JP5705304B2 - オプトエレクトロニクスデバイスおよびオプトエレクトロニクスデバイスを製造する方法 - Google Patents
オプトエレクトロニクスデバイスおよびオプトエレクトロニクスデバイスを製造する方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5705304B2 JP5705304B2 JP2013506569A JP2013506569A JP5705304B2 JP 5705304 B2 JP5705304 B2 JP 5705304B2 JP 2013506569 A JP2013506569 A JP 2013506569A JP 2013506569 A JP2013506569 A JP 2013506569A JP 5705304 B2 JP5705304 B2 JP 5705304B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optoelectronic device
- potting material
- converting member
- semiconductor chip
- optoelectronic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 title claims description 108
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 57
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 56
- 238000004382 potting Methods 0.000 claims description 54
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 28
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 14
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 12
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 11
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 claims description 4
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 claims description 3
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 3
- 238000009736 wetting Methods 0.000 claims description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 7
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
- H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/508—Wavelength conversion elements having a non-uniform spatial arrangement or non-uniform concentration, e.g. patterned wavelength conversion layer, wavelength conversion layer with a concentration gradient of the wavelength conversion material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
Description
オプトエレクトロニクスデバイスの種々の実施形態は、オプトエレクトロニクス半導体チップを有している。これは、接触面と、この接触面に対向しているビーム取り出し面とを有している。オプトエレクトロニクスデバイスはチップ担体を有しており、このチップ担体上には半導体チップが、自身のコンタクト面を介して被着されている。半導体チップのこのビーム取り出し面上には、ビーム変換部材が被着されている。チップ担体上にはさらに、注封材料が被着されている。この注封材料は、半導体チップおよびビーム変換部材を側方で包囲している。注封材料は反射性の注封材料である。これは実質的に、ビーム変換部材の上方縁部と同一平面を成している。従って、ビーム変換部材の上面には、注封材料が設けられていない。
図1は、オプトエレクトロニクスデバイスの第1の実施例の概略的な横断面図を示している。オプトエレクトロニクスデバイス100はチップ担体102を有している。このチップ担体はここでセラミック担体または半導体担体であり得る。このチップ担体の上には、オプトエレクトロニクス半導体チップ104が被着されている。このオプトエレクトロニクス半導体チップ104は、発光ダイオードまたは、ビームを放射するまたは吸収する他の光学素子である。オプトエレクトロニクス半導体チップ104は、例えば薄膜方法によって製造される。オプトエレクトロニクス半導体チップ104は、コンタクト面106を有している。このコンタクト面でもってオプトエレクトロニクス半導体チップ104はチップ担体102上に被着されており、このコンタクト面上にオプトエレクトロニクス半導体チップ104は少なくとも1つの電気的なコンタクトを有している。ここでこのコンタクト面上のさらなる電気的なコンタクトもチップ担体に接続させることが可能である。
図5aおよび図5bは、オプトエレクトロニクスデバイスを製造する方法の第1の実施例の概略図を示している。ここで、図5aに示されているように、まずはチップ担体102が準備される。このチップ担体上には既に第1のオプトエレクトロニクス半導体チップ502と第2のオプトエレクトロニクス半導体チップ504とが被着されている。第1のオプトエレクトロニクス半導体チップ502と第2のオプトエレクトロニクス半導体チップ504とは、例えばアタッチメントによって、またはウェハレベルボンディングによって、チップ担体102上に固定される。第1のオプトエレクトロニクス半導体チップ502と第2のオプトエレクトロニクス半導体チップ504の上に、それぞれ1つのビーム変換部材が被着されている。理想的にはこのビーム変換部材は、図2に関連して説明したように、ストップエッジを有している。図を見やすくするために、図5aおよび後続の図5bにおいてストップエッジの表示は省かれている。
オプトエレクトロニクスデバイスおよびオプトエレクトロニクスデバイスの製造方法を、基礎となる考えを具体化するために、幾つかの実施例に基づいて記載した。ここでこれらの実施例は、特定の特徴の組み合わせに限定されない。幾つかの特徴および形態が特別な実施例または個々の実施例に関連してのみ記載されていたとしても、これらはそれぞれ他の実施例からの他の特徴と組み合わせ可能である。同様に、一般的な技術的教示が実現され続ける限り、実施例において、示された幾つかの特徴または特別な形態を省くまたは付加することもできる。
Claims (17)
- オプトエレクトロニクスデバイスであって:
・オプトエレクトロニクス半導体チップ(104)を有しており、当該オプトエレクトロニクス半導体チップ(104)はコンタクト面(106)と、対向するビーム取り出し面(108)とを有しており、
・チップ担体(102)を有しており、当該チップ担体(102)の上には前記半導体チップ(104)が自身のコンタクト面(106)を介して被着されており、
・ビーム変換部材(110)を有しており、当該ビーム変換部材(110)は前記ビーム取り出し面(108)上に被着されており、
・反射性の注封材料(112)を有しており、当該注封材料(112)は前記チップ担体(102)上に被着されており、前記半導体チップ(104)と前記ビーム変換部材(110)とを側方で包囲しており、当該注封材料(112)は前記半導体チップ(104)および前記ビーム変換部材(110)と直接的に接触しており、
当該注封材料(112)は実質的に、前記ビーム変換部材(110)の上方縁部と同一平面を成しており、前記ビーム変換部材(110)の上面に前記注封材料(112)は存在しておらず、
前記ビーム変換部材(110)は、前記ビーム取り出し面(108)から、前記ビーム変換部材(110)の上面に向かって拡張している、
ことを特徴とする、オプトエレクトロニクスデバイス。 - 前記半導体チップ(104)は前記チップ担体(102)を介して電気的に接触接続されている、請求項1記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
- 前記半導体チップ(104)は自身のビーム取り出し面(108)を介して電気的に接触接続されている、請求項1または2記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
- 前記ビーム取り出し面(108)は導体接続部(302)を介して前記チップ担体(102)と電気的に接触接続されている、請求項3記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
- 前記導体接続部(302)は前記注封材料(112)内に埋設されている、請求項4記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
- 前記導体接続部(302)はボンディングワイヤーを含んでいる、請求項4または5記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
- 前記ビーム取り出し面(108)上の前記ボンディングワイヤーの垂直延在部(304)は、前記ビーム取り出し面(108)上の前記ビーム変換部材(110)の高さよりも低い、請求項6記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
- 前記ビーム取り出し面(108)上の、前記ボンディングワイヤーの垂直延在部(304)は、20〜200μmの範囲内にあり、例えば40μmである、請求項6または7記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
- 前記注封材料(112)はシリコーンを含んでいる、請求項1から8までのいずれか1項記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
- 前記注封材料(112)は分散された散乱粒子を含んでいる、請求項1から9までのいずれか1項記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
- 前記散乱粒子は二酸化チタンを含んでいる、請求項10記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
- 前記ビーム変換部材(110)上に被着されている光学素子(402)、殊にレンズを備えている、請求項1から11までのいずれか1項記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
- 前記ビーム変換部材(110)はストップエッジ(202)を、前記注封材料(112)に対する濡れ境界として有している、請求項1から12までのいずれか1項記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
- 前記ビーム変換部材(110)は円錐状、殊に台状の形を有している、請求項1から13までのいずれか1項記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
- 前記ビーム変換部材(110)を被着した後に、前記注封材料(112)を注入によって入れる、
ことを特徴とする、請求項1から14までのいずれか1項に記載されているオプトエレクトロニクスデバイスを製造する方法。 - 前記注封材料(112)を圧縮成形によって入れる、請求項15記載の方法。
- 前記注封材料を、前記チップ担体(102)内に設けられている開口部(600)を通じて入れる、請求項15記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102010028407.6 | 2010-04-30 | ||
DE102010028407.6A DE102010028407B4 (de) | 2010-04-30 | 2010-04-30 | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements |
PCT/EP2011/055621 WO2011134777A1 (de) | 2010-04-30 | 2011-04-11 | Optoelektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013526047A JP2013526047A (ja) | 2013-06-20 |
JP2013526047A5 JP2013526047A5 (ja) | 2014-05-29 |
JP5705304B2 true JP5705304B2 (ja) | 2015-04-22 |
Family
ID=44221169
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013506569A Active JP5705304B2 (ja) | 2010-04-30 | 2011-04-11 | オプトエレクトロニクスデバイスおよびオプトエレクトロニクスデバイスを製造する方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9293671B2 (ja) |
EP (1) | EP2532034B1 (ja) |
JP (1) | JP5705304B2 (ja) |
KR (1) | KR101862818B1 (ja) |
CN (1) | CN102859729B (ja) |
DE (1) | DE102010028407B4 (ja) |
TW (1) | TW201203625A (ja) |
WO (1) | WO2011134777A1 (ja) |
Families Citing this family (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102010024864B4 (de) * | 2010-06-24 | 2021-01-21 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronisches Halbleiterbauteil |
DE102012101160A1 (de) * | 2012-02-14 | 2013-08-14 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Lichtquellenmodul |
DE102012209325B4 (de) | 2012-06-01 | 2021-09-30 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronisches Modul |
JP6097040B2 (ja) * | 2012-09-20 | 2017-03-15 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置およびその製造方法 |
JP6419077B2 (ja) * | 2012-11-07 | 2018-11-07 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. | 波長変換発光デバイス |
WO2014072871A1 (en) * | 2012-11-07 | 2014-05-15 | Koninklijke Philips N.V. | Light emitting device including a filter and a protective layer |
DE102012113003A1 (de) * | 2012-12-21 | 2014-04-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils und optoelektronisches Halbleiterbauteil |
DE102013204291A1 (de) * | 2013-03-12 | 2014-10-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement |
DE102013102621A1 (de) * | 2013-03-14 | 2014-09-18 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements |
DE102013103983B4 (de) | 2013-04-19 | 2021-09-23 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl strahlungsemittierender Halbleiterchips |
DE102013212928A1 (de) * | 2013-07-03 | 2015-01-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements |
WO2015004577A1 (en) | 2013-07-08 | 2015-01-15 | Koninklijke Philips N.V. | Wavelength converted semiconductor light emitting device |
DE102013214235A1 (de) * | 2013-07-19 | 2015-01-22 | Osram Gmbh | Leuchtvorrichtung mit Halbleiterlichtquellen und umlaufendem Damm |
KR101567807B1 (ko) | 2014-05-07 | 2015-11-11 | (주)씨티엘 | 형광체 시트를 이용한 led 패키지 및 형광체 시트의 제조방법 |
KR20150129356A (ko) * | 2014-05-12 | 2015-11-20 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 장치 |
CN104022207B (zh) * | 2014-05-23 | 2018-05-18 | 广东晶科电子股份有限公司 | 一种白光led芯片及其制作方法 |
US9991238B2 (en) * | 2014-07-18 | 2018-06-05 | Koninklijke Philips N.V. | LED light source for automotive application |
KR102252994B1 (ko) * | 2014-12-18 | 2021-05-20 | 삼성전자주식회사 | 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지용 파장 변환 필름 |
JP2018527711A (ja) * | 2015-09-02 | 2018-09-20 | ルミレッズ ホールディング ベーフェー | Ledモジュール及び照明モジュール |
US10763404B2 (en) * | 2015-10-05 | 2020-09-01 | Maven Optronics Co., Ltd. | Light emitting device with beveled reflector and manufacturing method of the same |
TWI677114B (zh) * | 2015-10-05 | 2019-11-11 | 行家光電股份有限公司 | 具導角反射結構的發光裝置 |
TWI669836B (zh) * | 2015-10-05 | 2019-08-21 | 行家光電股份有限公司 | 發光裝置的製造方法 |
EP3200248B1 (en) | 2016-01-28 | 2020-09-30 | Maven Optronics Co., Ltd. | Light emitting device with asymmetrical radiation pattern and manufacturing method of the same |
CN107039572B (zh) * | 2016-02-03 | 2019-05-10 | 行家光电股份有限公司 | 具非对称性光形的发光装置及其制造方法 |
KR102486308B1 (ko) * | 2016-06-10 | 2023-01-10 | 삼성전자주식회사 | 디스플레이 모듈 및 이에 대한 코팅방법 |
CN107845717A (zh) * | 2016-09-21 | 2018-03-27 | 深圳市兆驰节能照明股份有限公司 | Csp光源及其制造方法和制造模具 |
EP3555928B1 (en) * | 2016-12-15 | 2020-10-07 | Lumileds Holding B.V. | Led module with high near field contrast ratio |
WO2018108734A1 (en) * | 2016-12-15 | 2018-06-21 | Lumileds Holding B.V. | Led module with high near field contrast ratio |
DE102017104851A1 (de) | 2017-03-08 | 2018-09-13 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung von zumindest einem optoelektronischen Bauelement und optoelektronisches Bauelement |
US10224358B2 (en) * | 2017-05-09 | 2019-03-05 | Lumileds Llc | Light emitting device with reflective sidewall |
CN111279496A (zh) * | 2017-08-04 | 2020-06-12 | 欧司朗光电半导体有限公司 | 用于制造光电子半导体器件的方法 |
JP6432654B2 (ja) * | 2017-08-16 | 2018-12-05 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光装置 |
DE102018130510A1 (de) * | 2018-11-30 | 2020-06-04 | Vishay Semiconductor Gmbh | Strahlungssensor und Herstellungsverfahren hierfür |
CN112054110A (zh) * | 2019-06-05 | 2020-12-08 | 比亚迪股份有限公司 | 一种led封装结构及其车灯 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2966289B2 (ja) * | 1994-09-01 | 1999-10-25 | 三菱電線工業株式会社 | モールド成形品の製造方法およびこれに用いられる基板 |
DE19755734A1 (de) * | 1997-12-15 | 1999-06-24 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung eines oberflächenmontierbaren optoelektronischen Bauelementes |
JP2001223285A (ja) * | 2000-02-09 | 2001-08-17 | Rohm Co Ltd | チップ型半導体装置及びその製造方法 |
JP2002050800A (ja) | 2000-05-24 | 2002-02-15 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置及びその形成方法 |
DE10229067B4 (de) * | 2002-06-28 | 2007-08-16 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
JP4288931B2 (ja) * | 2002-11-11 | 2009-07-01 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
DE102004021233A1 (de) * | 2004-04-30 | 2005-12-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Leuchtdiodenanordnung |
WO2006023149A2 (en) * | 2004-07-08 | 2006-03-02 | Color Kinetics Incorporated | Led package methods and systems |
JP4756841B2 (ja) * | 2004-09-29 | 2011-08-24 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置の製造方法 |
DE102005046420B4 (de) * | 2004-10-04 | 2019-07-11 | Stanley Electric Co. Ltd. | Verfahren zur Herstellung einer Licht emittierenden Halbleitervorrichtung |
DE102004053116A1 (de) | 2004-11-03 | 2006-05-04 | Tridonic Optoelectronics Gmbh | Leuchtdioden-Anordnung mit Farbkonversions-Material |
CN101228641B (zh) * | 2005-04-26 | 2013-01-02 | 株式会社东芝 | 白色led和利用该白色led的背光源以及液晶显示装置 |
JP5073242B2 (ja) * | 2006-08-10 | 2012-11-14 | シャープ株式会社 | 光源装置の製造方法 |
JP5186800B2 (ja) | 2007-04-28 | 2013-04-24 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体発光素子、これを備える発光装置及び窒化物半導体発光素子の製造方法 |
JP2008306151A (ja) * | 2007-05-09 | 2008-12-18 | Hitachi Chem Co Ltd | 光半導体用エポキシ樹脂組成物、ならびにこれを用いた光半導体素子搭載用基板および光半導体装置 |
US9024340B2 (en) * | 2007-11-29 | 2015-05-05 | Nichia Corporation | Light emitting apparatus and method for producing the same |
JP5169263B2 (ja) | 2008-02-01 | 2013-03-27 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法及び発光装置 |
US8049237B2 (en) | 2007-12-28 | 2011-11-01 | Nichia Corporation | Light emitting device |
JP5224173B2 (ja) * | 2008-03-07 | 2013-07-03 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置 |
JP5779097B2 (ja) * | 2008-09-25 | 2015-09-16 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ | コーティングされた発光デバイス及び発光デバイスをコーティングする方法 |
JP4808244B2 (ja) | 2008-12-09 | 2011-11-02 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置およびその製造方法 |
-
2010
- 2010-04-30 DE DE102010028407.6A patent/DE102010028407B4/de active Active
-
2011
- 2011-04-11 WO PCT/EP2011/055621 patent/WO2011134777A1/de active Application Filing
- 2011-04-11 KR KR1020127031513A patent/KR101862818B1/ko active IP Right Grant
- 2011-04-11 EP EP11714529.2A patent/EP2532034B1/de active Active
- 2011-04-11 US US13/695,606 patent/US9293671B2/en active Active
- 2011-04-11 JP JP2013506569A patent/JP5705304B2/ja active Active
- 2011-04-11 CN CN201180021811.4A patent/CN102859729B/zh active Active
- 2011-04-26 TW TW100114426A patent/TW201203625A/zh unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2011134777A1 (de) | 2011-11-03 |
KR20130058708A (ko) | 2013-06-04 |
TW201203625A (en) | 2012-01-16 |
CN102859729A (zh) | 2013-01-02 |
US9293671B2 (en) | 2016-03-22 |
JP2013526047A (ja) | 2013-06-20 |
CN102859729B (zh) | 2016-01-13 |
EP2532034B1 (de) | 2021-06-09 |
DE102010028407B4 (de) | 2021-01-14 |
EP2532034A1 (de) | 2012-12-12 |
KR101862818B1 (ko) | 2018-05-30 |
DE102010028407A1 (de) | 2011-11-03 |
US20130113010A1 (en) | 2013-05-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5705304B2 (ja) | オプトエレクトロニクスデバイスおよびオプトエレクトロニクスデバイスを製造する方法 | |
JP5572013B2 (ja) | 発光装置およびその製造方法 | |
US10615315B2 (en) | Light emitting device | |
KR101190414B1 (ko) | 광학 요소를 가지는 플렉시블 필름을 포함한 반도체 발광소자들 및 이를 조립하는 방법 | |
JP6386110B2 (ja) | 非対称放射パターンを有する発光素子およびその製造方法 | |
CN101971376B (zh) | 半导体装置 | |
JP6099764B2 (ja) | オプトエレクトロニクス半導体部品を製造する方法およびオプトエレクトロニクス半導体部品 | |
US20070205425A1 (en) | Semiconductor light-emitting device | |
EP2573829B1 (en) | Light emitting diode module | |
US20160155907A1 (en) | Light emitting device package | |
CN108886077B (zh) | 用于制造光电子照明装置的方法和光电子照明装置 | |
TWI566437B (zh) | 發光裝置及其製造方法 | |
JP6918834B2 (ja) | オプトエレクトロニクス部品の製造方法 | |
US8044474B2 (en) | Optoelectronic module, and method for the production thereof | |
CN102244179A (zh) | 发光二极管封装结构及其制造方法 | |
JP2017175113A (ja) | 凹面を有するチップスケールパッケージ型発光素子およびその製造方法 | |
JP2009224376A (ja) | 側面型発光装置及びその製造方法 | |
US10937933B2 (en) | Light-emitting component and method of producing a light-emitting component | |
JP2018511176A (ja) | オプトエレクトロニクス部品およびその製造方法 | |
US20210296852A1 (en) | Vertical cavity surface emitting laser (vcsel) array package and manufacturing method | |
WO2018145728A1 (en) | Light-emitting device, light-emitting arrangement with such a device and method for producing such a device | |
KR20070055152A (ko) | 발광소자 및 이를 이용한 백라이트 유닛 | |
KR20120075452A (ko) | 발광 효율이 개선된 발광 다이오드 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20140217 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20140224 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20140318 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20140326 |
|
A524 | Written submission of copy of amendment under article 19 pct |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A524 Effective date: 20140410 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140411 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140811 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141111 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150126 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150224 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5705304 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |