CN101099223B - 具有导电性金属衬底的发光二极管 - Google Patents

具有导电性金属衬底的发光二极管 Download PDF

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Abstract

一种发光二极管的制造系统与方法，包括：在承载衬底(carrier substrate)上形成多层磊晶结构；在所述多层磊晶结构上沉积至少一层金属层；移除所述承载衬底。

Description

具有导电性金属衬底的发光二极管
技术领域
本发明一般地涉及发光二极管以及发光二极管的制造方法。
背景技术
发光二极管(LED)在我们日常生活中正扮演着日趋重要的角色，LED在许多应用中极为普遍，如通讯与其他领域，如手机、家电、及其他电子装置。最近，举例来说，就例如影像显示、光学储存、照明、医学仪器等应用而言，对于光电子学用的氮化物基底半导体材料的需求(如氮化镓或GaN)已戏剧性地增加了。公知蓝光发光二极管(LED)使用氮化物的半导体材料来形成，如GaN、AlGaN、InGaN及AlInGaN。大多数如上所述发光装置的半导体层以磊晶方式形成于非导电性蓝宝石衬底上。既然蓝宝石衬底为电绝缘体，便不能直接在蓝宝石衬底上形成电极以驱动电流通过LED。而且，电极分别直接接触p型半导体层与n型半导体层，以便完成LED装置的制造。然而，这种电极结构与非导电性蓝宝石衬底的本质却表示相当重大的装置运作限制，例如，必须在p层上形成半透明接点(面)，以将电流自p电极散布至n电极。此半透明接点(面)因内部反射与吸收而减少了自装置发射的光强度；而且，p与n电极阻碍了光波并减少了来自装置的发光面积；此外，蓝宝石衬底是热量绝缘体(或热绝缘体)，且在装置运作期间所产生的热能并不能有效地散去，因此限制了装置的可靠性。
图1显示了公知LED。如其中所示，衬底以1注明，衬底1通常可为蓝宝石。在衬底1上形成缓冲层2，以减少衬底1与GaN间的晶格失配。缓冲层2可在衬底1上以磊晶方式生长，且可为AlN、GaN、AlGaN、或AlInGaN，随后依序形成n-GaN基底层3、多重量子阱(MQW)层4、与p-GaN层5；利用蚀刻法在n-GaN基底层3上形成暴露区域6；将导电性半透明涂层设置于p-GaN层5上；最后，将n-电极9与p-电极8形成于选定的电极区域上。n-电极9必须与p-电极位于装置的同一侧，以分别将电子与空穴注入MQW活性层。层4中的空穴与电子的放射性重组将放射出光波。然而，此公知LED结构的限制包括：(1)在p-层5上的半透明接点(面)并非100％透明，且会阻碍由层4所发出的光波；(2)因电极位置之故，自n-电极散布至p-电极的电流并不均匀；以及(3)由于蓝宝石是热与电绝缘体，热能会在装置运作期间累积。
为增加可用的照光面积，已发展出垂直式LED。如图2所示，典型垂直式LED具有衬底10(一般为硅、GaAs、或Ge)；接着于衬底10上形成过渡金属多重层12、p-GaN层14、MQW层16、n-GaN层18；接着在选定作为电极的区域上形成n-电极20与p-电极22。
美国专利申请第20040135158号显示一种通过下列步骤来完成垂直式LED结构的方法：(a)在蓝宝石衬底上形成缓冲层；(b)在该缓冲层上形成多层掩模，其中该衬底、该缓冲层、与该复数掩模共同形成一衬底单元；(c)于该多层掩模上形成多层磊晶结构，其中该多层磊晶结构包括活性层；取出该多层磊晶结构；(d)在取出之后，移除与该多层磊晶结构底侧黏合的该剩余掩模；(e)在该多层磊晶结构的该底侧上涂布金属反射膜；(f)将导电性衬底黏合至该金属反射膜；以及(g)将p-电极设置于该多层结构的上表面上，且将n-电极设置于该导电性衬底的底侧上。
发明内容
在一方面中，一种发光二极管的制造方法，包括：在承载衬底(carrier substrate)上形成多层磊晶结构；在所述多层磊晶结构至少一部分的上方，形成钝化层并实施反射金属沉积，以形成镜面层；在所述镜面层上形成阻碍层；在所述阻碍层上沉积金属晶种层；在所述金属晶种层上沉积至少一层金属衬底的金属层；移除该承载衬底。
上述方面的施行可包括以下之一或更多：该承载衬底可为蓝宝石，金属层的沉积不包括在衬底上将金属层黏合或胶粘至衬底上的结构。金属层的沉积可应用电化学沉积、无电化学沉积、CVD化学气相沉积、MOCVD金属有机CVD、PECVD等离子体加强CVD、ALD原子层沉积、PVD物理气相沉积、蒸镀、或等离子体喷涂、或这些技术的组合。金属层可为单层或多层状，假使金属层为多重层，可形成具有不同组成的多层金属层，且可使用不同技术以沉积该金属层。在实施例中，最厚层使用电或无电化学沉积加以沉积。
在另一方面中，一种发光二极管的制造方法，包括：设置承载衬底；在所述承载衬底上沉积多层磊晶结构；在所述多层磊晶结构上沉积一或多层第一金属层；使用蚀刻在所述磊晶结构中定义一或多个台面；在至少包括一部分台面的所述磊晶结构上，形成一或多层非导电层；移除所述非导电层的一部分，以暴露出所述第一金属层其中之一；实施反射金属沉积，以形成镜面层；在所述镜面层上形成阻碍层；在所述阻碍层上沉积金属晶种层；在所述金属晶种层上沉积至少一或多层第二金属层，以形成金属衬底；移除该承载衬底。
上述方面的施行可包括以下之一或更多：金属层可具有相同或不同组成，且可使用各种沉积技术来沉积。承载衬底的移除可使用激光、蚀刻、研磨/抛蚀、或化学机械研磨、或湿式蚀刻等。该承载衬底可为蓝宝石、碳化硅、硅、锗、氧化锌、或砷化镓。该多层磊晶结构可为n-型GaN层、一或更多具有INGaN/GaN层的量子阱、及p型AlGaN/GaN层。在该多层磊晶结构上的一或多层金属层可为氧化铟锡(ITO)、Ag、Al、Cr、Au、Pt、Pd、Ti、Ta、TiN、TaN、Mo、W或金属合金，或这些材料的复合材料。介于该多层磊晶结构与该金属层之间可形成可选(optional)掺杂半导体层。可使用聚合物(如光阻)或硬性掩模(SiO2，Si3N4，铝)定义台面(mesa)。非导电层可为SiO2、Si3N4、金刚石成分、非导电性金属氧化物成分、或陶瓷成分、或这些材料的复合材料。非导电层可为单一层或具有多个非导电层(如SiO2在Si3N4之上)。在一个实施例中，该非导电层为侧壁钝化层或钝化层。部份非导电层可通过剥除或利用或不使用掩模层的干式蚀刻加以移除，以暴露出导电层，导电层可为一或更多金属层。该一或多层金属层可使用物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)、等离子体增强CVD(PECVD)、蒸镀、离子束沉积、电化学沉积、无电化学沉积、等离子体喷涂或喷墨沉积来沉积。该金属层可包括铬(Cr)、铂(Pt)、镍(Ni)、铜、在阻碍金属材料(如氮化钛、钨、氮化钨、氮化钽)上的铜、钼(Mo)、钨(W)、或金属合金。一或多层附加金属层可通过电化学电镀、或无电化学镀而形成，该附加金属层可包括铜(Cu)、镍(Ni)、金(Au)、铝(Al)、或其合金。可沉积导电性钝化层(保护金属层)，且该导电性钝化层可为金属、镍(Ni)、铬(Cr)、锌(Zn)、金、Pt、Pd。该钝化层包括非导电性金属氧化物(氧化铪、氧化钛、氧化钽)，二氧化硅、氮化硅、或聚合物材料。
在一个实施例中，Ag/Pt或Ag/Pd或Ag/Cr作为镜面层，镍作为阻碍层，金作为种晶层，如此以用于电镀。沉积该镜面层(如Ag、Al、Pt、Ti、Cr)，然后在电或无电化学沉积金属(如Ni、Cu、W)之前，在该镜面层上方形成例如充满氧的TiN、TaN、TiWN、TiW的阻碍层。就铜的电化学沉积而言，以CVD、MOCVD、PVD、ALD、或蒸镀工艺来沉积一种晶层；某些铜的晶种材料层为W、Au、Cu、或Ni等。
在发光二极管的另一制造方法中，包括：设置承载衬底；在所述承载衬底上沉积多层磊晶结构；使用蚀刻在所述磊晶结构中定义一或多个台面；在包括至少一部分所述台面的所述磊晶结构上形成一或多层非导电层；移除所述非导电层的一部分；实施反射金属沉积，以形成镜面层；在所述镜面层上形成阻碍层；在所述阻碍层上沉积金属晶种层；在所述金属晶种层上沉积一或多层金属层，以形成金属衬底；移除该承载衬底。
上述方法的施行可包括以下之一或更多：金属层可具有相同或不同组成，且可利用各种沉积技术加以沉积。可利用激光、蚀刻、研磨/抛蚀、或化学机械研磨、或湿式蚀刻等完成承载衬底的移除，该承载衬底可为蓝宝石。该金属层的沉积方式可为电化学沉积(ECD)、或无电化学沉积(ElessCD)；利用电化学沉积、或无电化学沉积的技术沉积该金属层前，将实施晶种导电层的可选(optional)步骤(例如，在铜、镍的ECD前，先通过蒸镀、溅镀或CVD、MOCVD来沉积铜、镍、钨的晶种层)。金属层的沉积可包括CVD、PECVD、PVD、蒸镀、或等离子体喷涂。可将电极设置于多层结构上。可形成一或多层附加金属层于原始金属层上。
上述方法的施行可包括以下之一或更多：金属层可具有相同或不同组成，且可利用各种沉积技术加以沉积。可利用激光、蚀刻、研磨/抛蚀、或化学机械研磨、或湿式蚀刻等完成承载衬底的移除。该承载衬底可为蓝宝石。该金属层的沉积方式可为电化学沉积(ECD)、或无电化学沉积(ElessCD)；利用电化学沉积、或无电化学沉积的技术沉积该金属层前，将实施晶种导电层的可选步骤(例如，在铜、镍的ECD前，先通过蒸镀、溅镀或CVD、MOCVD来沉积铜、镍、钨的晶种层)。金属层的沉积可包括CVD、PECVD、PVD、蒸镀、或等离子体喷涂。可将电极设置于多层结构上。可在原始金属层上形成一或多层附加金属层，以保护下方金属。
在另一方面中，一种发光二极管的制造方法，包括：设置承载衬底；沉积多层磊晶结构，其具有p-节点、多重量子阱(MQW)及n-节点；在所述多层磊晶结构上沉积一或多层第一金属层，所述第一金属层电耦合到所述p-节点；以蚀刻在所述多层磊晶结构中定义一或多个台面；在包含至少一部分所述台面的所述磊晶结构上形成一或多层非导电层；移除所述非导电层的一部份，以暴露出所述第一金属层其中之一；实施反射金属沉积，以形成镜面层；在所述镜面层上形成阻碍层；在所述阻碍层上沉积金属晶种层；在所述金属晶种层上沉积一或多层第二金属层，其在所述非导电层其余部分上电耦合到所述第一金属层其中之一，以形成金属衬底，其中所述第二金属层其中之一与所述n-节点及MQW电绝缘；移除所述承载衬底。
在一实施例中，在衬底(如蓝宝石衬底)上形成多层磊晶结构；在该磊晶层上方沉积金属层(利用在晶种金属层顶部上的电或无电化学镀，将铜或镍电镀在利用蒸镀、CVD、PVD溅镀法所沉积的铜、镍、或钨、或Pd的晶种层顶端上，该晶种层沉积在TaN、TiN、TiWN、TiWOx或氮化钨的阻碍层上)；及移除该衬底(例如，使用激光剥除技术、湿式蚀刻或CMP)。
在一个实施例中，该多层磊晶结构包括：反射金属层，耦合到金属电镀层；非导电性钝化层，耦合到该反射金属层；p-GaN层，耦合到该钝化层；多重量子阱(MQW)层，耦合到该p-GaN层；n-GaN层，耦合到该多重量子阱(MQW)层；及n电极，耦合到该n-GaN层。
金属层可为单层或多层状，假使金属层为多层，可形成具有不同组成的多个金属层，且可使用不同技术以沉积该金属层。在实施例中，最厚层使用电或无电化学沉积加以沉积。
在一个实施例中，Ag/Pt或Ag/Pd或Ag/Cr作为镜面层，镍作为阻碍层，金作为晶种层，以上整个作为铜电镀用的主体衬底(bulk substrate)。沉积该镜面层(如Ag、Al、Ti、Cr、Pt)，然后在如金属Ni或Cu的电或无电化学沉积前，在该镜面层上形成如充满氧的TiN、TaN、TiWN、TiW的阻碍层。就铜的电化学沉积而言，晶种层以CVD、MOCVD、PVD、ALD、或利用Au、Cu、或Ni等的蒸镀工艺来沉积。
在另一方面中，一种n-GaN在上发光二极管(LED)晶圆的制造方法，包括：设置承载衬底；在所述承载衬底上沉积n-GaN部分；在所述n-GaN部分上沉积一或多层活性层；在所述活性层上沉积p-GaN部分；在所述p-GaN部分上，沉积一或多层第一金属层；在所述第一金属层上施加掩模层；依照所述掩模层蚀刻部分所述第一金属层、所述p-GaN层、所述活性层及所述n-GaN层；在所述第一金属层、所述p-GaN、所述活性层及所述n-GaN层的其余部分，沉积钝化层；移除在所述钝化层的一部分，以暴露所述第一金属层的其余部分；实施反射金属沉积，以形成镜面层；在所述镜面层上形成阻碍层；在所述阻碍层上沉积金属晶种层；在所述金属晶种层上沉积一或多层第二金属层，以形成金属衬底；移除所述承载衬底以暴露所述n-GaN部分。
如上述方面的施行可包括以下之一或更多：该金属电镀层可利用电或无电化学镀而形成。该金属电镀层亦可利用无电化学镀加以形成，且以聚酰亚胺层保护蓝宝石衬底。可利用激光剥除技术(LLO)移除衬底。该多层磊晶结构可具有反射金属层，耦合到金属电镀层；钝化层，耦合到该反射金属层；p-GaN层，耦合到该钝化层；n-GaN层，耦合到多重量子阱(MQW)层；n电极，耦合到该n-GaN层；且该金属电镀层为p-电极或具有耦合到该金属电镀层的p-电极。
在另一方面中，一种制造发光二极管(LED)的垂直装置结构可通过在蓝宝石衬底上形成多层磊晶结构而加以制造，其中该多层磊晶结构包括多重量子阱活性层(MQW)；在多层磊晶结构上涂布金属层；移除该蓝宝石衬底；以及在多层结构表面上设置n-电极，且该金属层为p-电极或具有耦合到该金属层的p-电极。
金属层可为单层或多层状，假使金属层为多层，可形成不同组成的多个金属层，且可使用不同技术以沉积该金属层。在实施例中，最厚层使用电或无电化学沉积加以沉积。
在一个实施例中，Ag/Pt或Ag/Pd或Ag/Cr作为镜面层，镍作为阻碍层，金作为晶种层，以上整个作为铜电镀用的主体衬底。沉积该镜面层(如Ag、Al、Ti、Cr、Pt)，然后在如金属Ni或Cu的电或无电化学沉积前，在该镜面层上形成如充满氧的TiN、TaN、TiWN、TiW的阻碍层。就铜的电化学沉积而言，晶种层以CVD、MOCVD、PVD、ALD、或利用Au、Cu、或Ni等蒸镀工艺来沉积。
在另一方面中，垂直式LED包括在临时衬底上所形成的多层磊晶层；在多层磊晶层上形成金属电镀层，利用电化学或无电化学沉积技术沉积该金属层前，将实施晶种导电层的可选步骤(例如，在铜、镍的ECD前，先通过蒸镀、溅镀或CVD、MOCVD来沉积铜、镍、钨的晶种层)，其中在形成金属电镀层后，该临时衬底利用激光剥除加以移除。
在一个实施例中，Ag/Pt或Ag/Pd或Ag/Cr作为镜面层，镍作为阻碍层，金作为晶种层，以上整个作为铜电镀用的主体衬底。沉积该镜面层(如Ag、Al、Ti、Cr、Pt)，然后在如金属Ni或Cu的电或无电化学沉积前，在该镜面层上形成例如充满氧的TiN、TaN、TiWN、TiW的阻碍层。就铜的电化学沉积而言，晶种层以CVD、MOCVD、PVD、ALD或利用Au、Cu或Ni等蒸镀工艺来沉积。
在另一方面中，垂直式发光二极管包括金属电镀层；反射金属层，耦合到该金属电镀层；钝化层，耦合到该反射金属层；p-GaN层，耦合到该钝化层；多重量子阱(MQW)层，耦合到该p-GaN层；n-GaN层，耦合到该多重量子阱(MQW)层；n-电极，耦合到该n-GaN层；以及p-电极，耦合到该金属电镀层。
在一个实施例中，Ag/Pt或Ag/Pd或Ag/Cr作为镜面层，镍作为阻碍层，金作为晶种层，以上整个作为铜电镀用的整体衬底。沉积该镜面层(如Ag、Al、Ti、Cr、Pt)，然后在如金属Ni或Cu的电或无电化学沉积前，在该镜面层上形成例如充满氧的TiN、TaN、TiWN、TiW的阻碍层。就铜的电化学沉积而言，一晶种层以CVD、MOCVD、PVD、ALD或利用Au、Cu、或Ni等蒸镀工艺来沉积。
本发明的优点可包括以下之一或更多：不使用晶圆黏合或胶粘，且以较不复杂的沉积工艺(例如物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)、等离子体加强CVD(PECVD)、蒸镀、离子束沉积、电化学沉积、无电化学沉积、等离子体喷涂、或喷墨沉积)来取代复杂、冗长、一次一个晶圆黏合/胶粘工艺。因n-GaN导电性良好，故不需要n-电极的半透明接点(面)，且因此可自LED装置放射更多光输出。而且，由于在装置的每一边只需要一个电极，故该LED装置阻挡较少光波。此外，电流可均匀地自n-电极散布至p-电极，因此增加了LED效能。再者，该金属衬底可比蓝宝石衬底散去更多热量，所以更多电流将用于驱动LED。所得的LED可以更小尺寸取代公知LED。对相同LED尺寸而言，以相同驱动电流可自垂直式LED输出远高于公知LED的光波。
附图说明
为更加了解本发明的其他特征、技术概念、以及目的，可仔细地阅读以下优选实施例的说明及附图，以下为附图说明：
图1显示现有技术的公知LED；
图2显示一现有技术的公知垂直式LED；
图3至图8显示制造垂直式LED的示例工艺的操作。
具体实施方式
在阅读本详细说明时，可同时参照附图并将其视为详细说明的一部分。
参考图3至图8，垂直式LED的制造方法将在这里介绍。在说明中，本发明装置结构所给的参考符号也将使用于发明制造方法的步骤中。
在下面所述的工艺涉及起初生长于蓝宝石上的InGaNLED的一个实施例。接着利用电或无电化学镀来沉积厚接点(面)，以用于所得的LED装置的导电或导热；使用电或无电化学镀以代替晶圆黏合。该工艺可应用于任何利用黏合将磊晶层贴附至新主要衬底以提升光、电、热性质的光电装置中。
回到图示，图3显示在载体40上的示例性InGaN LED的多层磊晶结构，在一个实施例中该载体40可为蓝宝石衬底。形成于该蓝宝石衬底40上的该多层磊晶结构包括n-GaN基底层42、MQW活性层44及p-GaN层46。例如，该n-GaN基底层42具有例如约4μm的厚度。
该MQW活性层44可为InGaN/GaN(或AlGaN/GaN)MQW活性层。一旦电流通过该n-GaN基底层42与p-GaN层46之间时，便可激发该MQW活性层44并因此产生光。所产生的光可具有介于250nm与600nm间的波长。该p-层可为p+-GaN基底层，如p+-GaN、p+-InGaN、或p+-AlInGaN层且其厚度可介于0.01与0.5μm之间。
接下来，如图4所显示，实施台面定义工艺以及在该p-GaN层46上方形成p型接点(面)48。在多层磊晶结构上的接点(面)48可为氧化铟锡(ITO)、Ag、Al、Cr、Pt、Pd，Ti，Ta，TiN，TaN，Ni、Au、Mo、W或金属合金，或这些材料的复合材料(如Ni/Au)。  此外，也可形成直接反射Ag沉积，以作为金属接点(面)。在图4中，个别LED装置形成于台面定义之后，以离子耦合等离子体蚀刻将GaN蚀刻成分离的装置；亦可使用其他台面定义工艺，如激光、锯(saw)或喷射水刀(water jet)。
接下来，如图5所示，沉积钝化层50并实施反射金属沉积，以在蚀刻进入该钝化层50的视窗中形成反射金属52，如Al、Ag、Ni、Pt、及Cr等，以允许该反射金属52接触层46。该钝化层50为非导电性，该反射金属52形成镜面。
图6显示在该结构上沉积薄金属层或多重金属层53(Cr、Pt、Pt/Au、Cr/Au、Ni/Au、Ti/Au、TaN/Au、among others)，以作为电/无电化学镀工艺的阻碍/晶种层。然而，若使用无电工艺、溅镀、或磁控溅镀工艺代替电镀，则不需要该沉积操作。将一金属衬底层60沉积于其上。
现在回到图7，该多层磊晶结构以如电与无电化学镀的技术涂布金属衬底层60。由于无电化学镀，蓝宝石衬底40利用可轻易去除而不致损伤蓝宝石的聚酰亚胺层或涂层、或特厚层的无电电镀金属(如Ni或Cu等)加以保护。
接下来，移除该蓝宝石衬底40。在图8所示的一个实施例中，将激光剥除(LLO)操作施加于该蓝宝石衬底40。以激光剥除移除蓝宝石衬底为已知，参照Cheung等人于2000年6月6日公布的美国专利号第6071795号，发明名称为“通过选择性光学工艺自透明衬底分离薄膜”，以及参照Kelly等人在期刊Physica Status Solidi(a)vol.159，1997，pp.R3-R4中的“用于第三族氮化物薄膜剥除的光学工艺”。再者，在蓝宝石(或其他绝缘及/或硬性)衬底上制造GaN半导体层的极有利方法示出在由Myung Cheol Yoo在2002年4月9日提出申请的美国专利申请第10/118317号，发明名称为“以金属支座5薄膜制造垂直式装置的方法”，以及由Lee等人于2002年4月9日提出申请的美国专利申请第10/118316号，发明名称为“垂直式结构的制造方法”。此外，GaN与蓝宝石(-及其他材料)的蚀刻方法示出在由Yeom等人于2002年4月9日提出申请的美国专利申请第10/118318号，发明名称为“改良GaN-基底发光二极管的光输出的方法”，在此以提及方式将其并入，视为完全地公开于此。在其他实施例中，该蓝宝石衬底以湿式或干式蚀刻或化学机械研磨来移除。
如图8所示，在n-GaN层42顶端上图案化n型电极/焊垫70以完成垂直式LED。在一个实施例中，可利用CVD、PVP、或电子束蒸镀来沉积如Ni/Cr(Ni与n-GaN接触)的焊垫70，该焊垫70以具有掩模层的湿式或干式蚀刻或以具有负片掩模层的剥除技术(负片掩模层表示其中我们不想有该材料)来形成。
该薄金属层或薄膜5 3设置作为该金属衬底层60的晶种材料。该薄金属膜5 3可与该金属衬底层60相同或不同材料，只要可利用电化学沉积或无电化学沉积将该金属衬底层60电镀于该薄膜53的顶端上即可。
虽然本发明已通过举例及参照优选实施例加以叙述，应该了解本发明并非限制于此。相反地，应包括各种修改与类似排列及方法，且因此所附权利要求书的范围应赋予最广义的解释，以包括所有各种修改与类似排列及方法。

Claims (41)

1.一种发光二极管的制造方法，包括：
在承载衬底上形成多层磊晶结构；
在所述多层磊晶结构至少一部分的上方，形成钝化层并实施反射金属沉积，以形成镜面层；
在所述镜面层上形成阻碍层；
在所述阻碍层上沉积金属晶种层；
在所述金属晶种层上沉积至少一层金属衬底的金属层；
移除所述承载衬底。
2.如权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其中所述承载衬底包括蓝宝石。
3.如权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其中所述金属层的沉积包括电化学沉积。
4.如权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其中所述金属层的沉积包括利用化学气相沉积(CVD)、等离子体加强化学气相沉积(PECVD)、物理气相沉积(PVD)、原子层沉积(ALD)、金属有机化学气相沉积(MOCVD)、蒸镀及等离子体喷涂其中之一来施加。
5.一种发光二极管的制造方法，包括：
设置承载衬底；
在所述承载衬底上沉积多层磊晶结构；
在所述多层磊晶结构上沉积一或多层第一金属层；
使用蚀刻在所述磊晶结构中定义一或多个台面；
在至少包括一部分台面的所述磊晶结构上，形成一或多层非导电层；
移除所述非导电层的一部分，以暴露出所述第一金属层其中之一；
实施反射金属沉积，以形成镜面层；
在所述镜面层上形成阻碍层；
在所述阻碍层上沉积金属晶种层；
在所述金属晶种层上沉积至少一或多层第二金属层，以形成金属衬底；以及
移除所述承载衬底。
6.如权利要求5所述的发光二极管的制造方法，其中所述承载衬底包括蓝宝石、碳化硅、氧化锌、硅及砷化镓其中之一。
7.如权利要求5所述的发光二极管的制造方法，其中所述多层磊晶结构包括：
n型GaN或AlGaN层；
一或多个具有InGaN/GaN层的量子阱；以及
p型GaN或AlGaN层。
8.如权利要求5所述的发光二极管的制造方法，其中在所述多层磊晶结构上的所述多层第一金属层包括氧化铟锡(ITO)、银、Al、Cr、Pt、Ni、Au、Mo、W，或其合金至少其中之一。
9.如权利要求5所述的发光二极管的制造方法，包括介于所述多层磊晶结构与所述第一金属层间的掺杂半导体层。
10.如权利要求5所述的发光二极管的制造方法，其中所述台面通过聚合物及/或蚀刻用的硬性掩模加以定义。
11.如权利要求5所述的发光二极管的制造方法，其中所述非导电层包括SiO2、Si3N4、类金刚石薄膜、非导电性金属氧化物成分，或陶瓷成分其中之一。
12.如权利要求5所述的发光二极管的制造方法，其中所述非导电层部分的移除，包括剥除、湿式或干式蚀刻。
13.如权利要求5所述的发光二极管的制造方法，其中其中沉积所述第一或第二金属层包括物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)、等离子体加强CVD(PECVD)、蒸镀、离子束沉积、电化学沉积、无电化学沉积、等离子体喷涂或喷墨沉积。
14.如权利要求13所述的发光二极管的制造方法，其中，沉积所述第一或第二金属层，包括使用电子束沉积。
15.如权利要求5所述的发光二极管的制造方法，其中所述第二金属层其中之一包括：铬(Cr)、铂(Pt)、镍(Ni)、在氮化钽上的铜、钼(Mo)、钨(W)，或金属合金。
16.如权利要求5所述的发光二极管的制造方法，其中，沉积所述第二金属层包括通过电化学电镀或无电化学镀在所述晶种层的顶部上形成一或多层附加金属层。
17.如权利要求5所述的发光二极管的制造方法，其中所述金属晶种层包括铜、钨、金、镍、铬、钯、铂或其合金。
18.如权利要求16所述的发光二极管的制造方法，其中所述附加金属层其中之一，包括铜(Cu)、镍(Ni)、金(Au)、铝(Al)或其合金。
19.如权利要求5所述的发光二极管的制造方法，其中，所述非导电层至少其中之一为钝化层。
20.如权利要求19所述的发光二极管的制造方法，其中所述钝化层包括非导电性金属氧化物、二氧化硅、氮化硅或聚合物材料。
21.如权利要求20所述的发光二极管的制造方法，其中所述非导电性金属氧化物是选自下列其中之一：氧化铪、氧化钛、氧化钽。
22.如权利要求5所述的发光二极管的制造方法，包括以湿式蚀刻、化学机械研磨(CMP)或干式蚀刻来移除所述钝化层的一部份。
23.如权利要求5所述的发光二极管的制造方法，还包括在所述第二金属层上沉积最终金属，所述最终金属包括铜(Cu)、镍(Ni)、铬(Cr)、铂(Pt)、锌(Zn)或其合金其中之一。
24.如权利要求5所述的发光二极管的制造方法，其中，所述承载衬底的移除包括使用激光、化学机械研磨(CMP)、湿式蚀刻及离子注入至少其中之一。
25.一种发光二极管的制造方法，包括：
设置承载衬底；
在所述承载衬底上沉积多层磊晶结构；
使用蚀刻在所述磊晶结构中定义一或多个台面；
在包括至少一部分所述台面的所述磊晶结构上形成一或多层非导电层；
移除所述非导电层的一部分；
实施反射金属沉积，以形成镜面层；
在所述镜面层上形成阻碍层；
在所述阻碍层上沉积金属晶种层；
在所述金属晶种层上沉积一或多层金属层，以形成金属衬底；以及
移除所述承载衬底。
26.如权利要求25所述的发光二极管的制造方法，其中所述承载衬底包括蓝宝石。
27.如权利要求25所述的发光二极管的制造方法，其中所述台面使用聚合物及/或蚀刻用的硬性掩模加以定义。
28.如权利要求25所述的发光二极管的制造方法，其中，所述非导电层至少其中之一为钝化层。
29.如权利要求28所述的发光二极管的制造方法，其中所述钝化层包括非导电性金属氧化物、二氧化硅、氮化硅，或聚合物材料其中之一。
30.如权利要求29所述的发光二极管的制造方法，包括以湿式蚀刻、化学机械研磨(CMP)及干式蚀刻至少其中之一来移除所述钝化层的一部分。
31.如权利要求25所述的发光二极管的制造方法，其中，沉积所述金属层包括通过电化学电镀或无电化学镀在所述晶种层的顶部上形成一或多层附加金属层，所述晶种层包括铜、钨、金、镍、铬、钯、铂或其合金其中之一。
32.如权利要求31所述的发光二极管的制造方法，其中，所述镜面层包括利用物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)、等离子体强化CVD(PECVD)、蒸镀、离子束沉积其中之一所沉积的Ag、Al、Ti、Cr、Pt、Pd、Ag/Pt、Ag/Pd或Ag/Cr。
33.如权利要求25所述的发光二极管的制造方法，其中，沉积所述一或多层金属层包括在所述金属晶种层上沉积附加金属层。
34.如权利要求25所述的发光二极管的制造方法，其中所述承载衬底的移除包括利用激光剥除(LLO)技术。
35.如权利要求25所述的发光二极管的制造方法，其中移除所述承载衬底包括利用干式蚀刻、化学移除技术、或化学机械移除技术至少其中之一。
36.一种发光二极管的制造方法，包括：
设置承载衬底；
沉积多层磊晶结构，其具有p-节点、多重量子阱(MQW)及n-节点；
在所述多层磊晶结构上沉积一或多层第一金属层，所述第一金属层电耦合到所述p-节点；
以蚀刻在所述多层磊晶结构中定义一或多个台面；
在包含至少一部分所述台面的所述磊晶结构上形成一或多层非导电层；
移除所述非导电层的一部份，以暴露出所述第一金属层其中之一；
实施反射金属沉积，以形成镜面层；
在所述镜面层上形成阻碍层；
在所述阻碍层上沉积金属晶种层；
在所述金属晶种层上沉积一或多层第二金属层，其在所述非导电层其余部分上电耦合到所述第一金属层其中之一，以形成金属衬底，其中所述第二金属层其中之一与所述n-节点及MQW电绝缘；
移除所述承载衬底。
37.一种n-GaN在上发光二极管(LED)晶圆的制造方法，包括：
设置承载衬底；
在所述承载衬底上沉积n-GaN部分；
在所述n-GaN部分上沉积一或多层活性层；
在所述活性层上沉积p-GaN部分；
在所述p-GaN部分上，沉积一或多层第一金属层；
在所述第一金属层上施加掩模层；
依照所述掩模层蚀刻部分所述第一金属层、所述p-GaN层、所述活性层及所述n-GaN层；
在所述第一金属层、所述p-GaN、所述活性层及所述n-GaN层的其余部分，沉积钝化层；
移除在所述钝化层的一部分，以暴露所述第一金属层的其余部分；
实施反射金属沉积，以形成镜面层；
在所述镜面层上形成阻碍层；
在所述阻碍层上沉积金属晶种层；
在所述金属晶种层上沉积一或多层第二金属层，以形成金属衬底；
移除所述承载衬底以暴露所述n-GaN部分。
38.如权利要求37所述的n-GaN在上LED晶圆的制造方法，其中所述承载衬底为蓝宝石。
39.如权利要求37所述的n-GaN在上LED晶圆的制造方法，其中沉积所述第二金属层以形成所述金属衬底，包括使用下列方式至少其中之一：电化学电镀、无电化学镀、溅镀、化学气相沉积、电子束蒸镀及热喷涂。
40.如权利要求37所述的n-GaN在上LED晶圆的制造方法，其中所述金属衬底包括下列至少其中之一的金属或金属合金：铜、镍、铝、Ti、Ta、Mo及W。
41.如权利要求37所述的n-GaN在上LED晶圆的制造方法，其中所述承载衬底以激光剥除(LLO)、湿式蚀刻及化学机械研磨(CMP)其中之一来移除。
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Families Citing this family (113)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007533133A (ja) * 2004-04-07 2007-11-15 ティンギ テクノロジーズ プライベート リミテッド 半導体発光ダイオード上での反射層の作製
US8871547B2 (en) 2005-01-11 2014-10-28 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Method for fabricating vertical light emitting diode (VLED) structure using a laser pulse to remove a carrier substrate
US8318519B2 (en) * 2005-01-11 2012-11-27 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Method for handling a semiconductor wafer assembly
US8802465B2 (en) 2005-01-11 2014-08-12 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Method for handling a semiconductor wafer assembly
TWI247441B (en) * 2005-01-21 2006-01-11 United Epitaxy Co Ltd Light emitting diode and fabricating method thereof
US7932111B2 (en) * 2005-02-23 2011-04-26 Cree, Inc. Substrate removal process for high light extraction LEDs
EP1925039A4 (en) * 2005-09-16 2012-07-04 Showa Denko Kk METHOD FOR PRODUCING A LIGHT-EMITTING NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE
DE102005053274A1 (de) * 2005-09-30 2007-04-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von Halbleiterchips und Halbleiterbauelement
CN100474642C (zh) * 2005-10-27 2009-04-01 晶能光电（江西）有限公司 含有金属铬基板的铟镓铝氮半导体发光元件及其制造方法
KR100640496B1 (ko) * 2005-11-23 2006-11-01 삼성전기주식회사 수직구조 질화갈륨계 발광다이오드 소자
SG133432A1 (en) 2005-12-20 2007-07-30 Tinggi Tech Private Ltd Localized annealing during semiconductor device fabrication
US7615789B2 (en) * 2006-05-09 2009-11-10 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Vertical light emitting diode device structure
SG140473A1 (en) 2006-08-16 2008-03-28 Tinggi Tech Private Ltd Improvements in external light efficiency of light emitting diodes
US20080087875A1 (en) * 2006-10-11 2008-04-17 Feng-Hsu Fan Protection for the epitaxial structure of metal devices
US7781247B2 (en) * 2006-10-26 2010-08-24 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Method for producing Group III-Group V vertical light-emitting diodes
GB2447091B8 (en) * 2007-03-02 2010-01-13 Photonstar Led Ltd Vertical light emitting diodes
KR100856230B1 (ko) * 2007-03-21 2008-09-03 삼성전기주식회사 발광장치, 발광장치의 제조방법 및 모놀리식 발광다이오드어레이
US7683380B2 (en) * 2007-06-25 2010-03-23 Dicon Fiberoptics, Inc. High light efficiency solid-state light emitting structure and methods to manufacturing the same
GB2455489B (en) * 2007-08-22 2012-05-30 Photonstar Led Ltd High thermal performance packaging for optoelectronics devices
GB0721957D0 (en) * 2007-11-08 2007-12-19 Photonstar Led Ltd Ultra high thermal performance packaging for optoelectronics devices
GB0722054D0 (en) * 2007-11-09 2007-12-19 Photonstar Led Ltd LED with enhanced light extraction
KR101449005B1 (ko) 2007-11-26 2014-10-08 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
US8916890B2 (en) * 2008-03-19 2014-12-23 Cree, Inc. Light emitting diodes with light filters
JP5288852B2 (ja) * 2008-03-21 2013-09-11 スタンレー電気株式会社 半導体素子の製造方法
KR20110006652A (ko) * 2008-03-25 2011-01-20 라티스 파워(지앙시) 코포레이션 양면 패시베이션을 갖는 반도체 발광 소자
TWI447783B (zh) * 2008-04-28 2014-08-01 Advanced Optoelectronic Tech 三族氮化合物半導體發光元件之製造方法及其結構
DE102008038852B4 (de) * 2008-06-03 2024-02-01 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelementes und optoelektronisches Bauelement
GB2458972B (en) * 2008-08-05 2010-09-01 Photonstar Led Ltd Thermally optimised led chip-on-board module
KR100999699B1 (ko) * 2008-09-01 2010-12-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
KR100962898B1 (ko) * 2008-11-14 2010-06-10 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
TWI389347B (zh) * 2008-11-13 2013-03-11 Epistar Corp 光電元件及其製作方法
USRE48774E1 (en) * 2008-11-14 2021-10-12 Suzhou Lekin Semiconductor Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
TWI379443B (en) * 2008-11-28 2012-12-11 Univ Nat Taiwan A lighting device having high efficiency and a method for fabricating the same
JP4799606B2 (ja) 2008-12-08 2011-10-26 株式会社東芝 光半導体装置及び光半導体装置の製造方法
KR100999793B1 (ko) * 2009-02-17 2010-12-08 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 제조방법
KR101550922B1 (ko) * 2009-03-10 2015-09-07 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
KR20120027339A (ko) * 2009-05-14 2012-03-21 에스알아이 인터내셔널 유기 광전자 소자를 위한 저비용 고효율의 투명한 유기 전극
JP2011014890A (ja) 2009-06-02 2011-01-20 Mitsubishi Chemicals Corp 金属基板及び光源装置
US20100327300A1 (en) 2009-06-25 2010-12-30 Koninklijke Philips Electronics N.V. Contact for a semiconductor light emitting device
US8587017B2 (en) 2009-07-05 2013-11-19 Industrial Technology Research Institute Light emitting device and method of fabricating a light emitting device
US8173456B2 (en) * 2009-07-05 2012-05-08 Industrial Technology Research Institute Method of manufacturing a light emitting diode element
US9214456B2 (en) 2009-08-13 2015-12-15 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Light emitting diode (LED) system having lighting device and wireless control system
US8933467B2 (en) 2009-08-13 2015-01-13 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Smart integrated semiconductor light emitting system including nitride based light emitting diodes (LED) and application specific integrated circuits (ASIC)
US8084780B2 (en) * 2009-08-13 2011-12-27 Semileds Optoelectronics Co. Smart integrated semiconductor light emitting system including light emitting diodes and application specific integrated circuits (ASIC)
US20110042803A1 (en) * 2009-08-24 2011-02-24 Chen-Fu Chu Method For Fabricating A Through Interconnect On A Semiconductor Substrate
KR100986570B1 (ko) * 2009-08-31 2010-10-07 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
US9012766B2 (en) 2009-11-12 2015-04-21 Silevo, Inc. Aluminum grid as backside conductor on epitaxial silicon thin film solar cells
KR101631599B1 (ko) * 2009-12-02 2016-06-27 삼성전자주식회사 발광 소자 및 그 제조 방법
WO2011069242A1 (en) * 2009-12-09 2011-06-16 Cooledge Lighting Inc. Semiconductor dice transfer-enabling apparatus and method for manufacturing transfer-enabling apparatus
US20110151588A1 (en) * 2009-12-17 2011-06-23 Cooledge Lighting, Inc. Method and magnetic transfer stamp for transferring semiconductor dice using magnetic transfer printing techniques
US8334152B2 (en) * 2009-12-18 2012-12-18 Cooledge Lighting, Inc. Method of manufacturing transferable elements incorporating radiation enabled lift off for allowing transfer from host substrate
JP5749888B2 (ja) * 2010-01-18 2015-07-15 住友電気工業株式会社 半導体素子及び半導体素子を作製する方法
US20110277825A1 (en) * 2010-05-14 2011-11-17 Sierra Solar Power, Inc. Solar cell with metal grid fabricated by electroplating
SG185547A1 (en) 2010-05-18 2012-12-28 Agency Science Tech & Res Method of forming a light emitting diode structure and a light emitting diode structure
US9214576B2 (en) 2010-06-09 2015-12-15 Solarcity Corporation Transparent conducting oxide for photovoltaic devices
US8552458B2 (en) 2010-06-26 2013-10-08 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Side by side light emitting diode (LED) having separate electrical and heat transfer paths
CN103222073B (zh) * 2010-08-03 2017-03-29 财团法人工业技术研究院 发光二极管芯片、发光二极管封装结构、及用以形成上述的方法
US9178107B2 (en) 2010-08-03 2015-11-03 Industrial Technology Research Institute Wafer-level light emitting diode structure, light emitting diode chip, and method for forming the same
US20120032212A1 (en) * 2010-08-06 2012-02-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of light emitting diode sidewall passivation
US9773928B2 (en) 2010-09-10 2017-09-26 Tesla, Inc. Solar cell with electroplated metal grid
US9800053B2 (en) 2010-10-08 2017-10-24 Tesla, Inc. Solar panels with integrated cell-level MPPT devices
US8686461B2 (en) 2011-01-03 2014-04-01 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Light emitting diode (LED) die having stepped substrates and method of fabrication
US9054256B2 (en) 2011-06-02 2015-06-09 Solarcity Corporation Tunneling-junction solar cell with copper grid for concentrated photovoltaic application
TWI453947B (zh) * 2011-08-05 2014-09-21 Univ Chang Gung Manufacturing method of electro - optical diode for electroforming
US8492746B2 (en) 2011-09-12 2013-07-23 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Light emitting diode (LED) dice having wavelength conversion layers
US8410508B1 (en) 2011-09-12 2013-04-02 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Light emitting diode (LED) package having wavelength conversion member and wafer level fabrication method
US8841146B2 (en) 2011-09-12 2014-09-23 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Method and system for fabricating light emitting diode (LED) dice with wavelength conversion layers having controlled color characteristics
US8912021B2 (en) 2011-09-12 2014-12-16 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. System and method for fabricating light emitting diode (LED) dice with wavelength conversion layers
JP2013105975A (ja) * 2011-11-16 2013-05-30 Mitsubishi Electric Corp 光半導体装置の製造方法
TWI462339B (zh) * 2011-11-21 2014-11-21 Ritedia Corp 具有類鑽碳層之發光二極體以及其製造方法與應用
US8759128B2 (en) 2012-03-22 2014-06-24 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Light emitting diode (LED) die having recessed electrode and light extraction structures and method of fabrication
US9343623B2 (en) 2012-03-22 2016-05-17 Jeong Woon Bae Horizontal power LED device and method for manufacturing same
TWI506815B (zh) * 2012-04-05 2015-11-01 Formosa Epitaxy Inc Method and structure of increasing the concentration of epitaxial layer
CN102623592A (zh) * 2012-04-13 2012-08-01 杭州士兰明芯科技有限公司 一种垂直led芯片及其相应的制作方法
JP2013258234A (ja) 2012-06-12 2013-12-26 Disco Abrasive Syst Ltd 光デバイスの加工方法
JP6025410B2 (ja) 2012-06-12 2016-11-16 株式会社ディスコ 光デバイスの加工方法
JP6029338B2 (ja) * 2012-06-12 2016-11-24 株式会社ディスコ 光デバイスの加工方法
JP2013258231A (ja) 2012-06-12 2013-12-26 Disco Abrasive Syst Ltd 光デバイスの加工方法
CN102800585B (zh) * 2012-07-09 2015-09-09 厦门飞德利照明科技有限公司 一种发光二极管的电铸制造方法
US8981432B2 (en) * 2012-08-10 2015-03-17 Avogy, Inc. Method and system for gallium nitride electronic devices using engineered substrates
MX351564B (es) 2012-10-04 2017-10-18 Solarcity Corp Dispositivos fotovoltaicos con rejillas metálicas galvanizadas.
US9865754B2 (en) 2012-10-10 2018-01-09 Tesla, Inc. Hole collectors for silicon photovoltaic cells
US20140151630A1 (en) * 2012-12-04 2014-06-05 Feng-Hsu Fan Protection for the epitaxial structure of metal devices
TWI550905B (zh) * 2012-12-24 2016-09-21 鴻海精密工業股份有限公司 發光二極體晶粒及其製造方法、發光二極體車燈
US9281436B2 (en) 2012-12-28 2016-03-08 Solarcity Corporation Radio-frequency sputtering system with rotary target for fabricating solar cells
US10074755B2 (en) 2013-01-11 2018-09-11 Tesla, Inc. High efficiency solar panel
WO2014110520A1 (en) 2013-01-11 2014-07-17 Silevo, Inc. Module fabrication of solar cells with low resistivity electrodes
US9412884B2 (en) 2013-01-11 2016-08-09 Solarcity Corporation Module fabrication of solar cells with low resistivity electrodes
DE102013100711B4 (de) * 2013-01-24 2021-07-01 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl optoelektronischer Bauelemente
WO2014120086A1 (en) 2013-01-29 2014-08-07 Nanyang Technological University Method of fabricating semiconductor devices
US9624595B2 (en) 2013-05-24 2017-04-18 Solarcity Corporation Electroplating apparatus with improved throughput
US10147510B1 (en) * 2013-11-15 2018-12-04 National Technology & Engineering Solutions Of Sandia, Llc Electroplated AU for conformal coating of high aspect ratio silicon structures
US10309012B2 (en) 2014-07-03 2019-06-04 Tesla, Inc. Wafer carrier for reducing contamination from carbon particles and outgassing
US20160020370A1 (en) * 2014-07-21 2016-01-21 GE Lighting Solutions, LLC Thin film with multilayer dielectric coatings for light emitting diode (led) lead frame and chip-on-board (cob) substrate reflector
US9899546B2 (en) 2014-12-05 2018-02-20 Tesla, Inc. Photovoltaic cells with electrodes adapted to house conductive paste
CN104638096B (zh) * 2015-01-30 2017-06-30 广州市众拓光电科技有限公司 一种用于垂直结构led芯片的铜基板的制备方法
US9947822B2 (en) 2015-02-02 2018-04-17 Tesla, Inc. Bifacial photovoltaic module using heterojunction solar cells
US9761744B2 (en) 2015-10-22 2017-09-12 Tesla, Inc. System and method for manufacturing photovoltaic structures with a metal seed layer
US9842956B2 (en) 2015-12-21 2017-12-12 Tesla, Inc. System and method for mass-production of high-efficiency photovoltaic structures
JP6974324B2 (ja) * 2015-12-29 2021-12-01 ルミレッズ ホールディング ベーフェー 側面反射器と蛍光体とを備えるフリップチップｌｅｄ
US9496429B1 (en) 2015-12-30 2016-11-15 Solarcity Corporation System and method for tin plating metal electrodes
TW201727894A (zh) * 2016-01-18 2017-08-01 Nat Univ Tsing Hua 具有垂直型跨接結構電極的水平式半導體元件
CN105568329A (zh) * 2016-02-23 2016-05-11 河源市众拓光电科技有限公司 一种在led外延片上电镀铜的方法
US10115838B2 (en) 2016-04-19 2018-10-30 Tesla, Inc. Photovoltaic structures with interlocking busbars
TWI601313B (zh) * 2016-05-13 2017-10-01 南茂科技股份有限公司 半導體發光裝置及其製造方法
CN106571414B (zh) * 2016-11-09 2019-11-19 佛山市国星半导体技术有限公司 一种垂直结构led芯片的制造方法
CN106601877A (zh) * 2016-11-09 2017-04-26 佛山市国星半导体技术有限公司 一种垂直结构led芯片的制造方法
US10672919B2 (en) 2017-09-19 2020-06-02 Tesla, Inc. Moisture-resistant solar cells for solar roof tiles
CN107910405B (zh) * 2017-09-27 2019-08-23 华灿光电（浙江）有限公司 一种发光二极管芯片的制作方法
US11190128B2 (en) 2018-02-27 2021-11-30 Tesla, Inc. Parallel-connected solar roof tile modules
CN108448217A (zh) * 2018-03-01 2018-08-24 西南科技大学 Ti/Ni/Ag材料体系的射频微带结构
WO2020096950A1 (en) * 2018-11-06 2020-05-14 The Regents Of The University Of California Heterogeneously integrated indium gallium nitride on silicon photonic integrated circuits
US11398505B2 (en) * 2019-06-27 2022-07-26 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display substrate and manufacturing method thereof, display panel, and display device

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6448102B1 (en) * 1998-12-30 2002-09-10 Xerox Corporation Method for nitride based laser diode with growth substrate removed

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE59809873D1 (de) * 1997-05-27 2003-11-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur herstellung eines lichtemittierenden bauelementes
US6071795A (en) * 1998-01-23 2000-06-06 The Regents Of The University Of California Separation of thin films from transparent substrates by selective optical processing
JP4352473B2 (ja) * 1998-06-26 2009-10-28 ソニー株式会社 半導体装置の製造方法
US20010042866A1 (en) * 1999-02-05 2001-11-22 Carrie Carter Coman Inxalygazn optical emitters fabricated via substrate removal
US6555405B2 (en) * 2001-03-22 2003-04-29 Uni Light Technology, Inc. Method for forming a semiconductor device having a metal substrate
US6746889B1 (en) * 2001-03-27 2004-06-08 Emcore Corporation Optoelectronic device with improved light extraction
FR2834124B1 (fr) * 2001-12-20 2005-05-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Procede de production de couches semi-conductrices
CA2754097C (en) * 2002-01-28 2013-12-10 Nichia Corporation Nitride semiconductor device having support substrate and its manufacturing method
US6658041B2 (en) * 2002-03-20 2003-12-02 Agilent Technologies, Inc. Wafer bonded vertical cavity surface emitting laser systems
US20030189215A1 (en) * 2002-04-09 2003-10-09 Jong-Lam Lee Method of fabricating vertical structure leds
CN100595937C (zh) * 2002-08-01 2010-03-24 日亚化学工业株式会社 半导体发光元件及发光装置
DE10245631B4 (de) * 2002-09-30 2022-01-20 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Halbleiterbauelement
TWI226138B (en) * 2003-01-03 2005-01-01 Super Nova Optoelectronics Cor GaN-based LED vertical device structure and the manufacturing method thereof
US7244628B2 (en) * 2003-05-22 2007-07-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for fabricating semiconductor devices
CN100483612C (zh) * 2003-06-04 2009-04-29 刘明哲 用于制造垂直结构的复合半导体器件的方法
US7378288B2 (en) * 2005-01-11 2008-05-27 Semileds Corporation Systems and methods for producing light emitting diode array
US7186580B2 (en) * 2005-01-11 2007-03-06 Semileds Corporation Light emitting diodes (LEDs) with improved light extraction by roughening
US20060154393A1 (en) * 2005-01-11 2006-07-13 Doan Trung T Systems and methods for removing operating heat from a light emitting diode
US20060151801A1 (en) * 2005-01-11 2006-07-13 Doan Trung T Light emitting diode with thermo-electric cooler
US7195944B2 (en) * 2005-01-11 2007-03-27 Semileds Corporation Systems and methods for producing white-light emitting diodes

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6448102B1 (en) * 1998-12-30 2002-09-10 Xerox Corporation Method for nitride based laser diode with growth substrate removed

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