JP3955487B2 - 集積回路素子の実装方法 - Google Patents
集積回路素子の実装方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3955487B2 JP3955487B2 JP2002076082A JP2002076082A JP3955487B2 JP 3955487 B2 JP3955487 B2 JP 3955487B2 JP 2002076082 A JP2002076082 A JP 2002076082A JP 2002076082 A JP2002076082 A JP 2002076082A JP 3955487 B2 JP3955487 B2 JP 3955487B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- integrated circuit
- circuit element
- pin
- mounting
- hole
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/13—Optical detectors therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
- H01L2924/1815—Shape
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Optical Head (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、光ディスク装置用のアンプ内蔵受光素子のような、受光部を有する集積回路素子の実装構造に関する技術に属する。
【0002】
【従来の技術】
図11はレーザユニット(LDU)を有する光ディスク装置の構成を機能的に示すブロック図である。図11に示すように、レーザユニットはレーザ素子52と、受光部を有する集積回路素子(OEIC:光電子集積回路)53とを備えており、レーザ素子52から光ディスク51に対してレーザ光を照射し、その反射光を集積回路素子53の受光部によって受ける。
【0003】
そして、光ディスクの記録密度の向上を図るために、照射するレーザ光のビーム径が絞られており、このため、レーザ光の波長も次第に短くなってきている。例えば、CDの場合にはレーザ波長は780nmであったのが、DVDの場合には650nm、そして、現在開発中の次世代DVDの場合にはレーザー波長は、高密度化のためさらに短波長になっている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
本願発明者等による波長の短いブルーレザーを用いた試作や実験によって、次のような問題が明らかになった。すなわち、従来のDVD用OEICと同様に、透明樹脂を用いて封止したところ、波長の短いブルーレーザ光を受光したときに封止樹脂が一部変形・変質してしまう、という問題が生じた。
【0005】
これは、従来のDVD用OEICでは起きなかった問題である。その原因は、今のところ明確には分かっていないが、レーザ光の波長が短くなったことによりそのエネルギーが従来に比べて増大し、樹脂で吸収された光が熱となることが、要因の1つとしてこの問題に関係していると推察される。
【0006】
前記の問題に鑑み、本発明は、短波長レーザ光を受光する集積回路素子に適した実装方法を提供することを課題とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明は、受光部を有する集積回路素子の実装方法として、前記集積回路素子、およびこれと電気的に接続されたリード片に対して、内部に貫通孔が形成されたピンと、ピン挿入用の孔が形成された型とを、前記ピンが前記型の孔を介して前記受光部上方に配置されるように設置する第1の工程と、前記型内に封止のための材料を流し込む第2の工程と、前記第2の工程とともに、または、前記第2の工程の後に、前記受光部表面に、前記ピンの前記貫通孔を介して、前記材料を硬化させるための気体を吹き付ける第3の工程とを備えたものである。
【0008】
また、本発明は、前記本発明に係る実装方法における第3の工程は、前記材料を硬化させるための気体を吹き付ける代わりに、前記材料を硬化させるための液体を流し込むものである。
【0009】
そして、前記本発明に係る実装方法において、前記材料は熱硬化性樹脂であり、前記気体または液体は、前記熱硬化性樹脂を硬化させるための温度を有するのが好ましい。
【0010】
また、前記本発明に係る実装方法におけるピンの先端部は、円柱若しくは円錐台形状、または、角柱若しくは角錐台形状であるのが好ましい。
【0011】
また、前記本発明に係る実装方法における気体は、不活性ガス、または、不活性ガスを主成分とするものであるのが好ましい。
【0012】
また、前記本発明に係る実装方法におけるピンは、内部に、吹き付けた前記気体、または流し込んだ前記液体が抜けるための第2の貫通孔が形成されているのが好ましい。
【0013】
また、前記本発明に係る実装方法における第2の工程は、前記ピンを、その先端が前記集積回路素子の表面に接触するように、設置するのが好ましい。
【0014】
また、前記本発明に係る実装方法における第1の工程は、前記ピンを、その先端が前記集積回路素子の表面から所定距離だけ離れるように、設置するのが好ましい。さらに、前記集積回路素子と前記リード片とはワイヤによって接続されており、前記所定距離は、前記ワイヤの高さに相当する長さよりも短いことが好ましい。
【0015】
また、前記本発明に係る実装方法において、前記第3の工程の前に、または、前記第3の工程とともに、前記ピンの少なくとも先部を加熱するのが好ましい。
【0016】
また、本発明は、受光部を有する集積回路素子の実装方法として、前記集積回路素子、およびこれと電気的に接続されたリード片に対して、内部に貫通孔が形成されたピンと、ピン挿入用の孔が形成された型とを、前記ピンが前記型の孔を介して前記受光部上方に配置されるように設置する第1の工程と、前記型内に、封止のための材料を流し込む第2の工程と、前記受光部表面から、前記ピンの前記貫通孔を介して、流し込まれた前記材料を吸い取る第3の工程とを備えたものである。
【0017】
そして、前記本発明に係る実装方法におけるピンの先端部は、円柱若しくは円錐台形状、または、角柱若しくは角錐台形状であるのが好ましい。
【0018】
また、本発明は、受光部を有する集積回路素子の実装方法として、前記集積回路素子、およびこれと電気的に接続されたリード片に対して、内部に貫通孔が形成されたピンと、ピン挿入用の孔が形成された型とを、前記ピンが前記型の孔を介して前記受光部上方に配置されるように設置する第1の工程と、前記型内に、封止のための材料を流し込む第2の工程と、前記第2の工程において流し込まれ、前記受光部表面で硬化した材料を、前記ピンに前記貫通孔を介して吸着させ、除去する第3の工程とを備えたものである。
【0019】
そして、前記本発明に係る実装方法において、前記材料は、熱硬化性樹脂であり、前記第2の工程の前に、または、前記第2の工程とともに、前記ピンの少なくとも先部を加熱するのが好ましい。
【0020】
また、前記本発明に係る実装方法におけるピンの先端部は、円柱若しくは円錐台形状、または、角柱若しくは角錐台形状であるのが好ましい。
【0021】
また、前記本発明に係る実装方法において、前記第2の工程の前に、前記貫通孔に気体を通すのが好ましい。
【0022】
また、前記本発明に係る実装方法において、前記第3の工程の後に、前記貫通孔に気体を通すのが好ましい。
【0023】
また、本発明は、受光部を有する集積回路素子の実装方法として、前記集積回路素子、およびこれと電気的に接続されたリード片に対して、前記受光部上方の入光側表面に凹部が形成され、かつ、前記凹部の底面に突起部が形成された封止部を形成する封止工程と、前記封止部における前記凹部底面の部分を、前記突起部を折取ることによって、除去する工程とを備えているものである。
【0024】
そして、前記本発明に係る実装方法における封止工程は、上面に穴部が形成された凸部を有する型を、前記集積回路素子およびリード片に対して、前記受光部上方に前記凸部が位置するように設置する工程と、前記型内に、封止のための材料を流し込む工程とを備えているのが好ましい。
【0025】
また、前記本発明に係る実装方法における封止工程は、前記集積回路素子およびリード片に対して、内部に貫通孔が形成されたピンと、ピン挿入用の孔が形成された型とを、前記ピンが前記型の孔を介して前記受光部上方に配置されるように、設置する工程と、前記型内に、封止のための材料を流し込むとともに、前記ピンの前記貫通孔に、前記材料を流し込む工程とを備えているのが好ましい。
【0026】
また、前記本発明に係る実装方法における凹部底面の形状は、円または楕円であるのが好ましい。
【0027】
また、前記本発明に係る実装方法における突起部の高さは、前記封止部における前記集積回路素子と前記リード片との接続部分の高さよりも高いことが好ましい。
【0028】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。
【0029】
(第1の参考例)
図1は本発明の第1の参考例に係る集積回路素子の実装構造を示す外観図である。図1において、1は受光部11を有する集積回路素子、2は集積回路素子1とワイヤ(図示せず)によって電気的に接続されたリード片、3は集積回路素子1とリード片2を封止する例えば樹脂によって形成された封止部である。そして、封止部3の受光部11上方の入光側表面には、円錐台形状の凹部5が形成されている。
【0030】
図2は本参考例に係る実装構造を示す断面図である。図2に示すように、集積回路素子1とリード片2とを接続するためにワイヤ4が設けられており、ワイヤ4は集積回路素子1やリード片2とともに、封止部3によって封止されている。そして、凹部5はワイヤ4の高さよりも深く形成されており、凹部5底面の高さはワイヤ4の高さよりも低くなっている。
【0031】
図1および図2に示すように、受光部11の入光側表面に凹部5を形成することによって、受光部11表面における封止部3の厚みを薄くすることができる。これにより、受光部11表面の封止部3における光透過率が上がり、吸収される光のエネルギーが少なくなる。すなわち、封止部3で熱に変わってしまう前に、光を受光部11に到達させることができる。したがって、従来のような樹脂が融けるといった問題を、未然に回避することができる。しかも、ワイヤ4部分の保護はなされており、また受光部11表面の保護も可能である。
【0032】
また、受光部11表面の封止部3で吸収される光のエネルギーが少なくなるので、その分、レーザー素子のパワーを落とすことができる。これにより、消費電力を小さくできるとともに、その寿命を長く伸ばすことも可能になる。
【0033】
さらに、凹部5の形状が円錐台状になっているので、二次光や散乱光が受光部11に入りにくくなる。なお、凹部5の形状は、円錐台状の他に、円柱状、角柱状、または角錐台状等であってもかまわない。また、凹部5の内壁面が、深さ方向において内側に向いた曲面形状を有してもよい。特に、内壁面が放物面であるのが好ましい。これにより、内壁面での反射光が受光部11に入ることを防ぐことができる。
【0034】
また、凹部5を、上方から見たとき、集積回路素子1の所定のピン、例えば1番ピンの位置が判別できる形状に、形成してもよい。これにより、マーキングを省略し、実装・組立時に必要となるパッケージの向きを判別することができる。
【0035】
図3(a)は本参考例に係る実装構造の主要部の平面図である。図3(a)では、凹部5の開口部の形状が矩形であり、かつ、その開口部の一の隅部C1の形状が、他の隅部と異なっている。ここでは、隅部C1が、開口部中心に向かって、突出している。そして、形状が他と異なる隅部C1によって、集積回路素子1の1番ピン12の位置が判別でき、パッケージの向きも判別できるようになっている。
【0036】
なお、開口部の形状は、集積回路素子1の所定のピンの位置が判別できるようなものであれば、どのようなものでもかまわない。図3(b)〜(e)に開口部形状の他の例を示しており、いずれの例も隅部C1を特定することができる。また、開口部以外、例えば、底面の形状でピン位置を特定することも可能である。
【0037】
(第2の参考例)
図4は本発明の第2の参考例に係る集積回路素子の実装構造を示す断面図である。図4では、封止部3の受光部11上方に円錐台形状の孔部6が形成されている。そして、集積回路素子1の受光部11を含む領域上には薄膜13が形成されている。薄膜13は窒化膜および酸化膜から形成されている。
【0038】
図4に示すように、受光部11上方に孔部6を形成することによって、受光部11表面に封止部3をなくすことができる。これにより、第1の参考例と同様の効果が得られる。また、チップの保護の観点からみても、集積回路素子1は、受光部11領域以外は保護されている。また、集積回路素子1とリード片2とを電気的に接続するワイヤ4も封止部3によって保護されている。
【0039】
さらに、受光部11の表面には薄膜13が形成されているので、受光部11領域も薄膜13によって保護されており、信頼性の点でも問題はない。この薄膜13は、受光部11を保護する保護膜と、反射防止膜とから形成されているのが好ましい。この例では、窒化膜が保護膜に相当し、酸化膜が反射防止膜に相当する。また、受光面が十分な強度を持っている等、場合によっては、この窒化膜を形成しなくてもかまわない。
【0040】
また、第1の参考例と同様に、孔部6の形状は、円錐台状の他に、円柱状、角柱状、または角錐台状等であってもかまわない。また、孔部5の内壁面が、深さ方向において内側に向いた曲面形状を有してもよい。
【0041】
さらに、第1の参考例と同様に、孔部6を、上方から見たとき、集積回路素子1の所定のピンの位置が判別できる形状に、形成してもよい。
【0042】
(第1の実施形態)
図5は本発明の第1の実施形態に係る集積回路素子の実装方法を示す工程断面図である。図5において、図4と共通の構成要素には、図4と同一の符号を付している。
【0043】
まず、図5(a)に示すように、受光部11を有する集積回路素子1と、ワイヤ4によって集積回路素子1と電気的に接続されたリード片2とを準備する。そして図5(b)に示すように、ピン21と、ピン21挿入用の孔22aが形成された型22とを設置する。このとき、ピン21が、型22の孔22aを介して集積回路素子1の受光部11上方に配置されるように位置決めする(第1の工程)。ピン21の内部には気体を吹き付けるための第1の貫通孔21aと吹き付けた気体が抜けるための第2の貫通孔21bとが形成されている。またピン21の先端部の形状は、円錐台状である。また、受光部11にダメージを与えないように、ピン21の先端と受光部11との間にわずかな隙間を空けて、ピン21の先端が受光部11表面に接触しないようにする。
【0044】
そして図5(c)に示すように、封止部形成用の熱硬化性樹脂を流し込む(第2の工程)とともに、受光部11表面に、ピン21の貫通孔21aを介して、高温の不活性ガスを吹き付ける(第3の工程)。不活性ガスの温度は、流し込む熱硬化性樹脂を硬化させるために十分な温度であればよい。これにより、流し込まれた熱硬化性樹脂は、受光部11周辺に到達する前に、不活性ガスの熱によって硬化する。
【0045】
その後、ピン21および型22を取り除くと、図5(d)に示すように、受光部11上方に孔部6を有する封止部3が形成されている。孔部6の形状は、ピン21の先端部が円錐台形状であったので、円錐台状になっている。
【0046】
なお、第1の工程において、ピン21と型22とのどちらを先に設置してもかまわない。すなわち、型22を先に設置してからその孔22aにピン21を位置決めしてもよいし、先にピン21を配置してから型22を配置してもよい。あるいは、予めピン21と型22とを組み合わせておいてから、集積回路素子1に対して位置決めしてもかまわない。
【0047】
また、ピン21を、その先端が集積回路素子1の表面に接触するように、配置してもよい。これにより、受光面上の樹脂を完全に、またはほぼ完全に、なくすことができる。また、第1の参考例で示したような凹部5を形成するために、ピン21を、その先端が集積回路素子1の表面から所定距離だけ離れるように、設置してもよい。そして、その所定距離を適宜設定することによって、凹部5の底面の厚さを制御することが可能になる。例えば、ワイヤ4の高さに相当する長さよりも短い距離だけ離すことによって、底面の厚さがワイヤ4の高さよりも薄い凹部5を形成することができる。
【0048】
また、高温ガスを吹き付ける代わりに、封止部用材料を硬化させるような液体を流し込んでもかまわない。
【0049】
ガスは、不活性ガスの代わりに、不活性ガスを主成分とするものでもよい。
【0050】
ピン21の先端部の形状は、円錐台状の他に、円柱状、角柱状、または角錐台状などであってもかまわない。この場合、ピン21の先端部の形状に応じた形状の孔部5または凹部6が形成される。
【0051】
また、第3の工程は、第2の工程とともに行う代わりに、第2の工程の前、または後でもよい。さらに、第3の工程の前に、または、第3の工程とともに、ピン21の少なくとも先部を加熱すれば、より効果的に封止部3を形成することができる。
【0052】
(第2の実施形態)
図6は本発明の第2の実施形態に係る集積回路素子の実装方法を示す工程断面図である。図6において、図4と共通の構成要素には、図4と同一の符号を付している。
【0053】
まず、受光部11を有する集積回路素子1と、ワイヤ4によって集積回路素子1と電気的に接続されたリード片2とを準備する。そして図6(a)に示すように、ピン23と、ピン23挿入用の孔22aが形成された型22とを設置する。このとき、ピン23が、型22の孔22aを介して集積回路素子1の受光部11上方に配置されるように位置決めする(第1の工程)。ピン23の内部には、封止部形成用樹脂を吸い取るための貫通孔23aが形成されている。またピン23の先端部の形状は円錐台状である。また、ピン23の先端と受光部11との間にわずかな隙間を空けて、ピン23の先端が受光部11表面に接触しないようにする。
【0054】
そして図6(b)に示すように、封止部形成用の熱硬化性樹脂を流し込み(第2の工程)、受光部11表面から、ピン23の貫通孔23aを介して、流し込まれた樹脂を吸い取る(第3の工程)。これにより、流し込まれた樹脂は、受光部11表面からは除去される。樹脂を吸い取るタイミングは、樹脂が硬化する前であってもよいし、硬化途中や硬化した後であってもよい。
【0055】
その後、ピン23および型22を取り除くと、図6(c)に示すように、受光部11上方に孔部6を有する封止部3が形成されている。孔部6の形状は、ピン23の先端部が円錐台形状であったので、円錐台状になっている。
【0056】
(第3の実施形態)
図7は本発明の第3の実施形態に係る集積回路素子の実装方法を示す工程断面図である。図7において、図4と共通の構成要素には、図4と同一の符号を付している。
【0057】
まず、受光部11を有する集積回路素子1と、ワイヤ4によって集積回路素子1と電気的に接続されたリード片2とを準備する。そして図7(a)に示すように、ピン24と、ピン24挿入用の孔22aが形成された型22とを設置する。このとき、ピン24が、型22の孔22aを介して集積回路素子1の受光部11上方に配置されるように位置決めする(第1の工程)。ピン24の内部には、受光部11の表面の封止部形成用樹脂を吸着させて除去するための貫通孔24aが形成されている。またピン24の先端部の形状は円錐台状である。また、ピン24の先端と受光部11との間にわずかな隙間を空けて、ピン23の先端が受光部11表面に接触しないようにする。
【0058】
そして図7(b)に示すように、封止部形成用の熱硬化性樹脂を流し込む(第2の工程)。このとき、ピン24の少なくとも先部を加熱するのが好ましい。あるいは、樹脂を流し込む前に予め加熱しておいてもよい。そして図7(c)に示すように、受光部11表面で硬化した樹脂3aを、貫通孔24aから吸引することによってピン24に吸着させ、ピン24とともに除去する(第3の工程)。その後、ピン24および型22を取り除くと、受光部11上方に孔部6を有する封止部3が形成されている。孔部6の形状は、ピン23の先端部が円錐台形状であったので、円錐台状になっている。
【0059】
なお、第2の工程において、ピン24の貫通孔24aを介して高温のガスを吹き付けても良い。これにより、樹脂の硬化が促進される。
【0060】
また、ピン24の貫通孔24a内部を掃除するために、第2の工程の前に、貫通孔24aに気体を通しても良いし、第3の工程の後に、貫通孔24aに気体を通してもかまわない。
【0061】
(第3の参考例)
図8は本発明の第3の参考例に係る集積回路素子の実装方法を示す図である。本参考例では、紫外線硬化性樹脂を、紫外線を照射しつつ塗布することによって、受光部11上方に孔部6を有する封止部を形成する。
【0062】
図8(a)の場合には、受光部11を有する集積回路素子1、リード片2およびワイヤ4に対して、紫外線硬化性樹脂を、受光部11表面を避けつつ、塗布する。そして、樹脂を塗布しながら、紫外線を照射して瞬間的に固めていく。いわば、樹脂を塗りつけていくような感じである。これによって、受光部11表面以外の、ワイヤ4を含む部分についてのみ、封止を行うことでき、これにより、孔部6を有する封止部を形成することができる。
【0063】
また図8(b)の場合には、集積回路素子1の裏面、すなわち受光部11の形成面と反対側の面に紫外線硬化性樹脂を塗布し、集積回路素子1の主面、すなわち受光部11の形成面の方から紫外線を照射し、瞬間的に固める。このとき、受光部11表面が封止されないようにする。表面張力によってワイヤ4の周辺のみを封止することができる。これにより、必要な部分にのみ封止を行うことができ、パッケージをより薄く軽くできる。
【0064】
(第4の実施形態)
図9は本発明の第4の実施形態に係る集積回路素子の実装方法を示す図である。本実施形態では、まず、図9(a)に示すように、受光部上方の入光側表面に凹部31が形成され、かつ、凹部31の底面に突起部32が形成された封止部3Aを形成する。図9(b)は封止部3Aの平面図であり、凹部31の底面は円形状になっている。このような封止部3Aは、例えば後述するように、型を利用したり、ピンを利用したりして形成することができる。
【0065】
そして図9(c)に示すように、突起部32を折取ることによって、凹部31の底面の部分を除去する。これにより、受光部11の表面が封止部3から露出し、孔部6が形成される。
【0066】
なお、凹部31の底面の形状は、円の代わりに、楕円でもよいし、あるいは矩形や多角形であってもかまわない。ただし、折取りやすさの面からみると、円または楕円であるのが好ましい。
【0067】
また、突起部32の高さは、ワイヤ4を封止する部分の高さよりも高い方が、突起部32が折取りやすくなるので好ましい。
【0068】
図10は図9(a)に示すような封止部3Aを形成する工程を説明する断面図である。図10(a)の場合には、上面に穴部25bが形成された凸部25aを有する型25を、受光部11上方に凸部25aが位置するように設置している。そして、型25内に、封止のための材料、例えば熱硬化性樹脂を流し込み、封止部3Aを形成する。この場合、突起部32が確実に形成されるように、圧力をかけて樹脂を押し込んだり、穴部25bに貫通孔をあけておき、その貫通孔から樹脂を吸い上げたりしてもよい。
【0069】
また図10(b)の場合には、内部に貫通孔26aが形成されたピン26と、ピン挿入用の孔22aが形成された型22とを、ピン26が型22の孔22aを介して受光部11上方に配置されるように、設置する。そして、型25内に、封止のための材料、例えば熱硬化性樹脂を流し込むとともに、ピン26の貫通孔26aにも樹脂を流し込み、封止部3Aを形成する。
【0070】
なお、上述の各実施形態および参考例では、集積回路素子とリード片とがワイヤによって電気的に接続されているものとしたが、この接続は、例えば接着、圧着、溶着またはバンプなど、ワイヤ以外の手段によってなされていても、本発明は適用可能である。
【0071】
【発明の効果】
以上のように本発明によると、短波長レーザ光を受光する集積回路素子について、実用上、適切な実装構造を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の第1の参考例に係る実装構造を示す外観図である。
【図2】 本発明の第1の参考例に係る実装構造を示す断面図である。
【図3】 (a)は本発明の第1の参考例に係る実装構造の主要部の平面図、(b)〜(e)は凹部開口部の他の形状の例である。
【図4】 本発明の第2の参考例に係る実装構造を示す断面図である。
【図5】 本発明の第1の実施形態に係る集積回路素子の実装方法を示す工程断面図である。
【図6】 本発明の第2の実施形態に係る集積回路素子の実装方法を示す工程断面図である。
【図7】 本発明の第3の実施形態に係る集積回路素子の実装方法を示す工程断面図である。
【図8】 本発明の第3の参考例に係る集積回路素子の実装方法を示す工程断面図である。
【図9】 本発明の第4の実施形態に係る集積回路素子の実装方法を示す図である。
【図10】 本発明の第4の実施形態に係る集積回路素子の実装方法を示す図である。
【図11】 レーザーユニットを有する光ディスク装置の構成を示すブロック図である。
【符号の説明】
1 集積回路素子
2 リード片
3,3A 封止部
4 ワイヤ
5 凹部
6 孔部
11 受光部
12 1番ピン(所定のピン)
13 薄膜
21,23,24,26 ピン
21a 第1の貫通孔
21b 第2の貫通孔
22,25 型
22a 孔
23a,24a,26a 貫通孔
25a 凸部
25b 穴部
31 凹部
32 突起部
C1 一の隅部
Claims (22)
- 受光部を有する集積回路素子、およびこれと電気的に接続されたリード片に対して、内部に貫通孔が形成されたピンと、ピン挿入用の孔が形成された型とを、前記ピンが前記型の孔を介して前記受光部上方に配置されるように、設置する第1の工程と、
前記型内に、封止のための材料を流し込む第2の工程と、
前記第2の工程とともに、または、前記第2の工程の後に、前記受光部表面に、前記ピンの前記貫通孔を介して、前記材料を硬化させるための気体を吹き付ける第3の工程とを備えた
ことを特徴とする集積回路素子の実装方法。 - 請求項1において、
前記第3の工程は、
前記材料を硬化させるための気体を吹き付ける代わりに、前記材料を硬化させるための液体を流し込むものである
ことを特徴とする集積回路素子の実装方法。 - 請求項1または2において、
前記材料は、熱硬化性樹脂であり、
前記気体または液体は、前記熱硬化性樹脂を硬化させるための温度を有する
ことを特徴とする集積回路素子の実装方法。 - 請求項1または2において、
前記ピンの先端部は、円柱若しくは円錐台形状、または、角柱若しくは角錐台形状である
ことを特徴とする集積回路素子の実装方法。 - 請求項1において、
前記気体は、不活性ガス、または、不活性ガスを主成分とするものである
ことを特徴とする集積回路素子の実装方法。 - 請求項1または2において、
前記ピンは、内部に、吹き付けた前記気体、または流し込んだ前記液体が抜けるための第2の貫通孔が形成されている
ことを特徴とする集積回路素子の実装方法。 - 請求項1または2において、
前記第2の工程は、前記ピンを、その先端が、前記集積回路素子の表面に接触するように、設置するものである
ことを特徴とする集積回路素子の実装方法。 - 請求項1または2において、
前記第1の工程は、前記ピンを、その先端が、前記集積回路素子の表面から所定距離だけ離れるように、設置するものである
ことを特徴とする集積回路素子の実装方法。 - 請求項8において、
前記集積回路素子と前記リード片とは、ワイヤによって接続されており、
前記所定距離は、前記ワイヤの高さに相当する長さよりも、短い
ことを特徴とする集積回路素子の実装方法。 - 請求項1または2において、
前記第3の工程の前に、または、前記第3の工程とともに、前記ピンの少なくとも先部を加熱する
ことを特徴とする集積回路素子の実装方法。 - 受光部を有する集積回路素子、およびこれと電気的に接続されたリード片に対して、内部に貫通孔が形成されたピンと、ピン挿入用の孔が形成された型とを、前記ピンが前記型の孔を介して前記受光部上方に配置されるように、設置する第1の工程と、
前記型内に、封止のための材料を流し込む第2の工程と、
前記受光部表面から、前記ピンの前記貫通孔を介して、流し込まれた前記材料を吸い取る第3の工程とを備えた
ことを特徴とする集積回路素子の実装方法。 - 請求項11において、
前記ピンの先端部は、円柱若しくは円錐台形状、または、角柱若しくは角錐台形状である
ことを特徴とする集積回路素子の実装方法。 - 受光部を有する集積回路素子、およびこれと電気的に接続されたリード片に対して、内部に貫通孔が形成されたピンと、ピン挿入用の孔が形成された型とを、前記ピンが前記型の孔を介して前記受光部上方に配置されるように、設置する第1の工程と、
前記型内に、封止のための材料を流し込む第2の工程と、
前記第2の工程において流し込まれ、前記受光部表面で硬化した材料を、前記ピンに前記貫通孔を介して吸着させ、除去する第3の工程とを備えた
ことを特徴とする集積回路素子の実装方法。 - 請求項13において、
前記材料は、熱硬化性樹脂であり、
前記第2の工程の前に、または、前記第2の工程とともに、前記ピンの少なくとも先部を加熱する
ことを特徴とする集積回路素子の実装方法。 - 請求項13において、
前記ピンの先端部は、円柱若しくは円錐台形状、または、角柱若しくは角錐台形状である
ことを特徴とする集積回路素子の実装方法。 - 請求項13において、
前記第2の工程の前に、前記貫通孔に、気体を通す
ことを特徴とする集積回路素子の実装方法。 - 請求項13において、
前記第3の工程の後に、前記貫通孔に、気体を通す
ことを特徴とする集積回路素子の実装方法。 - 受光部を有する集積回路素子、およびこれと電気的に接続されたリード片に対して、前記受光部上方の入光側表面に凹部が形成され、かつ、前記凹部の底面に突起部が形成された封止部を形成する封止工程と、
前記封止部における前記凹部底面の部分を、前記突起部を折取ることによって、除去する工程とを備えている
ことを特徴とする集積回路素子の実装方法。 - 請求項18において、
前記封止工程は、
上面に穴部が形成された凸部を有する型を、前記集積回路素子およびリード片に対して、前記受光部上方に前記凸部が位置するように設置する工程と、
前記型内に、封止のための材料を流し込む工程とを備えたものである
ことを特徴とする集積回路素子の実装方法。 - 請求項18において、
前記封止工程は、
前記集積回路素子およびリード片に対して、内部に貫通孔が形成されたピンと、ピン挿入用の孔が形成された型とを、前記ピンが前記型の孔を介して前記受光部上方に配置されるように、設置する工程と、
前記型内に、封止のための材料を流し込むとともに、前記ピンの前記貫通孔に、前記材料を流し込む工程とを備えたものである
ことを特徴とする集積回路素子の実装方法。 - 請求項18において、
前記凹部底面の形状は、円または楕円である
ことを特徴とする集積回路素子の実装方法。 - 請求項18において、
前記突起部の高さは、前記封止部における前記集積回路素子と前記リード片との接続部分の高さよりも高い
ことを特徴とする集積回路素子の実装方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002076082A JP3955487B2 (ja) | 2002-03-19 | 2002-03-19 | 集積回路素子の実装方法 |
US10/388,617 US6924540B2 (en) | 2002-03-19 | 2003-03-17 | Integrated circuit device installed structure and installation method |
CN03107251A CN1445859A (zh) | 2002-03-19 | 2003-03-19 | 集成电路器件的安装构造和安装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002076082A JP3955487B2 (ja) | 2002-03-19 | 2002-03-19 | 集積回路素子の実装方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003273371A JP2003273371A (ja) | 2003-09-26 |
JP3955487B2 true JP3955487B2 (ja) | 2007-08-08 |
Family
ID=28035408
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002076082A Expired - Fee Related JP3955487B2 (ja) | 2002-03-19 | 2002-03-19 | 集積回路素子の実装方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6924540B2 (ja) |
JP (1) | JP3955487B2 (ja) |
CN (1) | CN1445859A (ja) |
Families Citing this family (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003309271A (ja) * | 2002-04-18 | 2003-10-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 集積回路素子の実装構造および実装方法 |
JP4042993B2 (ja) * | 2005-03-09 | 2008-02-06 | パイオニア株式会社 | 光検出半導体装置の製造方法 |
JP2006332421A (ja) * | 2005-05-27 | 2006-12-07 | Sony Chemical & Information Device Corp | 機能素子実装モジュール及びその製造方法 |
JP2007027559A (ja) * | 2005-07-20 | 2007-02-01 | Sharp Corp | 表面実装型電子部品、その製造方法および光学電子機器 |
JP4200463B2 (ja) * | 2006-07-07 | 2008-12-24 | Tdk株式会社 | 受光素子及びそれを用いた光ヘッド並びにそれを用いた光記録再生装置 |
JP2008053546A (ja) * | 2006-08-25 | 2008-03-06 | Tdk Corp | 受光素子 |
US8605208B2 (en) | 2007-04-24 | 2013-12-10 | Digitaloptics Corporation | Small form factor modules using wafer level optics with bottom cavity and flip-chip assembly |
US8937393B2 (en) * | 2007-05-03 | 2015-01-20 | Stats Chippac Ltd. | Integrated circuit package system with device cavity |
JP5022795B2 (ja) * | 2007-07-09 | 2012-09-12 | 株式会社東芝 | 半導体受光素子およびその製造方法 |
JP2009081346A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-04-16 | Panasonic Corp | 光学デバイスおよびその製造方法 |
US20090215216A1 (en) * | 2008-02-21 | 2009-08-27 | Impac Technology Co., Ltd. | Packaging method of image sensing device |
US9118825B2 (en) * | 2008-02-22 | 2015-08-25 | Nan Chang O-Film Optoelectronics Technology Ltd. | Attachment of wafer level optics |
US9419032B2 (en) * | 2009-08-14 | 2016-08-16 | Nanchang O-Film Optoelectronics Technology Ltd | Wafer level camera module with molded housing and method of manufacturing |
US9812602B2 (en) | 2012-12-20 | 2017-11-07 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light detection device |
KR102175478B1 (ko) * | 2013-01-21 | 2020-11-06 | 서울바이오시스 주식회사 | 광 검출 소자 및 이를 포함하는 광 검출 패키지 |
CN106158803B (zh) * | 2012-12-27 | 2019-04-16 | 首尔伟傲世有限公司 | 光检测封装和包括该光检测封装的便携设备 |
EP2814064B1 (en) * | 2013-06-10 | 2020-11-25 | Nxp B.V. | Integrated sensor chip package with directional light sensor, apparatus including such a package and method of manufacturing such an integrated sensor chip package |
US9781324B2 (en) * | 2016-02-18 | 2017-10-03 | Ningbo Sunny Opotech Co., Ltd. | Array imaging module and molded photosensitive assembly, circuit board assembly and manufacturing methods thereof for electronic device |
KR102320911B1 (ko) * | 2016-02-18 | 2021-11-02 | 닝보 써니 오포테크 코., 엘티디. | 어레이 이미징 모듈 및 성형된 감광성 어셈블리, 회로 보드 어셈블리 및 전자 장치용 그 제조 방법 |
US10908324B2 (en) * | 2016-03-12 | 2021-02-02 | Ningbo Sunny Opotech Co., Ltd. | Molded photosensitive assembly of array imaging module |
CN105681640B (zh) * | 2016-03-28 | 2019-12-27 | 宁波舜宇光电信息有限公司 | 摄像模组及其制造方法 |
DE102016112049B3 (de) | 2016-06-30 | 2017-08-24 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum herstellen von cz-siliziumwafern und verfahren zum herstellen einer halbleitervorrichtung |
EP3493517B1 (en) * | 2016-08-01 | 2023-05-31 | Ningbo Sunny Opotech Co., Ltd. | Photographing module, molded circuit board assembly and molded photosensitive assembly thereof and manufacturing methods |
CN110987280A (zh) * | 2019-12-02 | 2020-04-10 | 歌尔科技有限公司 | 防水防尘压力传感器及其加工方法 |
JP7373030B1 (ja) * | 2022-07-28 | 2023-11-01 | セイコーNpc株式会社 | 光学デバイス、及び光学デバイスの製造方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3004310B2 (ja) | 1990-04-10 | 2000-01-31 | コニカ株式会社 | ピラゾロアゾールアゾメチン色素 |
JP2769255B2 (ja) | 1990-11-05 | 1998-06-25 | 松下電子工業株式会社 | 撮像装置およびその製造方法 |
US5534725A (en) * | 1992-06-16 | 1996-07-09 | Goldstar Electron Co., Ltd. | Resin molded charge coupled device package and method for preparation thereof |
US6261870B1 (en) * | 1998-08-28 | 2001-07-17 | Lsi Logic Corporation | Backside failure analysis capable integrated circuit packaging |
US6379988B1 (en) * | 2000-05-16 | 2002-04-30 | Sandia Corporation | Pre-release plastic packaging of MEMS and IMEMS devices |
-
2002
- 2002-03-19 JP JP2002076082A patent/JP3955487B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-03-17 US US10/388,617 patent/US6924540B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-03-19 CN CN03107251A patent/CN1445859A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2003273371A (ja) | 2003-09-26 |
CN1445859A (zh) | 2003-10-01 |
US6924540B2 (en) | 2005-08-02 |
US20040089859A1 (en) | 2004-05-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3955487B2 (ja) | 集積回路素子の実装方法 | |
US7855440B2 (en) | Functional device-mounted module and a process for producing the same | |
US6680491B2 (en) | Optical electronic apparatus and method for producing the same | |
CN106104344A (zh) | 光纤的安装零件、光模块以及制造方法 | |
US20090212411A1 (en) | Semiconductor device and manufacturing method therefor | |
US20240063295A1 (en) | Pulsed-laser modification of quantum-particle cells | |
JP2007140179A (ja) | 光モジュールおよびその製造方法 | |
JP2000164535A (ja) | レーザ加工装置 | |
JP2011159692A (ja) | 電子装置、および、電子装置の製造方法 | |
JP2009111205A (ja) | 中空パッケージ、その製造方法及び組立方法、並びに、撮像装置 | |
TW200921775A (en) | Wafer grinding method | |
JP2000150844A (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
KR102081612B1 (ko) | 반도체 패키지 및 이것의 제조 방법 | |
JPH10154762A (ja) | 固体撮像装置用の中空パッケージ | |
JP2006303128A (ja) | 中空半導体パッケージの製造方法 | |
JP3308934B2 (ja) | 樹脂モールドbga型半導体装置の製造方法 | |
US20180076367A1 (en) | Optoelectronic component and method for the production thereof | |
KR100660660B1 (ko) | 반도체 장치 | |
KR102022460B1 (ko) | 반도체 발광소자 및 이의 제조방법 | |
KR102017730B1 (ko) | 반도체 발광소자용 예비 봉지재 제조방법 | |
JP2007058916A (ja) | 光ピックアップ | |
JPH06314715A (ja) | 半導体チップ及び半導体装置の製造方法 | |
CN104465797B (zh) | 具有喇叭状开口的用于感光芯片的封装结构及工艺方法 | |
JPH06125019A (ja) | 半導体装置 | |
JP2006186067A (ja) | フィルター付き撮像素子およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040830 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070115 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070130 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070314 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070410 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070502 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110511 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110511 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120511 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120511 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130511 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |