CN1368764A - 一种高亮度蓝光发光晶粒的结构 - Google Patents

一种高亮度蓝光发光晶粒的结构 Download PDF

Info

Publication number
CN1368764A
CN1368764A CN01102414A CN01102414A CN1368764A CN 1368764 A CN1368764 A CN 1368764A CN 01102414 A CN01102414 A CN 01102414A CN 01102414 A CN01102414 A CN 01102414A CN 1368764 A CN1368764 A CN 1368764A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
electrode
series
gan
iii
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN01102414A
Other languages
English (en)
Inventor
陈士堃
宋均墉
张良冬
朱铭松
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
GUANGJIA PHOTOELECTRIC CO Ltd
Original Assignee
GUANGJIA PHOTOELECTRIC CO Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by GUANGJIA PHOTOELECTRIC CO Ltd filed Critical GUANGJIA PHOTOELECTRIC CO Ltd
Priority to CN01102414A priority Critical patent/CN1368764A/zh
Publication of CN1368764A publication Critical patent/CN1368764A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Led Devices (AREA)

Abstract

一种高亮度蓝光发光晶粒的结构,利用一透光的蓝宝石基板将产生于P－GaN面的光线除了直接经透光导电层射出外,将一部分光线,藉由透光的蓝宝石基板上表面的多层反光磊晶膜或底面的镜面镀膜反射层反射,增加射出光度。采用氧化铟锡作为蓝光发光二极管晶粒的透光性导电层,可先于P－GaN面镀着一超薄的镍层后,再形成此ITO膜层,可于电流分散层及透光性导电层上表面再形成一复数个抗反射层,强化蓝光的发射率,达到同时兼具透光性与欧姆接触电阻的目的。

Description

一种高亮度蓝光发光晶粒的结构
本发明涉及一种制造高亮度的氮化镓(GaN)系列蓝光发光二极管(Light Emitting Diode；LED)欧姆电极及透明接触导电层(TransparentConductive Layer；TCL)的结构，特别是涉及一种使用镜面镀膜或多层反光磊晶膜(Distributed Bragg Reflector，DBR)反射，以增加发光二极管射出光度。
公知的氮化镓(GaN)系列蓝光发光二极管(Light emitting diode；LED)中，其晶粒所发射的蓝光是经由一透光导电膜由P-GaN面射出发光；以下将先就公知技术中有关氮化镓(GaN)系列的III-V族化合物半导体元件的结构和其它相关的技术说明。
图1(A)即为公知技术中氮化镓(GaN)系列蓝光发光二极管的剖面图，其系制作一种具有P型电极105和N型电极104的氮化镓(GaN)系列的III-V族化合物半导体发光二极管100，其中包含：
一基板101，该基板101具有第一表面101a与第二表面101b；
一排列在该基板101的第一表面101a上的半导体堆叠结构，其包含：一N型氮化镓(N-GaN)102系列的III-V族化合物半导体，和一P型氮化镓(P-GaN)103系列的III-V族化合物半导体；
一第一电极104，该第一电极104提供使与该N型半导体层接触；
一第二电极105，该第二电极105系为光可穿透的电极，且提供使与该P型半导体层接触，其中更包括：一提供在第二电极105之上的焊接垫106。
该第二电极105(P型半导体层接触电极)，系藉产生一金属材料层，如镍/金(Ni/Au)，与P型半导体层103形成接触，并对此金属材料层(如镍/金)作退火处理所形成。在该氮化镓系列的III-V族化合物半导体元件中，第一电极104包含Ti和Al或Au，第二电极105则可包含选自金、镍、铂、铝、锡、铟、铬和钛等其中之一或甚至更多的金属合金，其中以镍/金合具有较佳的效果。此传统的发光二极管所发射的蓝光是经由该一P型氮化镓103系列的III-V族化合物半导体面产生，且透过该光可穿透的第二电极105射出。
另一公知技术为一使用覆晶技术(Flip Chip Technology)所制作的发光二极管，其系由日本丰田公司与鹿儿岛松下公司共同发展出来的，如图1(B)所示，其结构并非采用传统的打线技术将金线或铝线连接至P极焊垫110和N极焊垫111，而是采用金属凸块(Bump)112、113连接至P电极110和N电极111，由于其P面与N面均朝下，因此其产生的蓝光是藉由一透明的蓝宝石(Sapphire)基底107射出。
所以传统使用于蓝光发光二极管中的透光导电层，当使用于覆晶蓝光发光二极管晶粒结构时，即不必具有透光的功能，仅具有电流分散效果即可，故尚若于此覆晶蓝光发光二极管结构中，加大此导电层厚度，可达到电流分散作用外，尚可兼具反射的效果。但是覆晶蓝光发光二极管结构，主要是经由该两个金属凸块(P电极凸块和N电极凸块)将晶粒中产生的热传导至LED灯(Lamp)的金属杯基座，因此其热传导性较差，也减低封装后的LED灯(Lamp)的寿命与其可靠度(Reliability)。
公知技术中为减少晶粒P-GaN面电流分散层对蓝光的吸收率，皆是采用一氧化的方式，如图1(C)所示，将作为欧姆界面层的Ni氧化为NiO，因而提高该电流分散层的透光性，而且其NiO氧化物的导电性尚称堪用而已。因此兼顾透光性与欧姆接触电阻的材质也为其蓝光发光二极管的发展方向之一。
本发明的目的即为了改善传统晶粒，使得增加蓝光发光二极管射出的光度，本发明提供一种利用一透光的蓝宝石基板将产生于该P-GaN面的光线除了直接经由透光导电层射出以外，另将一部分光线，藉由该透光的蓝宝石基板上表面的多层反光磊晶膜(Distributed BraggReflector，DBR)或底面的镜面镀膜反射层反射，可增加约45％的射出光度。
此外，本发明的另一目的，可改善覆晶晶粒的热传导性差的缺点，使得大大增加封装后的LED Lamp的寿命及其可靠度。
本发明采用于LCD技术中常用的导电玻璃材质“氧化铟锡(IndiumTin Oxide，ITO”作为蓝光发光二极管晶粒的透光性导电层，更可先于该P-GaN面镀着一超薄的镍层后，再形成此ITO膜层，达到可同时兼具透光性与欧姆接触电阻的目的。
更特别的是，本发明更披露可于该电流分散层及该透光性导电层上表面再形成一复数个抗反射层(Anti-Reflection Coating，ARC)，以强化蓝光的发射率(即减低蓝光折回率)。
以下结合附图对本发明进行详细描述。
图1(A)为公知技术中氮化镓(GaN)系列蓝光发光二极管的剖面示意图；
图1(B)为另一公知技术即一使用覆晶技术(Flip Chip Technology)所制作的发光二极管示意图；
图1(C)为公知技术中为减少晶粒P-GaN面电流分散层对蓝光的吸收率采用一氧化方式的示意图；
图2为本发明的第一实施例的镜面镀层晶粒的结构示意图；
图3为本发明的第二实施例的粗化镜面镀层晶粒的结构示意图；
图4为本发明的第三实施例的多层反光磊晶层(DBR)晶粒的结构示意图；
图5(A)～图5(D)为本发明的第四实施例示意图；
图6(A)～图6(D)为本发明的第一实施例与第四实施例结构的组合示意图。
图中：
101      基板
101a     基板具有第一表面
101b     基板具有第二表面
102      N型氮化镓(N-GaN)
103      P型氮化镓(P-GaN)
104      第一电极
105      第二电极
106      焊接垫
110     P极焊垫
111     N极焊垫
112、   113金属凸块(Bump)
107     透明的蓝宝石
201     透明基板
201a    第一表面
201b    第二表面
202     N型氮化镓(N-GaN)系列的III-V族化合物半导体层
203     P型氮化镓(P-GaN)系列的III-V族化合物半导体层
204     多重量子井(Multiple Quantum Well)发光层
205     镜面镀层
206     第一电极
207     第二电极
201c    粗化第二表面
208     粗化镜面镀层
209     多层反光磊晶层(DBR)
501     透明基板
501a    第一表面
501b    第二表面
502     N型氮化镓(N-GaN)系列的III-V族化合物半导体层
503     P型氮化镓(P-GaN)系列的III-V族化合物半导体层
504     多重量子井(Multiple Quantum Well)发光层
506     第一电极
507     氧化铟锡的透光性导电层第二电极
510     超薄的Ni/Au层
511     抗反射层(ARC)
本发明的第一实施例，如图2所示，为一种高亮度蓝光发光晶粒的结构，包括：
一透明基板201，该透明基板201具有第一表面201a与第二表面201b；该透明基板201的材质可为一蓝宝石。
一半导体堆叠层，该半导体堆叠层系形成于该透明基板的该第一表面201a上，其中至少包括一N型氮化镓(N-GaN)系列的III-V族化合物半导体层202，和一P型氮化镓(P-GaN)系列的III-V族化合物半导体层203；其中该N型半导体层202与P型半导体层203之间，为具有一多重量子井(Multiple Quantum Well)发光层204的结构。
一镜面镀层205，该镜面镀层205系形成覆盖于该透明基板201的第二表面201b，且该镜面镀层205的材料可为铝、镍、银、钛、铜、金、铍金、锗金或镍金锗等元素，或其合金，且其镜面镀层205厚度约为1nm～10μm。该镜面镀层205系可为一物理镀膜，如：真空蒸镀(热蒸镀、电子枪蒸镀、电弧蒸镀等)、真空溅镀；或该镜面镀层205系可为一化学镀膜，如：电镀或无电镀等；或其它公知的金属镀膜制程。
一第一电极206，该第一电极206系提供使与该N型氮化镓((N-GaN)系列的III-V族化合物半导体层202接触。
一第二电极207，该第二电极207系为一光可穿透材质的电极，且提供使与该P型氮化镓(P-GaN)系列的III-V族化合物半导体层203接触。
本发明的第二实施例，如图3所示，其结构与该第一实施例大致相同，不同之处在于该透明基板201中的该第二表面201b，需经过一粗化研磨处理制程形成一粗化第二表面201c后再形成一镜面镀层208，该粗化研磨处理第二表面201c的粗糙度约为5～20μm，系可使用一磨光机(Lapping Machine)搭配使用不同粒度的钻石研磨粉，于进行粗化研磨时控制该第二表面201b的粒糙度；而且其它功能相似的研磨机(GrindingMachine)、抛光机(Polishing Machine)亦可适用于本发明实施例中，惟使用的研磨粉(研磨膏)或研磨砂纸的硬度应高于该透明基板201的蓝宝石硬度，或与该蓝宝石硬度相近，例如SiC、金刚砂(Corundum)或钻石粉(膏)等。
本发明的第三实施例，如图4所示，其结构与该第一实施例大致相同，不同之处在于多加一复数个多层反光磊晶层(DBR)209，该多层反光磊晶层209系形成于该透明基板201的该第一表面201a上，其中该多层反光磊晶层209的材质可为(AlxGa1-x)1-yInyN/(A1aGa1-a)1-bInbN(x＞a)，且该反光磊晶层209具有n对的磊晶层(其中n＝5～50)，每单层厚度为其蓝光波长的四分之一。该反光磊晶层209的形成的方式，系以有机金属气相磊晶法(MOCVD)，在制作InGaN蓝光晶片的磊晶制程中一次完成，而且必须严格控制该反光磊晶层209的每一层的反射率(RefractionIndex)，如此藉本发明所提供的机构，可提高LED的发光亮度达35％以上。
本发明的第四实施例，如图5(A)～图5(D)所示，其结构包括：
一透明基板501，该透明基板501具有第一表面501a与第二表面501b；
一半导体堆叠层，该半导体堆叠层系形成于该透明基板501的该第一表面501a上，其中至少包括一N型氮化镓(N-GaN)系列的III-V族化合物半导体层502，和一P型氮化镓(P-GaN)系列的III-V族化合物半导体层503；其中该N型半导体层502与P型半导体层503之间，为具有一多重复重量子井(Multiple Quantum Well)发光层504的结构；
一第一电极506，该第一电极系提供使与该N型氮化镓(N-Gan)系列的III-V族化合物半导体层接触；
一第二电极507，该第二电极507系为一光可穿透材质的电极，且提供使与该P型氮化镓(P-GaN)系列的III-V族化合物半导体层503接触，其特征，如图5(A)所示，在于该光可穿透材质的电极507，系可为一氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)的透光性导电层，且本发明所采用的氧化铟锡的透光性导电层507可用电子枪蒸镀、热蒸镀及溅镀等制程形成；或如图5(B)所示，其中该氧化铟锡透光性导电层507下方与该半导体堆叠层间，可预先形成一超薄的Ni/Au层510，其中该Ni/Au层510的厚度约为0.1～10nm；甚至不论该结构中是否具有先前所形成的超薄的Ni/Au层510，其中该氧化铟锡透光性导电层507上皆可形成一复数个抗反射层(ARC)511，如图5(C)、图5(D)所示，且该抗反射层511的材质为(SiO2/TiO2)或(AlN/AlGaN)，且该抗反射层511具有n对的层数(其中n＝5～50)每单层厚度为其蓝光波长的二分之一。
本发明的第五实施例，更可结合本发明的第一、第二、第三实施例与第四实施例披露的结构的组合，达到更高的亮度与可靠度；如图6(A)～图6(D)所示，为其中的第一实施例使用一镜面镀层205，该镜面镀层205系形成覆盖于该透明基板201的第二表面201b，与第四实施例中的氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)的透光性导电层507结构的组合，因此第二、第三实施例与第四实施例也可以同样的结构组合达到本发明的目的与功效。
因此，本发明的“一种高亮度蓝光发光晶粒的结构”，确能藉所披露的技术，达到所预期的目的与功效，符合发明专利的新颖性，进步性与产业利用性的要件。
以上所披露的附图及说明，仅为本发明的较佳实施例而已，非为用以限定本发明的实施，大凡熟悉该项技术的人员依本发明的精神，所作的变化或修改，皆应涵盖在本发明的申请专利范围内。

Claims (14)

1.一种高亮度蓝光发光晶粒的结构，包括：
一透明基板，该透明基板具有第一表面与第二表面；
一半导体堆叠层，该半导体堆叠层系形成于该透明基板的该第一表面上，其中至少包括一N型氮化镓(N-GaN)系列的III-V族化合物半导体层，和一P型氮化镓(P-GaN)系列的III-V族化合物半导体层；
一镜面镀层，该镜面镀层系形成覆盖于该透明基板的第二表面；
一第一电极，该第一电极系提供使与该N型氮化镓(N-GaN)系列的III-V族化合物半导体层接触；
一第二电极，该第二电极系为一光可穿透材质的电极，且提供使与该P型氮化镓(P-GaN)系列的III-V族化合物半导体层接触。
2.根据权利要求1所述的结构，其中该镜面镀层的材料可为铝、镍、银、钛、铜、金、铍金、锗金或镍金锗元素或其合金，且其镜面镀层厚度约为1nm～10μm。
3.一种高亮度蓝光发光晶粒的结构，包括：
一透明基板，该透明基板具有第一表面与第二表面，其中该第二表面系经过粗化研磨处理；
一半导体堆叠层，该半导体堆叠层系形成于该透明基板的该第一表面上，其中至少包括一N型氮化镓(N-GaN)系列的III-V族化合物半导体层，和一P型氮化镓(P-GaN)系列的III-V族化合物半导体层；
一粗化镜面镀层，该粗化镜面镀层系形成覆盖于该透明基板的经过粗化研磨处理的第二表面；
一第一电极，该第一电极系提供使与该N型氮化镓(N-GaN)系列的III-V族化合物半导体层接触；
一第二电极，该第二电极系为一光可穿透材质的电极，且提供使与该P型氮化镓(P-GaN)系列的III-V族化合物半导体层接触。
4.根据权利要求3所述的结构，其中该第二表面系经过粗化研磨处理的粗糙度约为5～20μm。
5.一种高亮度蓝光发光晶粒的结构，包括：
一透明基板，该透明基板具有第一表面与第二表面；一复数个多层反光磊晶层(DBR)，该多层反光磊晶层系形成于该透明基板的该第一表面上；
一半导体堆叠层，该半导体堆叠层系形成于该多层反光磊晶层上，其中至少包括一N型氮化镓(N-GaN)系列的III-V族化合物半导体层和一P型氮化镓(P-GaN)系列的III-V族化合物半导体层；
一第一电极，该第一电极系提供使与该N型氮化镓(N-GaN)系列的III-V族化合物半导体层接触；
一第二电极，该第二电极系为一光可穿透材质的电极，且提供使与该P型氮化镓(P-GaN)系列的III-V族化合物半导体层接触。
6.根据权利要求5所述的结构，其中该多层反光磊晶层材质为(AlxGa1-x)1-yInyN/(AlaGa1-a)1-bInbN(x＞a)，且该反光磊晶层具有n对的磊晶层，其中n＝5～50，每单层厚度为其蓝光波长的四分之一。
7.一种高亮度蓝光发光晶粒的结构，包括：
一透明基板，该透明基板具有第一表面与第二表面；
一半导体堆叠层，该半导体堆叠层系形成于该透明基板的该第一表面上，其中至少包括一N型氮化镓(N-GaN)系列的III-V族化合物半导体层，和一P型氮化镓(P-GaN)系列的III-V族化合物半导体层；
一第一电极，该第一电极系提供使与该N型氮化镓(N-GaN)系列的III-V族化合物半导体层接触；
一第二电极，该第二电极系为一光可穿透材质的电极，且提供使与该P型氮化镓(P-GaN)系列的III-V族化合物半导体层接触，其中该光可穿透材质的电极，系为一氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)的透光性导电层。
8.根据权利要求7所述的结构，其中该氧化铟锡透光性导电层下方与该半导体堆叠层间，可预先形成一超薄的Ni/Au层，其中该Ni/Au层的厚度约为0.1～10nm。
9.根据权利要求7所述的结构，其中该氧化铟锡透光性导电层上可形成一复数个抗反射层(ARC)，该抗反射层的材质为(SiO2/TiO2)或(AlN/AlGaN)，且该抗反射层具有n对的层数，其中n＝5～50，每单层厚度为其蓝光波长的二分之一。
10.根据权利要求8所述的结构，其中该氧化铟锡透光性导电层上可形成一复数个抗反射层(ARC)，该抗反射层的材质为(SiO2/TiO2)或(AlN/AlGaN)，且该抗反射层具有n对的层数，其中n＝5～50，每单层厚度为其蓝光波长的二分之一。
11.根据权利要求1、3或5所述的高亮度蓝光发光晶粒的结构，其中该光可穿透材质的第二电极，系可为一氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)的透光性导电层。
12.根据权利要求11所述的结构，其中该氧化铟锡透光性导电层下方与该半导体堆叠层间，可预先形成一超薄的Ni/Au层，其中该Ni/Au层的厚度约为0.1～10nm。
13.根据权利要求11所述的结构，其中该氧化铟锡透光性导电层上可形成一复数个抗反射层(ARC)，该抗反射层的材质为(SiO2/TiO2)或(AlN/AlGaN)，且该抗反射层具有n对的层数，其中n＝5～50，每单层厚度为其蓝光波长的二分之一。
14.根据权利要求12所述的结构，其中该氧化铟锡透光性导电层上可形成一复数个抗反射层(ARC)，该抗反射层的材质为(SiO2/TiO2)或(AlN/AlGaN)，且该抗反射层具有n对的层数，其中n＝5～50，每单层厚度为其蓝光波长的二分之一。
CN01102414A 2001-01-31 2001-01-31 一种高亮度蓝光发光晶粒的结构 Pending CN1368764A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN01102414A CN1368764A (zh) 2001-01-31 2001-01-31 一种高亮度蓝光发光晶粒的结构

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN01102414A CN1368764A (zh) 2001-01-31 2001-01-31 一种高亮度蓝光发光晶粒的结构

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN1368764A true CN1368764A (zh) 2002-09-11

Family

ID=4652705

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN01102414A Pending CN1368764A (zh) 2001-01-31 2001-01-31 一种高亮度蓝光发光晶粒的结构

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN1368764A (zh)

Cited By (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100350636C (zh) * 2001-02-21 2007-11-21 索尼公司 半导体发光器件及其制造方法、以及电极层连接结构
WO2008031339A1 (en) * 2006-09-07 2008-03-20 Hongkong Applied Science And Technology Research Institute Co., Ltd Light emitting diode device, and manufacture and use thereof
WO2008031338A1 (en) * 2006-09-07 2008-03-20 Hong Kong Applied Science And Technology Research Institute Co. Ltd. Semiconductor light emitting device
CN100395899C (zh) * 2004-09-23 2008-06-18 璨圆光电股份有限公司 具有增强发光亮度的氮化镓发光二极管结构
CN100403557C (zh) * 2003-04-21 2008-07-16 三星电机株式会社 半导体发光二极管及其制造方法
CN100440553C (zh) * 2005-06-23 2008-12-03 华南师范大学 GaN基LED外延片及其制备方法
CN100463237C (zh) * 2004-08-31 2009-02-18 三星电机株式会社 反射电极以及包括该反射电极的化合物半导体发光器件
CN100463234C (zh) * 2003-08-01 2009-02-18 厦门市三安光电科技有限公司 一种表面增透发光二极管
CN101140977B (zh) * 2006-09-08 2010-04-14 夏普株式会社 氮化物半导体发光元件及其制造方法
CN101114636B (zh) * 2006-07-26 2010-12-15 晶元光电股份有限公司 混光式发光元件
CN101499505B (zh) * 2008-01-28 2011-04-20 晶元光电股份有限公司 具有薄化结构的半导体发光元件及其制造方法
CN102044598A (zh) * 2009-10-19 2011-05-04 大连美明外延片科技有限公司 一种GaN基发光二极管外延片及其生长方法
WO2011147289A1 (zh) * 2010-05-28 2011-12-01 方方 具有透明导电散热薄膜的发光二极管结构
CN101017865B (zh) * 2006-02-06 2012-01-11 晶元光电股份有限公司 发光装置及其制造方法
CN102324452A (zh) * 2004-07-27 2012-01-18 克里公司 用于p型氮化物发光装置的超薄欧姆接触及其形成方法
CN101459209B (zh) * 2007-12-14 2012-04-18 台达电子工业股份有限公司 发光二极管装置及其制造方法
CN102456797A (zh) * 2010-10-28 2012-05-16 三星Led株式会社 半导体发光器件
CN102544333A (zh) * 2004-03-29 2012-07-04 克里公司 包括在其中具有光学元件的柔性膜的半导体发光器件及其装配方法
CN102136537B (zh) * 2008-01-28 2013-09-25 晶元光电股份有限公司 具有薄化结构的半导体发光元件及其制造方法
US8602832B2 (en) 2006-01-27 2013-12-10 Epistar Corporation Light emitting device and method of forming the same
CN104269480A (zh) * 2014-10-22 2015-01-07 湘能华磊光电股份有限公司 一种led倒装芯片及其制作方法
CN105098020A (zh) * 2014-05-14 2015-11-25 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 Led发光器件
CN105268110A (zh) * 2014-06-19 2016-01-27 昆山科技大学 黄疸光疗装置

Cited By (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100350636C (zh) * 2001-02-21 2007-11-21 索尼公司 半导体发光器件及其制造方法、以及电极层连接结构
US10224455B2 (en) 2001-06-27 2019-03-05 Epistar Corporation Light emitting device and method of forming the same
CN100403557C (zh) * 2003-04-21 2008-07-16 三星电机株式会社 半导体发光二极管及其制造方法
CN100463234C (zh) * 2003-08-01 2009-02-18 厦门市三安光电科技有限公司 一种表面增透发光二极管
CN102544333A (zh) * 2004-03-29 2012-07-04 克里公司 包括在其中具有光学元件的柔性膜的半导体发光器件及其装配方法
US8759868B2 (en) 2004-07-27 2014-06-24 Cree, Inc. Ultra-thin ohmic contacts for p-type nitride light emitting devices
CN102324452A (zh) * 2004-07-27 2012-01-18 克里公司 用于p型氮化物发光装置的超薄欧姆接触及其形成方法
CN102324452B (zh) * 2004-07-27 2015-11-25 克里公司 用于p型氮化物发光装置的超薄欧姆接触及其形成方法
CN102324455B (zh) * 2004-07-27 2016-10-12 克里公司 用于p型氮化物发光装置的超薄欧姆接触及其形成方法
CN100463237C (zh) * 2004-08-31 2009-02-18 三星电机株式会社 反射电极以及包括该反射电极的化合物半导体发光器件
CN100395899C (zh) * 2004-09-23 2008-06-18 璨圆光电股份有限公司 具有增强发光亮度的氮化镓发光二极管结构
CN100440553C (zh) * 2005-06-23 2008-12-03 华南师范大学 GaN基LED外延片及其制备方法
US8602832B2 (en) 2006-01-27 2013-12-10 Epistar Corporation Light emitting device and method of forming the same
CN101017865B (zh) * 2006-02-06 2012-01-11 晶元光电股份有限公司 发光装置及其制造方法
CN101114636B (zh) * 2006-07-26 2010-12-15 晶元光电股份有限公司 混光式发光元件
WO2008031339A1 (en) * 2006-09-07 2008-03-20 Hongkong Applied Science And Technology Research Institute Co., Ltd Light emitting diode device, and manufacture and use thereof
WO2008031338A1 (en) * 2006-09-07 2008-03-20 Hong Kong Applied Science And Technology Research Institute Co. Ltd. Semiconductor light emitting device
US7829905B2 (en) 2006-09-07 2010-11-09 Hong Kong Applied Science And Technology Research Institute Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
US7800122B2 (en) 2006-09-07 2010-09-21 Hong Kong Applied Science And Technology Research Institute Co., Ltd. Light emitting diode device, and manufacture and use thereof
CN101140977B (zh) * 2006-09-08 2010-04-14 夏普株式会社 氮化物半导体发光元件及其制造方法
US8835938B2 (en) 2006-09-08 2014-09-16 Sharp Kabushiki Kaisha Nitride semiconductor light-emitting element and method of manufacturing the same
CN101459209B (zh) * 2007-12-14 2012-04-18 台达电子工业股份有限公司 发光二极管装置及其制造方法
CN102136537B (zh) * 2008-01-28 2013-09-25 晶元光电股份有限公司 具有薄化结构的半导体发光元件及其制造方法
CN101499505B (zh) * 2008-01-28 2011-04-20 晶元光电股份有限公司 具有薄化结构的半导体发光元件及其制造方法
CN102044598A (zh) * 2009-10-19 2011-05-04 大连美明外延片科技有限公司 一种GaN基发光二极管外延片及其生长方法
WO2011147289A1 (zh) * 2010-05-28 2011-12-01 方方 具有透明导电散热薄膜的发光二极管结构
CN102456797A (zh) * 2010-10-28 2012-05-16 三星Led株式会社 半导体发光器件
CN105098020A (zh) * 2014-05-14 2015-11-25 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 Led发光器件
CN105098020B (zh) * 2014-05-14 2018-11-09 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 Led发光器件
CN105268110A (zh) * 2014-06-19 2016-01-27 昆山科技大学 黄疸光疗装置
CN105268110B (zh) * 2014-06-19 2018-03-13 昆山科技大学 黄疸光疗装置
CN104269480A (zh) * 2014-10-22 2015-01-07 湘能华磊光电股份有限公司 一种led倒装芯片及其制作方法
CN104269480B (zh) * 2014-10-22 2017-06-16 湘能华磊光电股份有限公司 一种led倒装芯片及其制作方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1368764A (zh) 一种高亮度蓝光发光晶粒的结构
US20020117672A1 (en) High-brightness blue-light emitting crystalline structure
CN101099223B (zh) 具有导电性金属衬底的发光二极管
TW552723B (en) Group III nitride compound semiconductor light-emitting element
TWI420693B (zh) 發光二極體及其製程
TWI324401B (en) Fabrication method of high-brightness light emitting diode having reflective layer
CN1848470A (zh) 倒装型氮化物半导体发光器件
CN1257562C (zh) 半导体发光元件和半导体发光装置
KR102548428B1 (ko) 발광 다이오드 칩들을 위한 상호접속부들
CN1731592A (zh) 倒装焊结构发光二极管及其制造方法
CN1860621A (zh) 半导体发光元件
CN1619850A (zh) 半导体发光元件及其制造方法
JP2006191103A (ja) 窒化物半導体発光素子
WO2005069388A1 (ja) 半導体発光素子
KR100533645B1 (ko) 발광 효율을 개선한 발광 다이오드
US10985294B2 (en) Contact structures for light emitting diode chips
CN102569589A (zh) 半导体发光元件
CN1198339C (zh) 发光二极管的结构及其制造方法
CN1681137A (zh) 发光氮化物半导体器件及其制造方法
TW201338192A (zh) 發光二極體晶粒及其製作方法
CN1949549A (zh) 发光二极管芯片
CN1674312A (zh) 垂直结构的半导体芯片或器件（包括高亮度led）
CN1866559A (zh) 氮化物半导体发光器件
CN1716645A (zh) 倒装焊发光二极管芯片及其制备方法
CN1848471A (zh) 氮化物基半导体发光装置及其制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication