A1 (ja) 半導体デバイスおよび半導体デバイスの製造方法
KR102081612B1 (ko) 반도체 패키지 및 이것의 제조 방법
JPH1056238A (ja) 半導体レーザ装置およびその製造方法
JP2000150844A (ja) 固体撮像装置の製造方法
JP2937429B2 (ja) イメージセンサの製造方法
JPH10154762A (ja) 固体撮像装置用の中空パッケージ
KR102051478B1 (ko) 반도체 발광소자 및 이의 제조방법
KR100660660B1 (ko) 반도체 장치
CN104465797B (zh) 具有喇叭状开口的用于感光芯片的封装结构及工艺方法
JPH09214065A (ja) ホログラム型半導体レーザ装置およびその製造方法
CN115119454A (zh) 电子元器件的封装结构及电子产品

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040830

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20070115

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070130

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070314

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20070410

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20070502

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110511

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110511

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120511

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120511

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130511

Year of fee payment: 6

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees