JP3308934B2 - 樹脂モールドｂｇａ型半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂モールドｂｇａ型半導体装置の製造方法Info
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- H01L2224/11—Manufacturing methods
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子や配線
基板などに形成される外部接続電極が、半田ボールによ
って形成された樹脂モールドＢＧＡ型半導体装置の製造
方法に関する。
基板などに形成される外部接続電極が、半田ボールによ
って形成された樹脂モールドＢＧＡ型半導体装置の製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の樹脂モールドＢＧＡ（ボールグリ
ッドアレイ）型半導体装置の構造は、例えば、半導体素
子上に形成された回路パターンに接続してマトリクス状
に配置された電極パッド上に半田ボールが接合され、こ
の半田ボールの略下半分が埋設する程度に半導体素子上
に樹脂が被覆され、この樹脂により半田ボールの補強な
らびに耐湿性の向上を図っている。そして、この被覆さ
れた樹脂層から突出する略上半分の半田ボールで外部接
続電極を形成している。
ッドアレイ）型半導体装置の構造は、例えば、半導体素
子上に形成された回路パターンに接続してマトリクス状
に配置された電極パッド上に半田ボールが接合され、こ
の半田ボールの略下半分が埋設する程度に半導体素子上
に樹脂が被覆され、この樹脂により半田ボールの補強な
らびに耐湿性の向上を図っている。そして、この被覆さ
れた樹脂層から突出する略上半分の半田ボールで外部接
続電極を形成している。
【０００３】このような、従来構造の樹脂モールドＢＧ
Ａ型半導体装置を製造するには、例えば、特開平８−３
１９７９号公報に示すように、まず、図４の工程図
（ａ）において、電極パッド２１が形成されている半導
体素子２０の表面を樹脂層２２で被覆する。次いで、こ
の樹脂層２２を金属層２３で被覆し、同図（ｂ）のよう
に、電極パッド２１に対応する個所が開口するように金
属層２３を部分的にエッチング除去して開口部２４を形
成する。
Ａ型半導体装置を製造するには、例えば、特開平８−３
１９７９号公報に示すように、まず、図４の工程図
（ａ）において、電極パッド２１が形成されている半導
体素子２０の表面を樹脂層２２で被覆する。次いで、こ
の樹脂層２２を金属層２３で被覆し、同図（ｂ）のよう
に、電極パッド２１に対応する個所が開口するように金
属層２３を部分的にエッチング除去して開口部２４を形
成する。
【０００４】次に、同図（ｃ）のように、開口部２４以
外の金属層２３をマスクとしてレーザ光２５を照射し、
開口部２４に露出する樹脂層２２を除去する。その結
果、同図（ａ）で被覆した樹脂層２２には、電極パッド
２１に達する凹部が形成されたことになる。そして、最
後に、同図（ｄ）のように、レーザ光照射の際にマスク
として使用した金属層２３をエッチング除去し、同図
（ｅ）のように、形成された凹部に半田ボール２６を配
置して加熱溶融し、上述したような樹脂モールドＢＧＡ
型半導体装置を形成している。
外の金属層２３をマスクとしてレーザ光２５を照射し、
開口部２４に露出する樹脂層２２を除去する。その結
果、同図（ａ）で被覆した樹脂層２２には、電極パッド
２１に達する凹部が形成されたことになる。そして、最
後に、同図（ｄ）のように、レーザ光照射の際にマスク
として使用した金属層２３をエッチング除去し、同図
（ｅ）のように、形成された凹部に半田ボール２６を配
置して加熱溶融し、上述したような樹脂モールドＢＧＡ
型半導体装置を形成している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述したような、従来
の樹脂モールドＢＧＡ型半導体装置の製造工程において
は、樹脂層に凹部を形成する際に、レーザ光のマスクと
なる金属層を設けなければならないこと、また、電極パ
ッドにはレーザ光のストッパーとなるメッキ層を必要と
すること、などによって製造工程が複雑化してしまう。
の樹脂モールドＢＧＡ型半導体装置の製造工程において
は、樹脂層に凹部を形成する際に、レーザ光のマスクと
なる金属層を設けなければならないこと、また、電極パ
ッドにはレーザ光のストッパーとなるメッキ層を必要と
すること、などによって製造工程が複雑化してしまう。
【０００６】また、レーザ光の照射部には、樹脂の残骸
や酸化膜が残っており、これらを除去するために酸洗い
洗浄等の薬液処理が必要となり、この処理の際、半導体
素子が近傍に実装されていると、この薬液イオンの影響
によって耐湿性等の品質劣化を引き起こす原因となって
いる。
や酸化膜が残っており、これらを除去するために酸洗い
洗浄等の薬液処理が必要となり、この処理の際、半導体
素子が近傍に実装されていると、この薬液イオンの影響
によって耐湿性等の品質劣化を引き起こす原因となって
いる。
【０００７】このように、従来の樹脂モールドＢＧＡ型
半導体装置の製造工程において発生する不具合が、レー
ザ加工処理工程に起因していることから、本発明は、こ
のレーザ加工を用いない製造プロセスを提供することを
目的とする。
半導体装置の製造工程において発生する不具合が、レー
ザ加工処理工程に起因していることから、本発明は、こ
のレーザ加工を用いない製造プロセスを提供することを
目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、電極パッドが
マトリクス状に配列された半導体素子をリードフレーム
に搭載し、前記電極パッド面を除いて半導体素子全体を
樹脂モールドし、電極パッド部に開口された樹脂凹部に
半田を充填して半田電極パッドを形成した樹脂モールド
ＢＧＡ型半導体装置の製造方法において、下記の工程
（ａ）〜（ｇ）を含む工程を有することを特徴とする。
マトリクス状に配列された半導体素子をリードフレーム
に搭載し、前記電極パッド面を除いて半導体素子全体を
樹脂モールドし、電極パッド部に開口された樹脂凹部に
半田を充填して半田電極パッドを形成した樹脂モールド
ＢＧＡ型半導体装置の製造方法において、下記の工程
（ａ）〜（ｇ）を含む工程を有することを特徴とする。
【０００９】すなわち、本発明の樹脂モールドＢＧＡ型
半導体装置の製造方法は、リードフレームに半導体素子
を搭載する工程（ａ）と、前記半導体素子上に導電性樹
脂テープを供給する工程（ｂ）と、前記導電性樹脂テー
プを半導体素子上の電極パッドに熱圧着金型を用いて転
写接合し、電極パッド上に導電性樹脂層を形成する工程
（ｃ）と、前記電極パッドに転写接合した導電性樹脂層
を残して、その他の部分を剥離する工程（ｄ）と、前記
電極パッド上に導電性樹脂層が転写された半導体素子を
樹脂モールド金型内に入れ、金型キャビティ内に突出す
る突起部で前記導電性樹脂層を押圧した状態でキャビテ
ィにモールド樹脂を注入する工程（ｅ）と、前記金型内
にモールド樹脂を注入し、前記金型突起部によって電極
パッド上のモールド樹脂部に樹脂凹部が形成されてなる
樹脂モールド製品を成形する工程（ｆ）と、前記樹脂モ
ールド製品の樹脂凹部に半田ボールを装填し、リフロー
加熱によって半田ボールを溶融して半田電極パッドを形
成する工程（ｇ）とを含む工程を有することを特徴とす
る。
半導体装置の製造方法は、リードフレームに半導体素子
を搭載する工程（ａ）と、前記半導体素子上に導電性樹
脂テープを供給する工程（ｂ）と、前記導電性樹脂テー
プを半導体素子上の電極パッドに熱圧着金型を用いて転
写接合し、電極パッド上に導電性樹脂層を形成する工程
（ｃ）と、前記電極パッドに転写接合した導電性樹脂層
を残して、その他の部分を剥離する工程（ｄ）と、前記
電極パッド上に導電性樹脂層が転写された半導体素子を
樹脂モールド金型内に入れ、金型キャビティ内に突出す
る突起部で前記導電性樹脂層を押圧した状態でキャビテ
ィにモールド樹脂を注入する工程（ｅ）と、前記金型内
にモールド樹脂を注入し、前記金型突起部によって電極
パッド上のモールド樹脂部に樹脂凹部が形成されてなる
樹脂モールド製品を成形する工程（ｆ）と、前記樹脂モ
ールド製品の樹脂凹部に半田ボールを装填し、リフロー
加熱によって半田ボールを溶融して半田電極パッドを形
成する工程（ｇ）とを含む工程を有することを特徴とす
る。
【００１０】また、前記工程（ｃ）において、熱圧着金
型は、半導体素子の電極パッドと同じ配列位置に対応す
る突起を有し、この突起の先端で導電性樹脂テープを転
写することを特徴とする。
型は、半導体素子の電極パッドと同じ配列位置に対応す
る突起を有し、この突起の先端で導電性樹脂テープを転
写することを特徴とする。
【００１１】また、前記工程（ｅ）、（ｆ）において、
樹脂モールド金型は、半導体素子の電極パッドと同じ配
列位置に対応する突起部を金型キャビティ内に有し、こ
の突起部により樹脂凹部を形成することを特徴とする。
樹脂モールド金型は、半導体素子の電極パッドと同じ配
列位置に対応する突起部を金型キャビティ内に有し、こ
の突起部により樹脂凹部を形成することを特徴とする。
【００１２】また、前記工程（ｂ）において、導電性樹
脂テープは、半導体素子の電極パッドと対応する部分に
のみ導電性樹脂を用いて導電部が形成され、それ以外の
部分は絶縁性樹脂で形成されており、この導電性樹脂テ
ープを、その導電部を半導体素子の電極パッドに位置合
わせして半導体素子上に供給することを特徴とする。
脂テープは、半導体素子の電極パッドと対応する部分に
のみ導電性樹脂を用いて導電部が形成され、それ以外の
部分は絶縁性樹脂で形成されており、この導電性樹脂テ
ープを、その導電部を半導体素子の電極パッドに位置合
わせして半導体素子上に供給することを特徴とする。
【００１３】また、前記工程（ｃ）において、熱圧着金
型は、半導体素子の電極パッドと同じ配列位置に対応す
る突起を有し、突起の先端で導電性樹脂テープの導電部
を電極パッド上に転写することを特徴とする。
型は、半導体素子の電極パッドと同じ配列位置に対応す
る突起を有し、突起の先端で導電性樹脂テープの導電部
を電極パッド上に転写することを特徴とする。
【００１４】また、前記工程（ｃ）において、熱圧着金
型は、先端部面積が半導体素子の上面積とほぼ等しい大
きさの突起を有し、前記導電部を有する導電性樹脂テー
プの導電部と半導体素子の電極パッドとを位置合わせし
た後、この突起により導電部と電極パッドとを一括して
半導体素子上に圧着することを特徴とする。
型は、先端部面積が半導体素子の上面積とほぼ等しい大
きさの突起を有し、前記導電部を有する導電性樹脂テー
プの導電部と半導体素子の電極パッドとを位置合わせし
た後、この突起により導電部と電極パッドとを一括して
半導体素子上に圧着することを特徴とする。
【００１５】
【発明の実施の形態】次に、本発明の樹脂モールドＢＧ
Ａ型半導体装置及びその製造方法について、図面を参照
して詳細に説明する。図１（ａ）〜（ｇ）は、本発明に
おける第１の実施の形態を製造工程順に示すそれぞれ断
面図である。
Ａ型半導体装置及びその製造方法について、図面を参照
して詳細に説明する。図１（ａ）〜（ｇ）は、本発明に
おける第１の実施の形態を製造工程順に示すそれぞれ断
面図である。
【００１６】まず、同図（ａ）に示すように、リードフ
レーム３上に半導体素子１を搭載する。使用するリード
フレームは、通常の金属製リードフレームであり、半導
体素子は通常のダイボンディング方法により接着する。
半導体素子１には、回路配線パターンが形成されてお
り、この配線パターンには外部接続電極となる複数の電
極パッド２が設けられ、電極パッド２は半導体素子１の
表面にマトリクス状に配列して形成されている。
レーム３上に半導体素子１を搭載する。使用するリード
フレームは、通常の金属製リードフレームであり、半導
体素子は通常のダイボンディング方法により接着する。
半導体素子１には、回路配線パターンが形成されてお
り、この配線パターンには外部接続電極となる複数の電
極パッド２が設けられ、電極パッド２は半導体素子１の
表面にマトリクス状に配列して形成されている。
【００１７】次に、同図（ｂ）に示すように、リードフ
レーム３に搭載された半導体素子１の上方に、導電性テ
ープ４を配置する。この導電性テープ４は加熱圧着する
ことによって接着剤としての機能を発揮するようにした
もので、エポキシ系樹脂で形成されている。
レーム３に搭載された半導体素子１の上方に、導電性テ
ープ４を配置する。この導電性テープ４は加熱圧着する
ことによって接着剤としての機能を発揮するようにした
もので、エポキシ系樹脂で形成されている。
【００１８】次に、同図（ｃ）に示すように、導電性テ
ープ４の上方から熱圧着金型５を下降させ、導電性テー
プ４を半導体素子１に押し付ける。熱圧着金型５は、電
極パッド２の位置に合うような複数の突起６を備え、ま
た、押圧時に導電性テープ４を加熱できるようにヒータ
ー構造を備えている。
ープ４の上方から熱圧着金型５を下降させ、導電性テー
プ４を半導体素子１に押し付ける。熱圧着金型５は、電
極パッド２の位置に合うような複数の突起６を備え、ま
た、押圧時に導電性テープ４を加熱できるようにヒータ
ー構造を備えている。
【００１９】この熱圧着金型５の突起６によって、この
突起６と接触する部分の導電性テープ４は電極パッド２
に強く押しつけられ、導電性テープ４は接着剤としての
機能を有していることから熱圧着が強固に行われる。
突起６と接触する部分の導電性テープ４は電極パッド２
に強く押しつけられ、導電性テープ４は接着剤としての
機能を有していることから熱圧着が強固に行われる。
【００２０】次に、同図（ｄ）に示すように、導電性テ
ープ４を半導体素子１から引き剥がす。この際、導電性
テープ４は電極パッド２に強固に接着しており、また、
導電性テープ４が突起６によって押された部分には、テ
ープの厚さに段差が生じていることから、テープを剥す
際この段差部分でせん断破壊が生じ、電極パッド２の表
面にのみ導電性テープを残してその他の部分は容易に剥
離除去することができる。その結果、電極パッド２の表
面には、導電性の樹脂層７が転写された状態となる。
ープ４を半導体素子１から引き剥がす。この際、導電性
テープ４は電極パッド２に強固に接着しており、また、
導電性テープ４が突起６によって押された部分には、テ
ープの厚さに段差が生じていることから、テープを剥す
際この段差部分でせん断破壊が生じ、電極パッド２の表
面にのみ導電性テープを残してその他の部分は容易に剥
離除去することができる。その結果、電極パッド２の表
面には、導電性の樹脂層７が転写された状態となる。
【００２１】次に、同図（ｅ）に示すように、リードフ
レーム３に搭載された状態の半導体素子１を樹脂モール
ドするための樹脂モールド金型８を準備する。この樹脂
モールド金型８は、半導体素子１を内包する大きさのキ
ャビティ１０を有し、このキャビティ１０の上面には、
電極パッド２の配列位置に合うように対応して形成され
た複数の金型突起部９が設けられ、この突起部９は、突
起の先端が電極パッド２上の導電性樹脂層７に押圧接触
する高さに形成され、その高さ寸法は、樹脂モールドの
際、電極パッド位置に形成される樹脂凹部が要求する深
さによって決まる寸法である。
レーム３に搭載された状態の半導体素子１を樹脂モール
ドするための樹脂モールド金型８を準備する。この樹脂
モールド金型８は、半導体素子１を内包する大きさのキ
ャビティ１０を有し、このキャビティ１０の上面には、
電極パッド２の配列位置に合うように対応して形成され
た複数の金型突起部９が設けられ、この突起部９は、突
起の先端が電極パッド２上の導電性樹脂層７に押圧接触
する高さに形成され、その高さ寸法は、樹脂モールドの
際、電極パッド位置に形成される樹脂凹部が要求する深
さによって決まる寸法である。
【００２２】ここで考慮しなければならないことは、樹
脂モールド金型８をリードフレーム３上にセットし、金
型突起部９で導電性樹脂層７を介して電極パッド２を押
圧する際、押圧力が大きすぎると電極パッド２を破壊す
る恐れがあり、また、押圧力が小さいと金型突起部９と
導電性樹脂層７との間に隙間が生じ、モールド樹脂の入
り込みによる導電性の劣化や耐湿性の劣化を引き起こす
ことになる。
脂モールド金型８をリードフレーム３上にセットし、金
型突起部９で導電性樹脂層７を介して電極パッド２を押
圧する際、押圧力が大きすぎると電極パッド２を破壊す
る恐れがあり、また、押圧力が小さいと金型突起部９と
導電性樹脂層７との間に隙間が生じ、モールド樹脂の入
り込みによる導電性の劣化や耐湿性の劣化を引き起こす
ことになる。
【００２３】そこで、最適の押圧力を得るために、半導
体素子の厚さのバラツキや金型突起部の高さのバラツキ
を十分考慮して導電性テープの厚さを決める必要があ
り、その結果、導電性テープの厚さは５０μｍから１０
０μｍが最適であることが分かっている。
体素子の厚さのバラツキや金型突起部の高さのバラツキ
を十分考慮して導電性テープの厚さを決める必要があ
り、その結果、導電性テープの厚さは５０μｍから１０
０μｍが最適であることが分かっている。
【００２４】この厚さの導電性テープを用いて電極パッ
ド２上に導電性樹脂層７が形成された半導体素子１を樹
脂モールド金型８にセットすると、金型突起部９が電極
パッド２上の導電性樹脂層７に当たり、導電性樹脂層７
は弾力性があるため変形し、金型突起部９と導電性樹脂
層７との間には隙間がなくなり、キャビティ１０内にモ
ールド樹脂が注入されてもその隙間には樹脂が入り込む
ことがない。
ド２上に導電性樹脂層７が形成された半導体素子１を樹
脂モールド金型８にセットすると、金型突起部９が電極
パッド２上の導電性樹脂層７に当たり、導電性樹脂層７
は弾力性があるため変形し、金型突起部９と導電性樹脂
層７との間には隙間がなくなり、キャビティ１０内にモ
ールド樹脂が注入されてもその隙間には樹脂が入り込む
ことがない。
【００２５】次に、同図（ｆ）に示すように、樹脂モー
ルド金型から取り出された樹脂モールド品は、半導体素
子１の電極パッド２の位置に凹部１１が形成されてい
る。そして、凹部１１の底面には電極パッド２に圧着さ
れた導電性樹脂層７が露出している。従来は、この凹部
形成をレーザ加工で行なっていたため、その加工処理の
際に電極パッドが汚染されてその後の半田ボールの接続
に悪影響が出ていたが、本発明では、上述したように全
くその心配がない。
ルド金型から取り出された樹脂モールド品は、半導体素
子１の電極パッド２の位置に凹部１１が形成されてい
る。そして、凹部１１の底面には電極パッド２に圧着さ
れた導電性樹脂層７が露出している。従来は、この凹部
形成をレーザ加工で行なっていたため、その加工処理の
際に電極パッドが汚染されてその後の半田ボールの接続
に悪影響が出ていたが、本発明では、上述したように全
くその心配がない。
【００２６】さらに、同図（ｆ）の構造によれば、凹部
１１の底面の導電性樹脂層７とモールド樹脂１２で形成
された凹部内側壁とが、凹部底付近で樹脂同士接触して
一体化するため、凹部１１内は気密性が保たれ、半導体
素子１の耐湿性劣化は生じない。
１１の底面の導電性樹脂層７とモールド樹脂１２で形成
された凹部内側壁とが、凹部底付近で樹脂同士接触して
一体化するため、凹部１１内は気密性が保たれ、半導体
素子１の耐湿性劣化は生じない。
【００２７】次に、同図（ｇ）に示すように、同図
（ｆ）で成形した樹脂モールド品の凹部１１に半田ボー
ルを装填し、リフロー加熱を行ない、半田ボールを溶融
させて凹部１１内を半田で埋める。その際、溶融した半
田の一部は表面張力によって球面状に盛り上がり、モー
ルド樹脂１２の上面から突出して半田電極パッド１３が
形成される。また、電極パッド２と半田ボールとの接続
は、凹部１１内の導電性樹脂層７を介して接続が行なわ
れるため、電気的接続は全く問題がない。以上の製造工
程を経由することによって、樹脂モールドＢＧＡ型半導
体装置が完成する。
（ｆ）で成形した樹脂モールド品の凹部１１に半田ボー
ルを装填し、リフロー加熱を行ない、半田ボールを溶融
させて凹部１１内を半田で埋める。その際、溶融した半
田の一部は表面張力によって球面状に盛り上がり、モー
ルド樹脂１２の上面から突出して半田電極パッド１３が
形成される。また、電極パッド２と半田ボールとの接続
は、凹部１１内の導電性樹脂層７を介して接続が行なわ
れるため、電気的接続は全く問題がない。以上の製造工
程を経由することによって、樹脂モールドＢＧＡ型半導
体装置が完成する。
【００２８】次に、本発明における第２の実施の形態に
ついて説明する。第２の実施の形態が第１の実施の形態
と異なる点は、使用する導電性テープの構成が異なる点
である。図２は、その導電性テープの構成を示す断面図
である。
ついて説明する。第２の実施の形態が第１の実施の形態
と異なる点は、使用する導電性テープの構成が異なる点
である。図２は、その導電性テープの構成を示す断面図
である。
【００２９】図２に示すように、導電性テープ４ａは、
半導体素子１の電極パッド２に対応する部分にのみ導電
部１４をパターン形成し、導電部１４以外の部分は絶縁
性樹脂１５で構成されたテープである。この導電性テー
プ４ａの製法としては、絶縁性樹脂テープの半導体素子
の電極パッドと対応する部分に貫通穴を明け、この穴に
導電性樹脂を埋め込んで圧延し、パターニングされた導
電部１４を有するテープを成形する。
半導体素子１の電極パッド２に対応する部分にのみ導電
部１４をパターン形成し、導電部１４以外の部分は絶縁
性樹脂１５で構成されたテープである。この導電性テー
プ４ａの製法としては、絶縁性樹脂テープの半導体素子
の電極パッドと対応する部分に貫通穴を明け、この穴に
導電性樹脂を埋め込んで圧延し、パターニングされた導
電部１４を有するテープを成形する。
【００３０】このような導電性テープ４ａを用いた樹脂
モールドＢＧＡ型半導体装置の製造方法について説明す
る。図３（ａ）〜（ｇ）は、本発明における第２の実施
の形態を製造工程順に示すそれぞれ断面図である。な
お、第１の実施の形態と重複する説明は省略する。
モールドＢＧＡ型半導体装置の製造方法について説明す
る。図３（ａ）〜（ｇ）は、本発明における第２の実施
の形態を製造工程順に示すそれぞれ断面図である。な
お、第１の実施の形態と重複する説明は省略する。
【００３１】まず、同図（ａ）に示すように、電極パッ
ド２を有する半導体素子１をリードフレーム３に搭載す
る。次に、同図（ｂ）に示すように、上述した導電部１
４を有する導電性樹脂テープ４ａを半導体素子１上に配
置し、導電部１４と電極パッド２とを位置合わせする。
ド２を有する半導体素子１をリードフレーム３に搭載す
る。次に、同図（ｂ）に示すように、上述した導電部１
４を有する導電性樹脂テープ４ａを半導体素子１上に配
置し、導電部１４と電極パッド２とを位置合わせする。
【００３２】次に、同図（ｃ）に示すように、熱圧着金
型５ａを降下させ、導電性樹脂テープ４ａを半導体素子
１に押し付ける。ここで、熱圧着金型５ａには、半導体
素子１とほぼ同じ面積を有する突起６ａが設けられてお
り、この突起６ａで導電性樹脂テープ４ａを半導体素子
１の上面全体に一括して押し付ける。
型５ａを降下させ、導電性樹脂テープ４ａを半導体素子
１に押し付ける。ここで、熱圧着金型５ａには、半導体
素子１とほぼ同じ面積を有する突起６ａが設けられてお
り、この突起６ａで導電性樹脂テープ４ａを半導体素子
１の上面全体に一括して押し付ける。
【００３３】その結果、同図（ｄ）に示すように、導電
部１４は電極パッド２に熱圧着され、半導体素子１上の
電極パッド２以外の表面部分には絶縁性樹脂１５が熱圧
着される。このように、半導体素子１の表面全体を樹脂
層で被覆したことによって保護層が追加されたことにな
り、耐湿性の向上がはかれる。
部１４は電極パッド２に熱圧着され、半導体素子１上の
電極パッド２以外の表面部分には絶縁性樹脂１５が熱圧
着される。このように、半導体素子１の表面全体を樹脂
層で被覆したことによって保護層が追加されたことにな
り、耐湿性の向上がはかれる。
【００３４】さらに、同図（ｄ）において、半導体素子
１からはみ出した部分の導電性樹脂テープ４ａを剥離除
去する。次に、同図（ｅ）に示すように、樹脂層で上面
全体が被覆された半導体素子１を、金型突起部９を有す
る樹脂モールド金型８に入れ、キャビティ１０にモール
ド樹脂を注入する。
１からはみ出した部分の導電性樹脂テープ４ａを剥離除
去する。次に、同図（ｅ）に示すように、樹脂層で上面
全体が被覆された半導体素子１を、金型突起部９を有す
る樹脂モールド金型８に入れ、キャビティ１０にモール
ド樹脂を注入する。
【００３５】次いで、同図（ｆ）に示すように、樹脂モ
ールド金型を外すと、凹部１１を有しモールド樹脂１２
で封入された樹脂モールド品ができあがる。次いで、同
図（ｇ）に示すように、この樹脂モールド品の凹部に半
田ボールを装填し、リフロー加熱を行なって半田ボール
を溶融させる。溶融した半田ボールの一部はモールド樹
脂１２の上面から球面状に突出し、半田電極パッド１３
を形成することによって樹脂モールドＢＧＡ型半導体装
置が完成する。
ールド金型を外すと、凹部１１を有しモールド樹脂１２
で封入された樹脂モールド品ができあがる。次いで、同
図（ｇ）に示すように、この樹脂モールド品の凹部に半
田ボールを装填し、リフロー加熱を行なって半田ボール
を溶融させる。溶融した半田ボールの一部はモールド樹
脂１２の上面から球面状に突出し、半田電極パッド１３
を形成することによって樹脂モールドＢＧＡ型半導体装
置が完成する。
【００３６】次に、本発明における第３の実施の形態に
ついて説明する。第３の実施の形態は、その製造工程は
第１の実施の形態と同じである。異なる点は、使用する
樹脂テープが、図２で示したように、導電部１４をパタ
ーン化して設けた構造の導電性樹脂テープ４ａを用いて
いる点である。したがって、その製造工程は、図１
（ａ）〜（ｇ）と同じであるので説明を省略する。
ついて説明する。第３の実施の形態は、その製造工程は
第１の実施の形態と同じである。異なる点は、使用する
樹脂テープが、図２で示したように、導電部１４をパタ
ーン化して設けた構造の導電性樹脂テープ４ａを用いて
いる点である。したがって、その製造工程は、図１
（ａ）〜（ｇ）と同じであるので説明を省略する。
【００３７】このテープを用いた利点は、テープに一旦
開口部を設け、この開口部に導電性樹脂を埋め込んで形
成したテープであるため、開口部周囲の境界部で破断し
やすいという点である。したがって、導電部を電極パッ
ドに熱圧着後テープを引き剥がす際、引き剥がしが容易
になるので、電極パッド上への導電性樹脂の接着を確実
に行うことができる。
開口部を設け、この開口部に導電性樹脂を埋め込んで形
成したテープであるため、開口部周囲の境界部で破断し
やすいという点である。したがって、導電部を電極パッ
ドに熱圧着後テープを引き剥がす際、引き剥がしが容易
になるので、電極パッド上への導電性樹脂の接着を確実
に行うことができる。
【００３８】
【発明の効果】本発明によれば、樹脂モールドＢＧＡ型
半導体装置の製造工程で、半田ボールを装填するための
凹部を形成するためのレーザ加工が不要となったことか
ら、それにともなうメッキ処理やマスクの準備が要らな
くなり、製造工程が簡素化されるため製造コストの低減
やリードタイムの短縮を図ることができる。
半導体装置の製造工程で、半田ボールを装填するための
凹部を形成するためのレーザ加工が不要となったことか
ら、それにともなうメッキ処理やマスクの準備が要らな
くなり、製造工程が簡素化されるため製造コストの低減
やリードタイムの短縮を図ることができる。
【００３９】また、レーザ光照射部に発生していた樹脂
の残骸や残留酸化膜を除去するための酸洗い洗浄や薬液
処理が不要となり、薬液イオンに原因する半導体素子の
耐湿性等の品質劣化を防ぐことができる。
の残骸や残留酸化膜を除去するための酸洗い洗浄や薬液
処理が不要となり、薬液イオンに原因する半導体素子の
耐湿性等の品質劣化を防ぐことができる。
【図１】本発明における第１の実施の形態を示す図で、
同図（ａ）〜（ｇ）は製造工程を説明する断面図であ
る。
同図（ａ）〜（ｇ）は製造工程を説明する断面図であ
る。
【図２】本発明における第２、第３の実施の形態に用い
る導電性樹脂テープを示す断面図である。
る導電性樹脂テープを示す断面図である。
【図３】本発明における第２の実施の形態を示す図で、
同図（ａ）〜（ｇ）は製造工程を説明する断面図であ
る。
同図（ａ）〜（ｇ）は製造工程を説明する断面図であ
る。
【図４】従来の製造方法を示す図で、同図（ａ）〜
（ｅ）は製造工程を説明する断面図である。
（ｅ）は製造工程を説明する断面図である。
１ 半導体素子 ２ 電極パッド ３ リードフレーム ４、４ａ 導電性樹脂テープ ５、５ａ 熱圧着金型 ６、６ａ 突起 ７ 導電性樹脂層 ８ 樹脂モールド金型 ９ 金型突起部 １０ キャビティ １１ 凹部 １２ モールド樹脂 １３ 半田電極パッド １４ 導電部 １５ 絶縁性樹脂 ２０ 半導体素子 ２１ 電極パッド ２２ 樹脂層 ２３ 金属層 ２４ 開口部 ２５ レーザ光 ２６ 半田ボール
Claims (6)
- 【請求項１】 電極パッドがマトリクス状に配列された
半導体素子をリードフレームに搭載し、前記電極パッド
面を除いて半導体素子全体を樹脂モールドし、電極パッ
ド部に開口された樹脂凹部に半田を充填して半田電極パ
ッドを形成した 樹脂モールドＢＧＡ型半導体装置の製造
方法において、リードフレームに半導体素子を搭載する
工程（ａ）と、前記半導体素子上に導電性樹脂テープを
供給する工程（ｂ）と、前記導電性樹脂テープを半導体
素子上の電極パッドに熱圧着金型を用いて転写接合し、
電極パッド上に導電性樹脂層を形成する工程（ｃ）と、
前記電極パッドに転写接合した導電性樹脂層を残して、
その他の部分を剥離する工程（ｄ）と、前記電極パッド
上に導電性樹脂層が転写された半導体素子を樹脂モール
ド金型内に入れ、金型キャビティ内に突出する突起部で
前記導電性樹脂層を押圧した状態でキャビティにモール
ド樹脂を注入する工程（ｅ）と、前記金型内にモールド
樹脂を注入し、前記金型突起部によって電極パッド上の
モールド樹脂部に樹脂凹部が形成されてなる樹脂モール
ド製品を成形する工程（ｆ）と、前記樹脂モールド製品
の樹脂凹部に半田ボールを装填し、リフロー加熱によっ
て半田ボールを溶融して半田電極パッドを形成する工程
（ｇ）とを含む工程を有することを特徴とする樹脂モー
ルドＢＧＡ型半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記工程（ｃ）において、熱圧着金型
は、半導体素子の電極パッドと同じ配列位置に対応する
突起を有し、この突起の先端で導電性樹脂テープを転写
することを特徴とする請求項１記載の樹脂モールドＢＧ
Ａ型半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記工程（ｅ）、（ｆ）において、樹脂
モールド金型は、半導体素子の電極パッドと同じ配列位
置に対応する突起部を金型キャビティ内に有し、この突
起部により樹脂凹部を形成することを特徴とする請求項
１記載の樹脂モールドＢＧＡ型半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 前記工程（ｂ）において、導電性樹脂テ
ープは、半導体素子の電極パッドと対応する部分にのみ
導電性樹脂を用いて導電部が形成され、それ以外の部分
は絶縁性樹脂で形成されており、この導電性樹脂テープ
を、その導電部を半導体素子の電極パッドに位置合わせ
して半導体素子上に供給することを特徴とする請求項１
記載の樹脂モールドＢＧＡ型半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 前記工程（ｃ）において、熱圧着金型
は、半導体素子の電極パッドと同じ配列位置に対応する
突起を有し、突起の先端で導電性樹脂テープの導電部を
電極パッド上に転写することを特徴とする請求項２また
は請求項４記載の樹脂モールドＢＧＡ型半導体装置の製
造方法。 - 【請求項６】 前記工程（ｃ）において、熱圧着金型
は、先端部面積が半導体素子の上面積とほぼ等しい大き
さの突起を有し、前記導電部を有する導電性樹脂テープ
の導電部と半導体素子の電極パッドとを位置合わせした
後、この突起により導電部と電極パッドとを一括して半
導体素子上に圧着することを特徴とする請求項４記載の
樹脂モールドＢＧＡ型半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17479099A JP3308934B2 (ja) | 1999-06-22 | 1999-06-22 | 樹脂モールドｂｇａ型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17479099A JP3308934B2 (ja) | 1999-06-22 | 1999-06-22 | 樹脂モールドｂｇａ型半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001007237A JP2001007237A (ja) | 2001-01-12 |
| JP3308934B2 true JP3308934B2 (ja) | 2002-07-29 |
Family
ID=15984729
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17479099A Expired - Fee Related JP3308934B2 (ja) | 1999-06-22 | 1999-06-22 | 樹脂モールドｂｇａ型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3308934B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100690999B1 (ko) * | 2001-06-28 | 2007-03-08 | 주식회사 하이닉스반도체 | 볼 그리드 어레이 패키지의 실장방법 |
| US20080284045A1 (en) * | 2007-05-18 | 2008-11-20 | Texas Instruments Incorporated | Method for Fabricating Array-Molded Package-On-Package |
| JP5676659B2 (ja) * | 2013-01-10 | 2015-02-25 | 株式会社フジクラ | 半田付け方法 |
-
1999
- 1999-06-22 JP JP17479099A patent/JP3308934B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2001007237A (ja) | 2001-01-12 |
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