KR101190414B1 - 광학 요소를 가지는 플렉시블 필름을 포함한 반도체 발광소자들 및 이를 조립하는 방법 - Google Patents

광학 요소를 가지는 플렉시블 필름을 포함한 반도체 발광소자들 및 이를 조립하는 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101190414B1
KR101190414B1 KR1020117026477A KR20117026477A KR101190414B1 KR 101190414 B1 KR101190414 B1 KR 101190414B1 KR 1020117026477 A KR1020117026477 A KR 1020117026477A KR 20117026477 A KR20117026477 A KR 20117026477A KR 101190414 B1 KR101190414 B1 KR 101190414B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
semiconductor light
flexible film
emitting element
optical
Prior art date
Application number
KR1020117026477A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20110134943A (ko
Inventor
제랄드 에이치. 네글리
Original Assignee
크리 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=34960456&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=KR101190414(B1) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by 크리 인코포레이티드 filed Critical 크리 인코포레이티드
Publication of KR20110134943A publication Critical patent/KR20110134943A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101190414B1 publication Critical patent/KR101190414B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58Optical field-shaping elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483Containers
    • H01L33/486Containers adapted for surface mounting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/507Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Abstract

반도체 발광 소자들은 면을 가지는 기판, 상기 면 상에, 그 내에 광학적 요소를 포함하는 플렉시블 필름, 그리고 상기 기판과 상기 플렉시블 필름 사이에서 상기 광학적 요소를 통하여 발광하도록 형성되는 반도체 발광 요소를 포함한다. 상기 면은 그 내에 캐버티를 포함하고, 상기 반도체 발광요소는 상기 캐버티 내에 위치할 수 있다. 상기 플렉시블 필름은 상기 캐버티를 지나서 상기 면을 향하여 신장하고, 상기 광학적 요소는 상기 캐버티를 위로 덮는다.

Description

광학 요소를 가지는 플렉시블 필름을 포함한 반도체 발광소자들 및 이를 조립하는 방법{SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICES INCLUDING FLEXIBLE FILM HAVING THEREIN AN OPTICAL ELEMENT, AND METHODS OF ASSEMBLING SAME}
본 발명은 반도체 발광소자들 및 이들을 제조하는 방법들에 관련되며, 더욱 특별하게는 반도체 발광소자들의 패키징 및 패키징 방법들에 관련된다.
발광 다이오드(LED)들 또는 레이저 다이오드들과 같은 반도체 발광소자들은 많은 어플리케이션들에 널리 사용된다. 당업자들에게 잘 알려진 것처럼, 반도체 발광소자들은 에너지를 받을 때 간섭성(coherent) 및/또는 비간섭성(incoherent) 빛을 방출하도록 구성된 하나 또는 그 이상의 반도체 층들을 가지는 반도체 발광요소(semiconductor light emitting element)를 포함한다. 외부로의 전기 컨넥션들(external electrical connections), 방열(heat sinking), 렌즈 또는 광도파로(waveguide), 외부로부터의 보호 및/또는 반도체 발광소자의 다른 기능들을 제공하도록 상기 반도체 발광요소는 일반적으로 패키징 된다는 것이 역시 알려져 있다. 돔 형태의 투명한(transparent) 플라스틱 쉘(shell)로써 반도체 발광소자를 적어도 부분적으로 둘러쌈으로써, 적어도 일부분에 패키징이 제공될 수 있다.
예를 들어, 반도체 발광소자에 대해 두 부분의 패키지를 제공하는 것이 알려져 있는데, 여기에서 반도체 발광요소는 예를 들어 알루미나, 알루미늄 나이트라이드 및/또는 다른 물질들로 형성된 기판 상에 장착되고, 이 물질들은 반도체 발광요소에 대한 외부 컨넥션들을 제공하도록 전기 트레이스(trace)들을 포함한다. 예를 들어 구리로 도금된 은으로 형성될 수 있는 제2 기판은 상기 반도체 발광요소를 감싸면서 예를 들어 접착제를 사용하여 상기 제1 기판 상에 장착된다. 렌즈는 상기 반도체 발광요소 위쪽에 상기 제2 기판 상에 위치할 수 있다. 위에서 기술한 것처럼 두 부분의 패키지들을 가지는 발광 다이오드들은, 로(Loh)가 발명하고 전력 표면 장착식 발광 다이 패키지(Power Surface Mount Light Emitting Die Package)라는 명칭으로 2003년 5월 27일 출원하고 상기 발명은 본 발명의 출원인에게 양도되고 상기 발명의 명세서의 내용은 여기에서 전부 설명된 것처럼 여기에 인용하여 통합되는 출원 일련 번호 10/446,532 에서 기술된다.
특정한 주파수 밴드의 방출되는 복사를 향상시키고 그리고/또는 적어도 복사의 일부를 다른 주파수 밴드로 변환하기 위하여, 인광체(phosphor)를 반도체 발광소자에 추가하는 것이 종종 바람직하다. 인광체들은 다양한 통상적인 기술들을 사용하여 반도체 발광소자에 포함될 수 있다. 어떤 기술에서는, 인광체는 플라스틱 쉘의 내부 및/또는 외부에 코팅된다. 다른 기술들에서는, 인광체는 반도체 발광소자 자체 상에 예를 들어 전기 영동 증착(electrophoretic deposition)을 사용하여 코팅된다. 마찬가지로 다른 기술들에서는, 인광체가 그 내부에 포함되는 에폭시와 같은 소량의 물질이 플라스틱 쉘의 내부에, 반도체 발광소자 상에 및/또는 상기 소자와 상기 쉘의 사이에, 위치할 수 있다. 이러한 기술은 "글롭 탑(glob top)"이라고 언급될 수 있다. 인광체 코팅들은 인덱스 매칭 물질(index matching material)을 포함할 수 있고 그리고/또는 분리된 인덱스 매칭 물질이 제공될 수도 있다. 인광체 코팅들을 사용하는 발광 다이오들들은 예를 들어 미국 특허 6,252,254; 6,069,440; 5,858,278; 5,813,753; 5,277,840; 및 5,959,316 에 기술된다.
불행하게도 반도체 발광소자의 패키징은 고비용일 수 있고, 어떤 경우들에서는 반도체 발광요소 자체보다 더 고비용일 수 있다. 더욱이, 어셈블리 공정은 또한 고비용일 수 있으며, 시간이 소요되며 그리고/또는 실패하기가 쉽다.
본 발명의 어떤 실시예들은 면을 가지는 기판; 그 내에 광학적 요소를 포함하는 상기 면상의 플렉시블 필름; 및 상기 기판 및 상기 플렉시블 필름 사이에서 상기 광학적 요소를 통하여 발광하도록 형성되는 반도체 발광요소;를 포함하는 반도체 발광소자들을 제공한다. 어떤 실시예들에서는, 광학적 젤과 같은 광학적 커플링 매체가 상기 광학적 요소와 상기 반도체 발광요소 사이에서 제공된다. 어떤 실시예들에서는, 상기 면은 그 내에 캐버티를 포함하고, 상기 반도체 발광 요소는 상기 캐버티 내에 있다. 상기 플렉시블 필름은 상기 캐버티를 지나서 상기 면을 향하여 신장하고, 상기 광학적 요소는 상기 캐버티를 위로 덮는다. 어떤 실시예들에서는 광학적 커플링 매체가 상기 캐버티 내에 제공된다. 본 발명의 다양한 실시예들에 따르면, 기판 면 상에 반도체 발광요소를 장착하는 단계; 및 그 내에 광학적 요소를 포함하는 플렉시블 필름을, 동작중에 상기 광학적 요소를 통하여 상기 반도체 발광요소가 발광하도록, 상기 기판 면에 부착하는 단계;에 의하여 반도체 발광 소자들은 조립될 수 있다. 광학적 커플링 매체는 상기 반도체 발광요소와 상기 광학적 커플링 요소 사이에서 위치할 수 있다.
광학적 요소들의 많은 다른 형상들이 본 발명의 다양한 실시예들에 따라서 제공될 수 있다. 어떤 실시예들에서는, 상기 광학적 요소는 렌즈를 포함한다. 다른 실시예들에서는, 상기 광학적 요소는 프리즘을 포함한다. 다른 실시예들에서는, 상기 플렉시블 필름은 상기 기판에 인접하여 제1 면 및 상기 기판에 먼 제2 면을 포함하고, 상기 광학적 요소는 상기 제1면 상에 제1광학적 요소 및 상기 제2면 상에 제2광학적 요소를 포함하고, 두 개의 상기 광학적 요소는 상기 제1광학적 요소 및 상기 제2광학적 요소를 통하여 상기 발광요소가 발광하도록 위치된다. 어떤 실시예들에서는, 상기 광학적 요소는 인광체 및/또는 광학적 방출 향상 및/또는 변환 요소를 포함한다. 여전히 다른 실시예들에서는, 상기 광학적 요소는 광학적 확산요소를 포함한다. 이러한 및/또는 다른 광학적 요소들의 조합들 및 부조합들이 제공될 수 있다. 더욱이, 이러한 어떠한 실시예들에서도 광학적 커플링 매체는 상기 광학적 요소 및 상기 반도체 발광 요소 사이에서 제공될 수 있다.
본 발명의 다양한 실시예들에 따라서 플렉시블 필름의 많은 구성들이 또한 제공될 수 있다. 예를 들어, 어떤 실시예들에서는, 상기 캐버티를 위로 덮는 상기 플렉시블 필름의 적어도 일부는 빛에 대하여 투명하고(transparent), 상기 캐버티를 지나서 상기 면을 향하여 신장하는 상기 플렉시블 필름의 적어도 일부는 빛에 대하여 불투명(opaque)하다. 다른 실시예들에서는, 상기 캐버티를 위로 덮는 상기 플렉시블 필름의 적어도 일부는 제1물질을 포함하고, 상기 캐버티를 지나서 상기 면을 향하여 신장하는 상기 플렉시블 필름의 적어도 일부는 제2물질을 포함한다.
여전히 다른 실시예들에서는, 상기 반도체 발광요소는 상기 캐버티 내의 상기 플렉시블 필름을 향하여 신장하고 접촉하는 와이어를 포함하고, 상기 플렉시블 필름은 상기 와이어에 전기적으로 연결하는 상기 캐버티 내의 투명한 도전체를 포함한다. 플렉시블 필름의 이러한 조합들 및 부조합들 및/또는 다른 구성들이 또한 제공될 수 있다.
다른 실시예들에서는, 상기 플렉시블 필름 및 상기 기판을 서로 부착하도록 형성되는 부착요소를 또한 제공된다. 많은 통상적인 부착 기술들이 부착요소를 제공하기 위하여 사용될 수 있다.
본 발명의 어떤 실시예들은 상기 반도체 발광 소자에 인광체를 포함하도록 구성될 수 있다. 어떤 실시예들에서는, 인광체가 상기 렌즈와 상기 반도체 발광 요소 사이에서 상기 플렉시블 필름 상에 제공된다. 다른 실시예들에서는, 상기 렌즈는 상기 반도체 발광 요소에 인접하여 오목한 내부의 표면을 포함하고, 상기 인광체는 상기 오목한 내부의 표면 상에 콘포멀한 인광체 층을 포함한다. 여전히 다른 실시예들에서는, 상기 광학적 요소는 상기 캐버티를 위로 덮고 상기 캐버티에서 돌출되어 나오는 렌즈를 포함하고 상기 플렉시블 필름은 상기 렌즈와 상기 반도체 발광요소 사이에서 상기 캐버티를 향하여 돌출하는 돌출요소를 더 포함하고, 상기 돌출요소 상에 콘포멀한 인광체 코팅이 제공된다. 이러한 및/또는 다른 형상들의 인광체의 조합들 및 부조합들이 또한 제공될 수 있다. 더욱이 이러한 모든 실시예들에서 광학적 커플링 매체는 상기 인광체 및 상기 반도체 발광요소 사이에서 제공될 수 있다.
여전히 다른 본 발명의 실시예들에서는, 상기 반도체 발광요소는 상기 플렉시블 필름을 향하여 신장하는 와이어를 포함한다. 이러한 실시예들의 일부에서는, 상기 광학적 요소는 상기 반도체 발광요소에서의 빛의 상기 와이어에 의한 쉐도윙을 감소시키도록 형성되는 프리즘을 포함한다.
본 발명의 다양한 실시예들에 따른 다중 반도체 발광요소들 및/또는 광학적 요소들이 반도체 발광소자에 포함될 수 있다. 각각의 반도체 발광요소가 개별적인 각자의 캐버티 내에 포함될 수 있고 및/또는 복수의 반도체 발광 요소들이 하나의 캐버티 내에 포함될 수 있다. 더욱이, 어떤 실시예들에서는, 같은 인광체가 각각의 광학적 요소에 대해 상기 플렉시블 필름 상에 포함될 수 있다. 다른 실시예들에서는, 다른 인광체들이 사용될 수 있다. 예를 들어, 제1 인광체 층 및 제1 반도체 발광요소는 적색광을 발생하도록 형성되고, 상기 제2 인광체 층과 상기 제2 반도체 발광요소는 청색광을 발생하도록 형성되고, 그리고 상기 제3 인광체 층과 상기 제3 반도체 발광요소는 녹색광을 발생하도록 형성된다. 이러한 및/또는 다른 형상들의 복수의 반도체 발광 요소들 및/또는 복수의 광학적 요소들의 조합들 및 부조합들이 또한 제공될 수 있다. 결국, 본 발명의 다양한 실시예들에 따른 이러한 및/또는 다른 광학적 요소들, 플렉시블 필름들, 인광체 및/또는 복수의 요소들의 조합들 및/또는 부조합들이 제공될 수 있다.
본 발명에 의한 반도체 발광소자들 및 이를 조립하는 방법에 의해서 낮은 비용으로 반도체 발광소자를 제조할 수 있게 된다.
도 1은 본 발명의 다양한 실시예들에 따른 반도체 발광소자들 및 그의 제조방법들에 대한 분해 단면도이다.
도 2-12는 본 발명의 다양한 실시예들에 따른 반도체 발광소자들의 단면도들이다.
도 13은 본 발명의 다양한 실시예들에 따른 반도체 발광소자의 투시도이다.
본 발명은 본 발명의 실시예들을 도시한 첨부된 도면들을 참고하여 더욱 상세하게 이하에서 이제 기술된다. 본 발명은, 그러나, 많은 다른 형태들로 구체화될 수 있으며 여기에서 기술되는 실시예들에 한정하여 해석되어서는 안된다. 오히려, 이러한 실시예들은 본 명세서가 충분하고 완벽하고 당업자들에게 본 발명의 범위를 충분히 전달하기 위하여 제공된다. 도면들에서는, 층들 및 영역들의 크기 및 상대적인 크기들은 명확성을 위하여 과장될 수 있다. 동일한 참조번호는 전체에 걸쳐 동일한 요소들을 언급한다.
층, 영역 또는 기판과 같은 하나의 요소가 다른 요소 "상에(on)" 존재한다고 언급될 때에는 그 하나의 요소는 또 다른 요소에 직접 접촉하거나 중간에 개재되는 구성요소들이 존재할 수 있다고 해석될 수 있다. 표면과 같은 하나의 요소의 일부가 "내부(inner)"라고 언급될 때에는 그것은 상기 요소의 다른 부분들보다 소자의 외부에서부터 더 멀리 있다고 이해될 수 있다. 더욱이, "아래(beneath)에" 또는 "위로 덮다(overlies)"라는 상대적인 용어들은 여기에서는 도면들에서 도시되는 것처럼 다른 층 또는 영역에 대한 어떤 층 또는 영역의 관계를 기판 또는 기준층에 관해 상대적으로 기술하기 위하여 사용될 수 있다. 이러한 용어들은 도면들에서 묘사되는 방향에 추가하여 소자의 다른 방향들을 포함하기 위하여 의도된다고 이해될 수 있다. 결국, "직접적으로(directly)" 라는 용어는 중간에 개재하는 요소들이 존재하지 않는 것을 의미한다. 여기에서 사용되는 것처럼, "및/또는" 이라는 용어는 관련된 기재된 항목들의 하나 또는 그 이상의 어떠한 및 모든 조합들을 포함한다.
제1, 제2 등의 용어들이 여기에서 다양한 요소(element)들, 구성성분(componet)들, 영역들, 층들 및/또는 부분(section)들을 기술하기 위하여 사용되더라도 이러한 요소들, 구성성분들, 영역들, 층들 및/또는 부분들은 이러한 용어들에 의해 제한되어서는 안 된다는 것으로 이해될 수 있다. 이러한 용어들은 하나의 요소, 구성성분, 영역, 층 또는 부분을 다른 영역, 층 또는 부분과 구별하기 위하여 사용될 뿐이다. 따라서, 아래에서 기술되는 제1 영역, 층 또는 부분은 제2 영역, 층 또는 부분으로 명명될 수 있고, 제2 라는 용어도 본 발명의 취지에서 벗어나지 않으면서 유사하게 명명될 수 있다.
도 1은 본 발명의 다양한 실시예들에 따른 반도체 발광소자들 및 그것을 위한 조립 방법들에 대한 분해 단면도이다.
도 1을 참조하면, 이러한 반도체 발광소자들(100)은 하나의 면(110a)을 가지는 기판(110), 상기 면(110a)상에 광학적 요소(130)를 그 내에 포함하는 플렉시블(flexible) 필름(120), 그리고 상기 기판(110)과 상기 플렉시블 필름(120) 사이에 상기 광학적 요소를 통하여 빛(160)을 방출하도록 구성되는 반도체 발광요소(140)를 포함한다. 부착 요소(attachment element)(150)는 플렉시블 필름(120)과 기판(110)을 서로 부착하기 위하여 사용될 수 있다.
계속하여 도 1을 참조하면, 반도체 발광요소들을 그 위에 장착하기 위하여 통상적으로 사용되는 기판(110)은 알루미나, 알루미늄 나이트라이드, 금속 및/또는 다른 물질들을 포함할 수 있다. 다른 실시예들에서는, 니글리(negley)등이 발명하고 "반도체 발광소자들을 위한 고상 금속 블록 장착 기판들 및 이를 제조하는 산화 방법들(Solid Metal Block Mounting Substrates for Semiconductor Light Emitting Devices, and Oxidizing Methods for Fabricating Same)"이라는 명칭으로 2003년 9월 9일 출원하고 본 발명의 출원인에게 양도되고 상기 발명의 명세서의 내용은 여기에서 전부 설명된 것처럼 여기에 인용하여 통합되는 동시계류중인 출원일련번호 10/659,108에서 기술된 것처럼, 기판(110)은 고상 금속 블록(solid metal block)일 수 있다. 기판들(110)의 디자인은 당업자들에게 널리 알려져 있고 여기에서 더 기술할 필요는 없다.
반도체 발광요소(140)는 발광 다이오드, 레이저 다이오드 및/또는 다른 반도체 소자를 포함할 수 있는데 상기 다른 반도체 소자는 실리콘, 실리콘 카바이드, 갈륨 나이트라이드 및/또는 다른 반도체 물질들을 포함할 수 있는 하나 또는 그 이상의 반도체 층들, 사파이어, 실리콘, 실리콘 카바이드 및/또는 다른 마이크로전자 기판들을 포함할 수 있는 기판, 그리고 금속 및/또는 다른 도전성 층들을 포함할 수 있는 하나 또는 그 이상의 콘택 층들을 포함한다. 어떤 실시예들에서는, 자외선, 청색 및/또는 녹색 발광 다이오드들이 제공될 수 있다. 반도체 발광소자들(140)의 설계 및 제조는 당업자들에게 널리 알려져 있어 여기에서 상세하게 기술한 필요가 없다.
예를 들어, 발광요소들(140)은 북캐롤라이나 더햄(Durham, North Carolina)에 소재하는 크리 사(Cree,Inc)에 의해 생산되고 판매되는 소자들과 같은 실리콘 카바이드 기판 상에서 제조되는 갈륨 나이트라이드계의 발광 다이오드들 또는 레이저들일 수 있다. 본 발명은 미국 특허 번호들 6,201,262; 6,187,606; 6,120,600; 5,912,477; 5,739,554; 5,631,190; 5,604,135; 5,523,589; 5,416,342; 5,393,993; 5,338,944; 5,210,051; 5,027,168; 5,027,168; 4,966,862 및/또는 4,918,497 에서 기술되는 것처럼 발광 다이오드들 및/또는 레이저들과 사용하는데 적합할 수 있는데, 상기 미국 특허들의 명세서의 내용은 여기에서 전부 설명된 것처럼 여기에 인용하여 통합된다. 다른 적절한 발광 다이오드들 및/또는 레이저들은 "광추출을 위한 변형들을 포함하는 발광 다이오드들 및 그 제조방법들(Light Emitting Diodes Including Modifications for Light Extraction and Manufacturing Methods Therefor)"이라는 명칭으로 공개된 미국 특허 공개 번호 US2002/0123164A1 뿐만 아니라 "양자 우물 및 초격자를 가진 Ⅲ족 나이트라이드계 발광 다이오드 구조들, Ⅲ족 나이트라이드계 양자 우물 구조들 및 Ⅲ족 나이트라이드계 초격자 구조들(Group Ⅲ Nitride Based Light Emitting Diode Structure With a Quantum Well and Superlattice, Group Ⅲ Nitride Based Quantum Well Structures and Group Ⅲ Nitride Based Superlattice Structures)"이라는 명칭으로 2003년 1월 9일에 공개된 미국 특허 공개 번호 US2003/0006418A1 에서 기술된다.
더욱이, "테이퍼된 측벽들을 포함하는 인광체로 코팅된 발광 다이오드들 및 그 제조 방법들"이라는 명칭으로 2003년 9월 9일에 출원되고 상기 발명의 명세서의 내용은 여기에서 전부 설명된 것처럼 여기에 인용하여 통합되는 미국 출원 일련 번호 10/659,241에서 기술되는 발광 다이오드들과 같이 인광체로 코팅된 발광 다이오드들은 또한 본 발명의 실시예들에서 사용하기에 적합할 수 있다. 상기 발광 다이오드들 및/또는 레이저들은 상기 기판을 통하여 발광이 발생하도록 동작되는 구성일 수 있다. 그러한 실시예들에서는, 상기 기판은 예를 들어 위에서 언급된 미국 특허 공개 번호 US2002/0123164A1에서 기술되는 것처럼 소자들의 광 산출을 향상하기 위하여 패터닝될 수 있다.
계속하여 도 1을 참조하면, 상기 플렉시블 필름(120)은 통상적인 상온 가황 실리콘 고무(Room Temperature Vulcanizing(RTV) silicon rubber)와 같은 플렉시블 물질로 형성되는 커버 슬립(cover slip)을 제공할 수 있다. 다른 실리콘 계열 및/또는 플렉시블 물질들도 사용될 수 있다. 플렉시블 물질로 형성됨으로써, 상기 플렉시블 필름(120)은 동작중 팽창 및 수축하는 때에 상기 기판(110)에 합치(conform)될 수 있다. 더욱이, 상기 플렉시블 필름(120)은 트랜스퍼 몰딩(transfer molding), 인젝션 몰딩(injection molding) 및/또는 당업자들에게 널리 알려진 다른 통상적인 기술들과 같은 단순한 저비용 기술들을 사용하여 형성될 수 있다.
앞에서 기술된 것처럼 상기 플렉시블 필름(120)은 광학적 요소(130)를 그 내에 포함한다. 상기 광학적 요소는 렌즈, 프리즘, 인광체와 같은 광학적 방출 향상 및/또는 변환 요소, 광학적 스캐터링(scattering) 요소 및/또는 다른 광학적 요소를 포함할 수 있다. 하나 또는 그 이상의 광학적 요소들(130)은 또한 아래에서 상세하게 기술되는 것처럼 제공될 수 있다. 더욱이, 다른 실시예들에서는 도 1에서 도시된 것처럼, 광학적 커플링 젤 및/또는 다른 인덱스 매칭 물질과 같은 광학적 커플링 매체(optical coupling media, 170)가 상기 광학적 요소(130) 및 상기 반도체 발광소자(140) 사이에서 제공될 수 있다.
계속하여 도 1을 참조하면, 부착 요소(150)는 상기 기판(110)의 주변부(periphery)를 둘러싸며, 상기 플렉시블 필름(120)의 주변부를 둘러싸며 그리고/또는 그것들의 선택된 부분들에서, 예를 들어 그것들의 코너부들에서 위치할 수 있는 접착제로서 구체화될 수 있다. 다른 실시예들에서는, 기판(110)은 부착 요소(150)를 제공하기 위하여 플렉시블 필름(120)을 둘러싸면서 코이닝(coining)될 수도 있다. 다른 통상적인 부착 기술들도 사용될 수 있다.
도 1은 또한 본 발명의 다양한 실시예들에 따른 반도체 발광소자들(100)을 조립하는 방법들을 도해하고 있다. 도 1에서 도시된 것처럼, 반도체 발광요소(140)는 기판 면(110a) 상에 장착된다. 그 내에 광학적 요소(130)를 포함하는 플렉시블 필름(120)은 상기 기판 면(110a)에, 예를 들어 부착 요소(150)를 사용하여, 부착되는데 그 결과 동작중에 반도체 발광요소는 상기 광학적 요소(130)을 통하여 빛(160)을 방출한다. 어떤 실시예들에서는, 광학적 커플링 매체(170)는 상기 반도체 발광요소(140) 및 상기 광학적 요소(130) 사이에 위치한다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예들에 따른 반도체 발광소자들의 단면도이다. 이들 실시예들에서는, 기판 면(110a)은 캐버티(cavity, 110b)를 그 내에 포함한다. 상기 유연 필름(120)은 캐버티(110b)를 지나서 상기 면(110a)을 향하여 신장한다. 상기 광학적 요소(130)는 상기 캐버티(110b)를 위로 덮고(overlie), 반도체 발광요소(140)는 캐버티(110b) 내에 있고, 상기 광학적 요소(130)을 통하여 빛(160)을 방출하도록 형성된다. 도 2는, 광학적 요소(130)는 오목 렌즈를 포함한다. 어떤 실시예들에서, 광학적 커플링 매체(170)는 상기 광학적 요소(130)와 상기 반도체 발광요소(140) 사이에서 캐버티(110b) 내에 제공된다. 어떤 실시예들에서는, 상기 광학적 커플링 매체(170)는 상기 캐버티(110b)를 채운다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예들의 단면도이다. 도 3에서 도시된 것처럼, 두 개의 광학적 요소들(130 및 330)은 플렉시블 필름(120) 내에 포함된다. 제 1 광학적 요소(130)는 렌즈를 포함하고 제2 광학적 요소(330)는 프리즘을 포함한다. 반도체 발광요소(140)에서의 빛은 상기 프리즘(330)을 관통하고 상기 렌즈(130)를 관통한다. 광학적 커플링 매체(170)가 또한 제공될 수 있다. 어떤 실시예들에서는, 상기 광학적 커플링 매체(170)는 상기 캐버티(110b)를 채운다. 상기 프리즘이 쉐도잉(shadowing)을 감소시킬 수 있도록 상기 광학적 커플링 매체(170)는 상기 프리즘과 굴절율(index of refraction)에서 충분히 다를 수 있다. 도 3에서 도시된 것처럼, 상기 반도체 발광요소는 상기 플렉시블 필름(120)을 향하여 신장하는 와이어(140a)를 포함하고, 상기 프리즘(330)은 반도체 발광요소(140)에서 방출되는 빛의 상기 와이어(140a)에 의한 쉐도잉을 감소시키도록 형성된다. 상기 와이어(140a)의 쉐도윙을 감소함으로써 더욱 균일한 발광들이 제공될 수 있다. "와이어"라는 용어는 여기에서 반도체 발광요소(140)에 대한 모든 전기적 연결을 포함하는 일반적인 의미로 사용된다고 이해될 수 있다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예들의 단면도이다. 도 4에서 도시된 것처럼, 인광체(410)가 상기 렌즈(130) 및 상기 반도체 발광요소(140) 사이에서 상기 플렉시블 필름(120) 상에 제공된다. 상기 인광체(410)는 세륨이 도핑된 이트륨 알루미늄 가넷(Yttrium Aluminum Garnet, YAG) 및/또는 다른 통상적인 인광체들을 포함할 수 있다. 어떤 실시예들에서는, 상기 인광체는 세슘이 도핑된 이트륨 알루미늄 가넷(YAG:Ce)을 포함할 수 있다. 다른 실시예들에서는, 나노-인광체들이 사용될 수 있다. 인광체들은 당업자들에게 널리 알려져 있고 여기에서 더욱 상세하게 기술될 필요는 없다. 역시 상기 캐버티(110b)를 채울 수 있는 광학적 커플링 매체(170)가 제공될 수 있다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예들을 도해하고 있다. 이들 실시예들에서는, 상기 렌즈(130)는 상기 반도체 발광요소(140)에 인접한 오목한 내부의 표면(130a)을 포함하고, 상기 인광체(410)는 상기 오목한 내부의 표면(130a) 상의 컨포멀(conformal)한 인광체 층을 포함한다. 역시 상기 캐버티(110b)를 채울 수 있는 광학적 커플링 매체(170)가 제공될 수 있다.
도 6은 다른 실시예들의 단면도이다. 도 6에서 도시된 것처럼, 상기 캐버티(110b)를 위로 덮는 플렉시블 필름(120)의 적어도 일부분(120d)은 빛에 대하여 투명하다. 더욱이 상기 플렉시블 필름(120)에서 점으로 표시된 부분들(120c)에 의해 도시된 것처럼, 상기 캐버티(110b)를 지나서 상기 면(110a)를 향하여 신장하는 상기 플렉시블 필름(120)의 적어도 일부분(120c)은 빛에 대하여 불투명하다. 상기 불투명한 영역들(120c)은 빛의 광선들의 바운싱(bouncing)을 감소시키거나 또는 방지할 수 있고 그에 의해 더욱 바람직한 빛의 패턴을 잠재적으로 만들 수 있다. 역시 상기 캐버티(110b)를 채울 수 있는 광학적 커플링 매체(170)가 제공될 수 있다.
도 7은 플렉시블 필름(120)이 다중(multiple) 물질들로 형성될 수 있는 본 발명의 다른 실시예들의 단면도이다. 도 7에서 도시된 것처럼, 상기 캐버티(110b)를 위로 덮는 상기 플렉시블 필름(120) 중 적어도 일부분(120d)은 제1 물질을 포함하고, 상기 캐버티(110b)를 지나서 상기 면(110a)을 향하여 신장하는 상기 플렉시블 필름(120)의 적어도 일부분(120c)은 제2 물질을 포함한다. 어떤 실시예에서는, 플렉시블 필름의 일부분을 통하여 빛이 방출되고 및 플렉시블 필름의 일부분을 통하여 빛이 방출되지 않는, 상기 플렉시블 필름의 일부분에 대한 다른 특성들을 제공하도록 둘 또는 그 이상의 물질들이 상기 플렉시블 필름(120)에 사용될 수도 있다. 예를 들어, 유연하지 않는(inflexible) 및/또는 플렉시블 플라스틱 렌즈가 플렉시블 필름에 부착될 수 있다. 그러한 다중 물질들을 포함하는 플렉시블 필름(120)은 예를 들어, 통상적인 다양한 몰딩 기술들을 사용하여 제조될 수 있다. 어떠한 실시예들에서는, 이어서 몰딩되는 제2 물질에 부착하는 충분한 결합력을 제공하기 위하여, 몰딩된 제1 물질은 충분히 큐어(cure)되지 않을 수 있다. 다른 실시예들에서는, 같은 물질들이 광학적 요소 및 플렉시블 필름에 대하여 사용될 수 있는데, 상기 광학적 요소가 형성되고 그 다음에 상기 플렉시블 필름이 상기 광학적 요소를 둘러싸면서 형성된다. 역시 상기 캐버티(110b)를 채울 수 있는 광학적 커플링 매체(170)가 제공될 수 있다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예들의 단면도이다. 이러한 실시예들에서는, 상기 반도체 발광요소(140)는 상기 캐버티(110b) 내에서 상기 플렉시블 필름(120)을 향하여 신장하고 콘택하는 와이어(140a)를 포함한다. 상기 플렉시블 필름(120)은 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide; ITO) 및/또는 다른 통상적인 투명한 도전체들을 포함할 수 있는 투명한 도전체(810)를 포함한다. 상기 투명한 도전체(810)는 상기 캐버티(110b) 내에서 신장하고 상기 와이어에 전기적으로 연결된다. 그럼으로써 감소된 상기 콘택(140a)에 의한 쉐도잉이 제공될 수 있다. 더욱이, 상기 기판(110)에의 와이어 결합 및 잠재적이고 필연적인 빛 왜곡이 감소되거나 또는 제거될 수 있다. 역시 상기 캐버티(110b)를 채울 수 있는 광학적 커플링 매체(170)가 제공될 수 있다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예들의 단면도이다. 도 9에서 도시된 것처럼, 상기 광학적 요소(130)는 상기 캐버티(110b)를 위로 덮고 상기 캐버티(110b)에서 돌출되어 나오는(protrude away) 렌즈를 포함한다. 상기 플렉시블 필름(120)는 상기 렌즈(130)와 상기 발광요소(140) 사이에서 상기 캐버티(110b)를 향하여 돌출되는 돌출요소(930)를 더 포함한다. 도 9에서 도시된 것처럼, 컨포멀(conformal)한 인광체 층(410)이 상기 돌출요소(930) 상에 제공된다. 상기 렌즈(130)의 후면 상에 상기 돌출요소(930)를 제공함으로써, 소자 내의 광학적 커플링 매체(170)가 옮겨질 수 있다. 도 9에서의 배치는 상기 발광요소(140)에서의 바람직한 거리에서의 더 균일한 인광체 코팅을 제공할 수 있고, 그 결과 더욱 균일한 조명을 제공할 수 있다. 상기 광학적 커플링 매체(170)는 상기 캐버티(110b)를 채울 수 있다.
도 10 및 11은 본 발명의 다양한 실시예들에 따라 다중 반도체 발광요소들 및/또는 다중 광학적 요소들을 포함하는 반도체 발광소자들을 도해하고 있다. 예를 들어, 도 10에서 도시된 것처럼 상기 광학적 요소(130)는 제1 광학적 요소이고, 상기 반도체 발광요소(140)는 제1 반도체 발광요소이다. 상기 플렉시블 필름(120)은 또한 그 내부에 상기 제1 광학적 요소(130)와 이격되는 제2 광학적 요소(130')를 포함하고, 상기 소자는 상기 기판(110)과 상기 플렉시블 필름(120) 사이에 제2 반도체 발광요소(140')를 더 포함하고 상기 제2 광학적 요소(130')를 통하여 빛을 방출하도록 형성된다. 더욱이, 제3 광학적 요소(130") 및 제3 반도체 발광요소(140")도 또한 제공될 수 있다. 상기 광학적 요소들(130, 130' 및 130")은 각각 서로 같은 수도 있고 그리고/또는 다를 수도 있으며, 상기 반도체 발광요소들(140, 140' 및 140")은 각각 서로 같을 수도 있고 그리고/또는 다를 수도 있다. 더욱이, 도 10의 실시예들에서는 상기 캐버티(110b)는 제1 캐버티이고, 제2 및 제3 캐버티(110b', 110b")각각은 제2 및 제3 반도체 발광요소들(140', 140")을 위해 각각 제공된다. 상기 캐버티들(110b, 110b', 110b")는 서로 각각 같은 및/또는 다른 형상들을 가질 수도 있다. 역시 상기 캐버티(110b)를 채울 수 있는 광학적 커플링 매체(170)가 제공될 수 있다.
도 10에서 또한 도시된 것처럼, 상기 인광체(410)는 제1 인광체 층일 수 있고, 제2 및/또는 제3 인광체 층들(410' 및 410")이 각각 상기 제2 광학적 요소(130')와 상기 제2 반도체 발광요소(140') 사이에서, 그리고 상기 제3 광학적 요소(130")와 제3 반도체 발광요소(140") 사이에서, 상기 플렉시블 기판(120) 상에 각각 제공될 수 있다. 상기 인광체 층들(410,410',410")은 같을 수도 있고, 다를 수도 있고 그리고/또는 제거될 수도 있다. 특히, 본 발명의 어떤 실시예들에서는, 제1 인광체 층(410) 및 제1 반도체 발광요소(140)은 적색광을 발생하도록 형성되고, 제2 인광체 층(410') 및 제2 반도체 발광요소(140')는 청색광을 발생하도록 형성되고, 제3 인광체 층(410') 및 제3 반도체 발광요소(140")는 녹색광을 발생하도록 형성될 수 있다. 어떤 실시예들에서는, 그럼으로써 백색광을 방출할 수 있는 적색, 녹색, 청색(RGB) 발광요소가 제공될 수 있다.
도 11은 본 발명의 다른 실시예들의 단면도이다. 이러한 실시예들에서는, 하나의 캐버티(1100)가 제1, 제2 및 제3 반도체 발광요소들(140, 140'및 140") 각각을 위하여 제공된다. 역시 상기 캐버티(110b)를 채울 수 있는 광학적 커플링 매체(170)가 제공될 수 있다.
도 12는 본 발명의 여전히 다른 실시예들의 단면도이다. 도 12에서, 상기 광학적 요소(1230)는 그 내부에 분산된 인광체를 가지는 렌즈를 포함한다. 그 내부에 분산된 인광체를 포함하는 렌즈들은 예를 들어 니글리(Negley)등이 발명하고 '내부에 분산된 인광체를 가지는 투명한 플라스틱 쉘을 포함하는 투과성 광학적 요소들 및 그 제조방법'이라는 명칭으로 2003년 9월 9일에 출원되고 본 발명의 출원인에게 양도되고, 상기 발명의 명세서의 내용은 여기에서 전부 설명된 것처럼 여기에 인용하여 통합되는 출원일련번호 10/659,240에서 기술된다. 역시 상기 캐버티(110b)를 채울 수 있는 광학적 커플링 매체(170)가 제공될 수 있다.
본 발명의 여전히 다른 실시예들에서는, 인광체에 첨가 또는 대신하여 광학적 확산요소가 도 12에서 도시된 것처럼 상기 렌즈 내에 삽입될 수 있고 그리고/또는 예를 들어 도 9에서 도시된 것처럼 분리된 층으로서 제공될 수 있다.
도 13은 본 발명의 다른 실시예들에 따른 반도체 발광소자들의 투시도이다. 기판(110)이 통상적인 패키지(1310)에 부착된다. 광학적 커플링 매체(170)가 또한 제공될 수 있다.
본 발명의 다양한 실시예들이 도 1-13 과 관련하여 각각 기술되었다는 것이 당업자들에게 이해될 수 있다. 그러나, 도 1-13의 실시예들의 조합들 및 부조합들이 본 발명의 다양한 실시예들에 따라 제공될 수 있다.
본 발명의 다양한 실시예들의 부가적인 설명이 지금 제공되어 진다. 특히, 어떤 실시예들에서는, 상기 플렉시블 필름(120)은 RTV, GE에 의해 판매되는 GE RTV 615, Thermoset/Lord사에 의해 판매되는 UR234, 및/또는 다른 통상적인 플렉시블 물질들과 같은 플렉시블 물질들로 형성될 수 있고, 어떤 실시예에서는 두께가 약 25㎛ 와 약 500㎛ 사이일 수 있다. 상기 플렉시블 필름(120)은 바람직한 광학적 디자인을 구현하기 위하여 하나 또는 그 이상의 광학적 요소들을 포함한다. 플렉시블 물질로 형성되기 때문에, 상기 플렉시블 필름(120)은 그것이 팽창 또는 수축할 때 상기 반도체 발광소자에 합치(conform)할 수 있다. 더욱이, 어떤 실시예들에서는, 상기 플렉시블 필름은 트랜스퍼 몰딩, 인젝션 몰딩 및/또는 다른 기술들과 같은 단순한 저비용 기술들에 의해 제조될 수 있고, 상기 플렉시블 필름 멤브레인의 어느 한면 상에 복수의 광학적 요소들 및/또는 다른 특징들을 포함할 수 있다. 이것은 복수의 발광 다이오드 에미터(emitter)들을 포함할 수 있는 패키지(또는 패키지로의 기판) 상의 콤플렉스(complex) 광학적 요소의 "단수의(single)" 배치(placement)를 허용할 수 있다.
통상적으로, 발광 다이오드 패키지들은 단단한(rigid) 플라스틱 또는 유리로부터 몰딩된 렌즈를 사용한다. 칩을 밀봉하고 광학적 요소를 형성하기 위하여 단단한 엔켑슐런트(encapsulant)가 사용되거나 광학적 젤, 예를 들어 Nye 광학적 젤(Nye optical gel),과 같은 광학적 커플링 매체 상에 렌즈를 사용할 수 있다. 단단한 엔켑슐런트는 광학적 열화(degradation) 및 발광다이오드 칩들, 특히 전력 발광다이오드 칩들,에 대한 높은 응력에 의해 문제가 발생할 수 있고, 상기 광학적 커플링 매체는 이러한 젤이 표면의 일부 상에 노출될 수 있고 이것은 상기 젤의 끈적임에 의해 노출된 물질 상에 먼지/부스러기의 트랩을 유발하게 하므로 잠재적으로 문제들을 발생하게 할 수 있다. 대조적으로, 본 발명의 어떤 실시예들에 따른 플렉시블 필름들(120)은 광학적 커플링 매체(170)를 사용하는 패키지의 유한한(terminating) 표면일 수 있고, 또한 하나 또는 그 이상의 광학적 렌즈와 같은 광학적 요소들(130)을 포함할 수 있다. 한 유닛(unit)(복수의 광학적 요소들을 가지는 플렉시블 필름)을 위치하게 하는 능력은 잠재적으로 복수의 발광 다이오드들을 패키지 내부에 가지는 패키지를 사용하는 때에 이점을 제공할 수 있다. 각각의 발광 다이오드에 렌즈를 위치하게 하는 대신 플렉시블 필름(130)의 싱글 플레이스먼트(single placement)가 제공될 수 있다.
여전히 다른 특징들이 상기 플렉시블 필름(130) 상에 구현될 수 있다. 예를 들어, 상기 광학적 렌즈의 반대면 상에 인광체 및/또는 광학적 커플링 매체(170)를포함하는 채워진 영역이 백색광을 만드는 페인트-온(paint-on) 렌즈의 특징들을 가지도록 구현될 수 있다. 백색광을 만드는 페인트-온 렌즈는 마이클 레옹(Michael Leung)에 의해 발명되고 '몰딩된 칩 제조 방법 및 장치들'이라는 명칭으로 2003년 9월 18일 출원되고 본 발명의 출원인에게 양도되고 상기 발명의 명세서의 내용이 여기에서 상세히 설명된 것처럼 여기에 인용되어 통합되는 출원일련번호 10/666,399에 기술된다.
본 발명의 어떤 실시예들은 예를 들어 도 9에서 설명된 것처럼 돌출 구조(protrusion)를 제공하여 광학적 커플링 매체(170)의 부피를 감소 또는 최소화 할 수 있다. 광학적 커플링 매체(170)의 양을 감소함으로써, 그 이상의 균일한 빛의 방출이 제공될 수 있다. 따라서, 본 발명의 이러한 및/또는 다른 실시예들은 각에 의존하는 색 관련 온도(Color Correlated Temperature, CCT)와 같은 발광소자에서의 광 산출의 각에 의존하는 복사 패턴들을 감소 또는 제거할 수 있다. 따라서, 어떠한 실시예들에서는 소자의 모든 표면들에서의 빛의 강도 및 x,y 색도 값들/좌표들은 상대적으로 일정하게 유지될 수 있다. 이것은 스폿라이트 효과가 바람직하지 않은 실내에서와 같은 조명 기구들에서 사용될 때 이점이 될 수 있다.
도면들 및 명세서에서, 본 발명의 실시예들이 개시되었고, 특정한 용어들이 사용되었지만, 이것들은 단지 일반적이고 기술적인 의미로 사용되었고 제한의 의도는 아니며, 본 발명의 범위는 다음의 청구항들에서 기술된다.

Claims (24)

  1. 반도체 발광 소자로서,
    일 면을 가지는 기판;
    상기 일 면 상의, 광학적 요소를 포함하는 플렉시블 필름(flexible film); 및
    상기 기판과 상기 플렉시블 필름 사이에서, 상기 광학적 요소를 통하여 광을 방출하도록 구성된 반도체 발광 요소를 포함하고,
    상기 플렉시블 필름은, 상기 반도체 발광 요소 상에서 연장되고 또한 상기 반도체 발광 요소 외부의 상기 기판의 상기 일 면 상에서 컨포멀하게(conformally) 연장되는, 반도체 발광 소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 플렉시블 필름은, 상기 플렉시블 필름이 상기 반도체 발광 소자의 동작 중에 팽창하고 수축하여 상기 발광 소자에 합치되도록(conform), 상기 기판에 부착되는, 반도체 발광 소자.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 광학적 요소는 렌즈를 포함하는, 반도체 발광 소자.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 광학적 요소는 프리즘을 포함하는, 반도체 발광 소자.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 반도체 발광 요소는, 상기 플렉시블 필름 쪽으로 연장되는 와이어를 포함하고, 상기 프리즘은 상기 반도체 발광 요소로부터 방출되는 상기 광의 상기 와이어에 의한 쉐도잉을 감소시키도록 구성되는, 반도체 발광 소자.
  6. 제3항에 있어서,
    상기 플렉시블 필름 위에, 상기 렌즈 및 상기 반도체 발광 요소 사이에 인광체를 더 포함하는, 반도체 발광 소자.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 렌즈는 상기 반도체 발광 요소에 인접한 오목한 내부 표면을 포함하며,
    상기 인광체는 상기 오목한 내부 표면 상에 컨포멀한 인광체 층을 포함하는, 반도체 발광 소자.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 반도체 발광 요소 위에 놓인 상기 플렉시블 필름의 적어도 일부는 상기 광에 투명하고 상기 반도체 발광 요소 외부의 상기 일 면 상에 컨포멀하게 연장되는 상기 플렉시블 필름의 적어도 일부는 상기 광에 불투명한, 반도체 발광 소자.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 반도체 발광 요소 위에 놓인 상기 플렉시블 필름의 적어도 일부는 제1 물질을 포함하고 상기 반도체 발광 요소 외부의 상기 일 면 상에 연장되는 상기 플렉시블 필름의 적어도 일부는 상기 제1 물질과는 다른 제2 물질을 포함하는, 반도체 발광 소자.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 플렉시블 필름은 상기 기판에 인접한 제1 면과 상기 기판으로부터 떨어진 제2 면을 포함하고, 상기 광학적 요소는 상기 제1 면 상의 제1 광학적 요소 및 상기 제2 면 상의 제2 광학적 요소를 포함하며, 상기 제1 및 제2 광학적 요소는 모두 상기 반도체 발광 요소가 상기 제1 및 제2 광학적 요소를 통하여 광을 방출하도록 배치되는, 반도체 발광 소자.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 플렉시블 필름과 상기 기판을 서로 부착하도록 구성된 부착 요소를 더 포함하는, 반도체 발광 소자.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 광학적 요소가 제1 광학적 요소이고 상기 반도체 발광 요소가 제1 반도체 발광 요소이며, 상기 플렉시블 필름은 상기 제1 광학적 요소와 이격된 제2 광학적 요소를 포함하고, 상기 반도체 발광 소자는 상기 기판과 상기 플렉시블 필름 사이에서 상기 제2 광학적 요소를 통하여 광을 방출하도록 구성된 제2 반도체 발광 요소를 포함하는, 반도체 발광 소자.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 플렉시블 필름은 상기 제2 반도체 발광 요소 외부의 상기 기판의 상기 일 면 상에서 컨포멀하게 연장되고 또한 상기 제2 반도체 발광 요소 상에서 연장되는, 반도체 발광 소자.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 제1 광학적 요소와 상기 제1 반도체 발광 요소 사이에서 상기 플렉시블 필름 상의 제1 인광체 층과, 상기 제2 광학적 요소와 상기 제2 반도체 발광 요소 사이에서 상기 플렉시블 필름 상의 제2 인광체 층을 더 포함하는, 반도체 발광 소자.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 인광체 층은 서로 다른 인광체를 포함하는, 반도체 발광 소자.
  16. 제1항에 있어서,
    상기 반도체 발광 소자는 발광 다이오드를 포함하는, 반도체 발광 소자.
  17. 제12항에 있어서,
    상기 플렉시블 필름은 상기 제1 및 제2 광학적 요소로부터 이격된 제3 광학적 요소를 포함하고, 상기 반도체 발광 소자는 상기 기판과 상기 플렉시블 필름 사이에서 상기 제3 광학적 요소를 통하여 광을 방출하도록 구성된 제3 반도체 발광 요소를 포함하는, 반도체 발광 소자.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 제1 광학적 요소와 상기 제1 반도체 발광 요소 사이에서 상기 플렉시블 필름 상의 제1 인광체 층과, 상기 제2 광학적 요소와 상기 제2 반도체 발광 요소 사이에서 상기 플렉시블 필름 상의 제2 인광체 층과, 상기 제3 광학적 요소와 상기 제3 반도체 발광 요소 사이에서 상기 플렉시블 필름 상의 제3 인광체 층을 더 포함하는, 반도체 발광 소자.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 제1 인광체 층 및 상기 제1 반도체 발광 요소는 적색 광을 생성하도록 구성되며,
    상기 제2 인광체 층 및 상기 제2 반도체 발광 요소는 청색 광을 생성하도록 구성되며,
    상기 제3 인광체 층 및 상기 제3 반도체 발광 요소는 녹색 광을 생성하도록 구성되는, 반도체 발광 소자.
  20. 제1항에 있어서,
    상기 광학적 요소는 인광체를 포함하는, 반도체 발광 소자.
  21. 제20항에 있어서,
    상기 광학적 요소는 렌즈 - 상기 렌즈는 그 안에 분산된 인광체를 포함함 - 를 포함하는, 반도체 발광 소자.
  22. 제1항에 있어서,
    상기 광학적 요소는, 광학적 방출 향상 요소, 광학적 방출 변환 요소 또는 광학적 방출 향상 및 변환 요소를 포함하는, 반도체 발광 소자.
  23. 제1항에 있어서,
    상기 광학적 요소는 광학적 스캐터링 요소를 포함하는, 반도체 발광 소자.
  24. 제1항에 있어서,
    상기 광학적 요소와 상기 반도체 발광 요소 사이에 광학적 커플링 매체를 더 포함하는, 반도체 발광 소자.
KR1020117026477A 2004-03-29 2005-01-19 광학 요소를 가지는 플렉시블 필름을 포함한 반도체 발광소자들 및 이를 조립하는 방법 KR101190414B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/811,598 2004-03-29
US10/811,598 US7355284B2 (en) 2004-03-29 2004-03-29 Semiconductor light emitting devices including flexible film having therein an optical element
PCT/US2005/001714 WO2005104252A2 (en) 2004-03-29 2005-01-19 Semiconductor light emitting devices including flexible film having therein an optical element, and methods of assembling same

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020107015549A Division KR101143207B1 (ko) 2004-03-29 2005-01-19 광학 요소를 가지는 플렉시블 필름을 포함한 반도체 발광소자들 및 이를 조립하는 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110134943A KR20110134943A (ko) 2011-12-15
KR101190414B1 true KR101190414B1 (ko) 2012-10-12

Family

ID=34960456

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020107015549A KR101143207B1 (ko) 2004-03-29 2005-01-19 광학 요소를 가지는 플렉시블 필름을 포함한 반도체 발광소자들 및 이를 조립하는 방법
KR1020117026477A KR101190414B1 (ko) 2004-03-29 2005-01-19 광학 요소를 가지는 플렉시블 필름을 포함한 반도체 발광소자들 및 이를 조립하는 방법
KR1020067020036A KR101052096B1 (ko) 2004-03-29 2005-01-19 광학 요소를 가지는 플렉시블 필름을 포함한 반도체발광소자들 및 이를 조립하는 방법

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020107015549A KR101143207B1 (ko) 2004-03-29 2005-01-19 광학 요소를 가지는 플렉시블 필름을 포함한 반도체 발광소자들 및 이를 조립하는 방법

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020067020036A KR101052096B1 (ko) 2004-03-29 2005-01-19 광학 요소를 가지는 플렉시블 필름을 포함한 반도체발광소자들 및 이를 조립하는 방법

Country Status (8)

Country Link
US (5) US7355284B2 (ko)
EP (2) EP1730791B1 (ko)
JP (1) JP5027652B2 (ko)
KR (3) KR101143207B1 (ko)
CN (4) CN102544332B (ko)
CA (1) CA2554586A1 (ko)
TW (1) TWI488328B (ko)
WO (1) WO2005104252A2 (ko)

Families Citing this family (126)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7521667B2 (en) * 2003-06-23 2009-04-21 Advanced Optical Technologies, Llc Intelligent solid state lighting
US7145125B2 (en) 2003-06-23 2006-12-05 Advanced Optical Technologies, Llc Integrating chamber cone light using LED sources
US7355284B2 (en) 2004-03-29 2008-04-08 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices including flexible film having therein an optical element
JP5320655B2 (ja) * 2004-06-30 2013-10-23 三菱化学株式会社 発光装置、照明、表示装置用バックライトユニット及び表示装置
US20060097385A1 (en) 2004-10-25 2006-05-11 Negley Gerald H Solid metal block semiconductor light emitting device mounting substrates and packages including cavities and heat sinks, and methods of packaging same
GB2425449B (en) * 2005-04-26 2007-05-23 City Greening Engineering Comp Irrigation system
US8835952B2 (en) 2005-08-04 2014-09-16 Cree, Inc. Submounts for semiconductor light emitting devices and methods of forming packaged light emitting devices including dispensed encapsulants
US7646035B2 (en) * 2006-05-31 2010-01-12 Cree, Inc. Packaged light emitting devices including multiple index lenses and multiple index lenses for packaged light emitting devices
US7329907B2 (en) * 2005-08-12 2008-02-12 Avago Technologies, Ecbu Ip Pte Ltd Phosphor-converted LED devices having improved light distribution uniformity
KR20080048492A (ko) 2005-08-24 2008-06-02 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 컬러 변환기를 갖는 발광 다이오드 및 레이저 다이오드
CN101460779A (zh) 2005-12-21 2009-06-17 科锐Led照明技术公司 照明装置
JP2009530798A (ja) 2006-01-05 2009-08-27 イルミテックス, インコーポレイテッド Ledから光を導くための独立した光学デバイス
US8044412B2 (en) 2006-01-20 2011-10-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Package for a light emitting element
US7777166B2 (en) 2006-04-21 2010-08-17 Cree, Inc. Solid state luminaires for general illumination including closed loop feedback control
EP1850399A1 (en) * 2006-04-25 2007-10-31 ILED Photoelectronics Inc. Sealing structure for a white light emitting diode
US7722220B2 (en) 2006-05-05 2010-05-25 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device
WO2007139780A2 (en) * 2006-05-23 2007-12-06 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device and method of making
EP2027412B1 (en) 2006-05-23 2018-07-04 Cree, Inc. Lighting device
US7703945B2 (en) * 2006-06-27 2010-04-27 Cree, Inc. Efficient emitting LED package and method for efficiently emitting light
US7763478B2 (en) 2006-08-21 2010-07-27 Cree, Inc. Methods of forming semiconductor light emitting device packages by liquid injection molding
US7789531B2 (en) 2006-10-02 2010-09-07 Illumitex, Inc. LED system and method
US7889421B2 (en) * 2006-11-17 2011-02-15 Rensselaer Polytechnic Institute High-power white LEDs and manufacturing method thereof
US20080121911A1 (en) * 2006-11-28 2008-05-29 Cree, Inc. Optical preforms for solid state light emitting dice, and methods and systems for fabricating and assembling same
JP2010512662A (ja) 2006-12-11 2010-04-22 ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア 透明発光ダイオード
US8157730B2 (en) 2006-12-19 2012-04-17 Valencell, Inc. Physiological and environmental monitoring systems and methods
US8652040B2 (en) 2006-12-19 2014-02-18 Valencell, Inc. Telemetric apparatus for health and environmental monitoring
US7968900B2 (en) * 2007-01-19 2011-06-28 Cree, Inc. High performance LED package
US9061450B2 (en) * 2007-02-12 2015-06-23 Cree, Inc. Methods of forming packaged semiconductor light emitting devices having front contacts by compression molding
US7709853B2 (en) * 2007-02-12 2010-05-04 Cree, Inc. Packaged semiconductor light emitting devices having multiple optical elements
US7972030B2 (en) 2007-03-05 2011-07-05 Intematix Corporation Light emitting diode (LED) based lighting systems
US7964888B2 (en) 2007-04-18 2011-06-21 Cree, Inc. Semiconductor light emitting device packages and methods
TW200843050A (en) * 2007-04-27 2008-11-01 jin-quan Bai Thin-type image sensing chip package
US20080283864A1 (en) * 2007-05-16 2008-11-20 Letoquin Ronan P Single Crystal Phosphor Light Conversion Structures for Light Emitting Devices
WO2009014590A2 (en) 2007-06-25 2009-01-29 Qd Vision, Inc. Compositions and methods including depositing nanomaterial
JP5431320B2 (ja) * 2007-07-17 2014-03-05 クリー インコーポレイテッド 内部光学機能を備えた光学素子およびその製造方法
WO2009011922A1 (en) * 2007-07-18 2009-01-22 Qd Vision, Inc. Quantum dot-based light sheets useful for solid-state lighting
US8791631B2 (en) 2007-07-19 2014-07-29 Quarkstar Llc Light emitting device
US8251903B2 (en) 2007-10-25 2012-08-28 Valencell, Inc. Noninvasive physiological analysis using excitation-sensor modules and related devices and methods
US10256385B2 (en) * 2007-10-31 2019-04-09 Cree, Inc. Light emitting die (LED) packages and related methods
JP5280106B2 (ja) * 2007-12-07 2013-09-04 デクセリアルズ株式会社 光源装置および表示装置
EP2240968A1 (en) 2008-02-08 2010-10-20 Illumitex, Inc. System and method for emitter layer shaping
US8177382B2 (en) * 2008-03-11 2012-05-15 Cree, Inc. Apparatus and methods for multiplanar optical diffusers and display panels for using the same
US20090250626A1 (en) * 2008-04-04 2009-10-08 Hexatech, Inc. Liquid sanitization device
WO2009137053A1 (en) 2008-05-06 2009-11-12 Qd Vision, Inc. Optical components, systems including an optical component, and devices
US9207385B2 (en) 2008-05-06 2015-12-08 Qd Vision, Inc. Lighting systems and devices including same
EP2297762B1 (en) 2008-05-06 2017-03-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Solid state lighting devices including quantum confined semiconductor nanoparticles
US8240875B2 (en) 2008-06-25 2012-08-14 Cree, Inc. Solid state linear array modules for general illumination
EP2326239B1 (en) 2008-07-03 2017-06-21 Masimo Laboratories, Inc. Protrusion for improving spectroscopic measurement of blood constituents
US20100030040A1 (en) 2008-08-04 2010-02-04 Masimo Laboratories, Inc. Multi-stream data collection system for noninvasive measurement of blood constituents
US7928458B2 (en) * 2008-07-15 2011-04-19 Visera Technologies Company Limited Light-emitting diode device and method for fabricating the same
US7728399B2 (en) * 2008-07-22 2010-06-01 National Semiconductor Corporation Molded optical package with fiber coupling feature
US7932529B2 (en) * 2008-08-28 2011-04-26 Visera Technologies Company Limited Light-emitting diode device and method for fabricating the same
US8525207B2 (en) * 2008-09-16 2013-09-03 Osram Sylvania Inc. LED package using phosphor containing elements and light source containing same
US9052416B2 (en) 2008-11-18 2015-06-09 Cree, Inc. Ultra-high efficacy semiconductor light emitting devices
US8004172B2 (en) 2008-11-18 2011-08-23 Cree, Inc. Semiconductor light emitting apparatus including elongated hollow wavelength conversion tubes and methods of assembling same
US8853712B2 (en) 2008-11-18 2014-10-07 Cree, Inc. High efficacy semiconductor light emitting devices employing remote phosphor configurations
TW201034256A (en) 2008-12-11 2010-09-16 Illumitex Inc Systems and methods for packaging light-emitting diode devices
US8788002B2 (en) 2009-02-25 2014-07-22 Valencell, Inc. Light-guiding devices and monitoring devices incorporating same
EP3357419A1 (en) 2009-02-25 2018-08-08 Valencell, Inc. Light-guiding devices and monitoring devices incorporating same
US8096671B1 (en) 2009-04-06 2012-01-17 Nmera, Llc Light emitting diode illumination system
US20110006163A1 (en) * 2009-07-13 2011-01-13 David Wait Segmented parabolic concentrator for space electric power
US8449128B2 (en) 2009-08-20 2013-05-28 Illumitex, Inc. System and method for a lens and phosphor layer
US8585253B2 (en) 2009-08-20 2013-11-19 Illumitex, Inc. System and method for color mixing lens array
DE102009039982A1 (de) * 2009-09-03 2011-03-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Halbleiterbauelements
JP5936810B2 (ja) * 2009-09-11 2016-06-22 ローム株式会社 発光装置
US20110062469A1 (en) * 2009-09-17 2011-03-17 Koninklijke Philips Electronics N.V. Molded lens incorporating a window element
US8203161B2 (en) * 2009-11-23 2012-06-19 Koninklijke Philips Electronics N.V. Wavelength converted semiconductor light emitting device
JP2013516761A (ja) * 2009-12-30 2013-05-13 ニューポート コーポレーション 新規な光学コーティングを用いるled装置アーキテクチャおよび製造方法
US9991427B2 (en) * 2010-03-08 2018-06-05 Cree, Inc. Photonic crystal phosphor light conversion structures for light emitting devices
JP2012019075A (ja) * 2010-07-08 2012-01-26 Sony Corp 発光素子、および表示装置
JP2012019074A (ja) 2010-07-08 2012-01-26 Sony Corp 発光素子、および表示装置
US8835199B2 (en) * 2010-07-28 2014-09-16 GE Lighting Solutions, LLC Phosphor suspended in silicone, molded/formed and used in a remote phosphor configuration
US9140429B2 (en) 2010-10-14 2015-09-22 Cree, Inc. Optical element edge treatment for lighting device
US8944632B2 (en) * 2010-10-15 2015-02-03 Douglas Tveit LED lighting system and method for external surfaces
US9648673B2 (en) 2010-11-05 2017-05-09 Cree, Inc. Lighting device with spatially segregated primary and secondary emitters
US8491140B2 (en) 2010-11-05 2013-07-23 Cree, Inc. Lighting device with multiple emitters and remote lumiphor
WO2012077021A1 (en) * 2010-12-09 2012-06-14 Koninklijke Philips Electronics N.V. Lighting apparatus for generating light
US8888701B2 (en) 2011-01-27 2014-11-18 Valencell, Inc. Apparatus and methods for monitoring physiological data during environmental interference
US8899767B2 (en) 2011-03-31 2014-12-02 Xicato, Inc. Grid structure on a transmissive layer of an LED-based illumination module
WO2012154446A1 (en) * 2011-05-12 2012-11-15 3M Innovative Properties Company Optical structure for remote phosphor led
KR20120133264A (ko) * 2011-05-31 2012-12-10 삼성전자주식회사 발광소자 렌즈, 이를 포함하는 발광소자 모듈 및 이를 이용한 발광소자 모듈의 제조방법
WO2013019494A2 (en) 2011-08-02 2013-02-07 Valencell, Inc. Systems and methods for variable filter adjustment by heart rate metric feedback
TWM428490U (en) * 2011-09-27 2012-05-01 Lingsen Precision Ind Ltd Optical module packaging unit
WO2013078251A1 (en) 2011-11-22 2013-05-30 Qd Vision, Inc. Stress-resistant component for use with quantum dots
WO2013078463A1 (en) 2011-11-23 2013-05-30 Quarkstar Llc Light-emitting devices providing asymmetrical propagation of light
EP2788798A1 (en) 2011-12-05 2014-10-15 Cooledge Lighting, Inc. Control of luminous intensity distribution from an array of point light sources
RU2502917C2 (ru) * 2011-12-30 2013-12-27 Закрытое Акционерное Общество "Научно-Производственная Коммерческая Фирма "Элтан Лтд" Светодиодный источник белого света с комбинированным удаленным фотолюминесцентным конвертером
WO2013109389A1 (en) 2012-01-16 2013-07-25 Valencell, Inc. Physiological metric estimation rise and fall limiting
WO2013109390A1 (en) 2012-01-16 2013-07-25 Valencell, Inc. Reduction of physiological metric error due to inertial cadence
US9388959B2 (en) 2012-03-02 2016-07-12 Osram Sylvania Inc. White-light emitter having a molded phosphor sheet and method of making same
US8591076B2 (en) 2012-03-02 2013-11-26 Osram Sylvania Inc. Phosphor sheet having tunable color temperature
CN103375708B (zh) * 2012-04-26 2015-10-28 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管灯源装置
WO2014031119A1 (en) 2012-08-23 2014-02-27 National University Corporation Tokyo University Of Agriculture And Technology Highly transparent aluminum nitride single crystalline layers and devices made therefrom
EP3392917B8 (en) 2012-09-13 2024-04-03 Quarkstar LLC Light-emitting device with remote scattering element and total internal reflection extractor element
EP2895793B1 (en) 2012-09-13 2020-11-04 Quarkstar LLC Light-emitting devices with reflective elements
JP2016511938A (ja) 2013-01-29 2016-04-21 ヘクサテック,インコーポレイテッド 単結晶窒化アルミニウム基板を組み込む光電子デバイス
US20140209950A1 (en) * 2013-01-31 2014-07-31 Luxo-Led Co., Limited Light emitting diode package module
US9752757B2 (en) 2013-03-07 2017-09-05 Quarkstar Llc Light-emitting device with light guide for two way illumination
US9683710B2 (en) 2013-03-07 2017-06-20 Quarkstar Llc Illumination device with multi-color light-emitting elements
EP2973719B1 (en) 2013-03-14 2021-04-21 Hexatech Inc. Power semiconductor devices incorporating single crystalline aluminum nitride substrate
US9587790B2 (en) 2013-03-15 2017-03-07 Cree, Inc. Remote lumiphor solid state lighting devices with enhanced light extraction
US10811576B2 (en) 2013-03-15 2020-10-20 Quarkstar Llc Color tuning of light-emitting devices
US9470395B2 (en) 2013-03-15 2016-10-18 Abl Ip Holding Llc Optic for a light source
CN103346243B (zh) * 2013-07-12 2016-08-31 广东洲明节能科技有限公司 承载散热板和远程荧光粉结构的led光源及其生产方法
US9099575B2 (en) 2013-07-16 2015-08-04 Cree, Inc. Solid state lighting devices and fabrication methods including deposited light-affecting elements
TWI582344B (zh) * 2013-08-05 2017-05-11 鴻海精密工業股份有限公司 透鏡及使用該透鏡的光源裝置
US10403671B2 (en) * 2013-12-10 2019-09-03 Ams Sensors Singapore Pte. Ltd. Wafer-level optical modules and methods for manufacturing the same
KR20150105169A (ko) * 2014-03-06 2015-09-16 교우세라 커넥터 프로덕츠 가부시키가이샤 조명기구
US10147854B2 (en) * 2014-05-10 2018-12-04 Sensor Electronic Technology, Inc. Packaging for ultraviolet optoelectronic device
USD774006S1 (en) * 2014-08-27 2016-12-13 Mitsubishi Electric Corporation Light source module
KR102347528B1 (ko) 2015-01-14 2022-01-05 삼성디스플레이 주식회사 가요성 표시 장치
DE102015107580A1 (de) * 2015-05-13 2016-11-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes optoelektronisches Bauelement
WO2017070463A1 (en) 2015-10-23 2017-04-27 Valencell, Inc. Physiological monitoring devices and methods that identify subject activity type
US10945618B2 (en) 2015-10-23 2021-03-16 Valencell, Inc. Physiological monitoring devices and methods for noise reduction in physiological signals based on subject activity type
US10966662B2 (en) 2016-07-08 2021-04-06 Valencell, Inc. Motion-dependent averaging for physiological metric estimating systems and methods
DE102017101729A1 (de) * 2017-01-30 2018-08-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierende Vorrichtung
JP7297768B2 (ja) 2017-09-19 2023-06-26 ルミレッズ ホールディング ベーフェー 発光デバイス及びその製造方法
JP7007560B2 (ja) * 2017-09-28 2022-01-24 日亜化学工業株式会社 光源装置
WO2019204058A1 (en) * 2018-04-18 2019-10-24 Urban Gary M Colored silicone gels for tinting landscape lighting
US20220158048A1 (en) * 2019-03-22 2022-05-19 Lg Innotek Co., Ltd. Lighting module and lighting device comprising same
KR102452424B1 (ko) * 2019-03-22 2022-10-11 엘지이노텍 주식회사 차량용 조명 모듈 및 이를 구비한 조명 장치
DE102020115536A1 (de) 2019-06-21 2020-12-24 Lg Display Co., Ltd. Lichtleiterfilm, Hintergrundlichteinheit und Anzeigevorrichtung
US11592166B2 (en) 2020-05-12 2023-02-28 Feit Electric Company, Inc. Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility
CH717330B1 (de) * 2020-07-27 2021-10-29 Polycontact Ag Optik für eine Beleuchtungseinrichtung und Beleuchtungseinrichtung.
US11876042B2 (en) 2020-08-03 2024-01-16 Feit Electric Company, Inc. Omnidirectional flexible light emitting device
CN112071875B (zh) * 2020-09-15 2023-04-07 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示装置及其制作方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020088987A1 (en) 2000-12-26 2002-07-11 Kazunori Sakurai Optical device and method for manufacturing the same, and electronic apparatus
US20030209714A1 (en) 2000-10-12 2003-11-13 General Electric Company Solid state lighting device with reduced form factor including led with directional emission and package with microoptics

Family Cites Families (136)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6418A (en) * 1849-05-01 Improvement in the preparation of flour for bread-making
US123164A (en) * 1872-01-30 Improvement in fishing-apparatus
JPS5353983U (ko) 1976-10-12 1978-05-09
US4154219A (en) 1977-03-11 1979-05-15 E-Systems, Inc. Prismatic solar reflector apparatus and method of solar tracking
JPS5936837B2 (ja) 1977-04-05 1984-09-06 株式会社東芝 光半導体装置
JPS5570080A (en) * 1978-11-21 1980-05-27 Nec Corp Preparation of luminous display device
JPS5776885A (en) 1980-10-31 1982-05-14 Nec Corp Optical semiconductor device
US4545366A (en) 1984-09-24 1985-10-08 Entech, Inc. Bi-focussed solar energy concentrator
US4711972A (en) 1985-07-05 1987-12-08 Entech, Inc. Photovoltaic cell cover for use with a primary optical concentrator in a solar energy collector
JP2593703B2 (ja) * 1987-12-24 1997-03-26 三菱電線工業株式会社 発光ダイオード照明具
EP0333162B1 (en) 1988-03-16 1994-06-15 Mitsubishi Rayon Co., Ltd. Phosphor paste compositions and phosphor coatings obtained therefrom
US4918497A (en) 1988-12-14 1990-04-17 Cree Research, Inc. Blue light emitting diode formed in silicon carbide
US5027168A (en) 1988-12-14 1991-06-25 Cree Research, Inc. Blue light emitting diode formed in silicon carbide
US4966862A (en) 1989-08-28 1990-10-30 Cree Research, Inc. Method of production of light emitting diodes
US5210051A (en) 1990-03-27 1993-05-11 Cree Research, Inc. High efficiency light emitting diodes from bipolar gallium nitride
US5416342A (en) 1993-06-23 1995-05-16 Cree Research, Inc. Blue light-emitting diode with high external quantum efficiency
US5338944A (en) 1993-09-22 1994-08-16 Cree Research, Inc. Blue light-emitting diode with degenerate junction structure
US5393993A (en) 1993-12-13 1995-02-28 Cree Research, Inc. Buffer structure between silicon carbide and gallium nitride and resulting semiconductor devices
JPH07307492A (ja) * 1994-05-11 1995-11-21 Mitsubishi Cable Ind Ltd Led集合体モジュールおよびその作製方法
US5604135A (en) 1994-08-12 1997-02-18 Cree Research, Inc. Method of forming green light emitting diode in silicon carbide
US5523589A (en) 1994-09-20 1996-06-04 Cree Research, Inc. Vertical geometry light emitting diode with group III nitride active layer and extended lifetime
US5631190A (en) 1994-10-07 1997-05-20 Cree Research, Inc. Method for producing high efficiency light-emitting diodes and resulting diode structures
JP3357756B2 (ja) 1994-10-14 2002-12-16 株式会社シチズン電子 表面実装型発光素子
US5739554A (en) 1995-05-08 1998-04-14 Cree Research, Inc. Double heterojunction light emitting diode with gallium nitride active layer
US6061111A (en) * 1995-11-30 2000-05-09 Sony Corporation Reflective LCD having orientation film formed on quarter wavelayer and planarizing film formed on reflector layer
JP2947156B2 (ja) 1996-02-29 1999-09-13 双葉電子工業株式会社 蛍光体の製造方法
TW383508B (en) 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
US5861503A (en) * 1997-04-30 1999-01-19 The Regents Of The University Of California Process for producing 8-fluoropurines
US6031179A (en) 1997-05-09 2000-02-29 Entech, Inc. Color-mixing lens for solar concentrator system and methods of manufacture and operation thereof
US5813753A (en) * 1997-05-27 1998-09-29 Philips Electronics North America Corporation UV/blue led-phosphor device with efficient conversion of UV/blues light to visible light
TW393785B (en) * 1997-09-19 2000-06-11 Siemens Ag Method to produce many semiconductor-bodies
US6201262B1 (en) 1997-10-07 2001-03-13 Cree, Inc. Group III nitride photonic devices on silicon carbide substrates with conductive buffer interlay structure
JPH11163412A (ja) * 1997-11-25 1999-06-18 Matsushita Electric Works Ltd Led照明装置
US6252254B1 (en) * 1998-02-06 2001-06-26 General Electric Company Light emitting device with phosphor composition
JPH11251638A (ja) 1998-03-03 1999-09-17 Yamaha Corp 輝度可変装置
US5959316A (en) 1998-09-01 1999-09-28 Hewlett-Packard Company Multiple encapsulation of phosphor-LED devices
WO2000019546A1 (en) 1998-09-28 2000-04-06 Koninklijke Philips Electronics N.V. Lighting system
US6204523B1 (en) 1998-11-06 2001-03-20 Lumileds Lighting, U.S., Llc High stability optical encapsulation and packaging for light-emitting diodes in the green, blue, and near UV range
JP2000200929A (ja) * 1998-12-29 2000-07-18 San Arrow Kk ドットマトリクス発光表示体
US6521916B2 (en) 1999-03-15 2003-02-18 Gentex Corporation Radiation emitter device having an encapsulant with different zones of thermal conductivity
US6489637B1 (en) * 1999-06-09 2002-12-03 Sanyo Electric Co., Ltd. Hybrid integrated circuit device
US6075200A (en) 1999-06-30 2000-06-13 Entech, Inc. Stretched Fresnel lens solar concentrator for space power
US6483196B1 (en) * 2000-04-03 2002-11-19 General Electric Company Flip chip led apparatus
DE10023353A1 (de) * 2000-05-12 2001-11-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung
US6577073B2 (en) 2000-05-31 2003-06-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Led lamp
US6518600B1 (en) 2000-11-17 2003-02-11 General Electric Company Dual encapsulation for an LED
JP2002176660A (ja) * 2000-12-08 2002-06-21 Univ Tokyo 画像表示方法及び画像表示装置
US6411046B1 (en) 2000-12-27 2002-06-25 Koninklijke Philips Electronics, N. V. Effective modeling of CIE xy coordinates for a plurality of LEDs for white LED light control
AUPR245601A0 (en) * 2001-01-10 2001-02-01 Silverbrook Research Pty Ltd An apparatus (WSM09)
US6891200B2 (en) 2001-01-25 2005-05-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Light-emitting unit, light-emitting unit assembly, and lighting apparatus produced using a plurality of light-emitting units
CN1368764A (zh) * 2001-01-31 2002-09-11 广镓光电股份有限公司 一种高亮度蓝光发光晶粒的结构
US6791119B2 (en) 2001-02-01 2004-09-14 Cree, Inc. Light emitting diodes including modifications for light extraction
US6541800B2 (en) * 2001-02-22 2003-04-01 Weldon Technologies, Inc. High power LED
CN1185720C (zh) * 2001-03-05 2005-01-19 全新光电科技股份有限公司 一种镀有金属反射镜膜基板的发光二极管及其制造方法
WO2002084750A1 (en) * 2001-04-12 2002-10-24 Matsushita Electric Works, Ltd. Light source device using led, and method of producing same
US20020151941A1 (en) * 2001-04-16 2002-10-17 Shinichi Okawa Medical illuminator, and medical apparatus having the medical illuminator
JP3940596B2 (ja) 2001-05-24 2007-07-04 松下電器産業株式会社 照明光源
US6958497B2 (en) 2001-05-30 2005-10-25 Cree, Inc. Group III nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice, group III nitride based quantum well structures and group III nitride based superlattice structures
JP2002374007A (ja) * 2001-06-15 2002-12-26 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
US6984934B2 (en) 2001-07-10 2006-01-10 The Trustees Of Princeton University Micro-lens arrays for display intensity enhancement
TW552726B (en) * 2001-07-26 2003-09-11 Matsushita Electric Works Ltd Light emitting device in use of LED
JP3912090B2 (ja) * 2001-12-04 2007-05-09 ソニー株式会社 表示装置およびこれを用いた携帯端末装置
CN1218410C (zh) * 2002-01-14 2005-09-07 联铨科技股份有限公司 具螺旋布置金属电极的氮化物发光二极管及其制造方法
JP4269709B2 (ja) 2002-02-19 2009-05-27 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法
ITUD20020059A1 (it) * 2002-03-12 2003-09-12 Seima Italiana Spa Dispositivo ottico di illuminazione e metodo di produzione di dispositivi di illuminazione o simili adottanti tale dispositivo
US6791120B2 (en) * 2002-03-26 2004-09-14 Sanyo Electric Co., Ltd. Nitride-based semiconductor device and method of fabricating the same
CN1198339C (zh) * 2002-04-04 2005-04-20 国联光电科技股份有限公司 发光二极管的结构及其制造方法
CN2548263Y (zh) * 2002-04-20 2003-04-30 富士康(昆山)电脑接插件有限公司 光学元件之封装外罩
TW546799B (en) 2002-06-26 2003-08-11 Lingsen Precision Ind Ltd Packaged formation method of LED and product structure
US7078737B2 (en) * 2002-09-02 2006-07-18 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Light-emitting device
US7264378B2 (en) 2002-09-04 2007-09-04 Cree, Inc. Power surface mount light emitting die package
JP2006500767A (ja) 2002-09-19 2006-01-05 クリー インコーポレイテッド 発光ダイオード及びその製造方法
US6869753B2 (en) * 2002-10-11 2005-03-22 Agilent Technologies, Inc. Screen printing process for light emitting base layer
US7465414B2 (en) 2002-11-14 2008-12-16 Transitions Optical, Inc. Photochromic article
JP4216577B2 (ja) 2002-12-20 2009-01-28 シチズン電子株式会社 導光板
US20060056031A1 (en) 2004-09-10 2006-03-16 Capaldo Kevin P Brightness enhancement film, and methods of making and using the same
CN101556985B (zh) * 2003-04-30 2017-06-09 克利公司 具有小型光学元件的高功率发光器封装
US7005679B2 (en) 2003-05-01 2006-02-28 Cree, Inc. Multiple component solid state white light
US7482638B2 (en) * 2003-08-29 2009-01-27 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Package for a semiconductor light emitting device
US7183587B2 (en) 2003-09-09 2007-02-27 Cree, Inc. Solid metal block mounting substrates for semiconductor light emitting devices
US7029935B2 (en) * 2003-09-09 2006-04-18 Cree, Inc. Transmissive optical elements including transparent plastic shell having a phosphor dispersed therein, and methods of fabricating same
US7190387B2 (en) 2003-09-11 2007-03-13 Bright View Technologies, Inc. Systems for fabricating optical microstructures using a cylindrical platform and a rastered radiation beam
US7867695B2 (en) 2003-09-11 2011-01-11 Bright View Technologies Corporation Methods for mastering microstructures through a substrate using negative photoresist
US7192692B2 (en) 2003-09-11 2007-03-20 Bright View Technologies, Inc. Methods for fabricating microstructures by imaging a radiation sensitive layer sandwiched between outer layers
US7915085B2 (en) 2003-09-18 2011-03-29 Cree, Inc. Molded chip fabrication method
JP4458804B2 (ja) 2003-10-17 2010-04-28 シチズン電子株式会社 白色led
US6841804B1 (en) 2003-10-27 2005-01-11 Formosa Epitaxy Incorporation Device of white light-emitting diode
US7717589B2 (en) * 2003-11-25 2010-05-18 Panasonic Electric Works Co., Ltd. Light emitting device using light emitting diode chip
US20050168689A1 (en) 2004-01-30 2005-08-04 Knox Carol L. Photochromic optical element
US7262912B2 (en) 2004-02-12 2007-08-28 Bright View Technologies, Inc. Front-projection screens including reflecting layers and optically absorbing layers having apertures therein, and methods of fabricating the same
US7808706B2 (en) 2004-02-12 2010-10-05 Tredegar Newco, Inc. Light management films for displays
US7355284B2 (en) * 2004-03-29 2008-04-08 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices including flexible film having therein an optical element
US7868343B2 (en) 2004-04-06 2011-01-11 Cree, Inc. Light-emitting devices having multiple encapsulation layers with at least one of the encapsulation layers including nanoparticles and methods of forming the same
JP4980570B2 (ja) * 2005-02-01 2012-07-18 富士通東芝モバイルコミュニケーションズ株式会社 電子機器及び照光部材
US20060285332A1 (en) 2005-06-15 2006-12-21 Goon Wooi K Compact LED package with reduced field angle
KR20070007648A (ko) 2005-07-11 2007-01-16 삼성전자주식회사 양방향 광전달 반투과 프리즘 시트, 양방향 백라이트어셈블리 및 이를 포함하는 양방향 액정표시장치
US7324276B2 (en) 2005-07-12 2008-01-29 Bright View Technologies, Inc. Front projection screens including reflecting and refractive layers of differing spatial frequencies
KR20080042908A (ko) 2005-08-30 2008-05-15 미츠비시 레이온 가부시키가이샤 광편향 시트와 그 제조 방법
US7622803B2 (en) 2005-08-30 2009-11-24 Cree, Inc. Heat sink assembly and related methods for semiconductor vacuum processing systems
US8123375B2 (en) 2005-11-18 2012-02-28 Cree, Inc. Tile for solid state lighting
US7420742B2 (en) 2005-12-07 2008-09-02 Bright View Technologies, Inc. Optically transparent electromagnetic interference (EMI) shields for direct-view displays
US7502169B2 (en) 2005-12-07 2009-03-10 Bright View Technologies, Inc. Contrast enhancement films for direct-view displays and fabrication methods therefor
CN101460779A (zh) 2005-12-21 2009-06-17 科锐Led照明技术公司 照明装置
US7213940B1 (en) 2005-12-21 2007-05-08 Led Lighting Fixtures, Inc. Lighting device and lighting method
TWI396814B (zh) 2005-12-22 2013-05-21 克里公司 照明裝置
US8264138B2 (en) 2006-01-20 2012-09-11 Cree, Inc. Shifting spectral content in solid state light emitters by spatially separating lumiphor films
US8513875B2 (en) 2006-04-18 2013-08-20 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
US7777166B2 (en) 2006-04-21 2010-08-17 Cree, Inc. Solid state luminaires for general illumination including closed loop feedback control
US7722220B2 (en) 2006-05-05 2010-05-25 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device
EP2027412B1 (en) 2006-05-23 2018-07-04 Cree, Inc. Lighting device
WO2007139780A2 (en) 2006-05-23 2007-12-06 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device and method of making
JP2009538536A (ja) 2006-05-26 2009-11-05 クリー エル イー ディー ライティング ソリューションズ インコーポレイテッド 固体発光デバイス、および、それを製造する方法
WO2007142946A2 (en) 2006-05-31 2007-12-13 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device and method of lighting
US7763478B2 (en) 2006-08-21 2010-07-27 Cree, Inc. Methods of forming semiconductor light emitting device packages by liquid injection molding
WO2008024385A2 (en) 2006-08-23 2008-02-28 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device and lighting method
CN101675298B (zh) 2006-09-18 2013-12-25 科锐公司 照明装置、照明装置组合、灯具及其使用方法
TW200837308A (en) 2006-09-21 2008-09-16 Led Lighting Fixtures Inc Lighting assemblies, methods of installing same, and methods of replacing lights
WO2008045927A2 (en) 2006-10-12 2008-04-17 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device and method of making same
WO2008051957A2 (en) 2006-10-23 2008-05-02 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting devices and methods of installing light engine housings and/or trim elements in lighting device housings
US8029155B2 (en) 2006-11-07 2011-10-04 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
TWI496315B (zh) 2006-11-13 2015-08-11 Cree Inc 照明裝置、被照明的殼體及照明方法
WO2008061084A1 (en) 2006-11-14 2008-05-22 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting assemblies and components for lighting assemblies
CN101611258A (zh) 2006-11-14 2009-12-23 科锐Led照明科技公司 光引擎组件
US8096670B2 (en) 2006-11-30 2012-01-17 Cree, Inc. Light fixtures, lighting devices, and components for the same
WO2008070607A1 (en) 2006-12-04 2008-06-12 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting assembly and lighting method
EP2095018A1 (en) 2006-12-04 2009-09-02 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device and lighting method
US9061450B2 (en) 2007-02-12 2015-06-23 Cree, Inc. Methods of forming packaged semiconductor light emitting devices having front contacts by compression molding
US7709853B2 (en) 2007-02-12 2010-05-04 Cree, Inc. Packaged semiconductor light emitting devices having multiple optical elements
US7964888B2 (en) 2007-04-18 2011-06-21 Cree, Inc. Semiconductor light emitting device packages and methods
US7967480B2 (en) 2007-05-03 2011-06-28 Cree, Inc. Lighting fixture
US8136965B2 (en) 2007-05-07 2012-03-20 Cree, Inc. Light fixtures and lighting devices
WO2008137977A1 (en) 2007-05-08 2008-11-13 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device and lighting method
US7999283B2 (en) 2007-06-14 2011-08-16 Cree, Inc. Encapsulant with scatterer to tailor spatial emission pattern and color uniformity in light emitting diodes
TW200919696A (en) 2007-10-26 2009-05-01 Led Lighting Fixtures Inc Illumination device having one or more lumiphors, and methods of fabricating same
US9431589B2 (en) 2007-12-14 2016-08-30 Cree, Inc. Textured encapsulant surface in LED packages
US8177382B2 (en) 2008-03-11 2012-05-15 Cree, Inc. Apparatus and methods for multiplanar optical diffusers and display panels for using the same

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030209714A1 (en) 2000-10-12 2003-11-13 General Electric Company Solid state lighting device with reduced form factor including led with directional emission and package with microoptics
US20020088987A1 (en) 2000-12-26 2002-07-11 Kazunori Sakurai Optical device and method for manufacturing the same, and electronic apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
WO2005104252A3 (en) 2006-01-26
EP1730791B1 (en) 2019-08-28
US20050212405A1 (en) 2005-09-29
CN102544332B (zh) 2015-07-29
KR20100084587A (ko) 2010-07-26
JP5027652B2 (ja) 2012-09-19
CN102544332A (zh) 2012-07-04
CN102544333B (zh) 2015-10-21
WO2005104252A8 (en) 2006-08-31
US20090250710A1 (en) 2009-10-08
US7858998B2 (en) 2010-12-28
EP1730791A2 (en) 2006-12-13
EP2259351A3 (en) 2017-01-04
US8455909B2 (en) 2013-06-04
CN102544333A (zh) 2012-07-04
US7355284B2 (en) 2008-04-08
TWI488328B (zh) 2015-06-11
US20110062478A1 (en) 2011-03-17
CN1938872A (zh) 2007-03-28
EP2259351B1 (en) 2020-04-22
CN102569613A (zh) 2012-07-11
KR101052096B1 (ko) 2011-07-26
JP2007531303A (ja) 2007-11-01
CA2554586A1 (en) 2005-11-03
KR20110134943A (ko) 2011-12-15
US8269240B2 (en) 2012-09-18
US20120119221A1 (en) 2012-05-17
CN102569613B (zh) 2015-10-28
CN1938872B (zh) 2012-12-19
WO2005104252A2 (en) 2005-11-03
KR101143207B1 (ko) 2012-05-18
US20080142829A1 (en) 2008-06-19
EP2259351A2 (en) 2010-12-08
KR20070011339A (ko) 2007-01-24
TW200541110A (en) 2005-12-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101190414B1 (ko) 광학 요소를 가지는 플렉시블 필름을 포함한 반도체 발광소자들 및 이를 조립하는 방법
TWI473291B (zh) 發光二極體元件
KR101297405B1 (ko) 유전체 다층막 반사 미러를 채택한 발광 소자
US7777247B2 (en) Semiconductor light emitting device mounting substrates including a conductive lead extending therein
US7646035B2 (en) Packaged light emitting devices including multiple index lenses and multiple index lenses for packaged light emitting devices
US9039216B2 (en) Light emitting device package and light unit having the same
JP2006237609A (ja) 半導体発光素子およびその製造方法
JP2002261333A (ja) 発光装置
JP2008518461A (ja) 固体金属ブロック半導体発光デバイス実装基板ならびにキャビティおよびヒートシンクを含むパッケージ、ならびにそれらをパッケージングする方法
KR20120082192A (ko) 발광소자 패키지
KR20180020685A (ko) 발광 다이오드 패키지 및 그것을 제조하는 방법
KR20130051095A (ko) 리드 프레임, 그 제조방법 및 이를 이용한 발광 다이오드 패키지

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150918

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160921

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170919

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180918

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190925

Year of fee payment: 8