CN102044598A - 一种GaN基发光二极管外延片及其生长方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种LED外延片及其生长方法，该LED外延片含有两层p型GaN层，其生长方法为在生长p型GaN层的时候，首先在较低温度和压力下生长第一p型GaN层，再在温度相对较高时生长第二p型GaN层。由于第一p型GaN层生长温度低，在量子阱后形成不规则结构使得静电易分散，从而提高GaN基LED芯片抗ESD能力。本发明优点在于：提高了GaN基LED芯片抗ESD能力，300×300μm2芯片尺寸的2000V ESD通过率可达到98％，4000V ESD通过率可达到95％。
Description
技术领域
本发明属于半导体技术领域，涉及一种LED外延片及其外延生长方法，尤其是一种GaN基发光二极管外延片及其生长方法。
技术背景
目前蓝绿光发光二极管的主流是在蓝宝石或碳化硅衬底上生长GaN材料，其中绝大部分采用蓝宝石作为衬底。由于蓝宝石衬底与GaN材料之间较大的晶格失配与热失配，导致GaN外延层内产生高密度的缺陷，例如穿透位错。实验证明这些缺陷是III族氮化物基发光二极管中反向漏电电流产生的一个重要途径。
通常的做法是在蓝宝石上先生长一层薄的低温缓冲层(成核层，Nucleation layer)，后来人们又在此基础上优化出高温缓冲层。借助缓冲层技术，人们能够生长出低位错密度的n型GaN层(有的其中包括非掺杂的GaN层)作为电子注入源。对于发光区，人们主要采用应变的InGaN/GaN多量子阱(MQW)。在多量子阱之后生长p型GaN层，主要是掺杂Mg。发表于《光电器件》Vol.28.No4，名称为《功率型GaN基LED静电保护方法研究》一文中提出采用AlGaN/GaN超晶格结构，形成二维电子气，迅速扩展电流脉冲，从而提升其抗静电损伤能力，提高器件的耐静电强度。专利《一种提高氮化镓基LED芯片抗静电能力的外延生长方法》(申请号200710051864.6)中提到在生长多量子阱后生长P型AlGaN和P型GaN，其特点是在P型AlGaN和P型GaN之间形成细小均匀分布的游离金属滴，形成电流释放通道来提高外延片抗静电能力；但是上述这两种方式生长相对较复杂，难度较高，且在生长过程中含有Al组分，对于大规模生产来讲生长后很难通过高温烘烤去除Al这种物质，对于长期稳定生产是一种不稳定因素。本发明在GaN基LED外延层基础上，通过一种新型的不含Al，且相对简单易控的p-GaN外延层生长方法，实现防高静电的GaN基LED芯片外延片生长。
发明内容
为克服上述缺陷，本发明提供一种GaN基发光二极管外延片及其生长方法，适用于金属有机化学气相沉积(MOCVD)在衬底上外延生长发光二极管，提高其P型GaN层的电流扩散，提高发光二极管对静电的耐受能力，从而延长发光二极管的使用寿命。
本发明的技术方案为：一种GaN基发光二极管外延片，其结构从下至上依次包括：衬底，低温缓冲层，非掺杂GaN层，n型GaN层，多量子阱层，p型GaN层和电极接触层；其中，p型GaN层包括第一p型GaN层和第二p型GaN层，所述的第一p型氮化镓层的生长温度为700～850℃，厚度为30～60nm，所述的第二p型氮化镓层的生长温度为950～1100℃，厚度为150～300nm。
所述GaN基发光二极管外延片的生长方法为：采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)方法，其具体步骤为：在1100℃～1200℃下，H2的气氛中高温净化蓝宝石衬底3～10分钟；降温至530～570℃，反应室压力在300mbar～700mbar，生长20～50nm厚度的低温GaN缓冲层；升温至1170℃～1190℃，生长压力在100mbar～700mbar生长1.3～1.8μm厚度的非掺杂GaN层；将温度调节至1160℃～1190℃，生长压力在100mbar～700mbar生长1.5～2μm厚度的n型GaN层；将温度调节至700～800℃，生长压力在100mbar～500mbar生长5个周期的InGaN/GaN的多量子阱层，其中InGaN量子阱厚度在1nm～3nm之间，GaN垒厚度在10nm～20nm之间，量子阱数目在2～15个之间；将温度调节至700～850℃之间，生长压力在50mbar～500mbar之间生长第一p型GaN层，其厚度在30nm～60nm之间；将温度调节至950℃～1100℃之间，生长压力在50mbar～600mbar之间生长第二p型GaN层，其厚度在150nm～300nm之间，然后将温度调节至950℃，生长压力在50mbar，生长厚度在10nm～30nm的高掺杂p型氮化镓电极接触层。最后降温至室温，生长结束。
其中所述的第一p型氮化镓层的优选生长温度为780～800℃，优选的厚度为30～50nm。
本发明的技术方案与现有技术的区别与优点在于：通常在生长完InGaN/GaN的多量子阱层后直接生长第二p型GaN层或者生长p型AlGaN层，由于这些方法的生长温度较高，容易形成对临近周期的InGaN的破坏，使其In组分容易析出，导致ESD变差。本方法在生长p-GaN层时先在较低温度、低压力下生长一层第一p型GaN层，再在较高温度下生长一层第二p型GaN层。由于第一p型GaN层生长温度低，在量子阱后形成不规则结构使得静电易分散，降低了瞬间放电产生的瞬间电流的密度，从而提高GaN基LED芯片抗ESD能力。按标准芯片工艺制作的300×300μm2芯片尺寸的2000V ESD通过率可达到98％，4000V ESD通过率可达到95％。
附图说明
图1为外延片主要结构示意图
图1中101为衬底，102为低温缓冲层，103为非掺杂GaN层，104为n型GaN层，105为多量子阱层，106为第一p型GaN层，107为第二p型GaN层，108为高掺杂的p型GaN基电极接触层。
具体实施方式
实施例1
采用MOCVD法，从下至上依次生长：
1.将(0001)晶向的蓝宝石衬底放入反应室中，然后在H2环境中升温至1100℃，稳定3分钟，对衬底进行高温净化。
2.降温至530℃，生长压力在300mbar，生长20nm厚度的低温氮化镓基缓冲层。
3.升温至1170℃，生长压力在100mbar，生长1.3μm厚度的非掺杂氮化镓。
4.在1170℃，生长压力在100mbar，生长1.5μm厚度的n型氮化镓。
5.在N2环境中生长5个周期的多量子阱层，生长压力在100mbar，GaN垒层：厚度为10nm，生长温度为800℃；InGaN阱层：厚度为1nm，生长温度为700℃。
6.将温度调节至700℃，生长压力在50mbar，生长低温p型GaN，其厚度在30nm。
7.将温度调节至950℃，生长压力在50mbar，生长高温p型GaN，其厚度在150nm。
8.将温度调节至950℃，生长压力在50mbar，生长高掺杂的p型GaN基电极接触层，其厚度在20nm。
9.降温至室温，生长结束。
按标准芯片工艺制作的300×300μm2芯片尺寸的2000V ESD通过率可达到94％，4000V ESD通过率可达到90％。
实施例2
采用MOCVD法，从下至上依次生长：
1.将(0001)晶向的蓝宝石衬底放入反应室中，然后在H2环境中升温至1200℃，稳定5分钟，对衬底进行高温净化。
2.降温至550℃，生长压力在500mbar，生长40nm厚度的低温氮化镓基缓冲层。
3.升温至1180℃，生长压力在300mbar，生长1.5μm厚度的非掺杂氮化镓。
4.在1180℃，生长压力在300mbar，生长1.7μm厚度的n型氮化镓。
5.在N2环境中生长5个周期的多量子阱层，生长压力在100mbar，GaN垒层：厚度为10nm，生长温度为800℃；InGaN阱层：厚度为1nm，生长温度为700℃。
6.将温度调节至780℃，生长压力在50mbar，生长低温p型GaN，其厚度在35nm。
7.将温度调节至1000℃，生长压力在50mbar，生长高温p型GaN，其厚度在200nm。
8.将温度调节至950℃，生长压力在50mbar，生长高掺杂的p型GaN基电极接触层，其厚度在30nm。
9.降温至室温，生长结束。
按标准芯片工艺制作的300×300μm2芯片尺寸的2000V ESD通过率可达到93％，4000V ESD通过率可达到94％。
实施例3
采用MOCVD法，从下至上依次生长：
1.将(0001)晶向的蓝宝石衬底放入反应室中，然后在H2环境中升温至1200℃，稳定5分钟，对衬底进行高温净化。
2.降温至570℃，生长压力在700mbar，生长50nm厚度的低温氮化镓基缓冲层。
3.升温至1190℃，生长压力在700mbar，生长1.8μm厚度的非掺杂氮化镓。
4.在1190℃，生长压力在700mbar，生长2μm厚度的n型氮化镓。
5.在N2环境中生长5个周期的多量子阱层，生长压力在100mbar，GaN垒层：厚度为10nm，生长温度为800℃；InGaN阱层：厚度为1nm，生长温度为700℃。
6.将温度调节至790℃，生长压力在50mbar，生长低温p型GaN，其厚度在42nm。
7.将温度调节至950℃，生长压力在50mbar，生长高温p型GaN，其厚度在150nm。
8.将温度调节至950℃，生长压力在50mbar，生长高掺杂的p型GaN基电极接触层，其厚度在30nm。
9.降温至室温，生长结束。
按标准芯片工艺制作的300×300μm2芯片尺寸的2000V ESD通过率可达到98％，4000V ESD通过率可达到96％。
实施例4
采用MOCVD法，从下至上依次生长：
1.将(0001)晶向的蓝宝石衬底放入反应室中，然后在H2环境中升温至1200℃，稳定5分钟，对衬底进行高温净化。
2.降温至530℃，生长压力在300mbar，生长20nm厚度的低温氮化镓基缓冲层。
3.升温至1170℃，生长压力在100mbar，生长1.3μm厚度的非掺杂氮化镓。
4.在1170℃，生长压力在100mbar，生长1.5μm厚度的n型氮化镓。
5.在N2环境中生长10个周期的多量子阱层，生长压力在200mbar，GaN垒层：厚度为20nm，生长温度为700℃；InGaN阱层：厚度为2nm，生长温度为800℃。
6.将温度调节至795℃，生长压力在50mbar，生长低温p型GaN，其厚度在38nm。
7.将温度调节至950℃，生长压力在50mbar，生长高温p型GaN，其厚度在150nm。
8.将温度调节至950℃，生长压力在50mbar，生长高掺杂的p型GaN基电极接触层，其厚度在15nm。
9.降温至室温，生长结束。
按标准芯片工艺制作的300×300μm2芯片尺寸的2000V ESD通过率可达到90％，4000V ESD通过率可达到95％。
实施例5
采用MOCVD法，从下至上依次生长：
1.将(0001)晶向的蓝宝石衬底放入反应室中，然后在H2环境中升温至1200℃，稳定5分钟，对衬底进行高温净化。
2.降温至530℃，生长压力在300mbar，生长20nm厚度的低温氮化镓基缓冲层。
3.升温至1170℃，生长压力在100mbar，生长1.3μm厚度的非掺杂氮化镓。
4.在1170℃，生长压力在100mbar，生长1.5μm厚度的n型氮化镓。
5.在N2环境中生长5个周期的多量子阱层，生长压力在100mbar，GaN垒层：厚度为10nm，生长温度为800℃；InGaN阱层：厚度为1nm，生长温度为700℃。
6.将温度调节至750℃，生长压力在80mbar，生长低温p型GaN，其厚度在40nm。
7.将温度调节至950℃，生长压力在50mbar，生长高温p型GaN，其厚度在150nm。
8.将温度调节至950℃，生长压力在50mbar，生长高掺杂的p型GaN基电极接触层，其厚度在25nm。
9.降温至室温，生长结束。
按标准芯片工艺制作的300×300μm2芯片尺寸的2000V ESD通过率可达到98％，4000V ESD通过率可达到96％。
实施例6
采用MOCVD法，从下至上依次生长：
1.将(0001)晶向的蓝宝石衬底放入反应室中，然后在H2环境中升温至1200℃，稳定5分钟，对衬底进行高温净化。
2.降温至530℃，生长压力在300mbar，生长20nm厚度的低温氮化镓基缓冲层。
3.升温至1170℃，生长压力在100mbar，生长1.3μm厚度的非掺杂氮化镓。
4.在1170℃，生长压力在100mbar，生长1.5μm厚度的n型氮化镓。
5.在N2环境中生长5个周期的多量子阱层，生长压力在100mbar，GaN垒层：厚度为10nm，生长温度为800℃；InGaN阱层：厚度为1nm，生长温度为700℃。
6.将温度调节至800℃，生长压力在100mbar，生长低温p型GaN，其厚度在50nm。
7.将温度调节至950℃，生长压力在50mbar，生长高温p型GaN，其厚度在150nm。
8.将温度调节至950℃，生长压力在50mbar，生长高掺杂的p型GaN基电极接触层，其厚度在15nm。
9.降温至室温，生长结束。
按标准芯片工艺制作的300×300μm2芯片尺寸的2000V ESD通过率可达到92％，4000V ESD通过率可达到90％。
实施例7
采用MOCVD法，从下至上依次生长：
1.将(0001)晶向的蓝宝石衬底放入反应室中，然后在H2环境中升温至1200℃，稳定5分钟，对衬底进行高温净化。
2.降温至530℃，生长压力在300mbar，生长20nm厚度的低温氮化镓基缓冲层。
3.升温至1170℃，生长压力在100mbar，生长1.3μm厚度的非掺杂氮化镓。
4.在1170℃，生长压力在100mbar，生长1.5μm厚度的n型氮化镓。
5.在N2环境中生长5个周期的多量子阱层，生长压力在100mbar，GaN垒层：厚度为10nm，生长温度为800℃；InGaN阱层：厚度为1nm，生长温度为700℃。
6.将温度调节至850℃，生长压力在300mbar，生长低温p型GaN，其厚度在45nm。
7.将温度调节至950℃，生长压力在50mbar，生长高温p型GaN，其厚度在150nm。
8.将温度调节至950℃，生长压力在50mbar，生长高掺杂的p型GaN基电极接触层，其厚度在25nm。
9.降温至室温，生长结束。
按标准芯片工艺制作的300×300μm2芯片尺寸的2000V ESD通过率可达到98％，4000V ESD通过率可达到92％。
实施例8
采用MOCVD法，从下至上依次生长：
1.将(0001)晶向的蓝宝石衬底放入反应室中，然后在H2环境中升温至1200℃，稳定5分钟，对衬底进行高温净化。
2.降温至530℃，生长压力在300mbar，生长20nm厚度的低温氮化镓基缓冲层。
3.升温至1170℃，生长压力在100mbar，生长1.3μm厚度的非掺杂氮化镓。
4.在1170℃，生长压力在100mbar，生长1.5μm厚度的n型氮化镓。
5.在N2环境中生长5个周期的多量子阱层，生长压力在100mbar，GaN垒层：厚度为10nm，生长温度为700℃；InGaN阱层：厚度为1nm，生长温度为700℃。
6.将温度调节至785℃，生长压力在500mbar，生长低温p型GaN，其厚度在60nm。
7.将温度调节至950℃，生长压力在50mbar，生长高温p型GaN，其厚度在150nm。
8.将温度调节至950℃，生长压力在50mbar，生长高掺杂的p型GaN基电极接触层，其厚度在15nm。
9.降温至室温，生长结束。
按标准芯片工艺制作的300×300μm2芯片尺寸的2000V ESD通过率可达到97％，4000V ESD通过率可达到90％。
实施例9
采用MOCVD法，从下至上依次生长：
1.将(0001)晶向的蓝宝石衬底放入反应室中，然后在H2环境中升温至1200℃，稳定5分钟，对衬底进行高温净化。
2.降温至530℃，生长压力在300mbar，生长20nm厚度的低温氮化镓基缓冲层。
3.升温至1170℃，生长压力在100mbar，生长1.3μm厚度的非掺杂氮化镓。
4.在1170℃，生长压力在100mbar，生长1.5μm厚度的n型氮化镓。
5.在N2环境中生长5个周期的多量子阱层，生长压力在100mbar，GaN垒层：厚度为10nm，生长温度为800℃；InGaN阱层：厚度为1nm，生长温度为800℃。
6.将温度调节至700℃，生长压力在50mbar，生长低温p型GaN，其厚度在30nm。
7.将温度调节至1050℃，生长压力在300mbar，生长高温p型GaN，其厚度在250nm。
8.将温度调节至950℃，生长压力在50mbar，生长高掺杂的p型GaN基电极接触层，其厚度在30nm。
9.降温至室温，生长结束。
按标准芯片工艺制作的300×300μm2芯片尺寸的2000V ESD通过率可达到97％，4000V ESD通过率可达到94％。
实施例10
采用MOCVD法，从下至上依次生长：
1.将(0001)晶向的蓝宝石衬底放入反应室中，然后在H2环境中升温至1200℃，稳定5分钟，对衬底进行高温净化。
2.降温至530℃，生长压力在300mbar，生长20nm厚度的低温氮化镓基缓冲层。
3.升温至1170℃，生长压力在100mbar，生长1.3μm厚度的非掺杂氮化镓。
4.在1170℃，生长压力在100mbar，生长1.5μm厚度的n型氮化镓。
5.在N2环境中生长5个周期的多量子阱层，生长压力在100mbar，GaN垒层：厚度为10nm，生长温度为800℃；InGaN阱层：厚度为1nm，生长温度为700℃。
6.将温度调节至850℃，生长压力在500mbar，生长低温p型GaN，其厚度在60nm。
7.将温度调节至1050℃，生长压力在300mbar，生长高温p型GaN，其厚度在250nm。
8.将温度调节至950℃，生长压力在50mbar，生长高掺杂的p型GaN基电极接触层，其厚度在10nm。
9.降温至室温，生长结束。
按标准芯片工艺制作的300×300μm2芯片尺寸的2000V ESD通过率可达到94％，4000V ESD通过率可达到91％。
实施例11
采用MOCVD法，从下至上依次生长：
1.将(0001)晶向的蓝宝石衬底放入反应室中，然后在H2环境中升温至1200℃，稳定5分钟，对衬底进行高温净化。
2.降温至570℃，生长压力在700mbar，生长50nm厚度的低温氮化镓基缓冲层。
3.升温至1190℃，生长压力在700mbar，生长1.8μm厚度的非掺杂氮化镓。
4.在1190℃，生长压力在700mbar，生长2μm厚度的n型氮化镓。
5.在N2环境中生长5个周期的多量子阱层，生长压力在100mbar，GaN垒层：厚度为10nm，生长温度为800℃；InGaN阱层：厚度为1nm，生长温度为700℃。
6.将温度调节至700℃，生长压力在50mbar，生长低温p型GaN，其厚度在30nm。
7.将温度调节至1100℃，生长压力在500mbar，生长高温p型GaN，其厚度在300nm。
8.将温度调节至950℃，生长压力在50mbar，生长高掺杂的p型GaN基电极接触层，其厚度在20nm。
9.降温至室温，生长结束。
按标准芯片工艺制作的300×300μm2芯片尺寸的2000V ESD通过率可达到97％，4000V ESD通过率可达到92％。
实施例12
采用MOCVD法，从下至上依次生长：
1.将(0001)晶向的蓝宝石衬底放入反应室中，然后在H2环境中升温至1200℃，稳定5分钟，对衬底进行高温净化。
2.降温至550℃，生长压力在500mbar，生长40nm厚度的低温氮化镓基缓冲层。
3.升温至1180℃，生长压力在300mbar，生长1.5μm厚度的非掺杂氮化镓。
4.在1180℃，生长压力在300mbar，生长1.7μm厚度的n型氮化镓。
5.在N2环境中生长5个周期的多量子阱层，生长压力在100mbar，GaN垒层：厚度为10nm，生长温度为800℃InGaN阱层：厚度为1nm，生长温度为700℃。
6.将温度调节至700℃，生长压力在50mbar，生长低温p型GaN，其厚度在30nm。
7.将温度调节至1100℃，生长压力在500mbar，生长高温p型GaN，其厚度在300nm。
8.将温度调节至950℃，生长压力在50mbar，生长高掺杂的p型GaN基电极接触层，其厚度在25nm。
9.降温至室温，生长结束。
按标准芯片工艺制作的300×300μm2芯片尺寸的2000V ESD通过率可达到98％，4000V ESD通过率可达到95％。
Claims (4)
1.一种GaN基发光二极管外延片，其结构从下至上依次包括：衬底，低温缓冲层，非掺杂GaN层，n型GaN层，多量子阱层，p型GaN层和电极接触层，其特征在于所述的p型GaN层包括第一p型GaN层和第二p型GaN层，所述的第一p型氮化镓层的厚度为30～60nm，所述的第二p型氮化镓层的厚度为150～300nm。
2.如权利要求1所述的GaN基发光二极管外延片，其特征在于所述的第一p型GaN层的厚度为30～50nm。
3.如权利要求书1或2所述的GaN基发光二极管外延片的生长方法，采用金属有机化合物化学气相沉积方法，从下至上的生长步骤为：
1)在1100℃～1200℃下，H2的气氛中高温净化蓝宝石衬底3～10分钟；
2)降温至530～570℃，反应室压力在300mbar～700mbar，生长20～50nm厚度的低温GaN缓冲层；
3)升温至1170℃～1190℃，生长压力在100mbar～700mbar生长1.3～1.8μm厚度的非掺杂GaN层；
4)将温度调节至1170℃～1190℃，生长压力在100mbar～700mbar生长1.5～2μm厚度的n型GaN层；
5)将温度调节至700～800℃，生长压力在100mbar～500mbar生长5个周期的InGaN/GaN的多量子阱层，其中InGaN量子阱厚度在1nm～3nm之间，GaN垒厚度在10nm～20nm之间，量子阱数目在2～15个之间；
6)生长p型GaN层；
7)将温度调节至950℃，生长压力在50mbar，生长厚度在10nm～30nm的高掺杂p型氮化镓电极接触层；
8)降温至室温，生长结束；
其特征在于，步骤6)分为两步，首先在700～850℃的温度，在50mbar～500mbar的压力下，生长第一p型GaN层；接着在950～1100℃的温度下，在50mbar～600mbar的压力，生长第二p型GaN层；然后再进行步骤7)和步骤8)。
4.如权利要求3所述的GaN基发光二极管外延片的生长方法，其特征在于在780～800℃的温度下，生长第一p型GaN层。
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Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102280542A (zh) * | 2011-09-02 | 2011-12-14 | 华灿光电股份有限公司 | 一种氮化镓基发光二极管多量子阱的生长方法 |
| CN103199169A (zh) * | 2013-03-13 | 2013-07-10 | 扬州中科半导体照明有限公司 | 具有P型GaN的GaN基绿光LED中的外延生长结构 |
| CN103413872A (zh) * | 2013-08-13 | 2013-11-27 | 湘能华磊光电股份有限公司 | Led外延的生长方法以及通过此方法获得的led芯片 |
| CN103413871A (zh) * | 2013-08-13 | 2013-11-27 | 湘能华磊光电股份有限公司 | Led外延的生长方法以及通过此方法获得的led芯片 |
| CN103560146A (zh) * | 2013-10-29 | 2014-02-05 | 中山大学 | 一种用于制备GaN异质结场效应晶体管的外延结构及生长方法 |
| CN104103721A (zh) * | 2014-08-04 | 2014-10-15 | 湘能华磊光电股份有限公司 | P型led外延结构、生长方法及led显示装置 |
| CN104617192A (zh) * | 2015-01-22 | 2015-05-13 | 华灿光电(苏州）有限公司 | 一种发光二极管外延片的制造方法 |
| CN105895751A (zh) * | 2016-04-27 | 2016-08-24 | 华南师范大学 | 一种提高发光效率的led外延片制备方法 |
| CN108630787A (zh) * | 2017-03-22 | 2018-10-09 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 一种改善晶体质量的GaN基LED外延底层生长方法 |
| US11291770B2 (en) | 2014-08-21 | 2022-04-05 | Owen Mumford Limited | Safety syringe |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5777350A (en) * | 1994-12-02 | 1998-07-07 | Nichia Chemical Industries, Ltd. | Nitride semiconductor light-emitting device |
| CN1368764A (zh) * | 2001-01-31 | 2002-09-11 | 广镓光电股份有限公司 | 一种高亮度蓝光发光晶粒的结构 |
| CN101521258A (zh) * | 2009-03-27 | 2009-09-02 | 武汉华灿光电有限公司 | 一种提高发光二极管外量子效率的方法 |
-
2009
