CN106159048B - 一种发光二极管外延片及其生长方法 - Google Patents

一种发光二极管外延片及其生长方法 Download PDF

Info

Publication number
CN106159048B
CN106159048B CN201610597450.2A CN201610597450A CN106159048B CN 106159048 B CN106159048 B CN 106159048B CN 201610597450 A CN201610597450 A CN 201610597450A CN 106159048 B CN106159048 B CN 106159048B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
layers
type
gan layer
led epitaxial
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201610597450.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106159048A (zh
Inventor
肖云飞
吕蒙普
胡加辉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
HC Semitek Zhejiang Co Ltd
Original Assignee
HC Semitek Zhejiang Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by HC Semitek Zhejiang Co Ltd filed Critical HC Semitek Zhejiang Co Ltd
Priority to CN201610597450.2A priority Critical patent/CN106159048B/zh
Publication of CN106159048A publication Critical patent/CN106159048A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106159048B publication Critical patent/CN106159048B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/04—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
    • H01L33/06—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
    • H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/12—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a stress relaxation structure, e.g. buffer layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/14—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure

Abstract

本发明公开了一种发光二极管外延片及其生长方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管外延片包括蓝宝石衬底、以及依次层叠在所述蓝宝石衬底上的缓冲层、未掺杂GaN层、N型GaN层、浅阱层、多量子阱层、低温P型GaN层、P型电子阻挡层、高温P型GaN层、P型接触层，所述发光二极管外延片还包括层叠在所述浅阱层和所述多量子阱层之间的复合插入层，所述复合插入层包括依次层叠在所述浅阱层上的非掺杂GaN层、InN层、AlxGa1‑xN层，0.1＜x＜0.4。本发明能够有效阻止底部形成的位错延伸至有源区，减少电子溢流，极大地提高了器件的发光效率，使发光更均匀。

Description

一种发光二极管外延片及其生长方法
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种发光二极管外延片及其生长方法。
背景技术
发光二极管(Light Emitting Diode，简称LED)的核心部分是由p型半导体和n型半导体组成的晶片，在p型半导体和n型半导体之间有一个过渡层，称为pn结。在pn结中，p型半导体注入的空穴与n型半导体注入的电子复合，多余的能量以光的形式释放出来，把电能直接转换为光能。
以氮化镓为代表的Ⅲ族氮化物是直接带隙的宽禁带半导体材料，具有电子飘移饱和速度高，热导率好、强化学键、耐高温以及抗腐蚀等优良性能，广泛应用于LED。GaN材料绝大多数生长在蓝宝石衬底上，GaN基材料与蓝宝石衬底之间有较大的晶格失配度和较大的热膨胀系数差异，导致GaN外延层内产生高密度的缺陷造成电子溢流，同时底层缺陷延伸至有源区造成电子空穴的有效复合效率降低，降低了LED的发光效率。
发明内容
为了解决现有技术电子溢流和底层缺陷延伸至有源区的问题，本发明实施例提供了一种发光二极管外延片及其生长方法。所述技术方案如下：
一方面，本发明实施例提供了一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括蓝宝石衬底、以及依次层叠在所述蓝宝石衬底上的缓冲层、未掺杂GaN层、N型GaN层、浅阱层、多量子阱层、低温P型GaN层、P型电子阻挡层、高温P型GaN层、P型接触层，所述发光二极管外延片还包括层叠在所述浅阱层和所述多量子阱层之间的复合插入层，所述复合插入层包括依次层叠在所述浅阱层上的非掺杂GaN层、InN层、AlxGa1-xN层，0.1＜x＜0.4。
可选地，所述非掺杂GaN层的厚度为5～20nm。
可选地，所述InN层的厚度为1～4nm。
可选地，所述AlxGa1-xN层的厚度为5～20nm。
可选地，0.15＜x＜0.25。
另一方面，本发明实施例提供了一种发光二极管外延片的生长方法，所述生长方法包括：
在蓝宝石衬底上生长缓冲层；
在所述缓冲层上生长未掺杂GaN层；
在所述未掺杂GaN层上生长N型GaN层；
在所述N型GaN层上生长浅阱层；
在所述浅阱层上生长复合插入层；
在所述复合插入层上生长多量子阱层；
在所述多量子阱层上生长低温P型GaN层；
在所述低温P型GaN层上生长P型电子阻挡层；
在所述P型电子阻挡层上生长高温P型GaN层；
在所述高温P型GaN层上生长P型接触层；
其中，所述复合插入层包括依次层叠在所述浅阱层上的非掺杂GaN层、InN层、AlxGa1-xN层，0.1＜x＜0.4。
可选地，所述非掺杂GaN层的厚度为5～20nm。
可选地，所述InN层的厚度为1～4nm。
可选地，所述AlxGa1-xN层的厚度为5～20nm。
可选地，所述复合插入层的生长温度为750～850℃，所述复合插入层的生长压力为100～300Torr，所述非掺杂GaN层的Ⅴ/Ⅲ比为500～2000，所述InN层的Ⅴ/Ⅲ比为2000～5000，所述AlxGa1-xN层的Ⅴ/Ⅲ比为300～2000。
本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是：
通过在浅阱层和多量子阱层插入非掺杂GaN层、InN层、AlxGa1-xN层，0.1＜x＜0.4，AlxGa1-xN能够有效阻止底部形成的位错延伸至有源区，减少电子溢流，极大地提高了器件的发光效率，使发光更均匀；同时AlxGa1-xN层能够有效地提高势垒高度，使电子聚集在InN层，而且InN作为窄禁带半导体，能够形成低势阱区，使电子容易集聚在InN层，形成高迁移率的二维电子气，提高电子和空穴的复合效率，进一步提高器件的发光效率。另外，非掺杂GaN层可以防止InN层中的In向底层扩散而造成电子溢流。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例一提供的一种发光二极管外延片的结构示意图；
图2是本发明实施例二提供的一种发光二极管外延片的生长方法的流程图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
实施例一
本发明实施例提供了一种发光二极管外延片，参见图1，该发光二极管外延片包括蓝宝石衬底1、以及依次层叠在蓝宝石衬底1上的缓冲层2、未掺杂GaN层3、N型GaN层4、浅阱层5、复合插入层6、多量子阱层7、低温P型GaN层8、P型电子阻挡层9、高温P型GaN层10、P型接触层11。
在本实施例中，复合插入层6包括依次层叠在浅阱层上的非掺杂GaN层、InN层、AlxGa1-xN层，0.1＜x＜0.4。
具体地，缓冲层2为GaN层。浅阱层5包括交替层叠的InxGa1-xN层和GaN层，0＜x＜0.1。多量子阱层7包括交替层叠的InyGa1-yN层和GaN层，0.2＜x＜0.5。P型电子阻挡层9为AlGaN层。
可选地，非掺杂GaN层的厚度可以为5～20nm。
可选地，InN层的厚度可以为1～4nm。
可选地，AlxGa1-xN层的厚度可以为5～20nm。
可选地，0.15＜x＜0.25。
可选地，缓冲层2的厚度可以为2～8nm。
可选地，未掺杂GaN层3的厚度可以为1～2μm。
可选地，N型GaN层4的厚度可以为1.5～3.5μm。
可选地，浅阱层5中的InxGa1-xN层和GaN层的层数之和可以为10～40。
可选地，浅阱层5中的InxGa1-xN层的厚度可以为1～4nm。
可选地，浅阱层5中的GaN层的厚度可以为10～30nm。
可选地，多量子阱层7中的InyGa1-yN层和GaN层的层数之和可以为12～30。
可选地，多量子阱层7中的InyGa1-yN层的厚度可以为2～5nm。
可选地，多量子阱层7中的GaN层的厚度可以为5～15nm。
可选地，低温P型GaN层8的厚度可以为30～120nm。
可选地，P型电子阻挡层9的厚度可以为50～150nm。
可选地，高温P型GaN层10的厚度可以为50～150nm。
可选地，P型接触层11的厚度可以为3～10nm。
本发明实施例通过在浅阱层和多量子阱层插入非掺杂GaN层、InN层、AlxGa1-xN层，0.1＜x＜0.4，AlxGa1-xN能够有效阻止底部形成的位错延伸至有源区，减少电子溢流，极大地提高了器件的发光效率，使发光更均匀；同时AlxGa1-xN层能够有效地提高势垒高度，使电子聚集在InN层，而且InN作为窄禁带半导体，能够形成低势阱区，使电子容易集聚在InN层，形成高迁移率的二维电子气，提高电子和空穴的复合效率，进一步提高器件的发光效率。另外，非掺杂GaN层可以防止InN层中的In向底层扩散而造成电子溢流。
实施例二
本发明实施例提供了一种发光二极管外延片的生长方法，适用于生长实施例一提供的发光二极管外延片，参见图2，该生长方法包括：
步骤200：将蓝宝石衬底在温度为1000～1200℃的氢气气氛里进行高温清洁处理5～20min，并进行氮化处理。
在本实施例中，以氮气(N2)或氢气(H2)作为载气，以三甲基稼(TMGa)、三乙基稼(TEGa)、三甲基铝(TMAl)、三甲基铟(TMIn)和氨气(NH3)分别作为Ga、Al、In和N源，用硅烷(SiH4)、二茂镁(CP2Mg)分别作为N、P型掺杂剂。
步骤201：控制生长温度为500～650℃，生长压力为50～200Torr，V/III比为50～300，转速为200～600r/min，在蓝宝石衬底上生长厚度为2～8nm的缓冲层，并控制生长温度为1000～1100℃进行退火处理3～10min。
在本实施例中，缓冲层为GaN层。V/III比为Ⅴ价原子与Ⅲ价原子的摩尔比。
步骤202：控制生长温度为1000～1200℃，生长压力为100～500Torr，V/III比为200～3000，在缓冲层上生长厚度为1～2μm的未掺杂GaN层。
步骤203：控制生长温度为950～1150℃，生长压力为300～500Torr，V/III比为400～3000，在未掺杂GaN层上生长厚度为1.5～3.5μm的N型GaN层。
在本实施例中，N型GaN层采用Si掺杂且掺杂浓度保持不变。
步骤204：控制生长压力为100～500Torr，V/III比为500～10000，在N型GaN层上生长浅阱层。
在本实施例中，浅阱层包括交替层叠的InxGa1-xN层和GaN层，0＜x＜0.1。
可选地，浅阱层中的InxGa1-xN层和GaN层的层数之和可以为10～40。
可选地，浅阱层中的InxGa1-xN层的厚度可以为1～4nm。
可选地，浅阱层中的InxGa1-xN层的生长温度可以为750～850℃。
可选地，浅阱层中的GaN层的厚度可以为10～30nm。
可选地，浅阱层中的GaN层的生长温度可以为850～950℃。
步骤205：在浅阱层上生长复合插入层。
在本实施例中，该步骤205可以包括：
控制生长温度为750～850℃，生长压力为100～300Torr，V/III比为500～2000，在浅阱层上生长一层厚度为5～10nm的非掺杂GaN层；
关闭Ga源，打开In源，控制V/III比为2000～5000，在非掺杂GaN层上生长一层厚度为1～2nm的InN层；
关闭In源，打开Al源，控制V/III比为300～2000，在InN层上生长一层厚度为5～20nm的Al0.15Ga0.85N层。
步骤206：控制生长压力为100～500Torr，V/III比为2000～20000，在复合插入层上生长多量子阱层。
在本实施例中，多量子阱层包括交替层叠的InyGa1-yN层和GaN层，0.2＜x＜0.5。
可选地，多量子阱层中的InyGa1-yN层和GaN层的层数之和可以为12～30。
可选地，多量子阱层中的InyGa1-yN层的厚度可以为2～5nm。
可选地，多量子阱层中的InyGa1-yN层的生长温度可以为700～850℃。
可选地，多量子阱层中的GaN层的厚度可以为5～15nm。
可选地，多量子阱层中的GaN层的生长温度可以为850～950℃。
步骤207：控制生长温度为700～800℃，生长压力为100～600Torr，V/III比为1000～4000，生长时间为3～15min，在多量子阱层上生长厚度为30～120nm的低温P型GaN层。
步骤208：控制生长温度为900～1000℃，生长压力为50～300Torr，V/III比为1000～10000，生长时间为4～15min，在低温P型GaN层上生长厚度为50～150nm的P型电子阻挡层。
在本实施例中，P型电子阻挡层为P型AlGaN层。
步骤209：控制生长温度为900～1050℃，生长压力为100～500Torr，V/III比为500～4000，生长时间为10～20min，在P型电子阻挡层上生长50～150nm的高温P型GaN层。
步骤210：控制生长温度为700～850℃，生长压力为100～500Torr，V/III比为10000～20000，生长时间为0.5～5min，在高温P型GaN层上生长厚度为3～10nm的P型接触层。
需要说明的是，在外延生长工艺结束后，将反应腔的温度降至600～900℃，在PN2气氛下进行退火处理10～30min，然后降至室温，结束外延生长。经过清洗、沉积、光刻和刻蚀等半导体加工工艺制程后，将LED外延片制成17*35mil的LED芯片。
本发明实施例通过在浅阱层和多量子阱层插入非掺杂GaN层、InN层、AlxGa1-xN层，0.1＜x＜0.4，AlxGa1-xN能够有效阻止底部形成的位错延伸至有源区，减少电子溢流，极大地提高了器件的发光效率，使发光更均匀；同时AlxGa1-xN层能够有效地提高势垒高度，使电子聚集在InN层，而且InN作为窄禁带半导体，能够形成低势阱区，使电子容易集聚在InN层，形成高迁移率的二维电子气，提高电子和空穴的复合效率，进一步提高器件的发光效率。另外，非掺杂GaN层可以防止InN层中的In向底层扩散而造成电子溢流。
实施例三
本发明实施例提供了一种发光二极管的外延片的生长方法，该生长方法与实施例二提供的生长方法的不同之处在于，在浅阱层上生长复合插入层，可以包括：
控制生长温度为750～850℃，生长压力为100～300Torr，V/III比为500～2000，在浅阱层上生长一层厚度为10～20nm的非掺杂GaN层；
关闭Ga源，打开In源，控制V/III比为2000～5000，在非掺杂GaN层上生长一层厚度为2～4nm的InN层；
关闭In源，打开Al源，控制V/III比为300～2000，在InN层上生长一层厚度为5～20nm的Al0.25Ga0.75N层。
经过LED芯片测试后发现，静电释放(Electro-Static discharge，简称ESD)测试电压为4000V时，实施例二的样品的光效提升3.2％，实施例三的样品的光效提升5％。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (9)

1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括蓝宝石衬底、以及依次层叠在所述蓝宝石衬底上的缓冲层、未掺杂GaN层、N型GaN层、浅阱层、多量子阱层、低温P型GaN层、P型电子阻挡层、高温P型GaN层、P型接触层，其特征在于，所述发光二极管外延片还包括层叠在所述浅阱层和所述多量子阱层之间的复合插入层，所述复合插入层包括依次层叠在所述浅阱层上的非掺杂GaN层、InN层、AlxGa1-xN层，0.15＜x＜0.25。
2.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述非掺杂GaN层的厚度为5～20nm。
3.根据权利要求1或2所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述InN层的厚度为1～4nm。
4.根据权利要求1或2所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述AlxGa1-xN层的厚度为5～20nm。
5.一种发光二极管外延片的生长方法，其特征在于，所述生长方法包括：
在蓝宝石衬底上生长缓冲层；
在所述缓冲层上生长未掺杂GaN层；
在所述未掺杂GaN层上生长N型GaN层；
在所述N型GaN层上生长浅阱层；
在所述浅阱层上生长复合插入层；
在所述复合插入层上生长多量子阱层；
在所述多量子阱层上生长低温P型GaN层；
在所述低温P型GaN层上生长P型电子阻挡层；
在所述P型电子阻挡层上生长高温P型GaN层；
在所述高温P型GaN层上生长P型接触层；
其中，所述复合插入层包括依次层叠在所述浅阱层上的非掺杂GaN层、InN层、AlxGa1-xN层，0.1＜x＜0.4。
6.根据权利要求5所述的生长方法，其特征在于，所述非掺杂GaN层的厚度为5～20nm。
7.根据权利要求5或6所述的生长方法，其特征在于，所述InN层的厚度为1～4nm。
8.根据权利要求5或6所述的生长方法，其特征在于，所述AlxGa1-xN层的厚度为5～20nm。
9.根据权利要求5或6所述的生长方法，其特征在于，所述复合插入层的生长温度为750～850℃，所述复合插入层的生长压力为100～300Torr，所述非掺杂GaN层的Ⅴ/Ⅲ比为500～2000，所述InN层的Ⅴ/Ⅲ比为2000～5000，所述AlxGa1-xN层的Ⅴ/Ⅲ比为300～2000。
CN201610597450.2A 2016-07-25 2016-07-25 一种发光二极管外延片及其生长方法 Active CN106159048B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610597450.2A CN106159048B (zh) 2016-07-25 2016-07-25 一种发光二极管外延片及其生长方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610597450.2A CN106159048B (zh) 2016-07-25 2016-07-25 一种发光二极管外延片及其生长方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106159048A CN106159048A (zh) 2016-11-23
CN106159048B true CN106159048B (zh) 2019-04-12

Family

ID=58060148

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610597450.2A Active CN106159048B (zh) 2016-07-25 2016-07-25 一种发光二极管外延片及其生长方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN106159048B (zh)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108666398A (zh) * 2017-03-28 2018-10-16 山东浪潮华光光电子股份有限公司 一种led外延结构及其生长方法
CN107359229A (zh) * 2017-06-30 2017-11-17 华灿光电(苏州）有限公司 一种发光二极管外延片及其制造方法
CN107195737B (zh) * 2017-06-30 2019-08-02 华灿光电(苏州）有限公司 一种发光二极管外延片及其制造方法
CN109545922B (zh) * 2018-09-27 2020-10-27 华灿光电（浙江）有限公司 一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法
CN112481695A (zh) * 2020-11-12 2021-03-12 辽宁百思特达半导体科技有限公司 一种氮化镓p型层的外延生长方法
CN112736171A (zh) * 2020-12-31 2021-04-30 晶能光电（江西）有限公司 硅衬底GaN基LED及其制备方法
CN115101637B (zh) * 2022-08-25 2022-11-04 江西兆驰半导体有限公司 一种发光二极管外延片及其制备方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103633214A (zh) * 2013-12-09 2014-03-12 湘能华磊光电股份有限公司 InGaN/GaN超晶格缓冲层结构、制备方法及含该结构的LED芯片
CN103811605A (zh) * 2014-03-12 2014-05-21 合肥彩虹蓝光科技有限公司 一种有效改善氮化镓基发光二极管的反向漏电的外延生长方法
CN103824910A (zh) * 2014-03-12 2014-05-28 合肥彩虹蓝光科技有限公司 一种提高ⅲ－ⅴ族化合物半导体led芯片抗静电能力的外延生长方法
CN104810442A (zh) * 2015-04-29 2015-07-29 华灿光电(苏州）有限公司 一种发光二极管外延片及其生长方法
CN105428479A (zh) * 2015-12-31 2016-03-23 安徽三安光电有限公司 半导体发光元件
CN105552186A (zh) * 2014-10-29 2016-05-04 南通同方半导体有限公司 一种具有抑制极化效应垒层蓝光led外延结构
CN105679892A (zh) * 2016-03-09 2016-06-15 华灿光电(苏州）有限公司 一种发光二极管的外延结构及外延生长方法
CN206401345U (zh) * 2016-07-25 2017-08-11 华灿光电（浙江）有限公司 一种发光二极管外延片

