WO2009117859A1 - 发光二极管的制造方法 - Google Patents

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Description

发光二极管的制造方法 技术领域
本发明涉及一种发光二极管的制造方法， 尤其涉及一种采用超声波热压方法制造 的发光二极管的制造方法。 背景技术
一般传统的发光二极管（LED) 的制造方法包括在衬底上外延生长单晶材料的发光 结构。 随着发光二极管所发出的光的颜色的不同， 衬底的材料和发光结构的材料也有很 大的差异。 例如， 蓝绿发光二极管通常采用绝缘的蓝宝石作为衬底， 并在蓝宝石衬底上 外延生长铟镓氮的发光结构。 由于蓝宝石衬底是绝缘的， 发光二极管的正负电极均需要 形成于正面，因此在发光结构的外延工艺之后，发光二极管器件还需要进行电极的制作、 负极区域的刻蚀， 芯片表面的光刻和清洗、发光特性的检测、切割芯片、 以及包括固晶、 焊线和灌胶等的封装工艺的一系列工艺之后才能完成。
传统的封装工艺所采用的固晶材料通常为银胶或绝缘胶， 其导热系数较差。 例如， 银胶或绝缘胶的导热率大约在 0.1W/mK至 4W/mK左右。因此， 当发光二极管器件被用 于例如照明等需要大功率的应用时， 该低的导热系数使得发光二极管的亮度变低且寿命 变差。 因此在本领域中需要一种可以提导热系数的固晶材料和固晶工艺。 发明内容
根据本发明的一个方面， 提供了一种具有正装结构的发光二极管的制造方法。所述 方法包括： 制备封装基板， 在该封装基板的上表面和下表面上分别形成第一金属层和第 二金属层； 制备发光结构， 所述发光结构包括基板、 形成于该基板上的发光叠层和形成 于该基板下表面上的反射金属层,所述发光叠层包括依次沉积在基板上的 n型半导体层、 发光层、 p型半导体层和透明电极层； 以及采用超声波热压法将该封装基板上表面的第 一金属层与该发光结构的基板的下表面上的反射金属层接合。
根据本发明的另一方面， 提供了一种具有垂直结构的发光二极管的制造方法。所述 方法包括： 制备封装基板， 在封装基板的上表面和下表面上分别形成第一金属层和第二 金属层； 制备发光结构， 所述发光结构包括金属基板、 分别形成于该金属基板的上表面 和下表面上的第三金属层和第四金属层、 以及形成于该金属基板的上表面的第三金属层 上的发光叠层， 所述发光叠层包括依次沉积的 n型半导体层、 发光层和 p型半导体层；
-1- 确 认 本 以及采用超声波热压法将该封装基板上表面的第一金属层与该发光结构的金属基板的 下表面上的第四金属层接合。
根据本发明的又一方面， 提供了一种具有倒装结构的发光二极管的制造方法。 所述 方法包括： 制备封装基板， 在封装基板的上表面和下表面上分别形成第一金属层和第二 金属层； 制备发光结构， 所述发光结构包括基板、 形成于该基板的上表面上且彼此电隔 离的的第三金属层和第四金属层和形成于该基板下表面上的第五金属层、 以及形成于该 基板的上表面上的第三金属层上的 p型反射金属层、 以及形成于 p型反射金属层上的发 光叠层， 所述发光叠层包括依次沉积的 p型半导体层、 发光层和 n型半导体层； 以及采 用超声波热压法将该封装基板上表面上的第一金属层与该发光结构的基板的下表面上 的第五金属层接合。
优选地，封装基板的上表面上的金属层和发光结构的基板的下表面上的金属层也可 以分别用在热压时可以形成低温共晶合金相的金属材料形成， 以进一步降低超声波热压 接合时的温度。
优选地， 透明电极层的材料例如选自氧化铟锡（ITO) 、 Ru02、 ZnO及 NiO或其组 合。 p型半导体层、 发光层、 n型半导体层可以由 GaN、 InGaN或 AlInGaP材料制成。 发光结构上的金属层的材料例如选自 Al、 Ag、 Pt、 &、 Mo、 W、 Au或其组合。
另外， 封装基板的材料为具有良好热导率的材料， 例如选自硅、 铝、 铜、 钨、 钼、 氮化镓、 氮化铝、 碳化硅或其组合。 封装基板的上表面和下表面上的金属层的材料例如 选自 Al、 Ag、 Pt、 Cr、 Mo W、 Au或其组合。
由于根据本发明的方法采用了超声波热压法将具有不同结构的发光芯片贴合至封 装基板， 因此用于接合的金属层可以利用高导热率的金属材料形成， 因此可以降低发光 二极管的热阻。 即使发光二极管在大电流的驱动下， 芯片也不会过热。 附图说明
图 1为根据本发明的第一实施例的具有正装结构的发光二极管的结构剖面示意图； 图 2为根据本发明的第二实施例的具有垂直结构的发光二极管的结构剖面示意图； 图 3为根据本发明的第三实施例的具有倒装结构的发光二极管的结构剖面示意图。 具体实施方式
现将参考附图通过实施例详细描述本发明。 为了示出的方便， 附图并未按照比例绘 制。 第一实施例
图 1为根据本发明的第一实施例的具有正装结构的发光二极管的结构剖面示意图。 如图 1所示， 该发光二极管包括蓝宝石衬底 5和封装基板 1。 在蓝宝石衬底 5上依次形 成了 n型半导体层 6、 发光层 7、 p型半导体层 8以及透明电极层 9。 p型金属电极 11 和 n型金属电极 10分别形成于透明电极层 9和 n型氮化镓层 6上。 金属反射层 4形成 于蓝宝石衬底 5的下表面。在封装基板 1的上表面和下表面上分别形成了金属层 3和 2。 封装基板 1的背面上的金属层 2可以用于与其他外部器件连接。
采用超声波热压法， 在低于 200°C的温度下， 将该反射金属层 4与形成于封装基板 1的上表面上的金属层 3接合。 由于采用超声波热压法， 封装基板 1的上表面上的金属 层 3和蓝宝石衬底 5的下表面上的反射金属层 4可以利用高导热率的金属材料形成， 因 此可以降低发光二极管的热阻。
金属层 3和反射金属层 4也可以分别用在热压时可以形成低温共晶合金相的金属材 料形成， 以进一步降低超声波热压接合时的温度。
透明电极层 9的材料例如选自氧化铟锡 （ITO) 、 Ru02、 ZnO及 NiO或其组合。 p 型半导体层 8、 发光层 7、 n型半导体层 6可以由 GaN、 InGaN或 AlInGaP材料制成。 反射金属层 4材料例如选自 Al、 Ag、 Pt、 Cr、 Mo、 W、 Au或其组合。
另外， 封装基板 1的材料为具有良好热导率的材料， 例如选自硅、铝、铜、钨、 钼、 氮化镓、 氮化铝、 碳化硅或其组合。 封装基板 1的上表面和下表面上的金属层 3和 2的 材料例如选自 Al、 Ag、 Pt、 Cr、 Mo、 W、 Au或其组合。
第二实施例
图 2为根据本发明的第二实施例的具有垂直结构的发光二极管的结构剖面示意图。 如图 2所示， 该垂直结构的发光二极管包括金属基板 16和封装基板 13。 在金属基 板 16的上表面和下表面上分别形成了金属层 17和 15。 在封装基板 13的上表面和下表 面上分别形成了金属层 14和 12。 封装基板 13的下表面上的金属层 12可以用于与其他 外部器件连接。
在金属层 17上依次形成了金属反射层 18、 p型半导体层 19、 发光层 20、 n型半导 体层 21以及 n型金属电极 22。金属反射层 18可以根据需要被省略。另外， 也可以根据 需要在 n型金属电极 22和 n型半导体层 21之间形成透明金属电极。
采用超声波热压法，在低于 200°C的温度下，将形成于金属基板 16的下表面的金属 层 15与形成于封装基板 13的上表面上的金属层 14接合。
由于采用超声波热压法， 封装基板 13的上表面上的金属层 14和金属基板 16的下 表面上的金属层 15可以利用高导热率的金属材料形成， 因此可以降低发光二极管的热 阻。
金属层 14和 15也可以分别用在热压时可以形成低温共晶合金相的金属材料形成， 以进一步降低超声波热压接合时的温度。
型半导体层 19、 发光层 20、 n型半导体层 21可以由 GaN、 InGaN或 AlInGaP材 料制成。 金属层 15材料例如选自 AI、 Ag、 Pt、 Cr、 Mo、 W、 Au或其组合。
另外， 封装基板 13 的材料为具有良好热导率的材料， 例如选自硅、 铝、 铜、 钨、 钼、 氮化镓、 氮化铝、 碳化硅或其组合。 封装基板 13的上表面和下表面上的金属层 14 和 12的材料例如选自 Al、 Ag、 Pt、 Cr、 Mo、 W、 Au或其组合。
第三实施例
图 3为根据本发明的第三实施例的具有倒装结构的发光二极管的结构剖面示意图。 如图 3所示，该倒装结构的发光二极管包括基板 27和封装基板 24。在基板 27的上 表面上形成了金属层， 并将其图案化以形成金属层 29和金属层 29'， 并在基板 27的下 表面上形成了金属层 26。 在封装基板 24的上表面和下表面上分别形成了金属层 25和 23。 封装基板 24的下表面面上的金属层 23可以用于与其他外部器件连接。
在金属层 29上依次形成了 p型金属反射层 30、 p型半导体层 32、 发光层 33、 n型 半导体层 34。 n型金属电极 31形成于金属层 29'和 n型半导体层 34之间。 在电连接 p 型反射金属层 30的金属层 29与电连接 n型金属电极 31的金属层 29'之间， 在基板 27 中形成了齐纳二极管 28。
采用超声波热压法，在低于 200Ό的温度下，将形成于基板 27的下表面上的金属层
26与形成于封装基板 24的上表面上的金属层 25接合。
由于采用超声波热压法， 封装基板 24的上表面上的金属层 25和基板 27的下表面 上的金属层 26可以利用高导热率的金属材料形成， 因此可以降低发光二极管的热阻。
金属层 25和 26也可以分别用在热压时可以形成低温共晶合金相的金属材料形成， 以进一步降低超声波热压接合时的温度。
p型半导体层 32、 发光层 33、 n型半导体层 34可以由 GaN、 InGaN或 AlInGaP材 料制成。 金属层 26材料例如选自 Al、 Ag、 Pt、 Cr、 Mo、 W、 Au或其组合。
另外， 封装基板 24的材料为具有良好热导率的材料， 例如选自硅、 铝、 铜、 钨、 钼、 氮化镓、 氮化铝、 碳化硅或其组合。 封装基板 24的上表面和下表面上的金属层 25 和 23的材料例如选自 Al、 Ag、 Pt、 Cr、 Mo、 W、 Au或其组合。
由于根据本发明的方法采用了超声波热压法将具有不同结构的发光芯片贴合至封 装基板， 因此用于接合的金属层可以利用高导热率的金属材料形成， 因此可以降低发光 二极管的热阻。 即使发光二极管在大电流的驱动下， 芯片也不会过热。 所以芯片的发光 面积可以被进一步增加， 例如为 1 mmX 1 mm或 1.5 mmX 1.5 mm, 且工作电流也可以 被增加到例如 500 mA到 700 mA， 而功率则可达到 1 W。
虽然参考其实施例具体显示和描述了本发明， 然而本领域的普通技术人员可以理 解， 在不脱离由权利要求所界定的本发明的精神和范围的情况下， 可以作出形式和细节 上的不同变化， 而这些变化将落在本发明的保护范围之内。

Claims

权 利 要 求
1、 一种具有正装结构的发光二极管的制造方法， 包括：
制备封装基板，在该封装基板的上表面和下表面上分别形成第一金属层和第二金属 层；
制备发光结构， 所述发光结构包括基板、 形成于该基板上的发光叠层和形成于该基 板下表面上的反射金属层， 所述发光叠层包括依次沉积在基板上的 n型半导体层、 发光 层、 p型半导体层和透明电极层； 以及
采用超声波热压法将该封装基板上表面的第一金属层与该发光结构的基板的下表 面上的反射金属层接合。
2、 根据权利要求 1 的方法， 其中第一金属层和该反射金属层分别用在所述超声波 热压法时形成低温共晶合金相的金属材料形成。
3、 根据权利要求 1 的方法， 其中该透明电极层的材料选自氧化铟锡、 Ru02、 ZnO 及 NiO或其组合。
4、 根据权利要求 1的方法， 其中该 p型半导体层、 发光层、 n型半导体层由 GaN、 InGaN或 AlInGaP材料制成。
5、 根据权利要求 1的方法， 其中该反射金属层的材料选自 Al、 Ag、 Pt、 Cr、 Mo W、 Au或其组合。
6、 根据权利要求 1 的方法， 其中该封装基板的材料选自硅、 铝、 铜、 钨、 钼、 氮 化镓、 氮化铝、 碳化硅或其组合。
7、 根据权利要求 1的方法， 其中第一金属层和第二金属层的材料选自 Al、 Ag、 Pt、
Cr、 Mo、 W、 Au或其组合。
8、 一种具有垂直结构的发光二极管的制造方法， 包括：
制备封装基板， 在封装基板的上表面和下表面上分别形成第一金属层和第二金属 层；
制备发光结构， 所述发光结构包括金属基板、 分别形成于该金属基板的上表面和下 表面上的第三金属层和第四金属层、 以及形成于该金属基板的上表面的第三金属层上的 发光叠层， 所述发光叠层包括依次沉积的 p型半导体层、 发光层和 n型半导体层； 以及 采用超声波热压法将该封装基板上表面的第一金属层与该发光结构的金属基板的 下表面上的第四金属层接合。
9、 根据权利要求 8的方法， 其中第一金属层和第四金属层分别用在所述超声波热 压法时形成低温共晶合金相的金属材料形成。
10、根据权利要求 8的方法， 其中该 p型半导体层、发光层、 n型半导体层由 GaN、 InGaN或 AlInGaP材料制成。
11、 根据权利要求 8的方法， 其中第三金属层和第四金属层的材料选自 Al、 Ag、
Pt、 Cr、 Mo、 W、 Au或其组合。
12、 根据权利要求 8的方法， 其中该封装基板的材料选自硅、 铝、 铜、 钨、 钼、 氮 化镓、 氮化铝、 碳化硅或其组合。
13、 根据权利要求 8的方法， 其中第一和第二金属层的材料选自 Al、 Ag、 Pt、 Cr、 Mo、 W、 Au或其组合。
14、 一种具有倒装结构的发光二极管的制造方法， 包括- 制备封装基板， 在封装基板的上表面和下表面上分别形成第一金属层和第二金属 层；
制备发光结构， 所述发光结构包括基板、 形成于该基板的上表面上且彼此电隔离的 第三金属层和第四金属层和形成于该基板下表面上的第五金属层、 以及形成于该基板的 上表面上的第三金属层上的 p型反射金属层、以及形成于 p型反射金属层上的发光叠层， 所述发光叠层包括依次沉积的 P型半导体层、 发光层和 n型半导体层； 以及
采用超声波热压法将该封装基板上表面上的第一金属层与该发光结构的基板的下 表面上的第五金属层接合。
15、 根据权利要求 14的方法， 其中第一金属层和第五金属层分别用在所述超声波 热压法时形成低温共晶合金相的金属材料形成。
16、根据权利要求 14的方法，其中该 p型半导体层、发光层、 n型半导体层由 GaN、 InGaN或 AlInGaP材料制成。
17、 根据权利要求 14的方法， 其中第三、 第四和第五金属层的材料选自 Al、 Ag、 Pt、 Cr、 Mo、 W、 Au或其组合。
18、 根据权利要求 14的方法， 其中该封装基板的材料选自硅、 铝、 铜、 钨、 钼、 氮化镓、 氮化铝、 碳化硅或其组合。
19、 根据权利要求 14的方法， 其中第一和第二金属层的材料选自 Al、 Ag、 Pt、 Cr、 Mo、 W、 Au或其组合。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113054941A (zh) * 2021-02-09 2021-06-29 偲百创(深圳)科技有限公司 声波谐振器制作方法及声波谐振器

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101950782B (zh) * 2009-07-10 2013-01-09 财团法人工业技术研究院 低温形成反射性发光二极管固晶接合结构的方法
JP5593163B2 (ja) 2010-08-18 2014-09-17 昭和電工株式会社 発光ダイオード及び発光ダイオードランプ
DE102010045784B4 (de) * 2010-09-17 2022-01-20 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronischer Halbleiterchip
US8409895B2 (en) * 2010-12-16 2013-04-02 Applied Materials, Inc. Gallium nitride-based LED fabrication with PVD-formed aluminum nitride buffer layer
CN103367610A (zh) * 2012-03-29 2013-10-23 比亚迪股份有限公司 一种高压led芯片及其制备方法
CN103515488A (zh) * 2012-06-25 2014-01-15 杭州华普永明光电股份有限公司 Led芯片的制作工艺及其led芯片
CN103594569B (zh) * 2013-11-08 2016-02-17 溧阳市江大技术转移中心有限公司 具有粗化透明电极的倒装发光二极管的制造方法
WO2016157850A1 (ja) * 2015-03-30 2016-10-06 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 発光素子、発光ユニット、発光パネル装置、および発光パネル装置の駆動方法
US10622509B2 (en) * 2017-12-18 2020-04-14 Ingentec Corporation Vertical type light emitting diode die and method for fabricating the same
TWI672830B (zh) * 2018-01-25 2019-09-21 致伸科技股份有限公司 光源模組

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6800500B2 (en) * 1999-02-05 2004-10-05 Lumileds Lighting U.S., Llc III-nitride light emitting devices fabricated by substrate removal
CN1731592A (zh) * 2005-08-26 2006-02-08 杭州士兰明芯科技有限公司 倒装焊结构发光二极管及其制造方法
US20060091409A1 (en) * 2004-10-28 2006-05-04 John Epler Package-integrated thin film LED
US7118930B1 (en) * 2005-08-17 2006-10-10 Dong-Sing Wuu Method for manufacturing a light emitting device

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200520266A (en) * 2003-11-21 2005-06-16 Sanken Electric Co Ltd Semiconductor luminous element and manufacturing method of the same

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6800500B2 (en) * 1999-02-05 2004-10-05 Lumileds Lighting U.S., Llc III-nitride light emitting devices fabricated by substrate removal
US20060091409A1 (en) * 2004-10-28 2006-05-04 John Epler Package-integrated thin film LED
US7118930B1 (en) * 2005-08-17 2006-10-10 Dong-Sing Wuu Method for manufacturing a light emitting device
CN1731592A (zh) * 2005-08-26 2006-02-08 杭州士兰明芯科技有限公司 倒装焊结构发光二极管及其制造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113054941A (zh) * 2021-02-09 2021-06-29 偲百创(深圳)科技有限公司 声波谐振器制作方法及声波谐振器
CN113054941B (zh) * 2021-02-09 2023-11-24 偲百创(深圳)科技有限公司 声波谐振器制作方法及声波谐振器

Also Published As

Publication number Publication date
US20090246899A1 (en) 2009-10-01
US7951624B2 (en) 2011-05-31
CN101257076B (zh) 2011-03-23
CN101257076A (zh) 2008-09-03

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