- 2009-10-19 CN CN200910188007XA patent/CN102044598A/zh active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5777350A (en) * | 1994-12-02 | 1998-07-07 | Nichia Chemical Industries, Ltd. | Nitride semiconductor light-emitting device |
| CN1368764A (zh) * | 2001-01-31 | 2002-09-11 | 广镓光电股份有限公司 | 一种高亮度蓝光发光晶粒的结构 |
| CN101521258A (zh) * | 2009-03-27 | 2009-09-02 | 武汉华灿光电有限公司 | 一种提高发光二极管外量子效率的方法 |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102280542A (zh) * | 2011-09-02 | 2011-12-14 | 华灿光电股份有限公司 | 一种氮化镓基发光二极管多量子阱的生长方法 |
| CN103199169A (zh) * | 2013-03-13 | 2013-07-10 | 扬州中科半导体照明有限公司 | 具有P型GaN的GaN基绿光LED中的外延生长结构 |
| CN103413872A (zh) * | 2013-08-13 | 2013-11-27 | 湘能华磊光电股份有限公司 | Led外延的生长方法以及通过此方法获得的led芯片 |
| CN103413871A (zh) * | 2013-08-13 | 2013-11-27 | 湘能华磊光电股份有限公司 | Led外延的生长方法以及通过此方法获得的led芯片 |
| CN103413871B (zh) * | 2013-08-13 | 2016-02-24 | 湘能华磊光电股份有限公司 | Led外延的生长方法以及通过此方法获得的led芯片 |
| CN103413872B (zh) * | 2013-08-13 | 2016-02-24 | 湘能华磊光电股份有限公司 | Led外延的生长方法以及通过此方法获得的led芯片 |
| CN103560146A (zh) * | 2013-10-29 | 2014-02-05 | 中山大学 | 一种用于制备GaN异质结场效应晶体管的外延结构及生长方法 |
| CN104103721B (zh) * | 2014-08-04 | 2017-04-05 | 湘能华磊光电股份有限公司 | P型led外延结构、生长方法 |
| CN104103721A (zh) * | 2014-08-04 | 2014-10-15 | 湘能华磊光电股份有限公司 | P型led外延结构、生长方法及led显示装置 |
| US11291770B2 (en) | 2014-08-21 | 2022-04-05 | Owen Mumford Limited | Safety syringe |
| CN104617192A (zh) * | 2015-01-22 | 2015-05-13 | 华灿光电(苏州）有限公司 | 一种发光二极管外延片的制造方法 |
| CN104617192B (zh) * | 2015-01-22 | 2017-10-27 | 华灿光电(苏州）有限公司 | 一种发光二极管外延片的制造方法 |
| CN105895751B (zh) * | 2016-04-27 | 2018-09-25 | 华南师范大学 | 一种提高发光效率的led外延片制备方法 |
| CN105895751A (zh) * | 2016-04-27 | 2016-08-24 | 华南师范大学 | 一种提高发光效率的led外延片制备方法 |
| CN108630787A (zh) * | 2017-03-22 | 2018-10-09 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 一种改善晶体质量的GaN基LED外延底层生长方法 |
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