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5874593B2 (ja) * 2011-12-23 2016-03-02 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子とその製造方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103633214A (zh) * 2013-12-09 2014-03-12 湘能华磊光电股份有限公司 InGaN/GaN超晶格缓冲层结构、制备方法及含该结构的LED芯片
CN103811605A (zh) * 2014-03-12 2014-05-21 合肥彩虹蓝光科技有限公司 一种有效改善氮化镓基发光二极管的反向漏电的外延生长方法
CN103824910A (zh) * 2014-03-12 2014-05-28 合肥彩虹蓝光科技有限公司 一种提高ⅲ－ⅴ族化合物半导体led芯片抗静电能力的外延生长方法
CN105552186A (zh) * 2014-10-29 2016-05-04 南通同方半导体有限公司 一种具有抑制极化效应垒层蓝光led外延结构
CN104810442A (zh) * 2015-04-29 2015-07-29 华灿光电(苏州）有限公司 一种发光二极管外延片及其生长方法
CN105428479A (zh) * 2015-12-31 2016-03-23 安徽三安光电有限公司 半导体发光元件
CN105679892A (zh) * 2016-03-09 2016-06-15 华灿光电(苏州）有限公司 一种发光二极管的外延结构及外延生长方法
CN206401345U (zh) * 2016-07-25 2017-08-11 华灿光电（浙江）有限公司 一种发光二极管外延片

Also Published As

Publication number Publication date
CN106159048A (zh) 2016-11-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106410005B (zh) 一种氮化镓基led外延片及其生长方法
CN106159048B (zh) 一种发光二极管外延片及其生长方法
CN103022285B (zh) 一种提高led亮度的多量子阱层生长方法
CN108198921B (zh) 一种氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法
CN108461592B (zh) 一种发光二极管外延片及其制造方法
CN104810442B (zh) 一种发光二极管外延片及其生长方法
CN103337573B (zh) 半导体发光二极管的外延片及其制造方法
US20030197169A1 (en) Gallium nitride-based semiconductor light emitting device
CN106816501B (zh) 一种氮化镓基发光二极管的外延片及其制作方法
CN107452843B (zh) 一种发光二极管外延片及其制备方法
CN105633235B (zh) 一种n型GaN结构的GaN基LED外延结构及生长方法
CN107731974B (zh) 一种GaN基发光二极管外延片及其生长方法
CN103165777B (zh) 具有梯形结构的n型插入层的led外延片及其生长方法
CN102881788A (zh) 一种改善GaN基LED量子阱结构提高载子复合效率的外延生长方法
CN107195737B (zh) 一种发光二极管外延片及其制造方法
CN108831974B (zh) 一种发光二极管外延片及其制造方法
CN105355741A (zh) 一种led外延结构及制作方法
CN106025032A (zh) 一种发光二极管的外延片及其生长方法
CN109346576A (zh) 一种发光二极管外延片及其制备方法
CN106876530B (zh) 一种氮化镓基发光二极管的外延片及其制作方法
CN104465916B (zh) 氮化镓发光二极管外延片
CN109473514A (zh) 一种氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法
CN108987544A (zh) 一种发光二极管外延片及其制造方法
WO2017028555A1 (zh) 基于Si衬底的GaN基材料及其制作方法
CN109786522A (zh) 一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant