TWI462339B - 具有類鑽碳層之發光二極體以及其製造方法與應用 - Google Patents

Description

具有類鑽碳層之發光二極體以及其製造方法與應用

本發明係關於一種發光二極體以及其製造方法與應用，尤指一種具有類鑽碳層之發光二極體以及其製造方法與其於晶片板上封裝結構(chip on board，COB)之應用。

自60年代起，發光二極體的耗電量低及長效性的發光等優勢，已逐漸取代日常生活中用來照明或各種電器設備的指示燈或光源等用途。更有甚者，發光二極體朝向多色彩及高亮度的發展，已應用在大型戶外顯示看板或交通號誌。

發光二極體(Light Emitting Diode,LED)之二電極可位於晶片的同一側或相對側，前者稱之為水平式發光二極體，而後者即所謂直通式發光二極體。水平式發光二極體電流經過半導體發光層時必須轉彎而沿晶片平行方向引出或流入，相較之下，直通式發光二極體的電流則可順流而不必在兩極之間轉彎。

如圖1所示，其係一習知水平式發光二極體，其包含有一半導體磊晶層14、一第一電極12、一第二電極16、以及一封裝層18。該半導體磊晶多層複合結構14包括有一第一半導體磊晶層141、一活性層142、以及一第二半導體磊晶層143，封裝層18設置於半導體磊晶層14、第一電極12、及第二電極16上以提供保護以及封裝效用。

然而，封裝層18直接設置於半導體磊晶層14、第一電極12、及第二電極16之表面上時，會由於封裝層18與半導體磊晶層14之間的附著性不佳，造成整體發光二極體散熱性變差。除此之外，發光二極體各層熱膨脹係數(coefficient of thermal expansion，CTE)差異性較大，因此當熱度在發光二極體中累積時，更容易促使發光二極體各層因溫度提升而膨脹變形，減少發光二極體的發光效率與壽命。況且，當此發光二極體進一步封裝於電路載板，更容易因電路載板與發光二極體兩者之間的熱膨脹係數差異，造成電性連接因熱膨脹受損、短路或失效。

因此，本領域亟需一種新的發光二極體技術，可以增加發光二極體的散熱效率，進而改善原本發光二極體之發光效率與壽命不佳的問題。

本發明之主要目的係在提供一種具有類鑽碳層之發光二極體，其中藉由設置類鑽碳層(diamond-like-carbon，DLC)，例如做為電極的導電性類鑽碳層，以及用於保護半導體磊晶多層複合結構的絕緣性類鑽碳層，緩衝發光二極體各層結構的熱膨脹應力，並改善發光二極體整體的散熱效率，進而提升發光二極體的發光壽命。

為達成上述目的，本發明之一態樣提供一種具有類鑽碳層之發光二極體，包括：一基材；一半導體磊晶多層複合結構，其係設置於該基材上，該半導體磊晶多層複合結構係包含：一第一半導體磊晶層、以及一第二半導體磊晶層，其中，該第一半導體磊晶層與該第二半導體磊晶層係層疊設置；一絕緣性類鑽碳層，其係覆蓋該半導體磊晶多層複合結構之部分表面；一第一電極，其係與該半導體磊晶多層複合結構之該第一半導體磊晶層電性連接；以及一第二電極，其係與該半導體磊晶多層複合結構之該第二半導體磊晶層電性連接。

一般而言，習知發光二極體中通常採用二氧化矽，以做為電性隔絕該半導體磊晶多層複合結構之材質。然而，二氧化矽的熱傳導速率低(約為1.4 W/mK)，會促使發明二極體運作過程熱量累積於結構中難以散除，往往當發光二極體運作時間增長，便會加速發光效果劣化並促使發光二極體的發光壽命減少。

相較之下，本發明上述具有類鑽碳層之發光二極體採用絕緣性類鑽碳層做為電性隔絕該半導體磊晶多層複合結構之材質，類鑽碳的熱傳導速率高(約為475 W/mK)，且該絕緣性類鑽碳層設置於該半導體磊晶多層複合結構之部分表面、側壁、或同時覆蓋其兩者，因此可增加發光二極體整體結構的散熱效率，提升發光二極體的發光效果與壽命。除此之外，絕緣性類鑽碳之電阻率與介電常數的數值接近二氧化矽，因此該絕緣性類鑽碳層同樣可用以電性隔絕該半導體磊晶多層複合結構，防止該半導體磊晶多層複合結構短路或漏電。

本發明上述具有類鑽碳層之發光二極體中，該半導體磊晶多層複合結構可以選擇性更包含：一活性中間層，其係夾置於該第一半導體磊晶層與該第二半導體磊晶層之間。於本發明中，該活性中間層可為多量子井層(multiple quantum well layer)，用以提升發光二極體中電能轉換成光能的效率。

於本發明一較佳具體實施例中，具有類鑽碳層之發光二極體係為直通式發光二極體，其中，該第一電極可設置於該基材與該半導體磊晶多層複合結構之間，並由該基材的那一側覆蓋向該絕緣性類鑽碳層，使該絕緣性類鑽碳層係夾置於該半導體磊晶多層複合結構與該第一電極之間。此外，具有類鑽碳層之發光二極體更可選擇性包括一反射層，其可設置於該第一電極與該半導體磊晶多層複合結構之間，該反射層之材質可為鋁、銀、鎳(Ni)、鈷(Co)、鈀(Pd)、鉑(Pt)、金(Au)、鋅(Zn)、錫(Sn)、銻(Sb)、鉛(Pb)、銅(Cu)、銅銀(CuAg)、鎳銀(NiAg)、其合金、或其金屬混合物。

不過，本發明具有類鑽碳層之發光二極體並非僅限於直通式發光二極體，其亦可為側通式發光二極體，或進一步製成覆晶式發光二極體。具體而言，對於側通式發光二極體的P型半導體磊晶層係以導電性類鑽碳做為其對應電極，而覆晶式發光二極體則類似於側通式發光光二極體，但額外利用導電性類鑽碳形成於N型半導體磊晶層之對應電極表面，使P型半導體磊晶層之對應電極與N型半導體磊晶層之對應電極兩者表面形成一共平面。除此之外，本發明具有類鑽碳層之發光二極體不論其為直通式發光二極體，抑或是側通式發光二極體與覆晶式發光二極體，其半導體磊晶多層複合結構側壁及/或暴露表面皆可以使用絕緣保護層覆蓋。

較佳而言，該第一半導體磊晶層以及該第一電極係為P型，該第二半導體磊晶層以及該第二電極係為N型，且該第一電極由導電性類鑽碳所構成，其中，該導電性類鑽碳可為類鑽碳/金屬多層複合結構、含金屬之類鑽碳混合物或石墨化之類鑽碳，該金屬可為鈦(Ti)、鎢(W)、鉻(Cr)、以及鉬(Mo)、其合金或其金屬混合物。由於導電性類鑽碳具有較佳的熱膨脹係數(coefficient of thermal expansion，CTE)，因此電極採用導電性類鑽碳可以使整體發光二極體受熱膨脹時，不容易影響發光二極體整體結構，同時亦可以加速發光二極體運作時熱量散失，降低發光二極體整體結構因熱受損的可能性。

本發明上述具有類鑽碳層之發光二極體中，該基材需採用導電材料做為其構成材質，此所述之導電材質可為金屬、金屬與陶瓷之混合物、或金屬與鑽石之混合物。

除此之外，本發明之另一目的係在提供一種具有導電性類鑽碳層之發光二極體之製備方法，其中採用連續層狀的電極做為半導體磊晶多層複合結構的P型半導體磊晶層之對應電極，並使用絕緣性類鑽碳做為半導體磊晶多層複合結構的保護層，提升所製得之發光二極體的整體散熱性。

為達成上述目的，本發明之另一態樣提供一種具有導電性類鑽碳層之發光二極體之製備方法，係包括步驟：提供一暫時基板；於該暫時基板上形成一半導體磊晶多層複合結構，其中，該半導體磊晶多層複合結構係包含：一第一半導體磊晶層、以及一第二半導體磊晶層，且該第一半導體磊晶層與該第二半導體磊晶層係層疊設置；於該半導體磊晶多層複合結構之側壁形成一絕緣性類鑽碳層；以及形成一第一電極、以及該第二電極，使該半導體磊晶多層複合結構之該第一半導體磊晶層與該第一電極電性連接，以及使該半導體磊晶多層複合結構之該第二半導體磊晶層與該第二電極電性連接，並移除該暫時基板。

本發明上述具有導電性類鑽碳層之發光二極體之製備方法中，各步驟之間的順序可以依上述順序進行，亦可以依需求前後對調或同時執行。舉例而言，若欲形成直通式發光二極體時，在臨時基板上依序形成該半導體磊晶多層複合結構、該絕緣性類鑽碳層、該第一電極、以及該基材，移除該暫時基板才形成該第二電極。若欲形成側通式發光二極體或覆晶式發光二極體時，則在基材上依序形成該半導體磊晶多層複合結構、該絕緣性類鑽碳層、該第一電極、以及該第二電極，抑或同時形成該第一電極以及該第二電極。而對於覆晶式發光二極體，則更進一步加厚該第二電極，使該第二電極與該第一電極兩者的表面形成一共平面。

另一方面，本發明上述具有導電性類鑽碳層之發光二極體之製備方法中，採用絕緣性類鑽碳層做為電性隔絕該半導體磊晶多層複合結構之材質。由於類鑽碳相較於習知採用的二氧化矽，具有較高的熱傳導速率與相似的電阻率與介電常數，因此同樣可用以電性隔絕該半導體磊晶多層複合結構，防止該半導體磊晶多層複合結構短路或漏電，並增加發光二極體整體結構的散熱效率，提升發光二極體的發光效果與壽命。

本發明上述具有導電性類鑽碳層之發光二極體之製備方法中，該半導體磊晶多層複合結構可以選擇性更包含：一活性中間層，其係夾置於該第一半導體磊晶層與該第二半導體磊晶層之間。

本發明上述具有導電性類鑽碳層之發光二極體之製備方法，可以選擇性更包括一以下步驟：於該半導體磊晶多層複合結構形成後，在該半導體磊晶多層複合結構之該第一半導體磊晶層表面，形成一反射層，該反射層之材質可為鋁、銀、鎳(Ni)、鈷(Co)、鈀(Pd)、鉑(Pt)、金(Au)、鋅(Zn)、錫(Sn)、銻(Sb)、鉛(Pb)、銅(Cu)、銅銀(CuAg)、鎳銀(NiAg)、其合金、或其金屬混合物。此外，該第一半導體磊晶層以及該第一電極可為P型，該第二半導體磊晶層以及該第二電極可為N型，該第一電極可由導電性類鑽碳所構成，其中，該導電性類鑽碳可為類鑽碳/金屬多層複合結構、含金屬之類鑽碳混合物或石墨化之類鑽碳，該金屬可為鈦(Ti)、鎢(W)、鉻(Cr)、以及鉬(Mo)、其合金或其金屬混合物。

另外，本發明上述具有導電性類鑽碳層之發光二極體之製備方法可選擇性更包括一以下步驟：於移除該暫時基板之後，粗糙化該半導體磊晶多層複合結構之該第二半導體磊晶層表面。

除此之外，本發明之再另一目的係在提供一種晶片板上封裝結構(chip on board，COB)，其中將本發明上述具有導電性類鑽碳層之發光二極體以複晶方式或打線方式電性連接電路載板，因此發光二極體各層結構的熱膨脹應力可由其結構內的類鑽碳層緩衝，進而使晶片板上封裝結構整體具有更佳的散熱效率、發光校與壽命。

為達上述目的，本發明之再另一態樣提供一種晶片板上封裝結構(chip on board，COB)，包括：一電路載板；以及本發明上述具有導電性類鑽碳層之發光二極體，其係經由該第一電極以及該第二電極電性連接該電路載板。

本發明上述晶片板上封裝結構中，該電路載板可以包含一絕緣層、以及一電路基板，其中，該絕緣層之材質可為絕緣性類鑽碳、氧化鋁、陶瓷、含鑽石之環氧樹脂、或其組成物，或者為表面覆有上述絕緣層之金屬材料，而該電路基板可為一金屬板、一陶瓷板或一矽基板。此外，該電路載板表面也可以選擇性更包含一類鑽碳層，以增加散熱效果。

以下係藉由特定的具體實施例說明本發明之實施方式，熟習此技藝之人士可由本說明書所揭示之內容輕易地了解本發明之其他優點與功效。本發明亦可藉由其他不同的具體實施例加以施行或應用，本說明書中的各項細節亦可基於不同觀點與應用，在不悖離本發明之精神下進行各種修飾與變更。

本發明之實施例中該等圖式均為簡化之示意圖。惟該等圖示僅顯示與本發明有關之元件，其所顯示之元件非為實際實施時之態樣，其實際實施時之元件數目、形狀等比例為一選擇性之設計，且其元件佈局型態可能更複雜。

實施例一

參考圖2A至圖2I，其係顯示本發明具有導電性類鑽碳層之發光二極體之製備方法流程的結構示意圖。

首先，如圖2A所示，提供一暫時基板21。接著，如圖2B所示，於該暫時基板21上形成一半導體磊晶多層複合結構22。該半導體磊晶多層複合結構22可包含：一第一半導體磊晶層221、一活性中間層222、以及一第二半導體磊晶層223，其中，該第一半導體磊晶層221、該活性中間層222、與該第二半導體磊晶層223係層疊設置，且該活性中間層222夾置於該第一半導體磊晶層221與該第二半導體磊晶層223之間。於本實施例中，該半導體磊晶多層複合結構22之材質為氮化鎵(GaN)，但本發明半導體磊晶多層複合結構適用的材質不限於此，亦可以使用選用其他本領域中常用材質。此外，可以依需求選擇是否設置該活性中間層，於本實施例中，該活性中間層為多量子井層(multiple quantum well layer)，用以提升發光二極體中電能轉換成光能的效率。

然後，如圖2C所示，於該半導體磊晶多層複合結構22之該第一半導體磊晶層221表面，形成一反射層23。接著，如圖2D所示，形成一絕緣性類鑽碳層24，覆蓋該半導體磊晶多層複合結構22之側面、該第一半導體磊晶層221之部份表面、該反射層23之部份表面、以及該臨時基板21的部份表面，且該絕緣性類鑽碳層24具有開孔顯露該反射層23。於本實施例中，該反射層23可以選用鋁、銀、鎳(Ni)、鈷(Co)、鈀(Pd)、鉑(Pt)、金(Au)、鋅(Zn)、錫(Sn)、銻(Sb)、鉛(Pb)、銅(Cu)、銅銀(CuAg)、及鎳銀(NiAg)所組群組之至少一者。上述圖2C所示之形成反射層的步驟，本發明所屬技術領域之通常知識者可以清楚知道，該步驟可依需要選擇性執行，換言之若不打算設置反射層，則可跳過圖2C之步驟而無需進行。

再如圖2E所示，形成一第一電極25，填充於該絕緣性類鑽碳層24之開孔，並覆蓋該絕緣性類鑽碳層24以及該反射層23之暴露表面，使第一電極25與該半導體磊晶多層複合結構22之該第一半導體磊晶層221電性連接。於本實施例中，該第一電極25由導電性類鑽碳所構成，該導電性類鑽碳可為類鑽碳/金屬多層複合結構、含金屬之類鑽碳混合物或石墨化之類鑽碳，該類鑽碳/金屬多層複合結構係指一層類鑽碳層與一層金屬層交互層疊或一層類鑽碳層與多層金屬層交互層疊，而該金屬係選自由鈦(Ti)、鎢(W)、鉻(Cr)、以及鉬(Mo)所組群組之至少一者。

接著，如圖2F所示，於該第一電極25上形成一基材26。於本實施例中，該基板11之材質可為金屬、陶瓷(如，AlN、SiO₂ 、Al₂ O₃ 等)、玻璃、藍寶石、鑽石、或前述材質之混合物，該金屬舉例可為鍍銅基板、鍍銅/鎳鈷/銅基板、銅/鎳鈷合金多層結構金屬板、或各層皆摻雜有鑽石之銅/鎳鈷複合材料。

然後，如圖2G所示，自該半導體磊晶多層複合結構22之該第二半導體磊晶層223、以及該絕緣性類鑽碳層24表面移除該暫時基板21。接著，如圖2H所示，粗糙化該半導體磊晶多層複合結構22之該第二半導體磊晶層223表面，再於該半導體磊晶多層複合結構22之該第二半導體磊晶層223表面，形成一第二電極27。最後，如圖2I所示，以切割方式，分離出單一發光二極體。於本實施例中，該第二電極27所使用之材質，可以類似第一電極所使用之材值，亦即其可導電性類鑽碳(DLC)，但亦可為本發明所屬領域之通常知識者所常用的電極材質，並且該第一半導體磊晶層221以及該第一電極25係為P型，該第二半導體磊晶層223以及該第二電極27係為N型。

據此，如圖2I所示，上述製得之具有類鑽碳層的發光二極體，其包括：一基材26；一半導體磊晶多層複合結構22，其係設置於該基材26上，該半導體磊晶多層複合結構22係包含：一第一半導體磊晶層221、一活性中間層222以及一第二半導體磊晶層223，其中，該第一半導體磊晶層221、該活性中間層222與該第二半導體磊晶層223係層疊設置，且該活性中間層222係夾置於該第一半導體磊晶層221與該第二半導體磊晶層223之間；一絕緣性類鑽碳層24，其係覆蓋該半導體磊晶多層複合結構22之部分表面；一第一電極25，其係覆蓋該絕緣性類鑽碳層24且設置於該基材26與該半導體磊晶多層複合結構22之間，並與該半導體磊晶多層複合結構22之該第一半導體磊晶層221電性連接；一反射層，係設置於該第一電極25與該半導體磊晶多層複合結構22之間；以及一第二電極2，其係與該半導體磊晶多層複合結構22之該第二半導體磊晶層223電性連接，其中，該絕緣性類鑽碳層24係夾置於該半導體磊晶多層複合結構22與該第一電極25之間。

綜上所述，本發明藉由在發光二極體中設置類鑽碳層，諸如使用連續層狀的導電性類鑽碳層做為半導體磊晶多層複合結構的P型半導體磊晶層之對應電極，採用絕緣性類鑽碳層做為半導體磊晶多層複合結構的保護層，以及使用的電極做為半導體磊晶多層複合結構的P型半導體磊晶層之對應電極，故可緩衝發光二極體各層結構的熱膨脹應力，並改善發光二極體整體的散熱效率，進而提升發光二極體的發光壽命。

實施例二

參考圖3，其係本實施例之晶片板上封裝結構之結構示意圖。

如圖3所示，晶片板上封裝結構包括：一電路載板3；以及上述實施例一所製得之具有導電性類鑽碳層之發光二極體，其係經由該第一電極25以及該第二電極27電性連接該電路載板3，其中，該電路載板包含一絕緣層31、一電路基板30、以及線路(圖未示)，該絕緣層31之材質可選自由類鑽碳、氧化鋁、陶瓷、含鑽石之環氧樹脂、或者上述材質的混合物，該電路基板30係一金屬板、一陶瓷板或一矽基板。

於該晶片板上封裝結構中，該第一電極25以及該第二電極27與該電路載板3之電性連接，可利用本發明所屬之技術領域中通常方法達成，例如使用打線接合。

據此，本發明上述晶片板上封裝結構(chip on board，COB)中，發光二極體各層結構的熱膨脹應力可由其結構內的類鑽碳層緩衝，進而使晶片板上封裝結構整體具有更佳的散熱效率、發光校與壽命。

上述實施例僅係為了方便說明而舉例而已，本發明所主張之權利範圍自應以申請專利範圍所述為準，而非僅限於上述實施例。

14‧‧‧半導體磊晶層

12‧‧‧第一電極

16‧‧‧第二電極

18‧‧‧封裝層

141‧‧‧第一半導體磊晶層

142‧‧‧活性層

143‧‧‧第二半導體磊晶層

3‧‧‧電路載板

31‧‧‧絕緣層

30‧‧‧電路基板

21‧‧‧暫時基板

22‧‧‧半導體磊晶多層複合結構

221‧‧‧第一半導體磊晶層

222‧‧‧活性中間層

223‧‧‧第二半導體磊晶層

23‧‧‧反射層

24‧‧‧絕緣性類鑽碳層

25‧‧‧第一電極

26‧‧‧基材

27‧‧‧第二電極

圖1係習知側通式發光二極體之結構示意圖。

圖2A至圖2I係顯示本發明實施例一中具有導電性類鑽碳層之發光二極體之製備方法流程的結構示意圖。

圖3係本發明實施例二中晶片板上封裝結構之結構示意圖。

22．．．半導體磊晶多層複合結構

221．．．第一半導體磊晶層

222．．．活性中間層

223．．．第二半導體磊晶層

23．．．反射層

24．．．絕緣性類鑽碳層

25．．．第一電極

26．．．基材

27．．．第二電極

Claims (23)

1. 一種具有類鑽碳層之發光二極體，包括：一基材；一半導體磊晶多層複合結構，其係設置於該基材上，該半導體磊晶多層複合結構係包含：一第一半導體磊晶層、以及一第二半導體磊晶層，其中，該第一半導體磊晶層與該第二半導體磊晶層係層疊設置；一絕緣性類鑽碳層，其係覆蓋該半導體磊晶多層複合結構之部分表面；一第一電極，其係與該半導體磊晶多層複合結構之該第一半導體磊晶層電性連接；以及一第二電極，其係與該半導體磊晶多層複合結構之該第二半導體磊晶層電性連接；其中，該第一電極覆蓋該絕緣性類鑽碳層，且設置於該基材與該半導體磊晶多層複合結構之間。
2. 如申請專利範圍第1項所述之具有導電性類鑽碳層之發光二極體，其中，該半導體磊晶多層複合結構更包含：一活性中間層，其係夾置於該第一半導體磊晶層與該第二半導體磊晶層之間。
3. 如申請專利範圍第1項所述之具有導電性類鑽碳層之發光二極體，其中，該絕緣性類鑽碳層係夾置於該半導體磊晶多層複合結構與該第一電極之間。
4. 如申請專利範圍第1項所述之具有導電性類鑽碳層之發光二極體，其中，該第一半導體磊晶層以及該第一電極係為P型，該第二半導體磊晶層以及該第二電極係為N型。
5. 如申請專利範圍第1項所述之具有導電性類鑽碳層之發光二極體，其中，該第一電極係由導電性類鑽碳所構成。
6. 如申請專利範圍第5項所述之具有導電性類鑽碳層之發光二極體，其中，該導電性類鑽碳係類鑽碳/金屬多層複合結構、含金屬之類鑽碳混合物或石墨化之類鑽碳。
7. 如申請專利範圍第6項所述之具有導電性類鑽碳層之發光二極體，其中，該金屬係選自由鈦(Ti)、鎢(W)、鉻(Cr)、以及鉬(Mo)所組群組之至少一者。
8. 如申請專利範圍第1項所述之具有導電性類鑽碳層之發光二極體，其中，該基材之材質係金屬、金屬與陶瓷之混合物、或金屬與鑽石之混合物。
9. 如申請專利範圍第1項所述之具有導電性類鑽碳層之發光二極體，更包括一反射層，係設置於該第一電極與該半導體磊晶多層複合結構之間。
10. 如申請專利範圍第9項所述之具有導電性類鑽碳層之發光二極體，其中，該反射層之材質係選自由：鋁、銀、鎳(Ni)、鈷(Co)、鈀(Pd)、鉑(Pt)、金(Au)、鋅(Zn)、錫(Sn)、銻(Sb)、鉛(Pb)、銅(Cu)、銅銀(CuAg)、及鎳銀(NiAg)所組群組之至少一者。
11. 一種具有導電性類鑽碳層之直通式發光二極體之製備方法，係包括步驟：提供一暫時基板；於該暫時基板上形成一半導體磊晶多層複合結構，其中，該半導體磊晶多層複合結構係包含：一第一半導體磊晶層、以及一第二半導體磊晶層，且該第一半導體磊晶層與該第二半導體磊晶層係層疊設置；於該半導體磊晶多層複合結構之側壁形成一絕緣性類鑽碳層；以及形成一第一電極、以及一第二電極，使該半導體磊晶多層複合結構之該第一半導體磊晶層與該第一電極電性連接，以及使該半導體磊晶多層複合結構之該第二半導體磊晶層與該第二電極電性連接，並移除該暫時基板。
12. 如申請專利範圍第11項所述之直通式發光二極體結構之製備方法，其中，該半導體磊晶多層複合結構更包含：一活性中間層，其係夾置於該第一半導體磊晶層與該第二半導體磊晶層之間。
13. 如申請專利範圍第11項所述之直通式發光二極體結構之製備方法，更包括一以下步驟：於該半導體磊晶多層複合結構形成後，在該半導體磊晶多層複合結構之該第一半導體磊晶層表面，形成一反射層。
14. 如申請專利範圍第11項所述之直通式發光二極體結構之製備方法，其中，該第一半導體磊晶層以及該第一 電極係為P型，該第二半導體磊晶層以及該第二電極係為N型。
15. 如申請專利範圍第11項所述之直通式發光二極體結構之製備方法，其中，該第一電極係由導電性類鑽碳所構成。
16. 如申請專利範圍第15項所述之直通式發光二極體結構之製備方法，其中，該導電性類鑽碳係類鑽碳/金屬多層複合結構、含金屬之類鑽碳混合物或石墨化之類鑽碳。
17. 如申請專利第16項所述之直通式發光二極體結構之製備方法，其中，該金屬係選自由鈦(Ti)、鎢(W)、鉻(Cr)、以及鉬(Mo)所組群組之至少一者。
18. 如申請專利範圍第15項所述之直通式發光二極體結構之製備方法，其中，該暫時基板之材質係金屬、金屬與陶瓷之混合物、或金屬與鑽石之混合。
19. 如申請專利範圍第13項所述之直通式發光二極體結構之製備方法，其中，該反射層之材質係選自由：鋁、銀、鎳(Ni)、鈷(Co)、鈀(Pd)、鉑(Pt)、金(Au)、鋅(Zn)、錫(Sn)、銻(Sb)、鉛(Pb)、銅(Cu)、銅銀(CuAg)、及鎳銀(NiAg)所組群組之至少一者。
20. 如申請專利範圍第11項所述之直通式發光二極體結構之製備方法，更包括一以下步驟：於移除該暫時基板之後，粗糙化該半導體磊晶多層複合結構之該第二半導體磊晶層表面。
21. 一種晶片板上封裝結構，包括： 一電路載板；以及一如申請專利範圍第1項至第10項中任一項所述之具有導電性類鑽碳層之發光二極體，其係經由該第一電極以及該第二電極電性連接該電路載板。
22. 如申請專利範圍第21項所述之覆晶片板上封裝結構，其中，該電路載板包含一絕緣層、以及一電路基板，該絕緣層之材質係選自由類鑽碳、氧化鋁、陶瓷、以及含鑽石之環氧樹脂所組群組之至少一者。
23. 如申請專利範圍第22項所述之覆晶片板上封裝結構，其中，該電路基板係一金屬板、一陶瓷板或一矽基板。