KR20070093087A - 전도 금속 기판을 구비하는 발광 다이오드 - Google Patents
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Abstract
캐이어 기판(carrier substrate) 위에 다중층의 에픽택셜 구조를 형성하는 단계; 상기 다중충의 에피택셜 구조 위에 적어도 하나의 금속층을 증착하는 단계; 및 캐리어 기판(carrier substrate)을 제거하는 단계를 포함하는 발광 다이오드의 제조를 위한 시스템 및 방법이 개시된다.
캐리어, 다이오드, 발광, 기판
Description
본 발명은 일반적으로 발광 다이오드 및 이 다이오드를 제조하는 방법에 대한 것이다.
발광 다이오드(LED: Light-Emitting Diode)는 우리의 일상 생활에서 점차적으로 중요한 역활을 하고 있다. 전통적으로, LED는 통신 및 다른 분야, 이동 전화기, 어플라이언스 및 다른 전자 디바이스와 같은 많은 응용에 두루 편재되어 있다. 최근에, 광학-전자 장치에 대한 질소화물 기반 반도체 재료(예를 들면, 갈륨 질소화물, 즉 GaN(Gallium Nitride)을 가지는)에 대한 수요가, 예를 들면 비디오 디스플레이, 광 스토리지, 조명, 의료 기구와 같은 응용에 대하여 폭발적으로 증가하고 있다.
종래 청색 LED(Blue Light-Emitting Diode)는, GaN, AlGaN, InGaN 및 AlInGaN와 같은 질소화물의 반도체 재료를 사용하여 형성된다. 대부분의 이전에 언급된 형태의 발광 디바이스의 반도체층은 전기적으로 비-전도성의 사파이어 기판상에서 에피택셜적으로 형성된다. 사파이어 기판이 전기적으로 절연체이므로, LED를 통과하여 전류를 구동하도록 사파이어 기판상에 전극이 직접 형성될 수 없다. 오히 려, 전극은 직접적으로 p-형 반도체층 및 n-형 반도체층에 개별적으로 접촉하여, LED 디바이스의 제조를 완성한다. 그러나, 이러한 전극의 구성 및 사파이어 기판의 전기적으로 비-전도성 성질은 디바이스 동작에 대한 중요한 제한을 나타내고 있다. 예를 들면, 반-투명한 접촉면은 p-전극으로부터 n-전극으로 전류를 확산하기 위해 p-층상에 형성될 필요가 있다. 이러한 반-투명한 접촉면은 내부 반사 및 흡수로 인해 디바이스로부터 방출된 광 세기를 감소시킨다. 더욱이, p 및 n-전극은 광을 차단하여, 디바이스로부터 발광의 영역을 감소시킨다. 덧붙여, 사파이어 기판은 히트 절연체(즉 열 절연체)가 되며, 디바이스 동작동안 발생된 히트는 효과적으로 소멸되지 않을 수 있으므로, 이는 디바이스의 신뢰성을 제한하게 된다.
도 1은 이러한 종래 LED의 하나를 보여준다. 여기에 도시된 바와 같이, 기판은 1로서 표기된다. 기판(1)은 대부분 사파이어일 수 있다. 기판(1)에 걸쳐, 버퍼층(2)은 기판(1)과 GaN사이의 격자 불일치를 줄이기 위해 형성된다. 버퍼층(2)은 기판(1)상에 에픽택셜적으로 성장될 수 있으며, AlN, GaN, AlGaN 또는 AlInGaN이 될 수 있다. 다음으로, n-GaN 기반층(3), 다중-양자 우물(MQW: Multi-Quantum Well)층(4) 및 p-GaN층(5)가 연속적으로 형성된다. n-GaN 기반층(3) 상에 노광 영역(6)을 형성하기 위해 에칭 방식이 사용된다. 전기적 전도성 반-투명한 코팅이 p-GaN층(5) 위에 마련된다. 마지막으로, n-전극(9) 및 p-전극(8)이 선택된 전극 영역상에 형성된다. n-전극(9)은 MQW 능동층(4)으로 전자 및 정공을 각각 주입하기 위해 p-전극으로서 디바이스의 동일한 측면 상에 필요하다. 층(4)의 정공 및 전자의 방사성(radiative) 재결합이 광을 방출한다.
그러나, 이러한 종래 LED 구조의 한계는 다음을 포함한다: (1) p-층(5)상의 반-투명한 접촉면은 100% 투명하지 않으며, 층(4)로부터 방출된 광을 차폐할 수 있다; (2) n-전극으로부터 p-전극으로 확산하는 전류는 전극의 위치로 인해 균일하지 않다; 그리고 (3) 히트가 디바이스 동작동안 축적되는데, 이는 사파이어가 열적 전기적 절연체이기 때문이다.
이용가능한 조명 영역을 증가시키기 위해, 수직 LED가 개발되고 있다. 도 2에 도시된 바와 같이, 일반적인 수직 LED는 기판(10)(일반적으로 실리콘, GaAs 또는 Ge)을 갖는다. 이후, 기판(10) 위에, 천이 금속 다중층(12), p-GaN층(14), MQW층(16), n-GaN층(18)이 형성된다. 이후, n-전극(20)과 p-전극(22)이 전극으로서 선택된 영역상에 형성된다.
미국특허 출원번호 제 20040135158 호는 수직 LED 구조를 실현하기 위한 한 가지 방식을 보여주며, 이 한 가지 방식은, (a)사파이어 기판 위에 버퍼링층을 형성하는 단계; (b) 상기 버퍼링 층위에 복수의 마스크를 형성하는 단계로서, 상기 기판, 상기버퍼링 층 및 상기 복수의 마스크는 기판 유닛을 결합적으로 형성하는, 형성하는 단계; (c) 상기 복수의 마스크 위에 다중층의 에피택셜 구조를 형성하는 단계로서, 상기 다중층의 에피택셜 구조는 능동층; 상기 다중층 에피택셜 구조를 추출하는 단계를 포함하는, 에피택셜 구조를 형성하는 단계; (d) 추출 후에 상기 다중층 에피택셜 구조의 저면과 접합하는 상기 나머지 마스크를 제거하는 단계; (e) 상기 다중층 에피택셜 구조의 저면위에 금속 반사기를 코팅하는 단계; (f) 상기 금속 반사기에 전도성 기판을 접합하는 단계; 및 (g) 상기 다중층 구조의 상단 표면위에 p-전극과 상기 전도성 기판의 저면 위에 n-전극을 위치시키는 단계를 포함한다.
한 가지 측면에서, 발광 다이오드의 제조방법은, 캐리어 기판(carrier substrate) 위에 다중층의 에피택셜 구조를 형성하는 단계; 상기 다중층의 에피택셜 구조 위에 적어도 하나의 금속층을 증착하는 단계; 캐리어 기판(carrier substrate)을 제거하는 단계를 포함한다.
위 측면의 구현예는 다음 중의 하나 이상을 포함할 수 있다. 캐리어 기판(carrier substrate)은 사파이어가 될 수 있다. 금속층의 증착은 기판상의 구조에 대한 금속층의 접합 또는 접착을 포함하지 않는다. 금속층의 증착 공정은, 전기 화학적 증착, 비전기 화학적 증착, CVD 화학 증기 증착, MOCVD 금속 유기 CVD, PECVD 플라즈마 향상(enhance) CVD, ALD 원자층 증착, PVD 물리적 증기 증착, 증발(evaporation), 또는 플라즈마 스프레이, 또는 이들 기술의 조합을 사용하여 적용할 수 있다. 이 금속층은 단일 또는 다중층으로 될 수 있다. 금속층이 다중층인 경우, 다른 조직을 가진 복수의 금속층이 형성될 수 있고, 이 층들은 다른 기술들을 사용하여 증착될 수 있다. 실시예에서, 최대 두께의 층이 전기 또는 비전기 화학적 증착을 사용하여 증착될 수 있다.
다른 측면에서, 발광 다이오드의 제조 방법은, 캐리어 기판(carrier substrate)을 제공하는 단계; 다중층 에피택셜 구조를 증착하는 단계; 다중층 에피택셜 구조 위에 하나 이상의 금속층을 증착하는 단계; 에칭을 사용하여 하나 이상의 메사를 한정하는 단계; 하나 이상의 비-전도성 층을 형성하는 단계; 비전도성 층 부분을 제거하는 단계; 적어도 하나 이상의 금속층을 증착하는 단계; 캐리어 기판(carrier substrate)을 제거하는 단계를 포함한다.
위 측면의 구현예는 다음 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 금속층은 동일 또는 다른 조직을 사용할 수 있으며, 다양한 증착 기술을 사용하여 증착될 수 있다. 캐리어 기판의 제거는, 특히, 레이저, 에칭, 연삭/봉합(grinding/lapping) 또는 화학적 기계적 연마 또는 습식 에칭을 사용하여 이루어질 수 있다. 캐리어 기판은 사파이어, 실리콘 탄화물, 실리콘, 게르마늄, ZnO 또는 갈륨 비화물(gallium arsenide)이될 수 있다. 다중층 에피택셜 구조는 n-형 GaN층, InGaN/GaN층을 가지는 하나 이상의 양자 우물, 및 p-형 AlGaN/GaN층이 될 수 있다. 다중층 에피택셜 구조 위의 하나 이상의 금속층은 ITO(Indium Tin Oxide), Ag, Al, Cr, Ni, Au, Pt, Pd, Ti, Ta, TiN, TaN, Mo, W, 내화성 금속, 또는 금속 합금, 또는 이들 재료의 혼성물이 될 수 있다. 선택적으로 도핑된 반도체층은 다중층 에피택셜 구조와 금속층 사이에 형성될 수 있다. 메사는 중합체(예를 들면: 절연도료) 또는 경질성 마스크(예를 들면: SiO2, Si3N4, 알루미늄)을 사용하여 한정될 수 있다. 비-전도성 층은, SiO2, Si3N4, 다이아몬드 원소, 비-전도성 금속 산화 원소 또는 세라믹 원소 또는 이들 재료 중의 혼합물이 될 수 있다; 비-전도성 층은 단일층이 될 수 있거나 또는 복수의 비-전도성 층(예를 들면: Si3N4 상에 SiO2)을 가질 수 있다. 한 가지 구현예에서, 비-전도성 층은 측벽 보호층 또는 보호막이다. 비전도성 층 부분은 마스킹층을 사용하거나 또는 사용할 필요없이 전도층을 노광하기 위해 날림(lift-off) 또는 건식 에칭에 의해 제거될 수 있다. 전도체 층은 하나 이상의 금속층이 될 수 있다. 하나 이상의 금속층은 PDV(Physical Vapor Deposition), CVD(Chemical Vapor Deposition), PECVD(Plasma Enhanced CVD), 증기 증착(evaporation), 이온빔 증착, 전기 화학적 증착, 비전기 화학적 증착, 플라즈마 스프레이 또는 잉크젯 증착을 사용하여 증착될 수 있다. 금속층은 크롬(Cr), 백금(Pt), 니켈(Ni), 구리, 장벽물 금속 재료(예를 들면: 티타늄 질소화물, 텅스텐, 텡스텐 질소화물, 탄탈(tantalum) 질소화물), 몰리브덴(Mo) 텅스텐(W) 또는 금속합금을 포함한다. 하나 이상의 추가 금속층은 전기 화학적 도금 또는 비전기 화학적 도금에 의해 형성될 수 있다. 추가 금속층은 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 알루미늄(Al), 또는 이를 이용한 합금이 될 수 있다. 전도성 보호(금속층을 보호함)층이 증착될 수 있으며, 그리고 금속, 니켈(Ni), 크롬(Cr) 또는 아연(Zn), 금, Pt, Pd가 될 수 있다. 보호층은 다음중 하나를 포함한다: 비전도성 금속 산화물(하프늄(hafnium) 산화물, 티타늄 산화물, 탄탈 산화물(tantalum oxide)), 실리콘 이산화물, 실리콘 질소화물 또는 중합체 재료.
한 가지 실시예에서, Ag/Pt 또는 Ag/Pd 또는 Ag/Cr은 거울층으로 사용되며, Ni은 전기 도금을 위한 시드층(seed layer)(seed layer)으로서 금을 위한 장벽물로 사용된다. 거울층(예를 들면, Ag, Al, Pt, Ti, Cr)이 증착되고, 이후 산소로 충진된 TiN, TaN, TiWN, TiW와 같은 장벽물층이 Ni,Cu,W와 같은 금속의 전기 또는 비전기 화학적 증착에 앞서 거울층 위에 형성된다. 구리의 전기 화학적 증착의 경우, 시드층(seed layer)은 CVD, MOCVD, PVD, ALD, 또는 증기 증착 공정을 사용하여 증착된다; 구리를 위한 일부 시드 재료(seed material)는 특히 W, Au, Cu 또는 Ni이 된다.
발광 다이오드의 제조를 위한 또 다른 방법에서, 공정은 캐리어 기판을 마련하는 단계; 다중층 에피택셜 구조를 증착하는 단계; 다중층 에피택셜 구조 위에 하나 이상의 금속층을 증착하는 단계; 하나 이상의 메사를 에칭하는 단계; 하나 이상의 비전도성 층을 형성하는 단계; 비 전도성 층 부분을 제거하는 단계; 하나 이상의 금속층을 증착하는 단계; 캐리어 기판을 제거하는 단계를 포함한다.
위 방법의 구현예는 다음 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 금속층은 동일 또는 다른 조직을 가질 수 있으며 다양한 증착기술을 사용하여 증착된다. 캐리어 기판 제거는, 다른 것들 중, 레이저, 에칭, 연삭/봉합 또는 화학적 기계적 연마 또는 습식 에칭을 사용하여 이루어질 수 있다. 캐리어 기판은 사파이어가 될 수 있다. 이 금속층의 증착 공정은 ECD(Electro Chemical Deposition) 또는 ElessCD(Electroless Chemical deposition: 비전기 화학적 증착)이 될수 있다; 전기 화학적 또는 비전기 화학적 증착 기술을 사용하여 금속층을 증착하기 전에, 밑바닥 전도성 층을 위한 선택적 단계가 사용된다(예를 들면, 구리, 니켈의 ECD에 앞서, 구리, 니켈, 텅스텐의 시드층(seed layer)은 증발, 스퍼터링 또는 CVD, MOCVD를 사용하여 먼저 증착된다). 금속층의 증착공정은 CVD, PECVD, PVD, 증발, 또는 플라즈마 스프레이를 포함할 수 있다. 전극은 다중층 구조상에 놓일 수 있다. 하나 이상의 추가 금속층이 원래의 금속층 위에 형성될 수 있다.
발광 다이오드를 제조하기 위한 또 다른 방법에서, 공정은 캐리어 기판을 마련하는 단계; 다중층 에피택셜 구조를 증착하는 단계; 하나 이상의 메사를 에칭하는 단계; 하나 이상의 비전도성 층을 형성하는 단계; 비 전도성 층 부분을 제거하는 단계; 하나 이상의 금속층을 증착하는 단계; 캐리어 기판을 제거하는 단계를 포함한다.
위 방법의 구현예는 다음 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 금속층은 동일 또는 다른 조직을 가질 수 있으며 다양한 증착기술을 사용하여 증착된다. 캐리어 기판 제거는, 다른 것들 중, 레이저, 에칭, 연삭/봉합 또는 화학적 기계적 연마 또는 습식 에칭을 사용하여 이루어질 수 있다. 캐리어 기판은 사파이어가 될 수 있다. 이 금속층의 증착 공정은 ECD(Electro Chemical Deposition) 또는 ElessCD(Electroless Chemical deposition: 비전기 화학적 증착)이 될수 있다; 전기 화학적 또는 비전기 화학적 증착 기술을 사용하여 금속층을 증착하기 전에, 밑바닥 전도성 층을 위한 선택적 단계가 사용된다(예를 들면, 구리, 니켈의 ECD에 앞서, 구리, 니켈, 텅스텐의 시드층(seed layer)은 증발, 스퍼터링 또는 CVD, MOCVD를 사용하여 먼저 증착된다). 금속층의 증착공정은 CVD, PECVD, PVD, 증발, 또는 플라즈마 스프레이를 포함할 수 있다. 전극은 다중층 구조상에 놓일 수 있다. 하나 이상의 추가 금속층이 하층 금속을 보호하기 위해 원래의 금속층 위에 형성될 수 있다.
추가 측면에서, 발광 다이오드의 제조 방법은, 기판(예를 들면, 사파이어 기판과 같은)위에 다중층 에피택셜 구조를 형성하는 단계, 에픽택셜층 위에 금속층을 증착하는 단계(시드 금속층(seed metal layer)의 상단상에 전기 또는 비전기 화학적 도금을 사용하고; 증발, CVD, PVD 스퍼터링을 사용하여 증착된 구리 또는 니켈 또는 텅스텐 또는 Pd의 시드층(seed layer)의 상단상에 구리 또는 니켈 도금을 사용한다. 시드층(seed layer)은 TaN, TiN, TiWN, TiWOx 또는 텅스텐 질소화물의 장벽물 금속상에 증착된다), 및 기판을 제거하는 단계(예를 들면, 레이저 날림(lift-off) 기술, 습식 에칭 또는 CMP를 사용)를 포함한다.
한 가지 구현예에서, 다중층 에피택셜 구조는 금속 도금층에 연결된 반사성 금속층; 반사성 금속층에 연결된 비-전도성 보호층; 보호층에 연결된 p-GaN층; p-GaN층에 연결된 다중-양자 우물(MQW: Multi-Quantum Well)층; MQW층에 연결된 n-GaN층; n-GaN층에 연결된 n-전극을 포함한다.
금속층은 단일 또는 다중층이 될 수 있다. 금속층이 다중층인 경우, 다른 조직을 가지는 복수의 금속층이 형설될 수 있으며, 이 층들은 다른 기술들을 사용하여 증착될 수 있다. 한 가지 실시예에서, 가장 두꺼운층은 전기 또는 비전기 화학적 증착을 이용하여 증착된다.
한 가지 실시예에서, Ag/Pt 또는 Ag/Pd 또는 Ag/Cr은 거울층으로 사용되며, Ni은 벌크 기판(bulk substrate)으로서 사용되는 구리 도금을 위한 시드층(seed layer)(seed layer)으로서 금을 위한 장벽물로 사용된다. 거울층(예를 들면, Ag, Al, Pt, Ti, Cr)이 증착되고, 이후 산소로 충진된 TiN, TaN, TiWN, TiW와 같은 장벽물층이 Ni, Cu와 같은 금속의 전기 또는 비전기 화학적 증착에 앞서 거울층 위에 형성된다. 구리의 전기 화학적 증착의 경우, 시드층(seed layer)은 특히, CVD, MOCVD, PVD, ALD, 또는 Au, Cu 또는 Ni을 이용하는 증기 증착 공정을 사용하여 증착된다.
또 다른 측면에서, 발광 다이오드의 제조 방법은, 사파이어 기판 위에 다중층 에피택셜 구조를 형성하는 단계로서, 상기 다중층 에피택셜 구조는 다중-양자 우물(MQW: Multi-Quantum Well)층을 포함하는, 형성하는 단계; 다중층 에피택셜 구조위에 금속 도금 층을 코팅하는 단계; 및 다중층 구조의 표면상에 n-전극을 마련하는 단계를 포함한다. 이 p-전극은 금속 도금층에 연결되거나, 금속 도금층 자체가 p-전극으로서 동작한다.
위 측면의 구현예는 다음 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 금속 도금층은 전기 또는 비전기 화학적 도금에 의해 형성될 수 있다. 또한, 금속 도금층은, 비전기 화학적 도금을 사용하고 폴리이미드(polyimide)층을 가진 사파이어 기판을 보호함으로써 형성될 수 있다. 이 사파이어 기판은 LLO(Laser Lift-Off)기술을 사용하여 제거될 수 있다. 다중층 에피택셜층은, 금속 도금층에 연결된 반사성 금속층; 반사성 금속층에 연결된 비-전도성 보호층; 보호층에 연결된 p-GaN층; MQW층에 연결된 n-GaN층; n-GaN층에 연결된 n-전극을 가질 수 있고; 금속 도금층은 p-전극 또는 금속 도금층에 연결된 p-전극을 갖는다.
또 다른 측면에서, 발광 디바이스(LED: Light-Emitting Device)를 위한 수직 디바이스는, 다중-양자 우물(MQW) 능동층을 포함하는 다중층 에피택셜 구조를 사파이어 기판 위에 형성하는 단계; 다중층 에피택셜 구조위에 금속층을 코팅하는 단계; 사파이어 기판을 제거하는 단계; 및 다중층 구조의 표면상에 n-전극을 마련하는 단계에 의해 제조될 수 있으며, 금속층은 p-전극이거나, 또는 금속층에 연결된 p-전극을 갖는다.
금속층은 단일 또는 다중층이 될 수 있다. 금속층이 다중층인 경우, 다른 조직을 가지는 복수의 금속층이 형설될 수 있으며, 이 층들은 다른 기술들을 사용하여 증착될 수 있다. 한 가지 실시예에서, 가장 두꺼운층은 전기 또는 비전기 화학적 증착을 이용하여 증착된다.
한 가지 실시예에서, Ag/Pt 또는 Ag/Pd 또는 Ag/Cr은 거울층으로 사용되며, Ni은 벌크 기판(bulk substrate)으로서 사용되는 구리 도금을 위한 시드층(seed layer)(seed layer)으로서 금을 위한 장벽물로 사용된다. 거울층(예를 들면, Ag, Al, Ti, Cr, Pt)이 증착되고, 이후 산소로 충진된 TiN, TaN, TiWN, TiW와 같은 장벽물층이 Ni, Cu와 같은 금속의 전기 또는 비전기 화학적 증착에 앞서 거울층 위에 형성된다. 구리의 전기 화학적 증착의 경우, 시드층(seed layer)은 특히, CVD, MOCVD, PVD, ALD, 또는 Au, Cu 또는 Ni을 이용하는 증기 증착 공정을 사용하여 증착된다.
또 다른 측면에서, 수직 LED는, 임시 기판 위에 형성된 다중층 에피택셜층; 에피택셜층 위에 형성된 금속 도금층을 포함하며, 전기 화학적 또는 비전기 화학적 증착 기술을 사용하여 금속층을 증착하기에 앞서, 밑바닥 전도성 층을 위한 선택적 단계가 사용되고(예를 들면, 구리, 니켈의 ECD에 앞서 증발, 스퍼터링 또는 CVD, MOCVD를 사용하여 먼저 구리, 니켈, 텅스텐의 시드층(seed layer)이 증착됨), 여기서 임시 기판은 금속 도금층을 형성한 이후 레이저 날림(LLO: Laser Lift-Off)을 사용하여 제거된다.
한 가지 실시예에서, Ag/Pt 또는 Ag/Pd 또는 Ag/Cr은 거울층으로 사용되며, Ni은 벌크 기판(bulk substrate)으로서 사용되는 구리 도금을 위한 시드층(seed layer)(seed layer)으로서 금을 위한 장벽물로 사용된다. 거울층(예를 들면, Ag, Al, Pt, Ti, Cr)이 증착되고, 이후 산소로 충진된 TiN, TaN, TiWN, TiW와 같은 장벽물층이 Ni, Cu와 같은 금속의 전기 또는 비전기 화학적 증착에 앞서 거울층 위에 형성된다. 구리의 전기 화학적 증착의 경우, 시드층(seed layer)은 특히, CVD, MOCVD, PVD, ALD, 또는 Au, Cu 또는 Ni을 이용하는 증기 증착 공정을 사용하여 증착된다.
또 다른 한 측면에서, 수직 발광 다이오드는, 금속 도금층; 금속 도금층에 연결된 반사성 금속층; 반사성 금속층에 연결된 비-전도성 보호층; 보호층에 연결된 p-GaN층; p-GaN층에 연결된 다중-양자 우물(MQW: Multi-Quantum Well)층; MQW층에 연결된 n-GaN층; 및 n-GaN층에 연결된 n-전극; 및 금속 도금층에 연결된 p-전극을 포함한다.
한 가지 실시예에서, Ag/Pt 또는 Ag/Pd 또는 Ag/Cr은 거울층으로 사용되며, Ni은 벌크 기판(bulk substrate)으로서 사용되는 구리 도금을 위한 시드층(seed layer)(seed layer)으로서 금을 위한 장벽물로 사용된다. 거울층(예를 들면, Ag, Al, Pt, Ti, Cr)이 증착되고, 이후 산소로 충진된 TiN, TaN, TiWN, TiW와 같은 장벽물층이 Ni, Cu와 같은 금속의 전기 또는 비전기 화학적 증착에 앞서 거울층 위에 형성된다. 구리의 전기 화학적 증착의 경우, 시드층(seed layer)은 특히, CVD, MOCVD, PVD, ALD, 또는 Au, Cu 또는 Ni을 구비하는 증발 공정을 사용하여 증착된다.
본 발명의 이점은 다음 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 웨이퍼 접합(wafer bonding) 또는 접착이 사용되지 않으며, 복잡하고 긴 한 번에 하나의 웨이퍼 접합/접착 공정은 덜 복잡한 증착 공정, 예를 들면 PVD(Physical Vapor Deposition), CVD(Chemical Vapor Deposition), PECVD(Plasma Enhanced CVD), 증기 증착, 이온빔 증착, 전기 화학적 증착, 비전기 화학적 증착, 플라즈마 스프레이, 또는 잉크젯 증착에 의해 대체된다. n-전극을 위한 반-투명한 접촉면이 필요없는데, 이는 n-GaN 전도성이 양호하고, 결과적으로 더 많은 광출력이 LED 디바이스로부터 방출될 수 있기 때문이다. 더욱이, 단지 하나의 전극만이 디바이스의 한쪽면에만 요구되며, LED 전극은 광을 덜 차단한다. 덧붙여, 전류는 n-전극으로부터 p-전극으로 균일하게 확산될 수 있으며, 따라서 LED 성능을 증가시킨다. 게다가, 금속 기판은 사파이어 기판보다 더 많은 히트를 소멸시킬 수 있으며, 따라서 더 많은 전류가 LED를 구동하기 위해 사용될 수 있다. 이러한 LED는 더 작은 사이즈로 종래 LED를 대체할 수 있다. 동일한 LED 사이즈과 비교하여, 수직 LED로부터 출력된 광은 동일한 구동 전류에 대하여 종래 LED보다 상당히 더 높다.
일반인이라도, 다음의 바람직한 실시예의 설명과 첨부된 도면을 쭉 읽으면, 본 발명의 다른 특징, 기술적 개념 및 목적을 더 좋게 이해할 수 있을 것이다.
자의 특성에 대한 측정을 획득하는 단계; 및 코드의 콜렉션으로부터 선택된 코드를 사용하여 물리적 식별자로부터 키를 추출하는 단계로서, 상기 콜렉션에서 각 코드는 특성의 값 세트로부터 키의 세트로 순서화된 매핑을 정의하는, 측정을 획득하는 단계를 포함하며; 여기서, 상기 코드의 콜렉션은 상기 순서화된 매핑이 상기 콜렉션에서 다른 코드 중 하나의 순서화된 매핑의 치환인 적어도 하나의 코드를 포함한다.
이제 본 발명은 다음 도면을 참조하여, 단지 예시를 위해 기술될 것이다.
도 1은 종래 기술의 종래 LED를 보여주는 도면.
도 2는 종래 기술의 수직 LED를 보여주는 도면.
도 3 내지 8은 수직 LED를 제조하기 위해 예시적인 공정에서의 동작을 보여주는 도면.
상세한 설명을 읽을 경우, 첨부 도면은 동시에 참조될 수 있으며, 상세한 설명의 일부로서 고려될 수 있다.
도 3 내지 8을 참조하면, 수직 LED를 위한 제조 방법이 여기에 예시된다. 설명에서, 본 발명의 디바이스 구조를 위해 주어진 참조 번호는 또한 본 발명의 제조 방법의 단계에 대한 서술에서 사용될 것이다.
이하에서 기술된 공정은 사파이어 상에서 초기에 성장된 InGaN LED를 가진 한 가지 실시예를 위한 것이다. 따라서, 전기 또는 비전기(electroless) 화학적 도금이 이 결과로서 발생하는 LED 디바이스를 위한 전기적 및 열적 전도를 위한 두꺼운 접촉면을 증착하기 위해 사용된다. 전기 또는 비전기 화학적 도금은 웨이퍼 접합을 대신하여 사용된다. 이 공정은 접합이 광학적, 전기적 및 열적 특성의 개선을 위해 새로운 호스트 기판(host substrate)에 에피층(epilayer)을 덧붙이기 위해 사용되는, 임의의 광전자 디바이스에 적용될 수 있다.
이제 도면을 참조하면, 도 3은 캐리어(40)상에 예시적인 InGaN LED의 다중층 에픽택셜 구조를 보여주며, 여기서 캐리어는 한 가지 실시예에서 사파이어 기판이 될 수 있다. 사파이어 기판(40) 위에 형성된 다중층 에피택셜 구조는 n-GaN 기반층(42), MQW 능동층(44) 및 접촉면층(46)을 포함한다. 이 n-GaN 기반층(42)은 예를 들면, 약 4 미크론의 두께를 가진다.
MQW 능동층(44)은 InGaN/GaN(또는 AlGaN/GaN) MQW 능동층이 될 수 있다. 일단 전기적 전류가 n-GaN 기반층(42) 및 접촉면층(46) 사이를 통과하면, MQW 능동층(44)은 여기될 수 있어, 광을 발생한다. 생성된 광은 250nm 내지 600nm 사이의 파장을 갖는다. p-층은 p+-GaN, p+-InGaN 또는 p+-AlInGaN층과 같은 p+-GaN 기반층이 될 수 있으며, 이에 따른 두께는 0.01 - 0.5 미크론 사이일 수 있다.
다음으로, 도 4에 도시된 바와 같이. 메사(mesa) 한정 공정이 실행되며, p-형 접촉면(48)이 접촉면층(46) 위에 형성된다. 다중층 에피택셔 구조 위의 접촉면(48)은 특히, ITO(Indium Tin Oxide), Ag, Al, Cr, Ni, Au, Pt, Pd, Ti, Ta, TiN, TaN, Mo, W, 내화성 금속, 또는 금속 합금, 또는 이들 재료의 혼합물(예를 들면, Ni/Au)이 될 수 있다. 덧붙여, 금속 접촉면과 같은 직접 반사된 Ag 증착이 또한 형성될 수 있다. 도 4에서, 개별 LED 디바이스는 메사 한정을 따라 형성된다. 이온 연결 플라즈마 에칭은 별도의 디바이스로 GaN을 에칭하기 위해 사용된다.
다음으로, 도 5에 도시된 바와 같이, 보호층(50)이 증착되고, 접촉면층(46)에 반사성 금속(52)을 허용하기 위해 보호층(50)으로 에칭된 윈도우에서, 반사성 금속 증착이 다른 것들 중 Al, Ag, Ni, Pt 및 Cr과 같은 반사성 금속(52)을 형성하기 위해 실행된다. 보호층(50)은 비-전도성이다. 반사성 금속(52)은 거울 표면을 형성한다.
도 6은 얇은층 또는 다중-금속층(53)(다른 것들 중 Cr, Pt, Pt/Au, Cr/Au, Ni/Au, Ti/Au, TaN/Au )이 이 구조 위에 증착되어 전기/비전기 화학적 도금 공정을 위한 장벽물/시드층(seed layer)으로 작용한다는 것을 도시한다. 그러나, 만일 비전기 공정, 스퍼터링 또는 매그네토-스퍼터링(magneto-sputtering) 공정이 전기도금을 대신하여 사용된다면, 증착 공정 동작은 필요하지 않다. 금속 기판층(60)은 그 위에 증착된다.
도 7을 참조하면, 다중층 에픽택셜 구조는 전기 및 비전기 화학적 도금과 같은 기술을 사용하여 금속 도금층(60)으로 코팅된다. 비전기 화학적 도금의 경우, 사파이어 기판(40)은 폴리이미드층(polyimide layer) 또는 코팅을 사용하여 보호되며, 이들 폴리이미드층 및 코팅은 다른 것들 중 Ni 또는 Cu와 같은 비교적 두꺼운 금속의 비전기 도금된 금속 또는 사파이어를 손상시키지 않으면서도 쉽게 제거될 수 있다.
다음으로, 사파이어 기판(40)이 제거된다. 도 8에 도시된 한 가지 실시예에서, 레이저 날림(LLO: Laser Lift-Off) 동작이 사파이어 기판(40)에 적용된다. 레이저 날림법을 사용하는 사파이어 기판 제거는 공지되어 있는데, 이는 "Separation of Thin Films From Transparent Substrates By Selective Optical Processing"으로 명칭된, Chenung 등의 참조 미국특허번호 제 6, 071,795 호(2000.6.6 발행) 및 Kelly 등의 "Optical process for liftoff of group Ⅲ-nitride films"(Physica Status Solidi(a) 제159권, R3 - R4 페이지, 1997년)가 된다. 더욱이, 사파이어(또는 다른 절연 및/또는 경질성 재질) 기판상의 GaN 반도체층을 제조하는 매우 유리한 방법이 "A Method of Fabricating Vertical Devices Using a Metal Support 5 Film"으로 명칭된 미국특허 출원번호 제 10/118,317 호(유명철, 2002.4.9 출원) 및 "Method of Fabricating Vertical Structure"이라 명칭된 미국특허 출원번호 제 10/118,316 호(리 등(等), 2002,4,9 출원)에서 교수된다. 추가적으로, GaN 및 사파이어(및 다른 재료)를 에칭하는 방법이 "A Method to Improve Light Output of GaN-Based Light Emitting Diodes"로 명칭된 미국특허 출원번호 제 10/118,318 호(염 등, 2002.4.9 출원)에서 교수되며, 이들 모두는 완전히 설명된 것처럼 본 발명에 참조로 병합되어 있다. 다른 실시예에서, 사파이어 기판은 습식 또는 건식 에칭, 또는 화학적 기계적 연마에 의해 제거된다.
도 8에 도시된 바와 같이, n-형 전극/접합 패드(70)은 수직 LED를 완성하기 위해 n-GaN층(42)의 상단상에 패턴화된다. 한 가지 실시예에서, Ni/Cr(Ni은 n-GaN와 접촉한다)와 같은 접합 패드(70)는 CVD, PVP 또는 e빔 증발을 사용하여 증착될 수 있다; 이 접합 패드(70)는 마스킹층에 습식 또는 건식 에칭을 하거나, 네거티브 마스킹층(네거티브 마스킹층은 재료를 가지지 않은 경우를 나타낸다)에 날림 기술을 사용함으로써 형성된다.
얇은 금속층 또는 필름(53)이 금속 도금층(60)의 시딩(seeding) 재료 목적으로서 제공된다. 금속 도금층(60)이 전기 화학적 증착 또는 비전기 화학적 증착을 사용하여 필름(53)의 상단상에 도금될 수 있는 한, 이 얇은 금속 필름(53 )은 금속 도금층(60)과 동일한 또는 다른 재료가 될 수 있다.
본 발명이 예와 바람직한 실시예에 의하여 기술되었을 지라도, 본 발명은 이에 제한되지 않음을 이해해야 할 것이다. 반대로, 본 발명은 다양한 개조 및 유사한 구성 및 절차를 다루는 것이 의도이며, 따라서 첨부된 청구항의 보호범위는 이러한 모든 개조 및 유사한 구성 및 절차를 망라하기 위해 최대한 넓은 해석을 따라야 할 것이다.
따라서, 본 발명은, 일반적으로 발광 다이오드 및 이 다이오들 제조하는 방법에 이용가능하다.
Claims (47)
- 발광 다이오드의 제조 방법으로서,캐리어 기판(carrier substrate) 위에 다중층의 에피택셜 구조를 형성하는 단계;상기 다중층의 에피택셜 구조 위에 적어도 하나의 금속층을 증착하는 단계; 및캐리어 기판(carrier substrate)을 제거하는 단계를 포함하는, 발광 다이오드의 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 캐리어 기판(carrier substrate)은 사파이어를 포함하는, 발광 다이오드의 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 금속층을 증착하는 단계는 전기 화학적 증착을 포함하는, 발광 다이오드의 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 금속층을 증착하는 단계는 하나 이상의 비전기(electroless) 화학적 증 착에 뒤이은 적어도 하나의 금속층을 증착하는 단계를 포함하는, 발광 다이오드의 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 금속층을 증착하는 단계는, CVD, PECVD, PVD, ALD, MOCVD, 증발, 및 플라즈마 스프레이 중 하나를 사용하여 적용하는 단계를 포함하는, 발광 다이오드의 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 금속층위에 하나 이상의 추가 금속층을 추가하는 단계를 포함하는, 발광 다이오드의 제조 방법.
- 발광 다이오드의 제조 방법으로서,캐리어 기판을 마련하는 단계;다중층 에피택셜 구조를 증착하는 단계;상기 다중층 에피택셜 구조 위에 하나 이상의 금속층을 증착하는 단계;에칭을 사용하여 하나 이상의 메사(mesa)를 한정하는 단계;하나 이상의 비-전도층을 형성하는 단계;상기 비-전도층 부분을 제거하는 단계;적어도 하나의 금속층을 증착하는 단계; 및상기 캐리어 기판을 제거하는 단계를 포함하는, 발광 다이오드의 제조 방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 캐리어 기판은, 사파이어, 실리콘 탄화물, ZnO, 실리콘 및 갈륨 비화물 중 하나를 포함하는, 발광 다이오드의 제조 방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 다중층 에피택셜 구조는,n-형 GaN 또는 AlGaN층,InGaN/GaN층을 구비하는 하나 이상의 양자 우물, 및p-형 GaN 또는 AlGaN층을 포함하는, 발광 다이오드의 제조 방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 다중층 에피택셜 구조 위의 하나 이상의 금속층은, ITO(Indium Tin Oxide), 은, Al, Cr, Pt, Ni, Au, Mo, W, 내화성 금속, 또는 금속합금 또는 금속층 중 하나를 포함하는, 발광 다이오드의 제조 방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 다중층 에피택셜 구조 및 금속층 사이의 선택적으로 도핑된 반도체층을 포함하는, 발광 다이오드의 제조 방법.
- 제 7 항에 있어서,메사는 에칭을 위한 중합체 및/또는 경질성 마스크를 사용하여 한정되는, 발광 다이오드의 제조 방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 비-전도성층은, SiO2, Si3N4, 필름같은 다이아몬드, 비-전도성 금속 산화원소 또는 세락믹 원소 중 하나를 포함하는, 발광 다이오드의 제조 방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 비-전도성층 부분을 제거하는 단계를 포함하는, 발광 다이오드의 제조 방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 부분을 제거하는 단계는, 전도층을 노광하기 위해 날림, 습식 또는 건식 에칭하는 단계를 포함하는, 발광 다이오드의 제조 방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 전도층은 하나 이상의 금속층을 포함하는, 발광 다이오드의 제조 방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 전도층은 보호층의 상단상에 증착되고, 상기 보호층은 하나 이상의 비-전도성 층을 포함하는, 발광 다이오드의 제조 방법.
- 제 7 항에 있어서,하나 이상의 금속층을 증착하는 단계는, PVD(Physical Vapor Deposition), CVD(Chemical Vapor Deposition), PECVD(Plasma Enhanced CVD), 증발, 이온빔 증착, 전기 화학적 증착, 비전기 화학적 증착, 플라즈마 스프레이, 또는 잉크젯 증착을 포함하는, 발광 다이오드의 제조 방법.
- 제 7 항에 있어서,PVD, 증발, 이온 빔 증착, CVD, 또는 e-빔 증착 중 하나를 사용하여 하나 이상의 금속층을 증착하는 단계를 포함하는, 발광 다이오드의 제조 방법.
- 제 19 항에 있어서,하나의 금속층은, 크롬(Cr), 백금(Pt), 니켈(Ni), 탄탈 질소화물(tantalum nitride) 상의 구리(copper on tatalum nitride), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W) 또는 금속합금 중 하나를 포함하는, 발광 다이오드의 제조 방법.
- 제 7 항에 있어서,전기 화학적 도금 또는 무전극 화학적 도금에 의해 추가 금속층 중 하나 이상을 형성하는 단계를 포함하는, 발광 다이오드의 제조 방법.
- 제 7 항에 있어서,구리, 텅스텐, 금, 니켈, 크롬, 팔라듐(paladium), 백금(platium) 또는 이들의 합금을 포함하는 시드층(seed layer) 상에 전기 화학적 도금 또는 무전극 화학적 도금에 의해 추가 금속층 중 하나 이상을 형상하는 단계는 , 발광 다이오드의 제조 방법.
- 제 22 항에 있어서,상기 추가 금속층의 하나는 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 알루미늄(Al) 또는 이들의 합금을 포함하는, 발광 다이오드의 제조 방법.
- 제 7 항에 있어서,비-전도성 보호층을 증착하는 단계를 더 포함하는, 발광 다이오드의 제조 방법.
- 제 24 항에 있어서,상기 보호층은, 비전도성 금속 산화물(하프늄 산화물, 티타늄 산화물, 탄탈(tatalum) 산화물), 실리콘 이산화물, 실리콘 질소화물 또는 중합체 재료 중 하나를 포함하는, 발광 다이오드의 제조 방법.
- 제 7 항에 있어서,습식 에칭, 화학적 기계적 연마 또는 건식 에칭을 사용하여 상기 보호층 부분을 제거하는 단계를 포함하는, 발광 다이오드의 제조 방법.
- 제 7 항에 있어서,구리(Cu), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 백금(Pt), 아연(Zn), 이들의 합금 중 하나를 포함하는 마지막 금속을 증착하는 단계를 포함하는, 발광 다이오드의 제조 방법.
- 제 7 항에 있어서,레이저, CMP, 습식 에칭, 주입(implanting) 중 하나를 이용하여 사파이어 기판을 제거하는 단계를 포함하는, 발광 다이오드의 제조 방법.
- 발광 다이오드의 제조 방법으로서,캐리어 기판을 마련하는 단계;다중층 에피택셜 구조를 증착하는 단계;에칭을 사용하여 하나 이상의 메사를 한정하는 단계;하나 이상의 비-전도성 층을 형성하는 단계;하나 이상의 비-전도성 층의 부분을 제거하는 단계;하나 이상의 금속층을 증착하는 단계;상기 캐리어 기판을 제거하는 단계를 포함하는, 발광 다이오드의 제조 방법.
- 제 29 항에 있어서,상기 캐리어 기판은 사파이어를 포함하는, 발광 다이오드의 제조 방법.
- 제 29 항에 있어서,메사는 에칭을 위한 중합체 및/또는 경질성 마스크를 사용하여 한정되는, 발광 다이오드의 제조 방법.
- 제 29 항에 있어서,비-전도성 보호층을 증착하는 단계를 포함하는, 발광 다이오드의 제조 방법.
- 제 29 항에 있어서,상기 보호층은, 비전도성 금속 산화물, 실리콘 이산화물, 실리콘 질소화물, 중합체 재료 중 하나를 포함하는, 발광 다이오드의 제조 방법.
- 제 32 항에 있어서,습식 에칭, 화학적 기계적 연마, 건식 에칭 중 하나를 사용하여 상기 보호층 부분을 제거하는 단계를 포함하는, 발광 다이오드의 제조 방법.
- 제 29 항에 있어서,구리, 텅스텐, 금, 니켈, 크롬, 팔라듐(paladium), 백금(platium) 또는 이들의 합금 중 하나를 포함하는 시드층(seed layer) 상에 전기 화학적 도금 또는 무전극 화학적 도금에 의해 추가 금속층 중 하나 이상을 형성하는 단계는 , 발광 다이오드의 제조 방법.
- 제 35 항에 있어서,PVD(Physical Vapor Deposition), CVD(Chemical Vapor Deposition), PECVD(Plasma Enhanced CVD), 증발, 이온빔 증착 중 하나를 사용하여 증착된 Ag, Al, Ti, Cr, Pt, Pd, Ag/Pt, Ag/Pd, Ag/Cr를 포함하는 거울층의 상단상에 시드층(seed layer)을 형상하는 단계를 포함하는, 발광 다이오드의 제조 방법.
- 제 29 항에 있어서,상기 금속층 위에 하나 이상의 추가 금속층을 증착하는 단계를 포함하는, 발광 다이오드의 제조 방법.
- 제 29 항에 있어서,상기 캐리어 기판을 제거하는 단계는, 레이저 날림(LLO: Laser Lift-Off) 기술을 사용하는 단계를 포함하는, 발광 다이오드의 제조 방법.
- 제 29 항에 있어서,상기 캐리어 기판을 제거하는 단계는 건식 에칭, 화학적 제거 기술 또는 화학적 기계적 제거 기술을 사용하는 단계를 포함하는, 발광 다이오드의 제조 방법.
- 발광 다이오드의 제조 방법으로서,캐리어 기판을 마련하는 단계;p-노드, 다중-양자 우물(MQW: Multi-Quantum Well) 및 n-노드를 가지는 다중층 에피택셜 구조를 증착하는 단계;상기 p-노드에 전기적으로 연결된 상기 다중층 에피택셜 구조 위에 하나 이상의 제 1 금속층을 증착하는 단계;에칭을 사용하여 하나 이상의 메사를 한정하는 단계;하나 이상의 비전도성층을 형성하는 단계;상기 비전도성층 부분을 제거하는 단계;상기 제 1 금속층 중 하나에 전기적으로 연결된 하나 이상의 제 2 금속층을 증착하는 단계로서, 상기 제 2 금속층 중 하나는 전기적으로 상기 n-노드와 MQW로부터 절연되어 있는, 증착하는 단계; 및상기 캐리어 기판을 제거하는 단계플 포함하는, 발광 다이오드의 제조 방법.
- n-GaN 성층 LED 웨이퍼(n-GaN up LED wafer)를 제조하는 방법으로서,캐리어 기판을 마련하는 단계;상기 캐리어 기판 위에 n-GaN 부분을 증착하는 단계;상기 n-GaN 부분 위에 능동층을 증착하는 단계;상기 능동층 위에 p-GaN 부분을 증착하는 단계;하나 이상의 금속층을 증착하는 단계;마스킹층을 적용하는 단계;상기 금속층, p-GaN층, 능동층 및 n-GaN층을 에칭하는 단계;상기 마스킹층을 제거하는 단계;보호층을 증착하는 단계;상기 금속층을 노광하기 위해 상기 p-GaN의 상단상에 있는 상기 보호층 부분을 제거하는 단계;하나 이상의 금속층을 증착하는 단계;금속 기판을 증착하는 단계;상기 n-GaN 표면을 노광하기 위해 상기 캐리어 기판을 제거하는 단계를 포함하는, n-GaN 성층 LED 웨이퍼를 제조하는 방법.
- 제 41 항에 있어서,상기 n-GaN 성층 LED 웨이퍼는 실질적으로 매끄럽고 평평한, n-GaN 성층 LED 웨이퍼를 제조하는 방법.
- 제 42 항에 있어서,상기 n-GaN 성층 LED 웨이퍼는 10000 Å(angstrom) 보다 적은 표면 거칠기를 가지는, n-GaN 성층 LED 웨이퍼를 제조하는 방법.
- 제 41 항에 있어서,상기 캐리어 기판은 사파이어인, n-GaN 성층 LED 웨이퍼를 제조하는 방법.
- 제 41 항에 있어서,상기 금속 기판은 전기 화학적 도금, 비전기 화학적 도금, 스퍼터링, 화학적 증기 증착, e빔 증발, 열적 스프레이 중 하나를 사용하여 증착되는, n-GaN 성층 LED 웨이퍼를 제조하는 방법.
- 제 41 항에 있어서,상기 금속 기판은 구리, 니켈, 알루미늄, Ti, Ta, Mo, W 중 하나를 포함하는 금속 또는 금속 합금인, n-GaN 성층 LED 웨이퍼를 제조하는 방법.
- 제 41 항에 있어서,상기 캐이어 기판은 레이저 날림(LLO), 습식 에칭, 화학적 기계적 연마 중 하나를 사용하여 제거되는, n-GaN 성층 LED 웨이퍼를 제조하는 방법.
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| US8871547B2 (en) | 2005-01-11 | 2014-10-28 | SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. | Method for fabricating vertical light emitting diode (VLED) structure using a laser pulse to remove a carrier substrate |
| US8802465B2 (en) | 2005-01-11 | 2014-08-12 | SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. | Method for handling a semiconductor wafer assembly |
| US8318519B2 (en) * | 2005-01-11 | 2012-11-27 | SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. | Method for handling a semiconductor wafer assembly |
| TWI247441B (en) * | 2005-01-21 | 2006-01-11 | United Epitaxy Co Ltd | Light emitting diode and fabricating method thereof |
| US7932111B2 (en) * | 2005-02-23 | 2011-04-26 | Cree, Inc. | Substrate removal process for high light extraction LEDs |
| KR100976311B1 (ko) * | 2005-09-16 | 2010-08-16 | 쇼와 덴코 가부시키가이샤 | 질화물 반도체 발광장치 제조 방법 |
| DE102005053274A1 (de) * | 2005-09-30 | 2007-04-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von Halbleiterchips und Halbleiterbauelement |
| CN100474642C (zh) * | 2005-10-27 | 2009-04-01 | 晶能光电（江西）有限公司 | 含有金属铬基板的铟镓铝氮半导体发光元件及其制造方法 |
| KR100640496B1 (ko) * | 2005-11-23 | 2006-11-01 | 삼성전기주식회사 | 수직구조 질화갈륨계 발광다이오드 소자 |
| SG133432A1 (en) | 2005-12-20 | 2007-07-30 | Tinggi Tech Private Ltd | Localized annealing during semiconductor device fabrication |
| US7615789B2 (en) * | 2006-05-09 | 2009-11-10 | SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. | Vertical light emitting diode device structure |
| SG140473A1 (en) | 2006-08-16 | 2008-03-28 | Tinggi Tech Private Ltd | Improvements in external light efficiency of light emitting diodes |
| US20080087875A1 (en) * | 2006-10-11 | 2008-04-17 | Feng-Hsu Fan | Protection for the epitaxial structure of metal devices |
| US7781247B2 (en) * | 2006-10-26 | 2010-08-24 | SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. | Method for producing Group III-Group V vertical light-emitting diodes |
| GB2447091B8 (en) * | 2007-03-02 | 2010-01-13 | Photonstar Led Ltd | Vertical light emitting diodes |
| KR100856230B1 (ko) * | 2007-03-21 | 2008-09-03 | 삼성전기주식회사 | 발광장치, 발광장치의 제조방법 및 모놀리식 발광다이오드어레이 |
| US7683380B2 (en) * | 2007-06-25 | 2010-03-23 | Dicon Fiberoptics, Inc. | High light efficiency solid-state light emitting structure and methods to manufacturing the same |
| GB2455489B (en) * | 2007-08-22 | 2012-05-30 | Photonstar Led Ltd | High thermal performance packaging for optoelectronics devices |
| GB0721957D0 (en) * | 2007-11-08 | 2007-12-19 | Photonstar Led Ltd | Ultra high thermal performance packaging for optoelectronics devices |
| GB0722054D0 (en) * | 2007-11-09 | 2007-12-19 | Photonstar Led Ltd | LED with enhanced light extraction |
| KR101449005B1 (ko) | 2007-11-26 | 2014-10-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
| US8916890B2 (en) * | 2008-03-19 | 2014-12-23 | Cree, Inc. | Light emitting diodes with light filters |
| JP5288852B2 (ja) * | 2008-03-21 | 2013-09-11 | スタンレー電気株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
| KR20110006652A (ko) * | 2008-03-25 | 2011-01-20 | 라티스 파워(지앙시) 코포레이션 | 양면 패시베이션을 갖는 반도체 발광 소자 |
| TWI447783B (zh) * | 2008-04-28 | 2014-08-01 | Advanced Optoelectronic Tech | 三族氮化合物半導體發光元件之製造方法及其結構 |
| DE102008038852B4 (de) * | 2008-06-03 | 2024-02-01 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelementes und optoelektronisches Bauelement |
| GB2458972B (en) * | 2008-08-05 | 2010-09-01 | Photonstar Led Ltd | Thermally optimised led chip-on-board module |
| KR100999699B1 (ko) * | 2008-09-01 | 2010-12-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 패키지 |
| KR100962898B1 (ko) | 2008-11-14 | 2010-06-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
| TWI389347B (zh) * | 2008-11-13 | 2013-03-11 | Epistar Corp | 光電元件及其製作方法 |
| USRE48774E1 (en) * | 2008-11-14 | 2021-10-12 | Suzhou Lekin Semiconductor Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device |
| TWI379443B (en) * | 2008-11-28 | 2012-12-11 | Univ Nat Taiwan | A lighting device having high efficiency and a method for fabricating the same |
| JP4799606B2 (ja) | 2008-12-08 | 2011-10-26 | 株式会社東芝 | 光半導体装置及び光半導体装置の製造方法 |
| KR100999793B1 (ko) | 2009-02-17 | 2010-12-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 제조방법 |
| KR101550922B1 (ko) * | 2009-03-10 | 2015-09-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
| US8466610B2 (en) * | 2009-05-14 | 2013-06-18 | Sri International | Low cost high efficiency transparent organic electrodes for organic optoelectronic devices |
| JP2011014890A (ja) | 2009-06-02 | 2011-01-20 | Mitsubishi Chemicals Corp | 金属基板及び光源装置 |
| US20100327300A1 (en) | 2009-06-25 | 2010-12-30 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Contact for a semiconductor light emitting device |
| US8587017B2 (en) | 2009-07-05 | 2013-11-19 | Industrial Technology Research Institute | Light emitting device and method of fabricating a light emitting device |
| US8173456B2 (en) * | 2009-07-05 | 2012-05-08 | Industrial Technology Research Institute | Method of manufacturing a light emitting diode element |
| US9214456B2 (en) | 2009-08-13 | 2015-12-15 | SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. | Light emitting diode (LED) system having lighting device and wireless control system |
| US8933467B2 (en) | 2009-08-13 | 2015-01-13 | SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. | Smart integrated semiconductor light emitting system including nitride based light emitting diodes (LED) and application specific integrated circuits (ASIC) |
| US8084780B2 (en) * | 2009-08-13 | 2011-12-27 | Semileds Optoelectronics Co. | Smart integrated semiconductor light emitting system including light emitting diodes and application specific integrated circuits (ASIC) |
| US20110042803A1 (en) * | 2009-08-24 | 2011-02-24 | Chen-Fu Chu | Method For Fabricating A Through Interconnect On A Semiconductor Substrate |
| KR100986570B1 (ko) * | 2009-08-31 | 2010-10-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
| US9012766B2 (en) | 2009-11-12 | 2015-04-21 | Silevo, Inc. | Aluminum grid as backside conductor on epitaxial silicon thin film solar cells |
| KR101631599B1 (ko) * | 2009-12-02 | 2016-06-27 | 삼성전자주식회사 | 발광 소자 및 그 제조 방법 |
| WO2011069242A1 (en) * | 2009-12-09 | 2011-06-16 | Cooledge Lighting Inc. | Semiconductor dice transfer-enabling apparatus and method for manufacturing transfer-enabling apparatus |
| US20110151588A1 (en) * | 2009-12-17 | 2011-06-23 | Cooledge Lighting, Inc. | Method and magnetic transfer stamp for transferring semiconductor dice using magnetic transfer printing techniques |
| US8334152B2 (en) * | 2009-12-18 | 2012-12-18 | Cooledge Lighting, Inc. | Method of manufacturing transferable elements incorporating radiation enabled lift off for allowing transfer from host substrate |
| JP5749888B2 (ja) * | 2010-01-18 | 2015-07-15 | 住友電気工業株式会社 | 半導体素子及び半導体素子を作製する方法 |
| US20110277825A1 (en) * | 2010-05-14 | 2011-11-17 | Sierra Solar Power, Inc. | Solar cell with metal grid fabricated by electroplating |
| SG185547A1 (en) | 2010-05-18 | 2012-12-28 | Agency Science Tech & Res | Method of forming a light emitting diode structure and a light emitting diode structure |
| US9214576B2 (en) | 2010-06-09 | 2015-12-15 | Solarcity Corporation | Transparent conducting oxide for photovoltaic devices |
| US8552458B2 (en) | 2010-06-26 | 2013-10-08 | SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. | Side by side light emitting diode (LED) having separate electrical and heat transfer paths |
| WO2012016377A1 (en) | 2010-08-03 | 2012-02-09 | Industrial Technology Research Institute | Light emitting diode chip, light emitting diode package structure, and method for forming the same |
| US9178107B2 (en) | 2010-08-03 | 2015-11-03 | Industrial Technology Research Institute | Wafer-level light emitting diode structure, light emitting diode chip, and method for forming the same |
| US20120032212A1 (en) * | 2010-08-06 | 2012-02-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method of light emitting diode sidewall passivation |
| US9773928B2 (en) | 2010-09-10 | 2017-09-26 | Tesla, Inc. | Solar cell with electroplated metal grid |
| US9800053B2 (en) | 2010-10-08 | 2017-10-24 | Tesla, Inc. | Solar panels with integrated cell-level MPPT devices |
| US8686461B2 (en) | 2011-01-03 | 2014-04-01 | SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. | Light emitting diode (LED) die having stepped substrates and method of fabrication |
| US9054256B2 (en) | 2011-06-02 | 2015-06-09 | Solarcity Corporation | Tunneling-junction solar cell with copper grid for concentrated photovoltaic application |
| TWI453947B (zh) * | 2011-08-05 | 2014-09-21 | Univ Chang Gung | Manufacturing method of electro - optical diode for electroforming |
| US8841146B2 (en) | 2011-09-12 | 2014-09-23 | SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. | Method and system for fabricating light emitting diode (LED) dice with wavelength conversion layers having controlled color characteristics |
| US8410508B1 (en) | 2011-09-12 | 2013-04-02 | SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. | Light emitting diode (LED) package having wavelength conversion member and wafer level fabrication method |
| US8912021B2 (en) | 2011-09-12 | 2014-12-16 | SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. | System and method for fabricating light emitting diode (LED) dice with wavelength conversion layers |
| US8492746B2 (en) | 2011-09-12 | 2013-07-23 | SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. | Light emitting diode (LED) dice having wavelength conversion layers |
| JP2013105975A (ja) * | 2011-11-16 | 2013-05-30 | Mitsubishi Electric Corp | 光半導体装置の製造方法 |
| TWI462339B (zh) * | 2011-11-21 | 2014-11-21 | Ritedia Corp | 具有類鑽碳層之發光二極體以及其製造方法與應用 |
| US8759128B2 (en) | 2012-03-22 | 2014-06-24 | SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. | Light emitting diode (LED) die having recessed electrode and light extraction structures and method of fabrication |
| JP6164560B2 (ja) * | 2012-03-22 | 2017-07-19 | シーエルフォトニクス カンパニー，リミテッド | 水平型パワーｌｅｄ素子及びその製造方法 |
| TWI506815B (zh) * | 2012-04-05 | 2015-11-01 | Formosa Epitaxy Inc | Method and structure of increasing the concentration of epitaxial layer |
| CN102623592A (zh) * | 2012-04-13 | 2012-08-01 | 杭州士兰明芯科技有限公司 | 一种垂直led芯片及其相应的制作方法 |
| JP6025410B2 (ja) | 2012-06-12 | 2016-11-16 | 株式会社ディスコ | 光デバイスの加工方法 |
| JP6029338B2 (ja) * | 2012-06-12 | 2016-11-24 | 株式会社ディスコ | 光デバイスの加工方法 |
| JP2013258234A (ja) | 2012-06-12 | 2013-12-26 | Disco Abrasive Syst Ltd | 光デバイスの加工方法 |
| JP2013258231A (ja) | 2012-06-12 | 2013-12-26 | Disco Abrasive Syst Ltd | 光デバイスの加工方法 |
| CN102800585B (zh) * | 2012-07-09 | 2015-09-09 | 厦门飞德利照明科技有限公司 | 一种发光二极管的电铸制造方法 |
| US8981432B2 (en) | 2012-08-10 | 2015-03-17 | Avogy, Inc. | Method and system for gallium nitride electronic devices using engineered substrates |
| WO2014055781A1 (en) | 2012-10-04 | 2014-04-10 | Silevo, Inc. | Photovoltaic devices with electroplated metal grids |
| US9865754B2 (en) | 2012-10-10 | 2018-01-09 | Tesla, Inc. | Hole collectors for silicon photovoltaic cells |
| US20140151630A1 (en) * | 2012-12-04 | 2014-06-05 | Feng-Hsu Fan | Protection for the epitaxial structure of metal devices |
| TWI550905B (zh) * | 2012-12-24 | 2016-09-21 | 鴻海精密工業股份有限公司 | 發光二極體晶粒及其製造方法、發光二極體車燈 |
| US9281436B2 (en) | 2012-12-28 | 2016-03-08 | Solarcity Corporation | Radio-frequency sputtering system with rotary target for fabricating solar cells |
| US9412884B2 (en) | 2013-01-11 | 2016-08-09 | Solarcity Corporation | Module fabrication of solar cells with low resistivity electrodes |
| US9219174B2 (en) | 2013-01-11 | 2015-12-22 | Solarcity Corporation | Module fabrication of solar cells with low resistivity electrodes |
| US10074755B2 (en) | 2013-01-11 | 2018-09-11 | Tesla, Inc. | High efficiency solar panel |
| DE102013100711B4 (de) * | 2013-01-24 | 2021-07-01 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl optoelektronischer Bauelemente |
| US9530930B2 (en) | 2013-01-29 | 2016-12-27 | Nanyang Technological University | Method of fabricating semiconductor devices |
| US9624595B2 (en) | 2013-05-24 | 2017-04-18 | Solarcity Corporation | Electroplating apparatus with improved throughput |
| US10147510B1 (en) * | 2013-11-15 | 2018-12-04 | National Technology & Engineering Solutions Of Sandia, Llc | Electroplated AU for conformal coating of high aspect ratio silicon structures |
| US10309012B2 (en) | 2014-07-03 | 2019-06-04 | Tesla, Inc. | Wafer carrier for reducing contamination from carbon particles and outgassing |
| US20160020370A1 (en) * | 2014-07-21 | 2016-01-21 | GE Lighting Solutions, LLC | Thin film with multilayer dielectric coatings for light emitting diode (led) lead frame and chip-on-board (cob) substrate reflector |
| US9899546B2 (en) | 2014-12-05 | 2018-02-20 | Tesla, Inc. | Photovoltaic cells with electrodes adapted to house conductive paste |
| CN104638096B (zh) * | 2015-01-30 | 2017-06-30 | 广州市众拓光电科技有限公司 | 一种用于垂直结构led芯片的铜基板的制备方法 |
| US9947822B2 (en) | 2015-02-02 | 2018-04-17 | Tesla, Inc. | Bifacial photovoltaic module using heterojunction solar cells |
| US9761744B2 (en) | 2015-10-22 | 2017-09-12 | Tesla, Inc. | System and method for manufacturing photovoltaic structures with a metal seed layer |
| US9842956B2 (en) | 2015-12-21 | 2017-12-12 | Tesla, Inc. | System and method for mass-production of high-efficiency photovoltaic structures |
| JP6974324B2 (ja) * | 2015-12-29 | 2021-12-01 | ルミレッズ ホールディング ベーフェー | 側面反射器と蛍光体とを備えるフリップチップｌｅｄ |
| US9496429B1 (en) | 2015-12-30 | 2016-11-15 | Solarcity Corporation | System and method for tin plating metal electrodes |
| TW201727894A (zh) * | 2016-01-18 | 2017-08-01 | Nat Univ Tsing Hua | 具有垂直型跨接結構電極的水平式半導體元件 |
| CN105568329A (zh) * | 2016-02-23 | 2016-05-11 | 河源市众拓光电科技有限公司 | 一种在led外延片上电镀铜的方法 |
| US10115838B2 (en) | 2016-04-19 | 2018-10-30 | Tesla, Inc. | Photovoltaic structures with interlocking busbars |
| TWI601313B (zh) * | 2016-05-13 | 2017-10-01 | 南茂科技股份有限公司 | 半導體發光裝置及其製造方法 |
| CN106601877A (zh) * | 2016-11-09 | 2017-04-26 | 佛山市国星半导体技术有限公司 | 一种垂直结构led芯片的制造方法 |
| CN106571414B (zh) * | 2016-11-09 | 2019-11-19 | 佛山市国星半导体技术有限公司 | 一种垂直结构led芯片的制造方法 |
| US10672919B2 (en) | 2017-09-19 | 2020-06-02 | Tesla, Inc. | Moisture-resistant solar cells for solar roof tiles |
| CN107910405B (zh) * | 2017-09-27 | 2019-08-23 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 一种发光二极管芯片的制作方法 |
| US11190128B2 (en) | 2018-02-27 | 2021-11-30 | Tesla, Inc. | Parallel-connected solar roof tile modules |
| CN108448217A (zh) * | 2018-03-01 | 2018-08-24 | 西南科技大学 | Ti/Ni/Ag材料体系的射频微带结构 |
| WO2020096950A1 (en) * | 2018-11-06 | 2020-05-14 | The Regents Of The University Of California | Heterogeneously integrated indium gallium nitride on silicon photonic integrated circuits |
| WO2020258185A1 (zh) * | 2019-06-27 | 2020-12-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示面板和显示装置 |
Family Cites Families (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0985235B1 (de) * | 1997-05-27 | 2003-10-08 | Osram Opto Semiconductors GmbH | Verfahren zur herstellung eines lichtemittierenden bauelementes |
| US6071795A (en) * | 1998-01-23 | 2000-06-06 | The Regents Of The University Of California | Separation of thin films from transparent substrates by selective optical processing |
| JP4352473B2 (ja) * | 1998-06-26 | 2009-10-28 | ソニー株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US6744800B1 (en) * | 1998-12-30 | 2004-06-01 | Xerox Corporation | Method and structure for nitride based laser diode arrays on an insulating substrate |
| US20010042866A1 (en) * | 1999-02-05 | 2001-11-22 | Carrie Carter Coman | Inxalygazn optical emitters fabricated via substrate removal |
| US6555405B2 (en) * | 2001-03-22 | 2003-04-29 | Uni Light Technology, Inc. | Method for forming a semiconductor device having a metal substrate |
| US6746889B1 (en) * | 2001-03-27 | 2004-06-08 | Emcore Corporation | Optoelectronic device with improved light extraction |
| FR2834124B1 (fr) * | 2001-12-20 | 2005-05-20 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Procede de production de couches semi-conductrices |
| US6744071B2 (en) * | 2002-01-28 | 2004-06-01 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor element with a supporting substrate |
| US6658041B2 (en) * | 2002-03-20 | 2003-12-02 | Agilent Technologies, Inc. | Wafer bonded vertical cavity surface emitting laser systems |
| US20030189215A1 (en) * | 2002-04-09 | 2003-10-09 | Jong-Lam Lee | Method of fabricating vertical structure leds |
| KR101095753B1 (ko) * | 2002-08-01 | 2011-12-21 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법과 그것을 이용한 발광장치 |
| DE10245631B4 (de) * | 2002-09-30 | 2022-01-20 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Halbleiterbauelement |
| TWI226138B (en) * | 2003-01-03 | 2005-01-01 | Super Nova Optoelectronics Cor | GaN-based LED vertical device structure and the manufacturing method thereof |
| US7244628B2 (en) * | 2003-05-22 | 2007-07-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for fabricating semiconductor devices |
| CN100483612C (zh) * | 2003-06-04 | 2009-04-29 | 刘明哲 | 用于制造垂直结构的复合半导体器件的方法 |
| US7186580B2 (en) * | 2005-01-11 | 2007-03-06 | Semileds Corporation | Light emitting diodes (LEDs) with improved light extraction by roughening |
| US7378288B2 (en) * | 2005-01-11 | 2008-05-27 | Semileds Corporation | Systems and methods for producing light emitting diode array |
| US20060154393A1 (en) * | 2005-01-11 | 2006-07-13 | Doan Trung T | Systems and methods for removing operating heat from a light emitting diode |
| US7195944B2 (en) * | 2005-01-11 | 2007-03-27 | Semileds Corporation | Systems and methods for producing white-light emitting diodes |
| US20060151801A1 (en) * | 2005-01-11 | 2006-07-13 | Doan Trung T | Light emitting diode with thermo-electric cooler |
-
2005
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