JP2005294669A

JP2005294669A - 表面入射型受光素子

Info

Publication number: JP2005294669A
Application number: JP2004109744A
Authority: JP
Inventors: Yasuhiro Oda; 康裕小田
Original assignee: Nippon Telegraph and Telephone Corp
Current assignee: Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority date: 2004-04-02
Filing date: 2004-04-02
Publication date: 2005-10-20

Abstract

【課題】モジュール化の容易性、応答速度の高速化、受光効率の高効率化の全てを同時に満たす受光素子を提供する。
【解決手段】基板１１上に形成された光吸収層１５を有する表面入射型受光素子であって、当該表面入射型受光素子の表面から光吸収層１５まで達した窪みが設けられ、該窪みの一部を構成する光吸収層１５の複数の順メサ状の斜面で構成される光反射屈折部１６を備え、表面から入射した光が光反射屈折部１６を通過する際に、該光反射屈折部１６における反射および屈折により進行方向を変えて光吸収層１５に入射するようになっている。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体受光素子の表面に入射する光信号を電気信号に変換する表面入射型受光素子に関する。

光信号を電気信号に変換する受光素子は、現在、そのほとんどが半導体で作製されている。その代表的なものはフォトダイオード（Photodiode：ＰＤ）である。また、さらに高性能化を図った素子構造としたものに超格子ヘテロ接合アバランシェフォトダイオード（Superlattice Heterojunction Avalanche Photodiode）（例えば下記非特許文献１参照）や、単一走行キャリアフォトダイオード（Uni-Transit Carrier Photodiode）（下記特許文献１参照）などがある。
図６（ａ）〜（ｄ）はそれぞれ受光素子の構造を示す断面図である。（ａ）は表面入射型受光素子、（ｂ）は導波路型受光素子、（ｃ）は裏面入射型受光素子、（ｄ）は斜影投射構造を付加した裏面入射型受光素子の例を示す。
図６（ａ）〜（ｄ）において、６１はＧａＡｓ、ＩｎＰなどからなる基板、６２はｎ形半導体層からなる下部電極層、６３は光吸収層、６４はｐ形半導体層からなる上部電極層、６５は入射光（光信号）、６６は透過光、図６（ｄ）において、６７は光反射屈折部（反射鏡）、６８は反射光である。なお、下部電極層６２と上部電極層６４に設けられる電極は図示省略している。

これらの受光素子は、光信号の入射方法により大きく３つのタイプに分けられる。（１）素子表面から光信号を入射する「表面入射型」（図６（ａ））、（２）素子の端面から光信号を入射する「導波路型」（図６（ｂ））、（３）素子の裏面から直接もしくは光反射屈折部６７を介して光信号を入射する「裏面入射型」（図６（ｃ）、（ｄ））の３つである。
「Impact ionization in multilayered heterojunction structure」R. Chinら３名、The Institution of Electrical Engineers(IEE) 、Electron Letters、1980年発行、vol.16、No.12、p.467 特開平９−２７５２２４号公報特開２０００−１５０９２３号公報

（１）の表面入射型受光素子は、光ファイバーや光電気集積回路（Optical-Electrical Integrated Circuit：ＯＥＩＣ）の光導波路からの光信号の受光を容易に行うことができ、また、他の回路素子作製プロセスとの整合性にも優れているため、モジュール化しやすいという利点を持つ。また、受光効率を上げるためには光吸収層６３の厚みを増すことで対応可能である。しかしながら、一方で光信号に対する応答性の向上のためには、光励起によって発生したキャリアの走行距離を短縮化するために光吸収層６３の薄層化が求められる。このため、応答速度の高速化と受光効率の高効率化とが両立しにくいという問題がある。
（２）の導波路型受光素子は、光信号の光路と、光によって光吸収層６３から発生するキャリアの走行経路とが直交しており、光吸収層６３を薄層化しても受光効率が低下しにくいという利点を持つ。しかしながら、素子側面から光信号を入射する構造は光ファイバーの配置が難しく、また、素子の動作試験を行う際に特殊な光導波路プローブが必要になり、さらに、素子側面を劈開やエッチングなどで鏡面に仕上げなければならないなどのなどの難点を持つ。
（３）の裏面入射型受光素子は、基板６１の材料として、光信号の波長に対して透明な材料（例えば、光通信で用いられる波長帯の一つである１．５５μｍではＩｎＰなど）を使用し、裏面から光信号を入れることで光路の設計の自由度を上げている。例えば、図６（ｄ）に示したように、素子の近くに表面からエッチグでＶ溝を作製し、裏面からの光信号を該Ｖ溝で構成される光反射屈折部６７で一度反射させることで光吸収層６３に光信号を斜影入射させ、上部電極層６４にて再度反射させる。こうして光吸収層６３中での光路長を増加させることで光吸収層６３を実質的に厚膜化したのと同じ効果を得ることができる（上記特許文献２参照）。しかしながら、この方法では、基板６１と光吸収層６３に挟まれている層には、基板６１と同じく光信号の波長に対して透明な材料で屈折率差の小さい材料しか用いることができず、また、光導波路のように光吸収層６３内で何度も光信号を反射させて高効率化する構造にすることが困難となる。さらに、裏面入射のため、受光素子もしくは基板６１上に作製された光反射屈折部６７と光ファイバーとの位置合わせも困難である。
以上のように、上記従来の技術では、モジュール化の容易性、応答速度の高速化、受光効率の高効率化の全てを同時に満たすことが困難であった。本発明の目的は、これら３つの要件を全て満たすことが可能な受光素子を提供することにある。

上記課題を解決するために、本発明の表面入射型受光素子は、基板上に形成された光吸収層を有する表面入射型受光素子であって、当該表面入射型受光素子の表面から前記光吸収層まで達した窪みが設けられ、該窪みの一部を構成する前記光吸収層の複数の順メサ状の斜面で構成される光反射屈折部を備え、前記表面から入射した光が前記光反射屈折部を通過する際に、該光反射屈折部における反射および屈折により進行方向を変えて前記光吸収層に入射するようになっている。
また、前記光吸収層の前記基板側、もしくは前記基板側および前記表面側に、該光吸収層に入射した光を反射する反射層を有する。
また、前記光吸収層の上下に電極層（伝導層）を有し、前記基板側に近い前記電極層がｐ形半導体層、逆側の電極層がｎ形半導体層で構成されている。
また、前記光反射屈折部が、（１１１）Ａ面ならびに（１１１）Ｂ面、もしくは（１１１）Ａ面ならびに（１１１）Ｂ面と結晶学的に等価な面で構成されている。
また、前記光反射屈折部の開口部の寸法が、受光する信号光の波長と同程度かそれ以上である。

本発明では、モジュール化の容易な表面入射型受光素子に、応答速度の高速化および受光効率の高効率化を両立する構造を導入することで、モジュール化の容易性、応答速度の高速化、受光効率の高効率化を全て満たすことを可能とし、受光感度を飛躍的に増大させることが可能となる。具体的には、光吸収層に光信号を屈折、反射させる構造、すなわち、光反射屈折部を付与する。また、この構造により斜影入射化された光信号の受光効率をさらに上げるため、例えば光吸収層の両側にある電極層に光吸収層の屈折率よりも小さな材料、もしくは光信号の波長および反射角に合わせて設計された分布ブラッグ反射鏡（Distributed Bragg Reflector：ＤＢＲ）構造を付与し、光吸収層を光導波路として働くようにすることで光信号を光吸収層内で多重反射させることも可能である。

本発明によれば、モジュール化の容易性、応答速度の高速化、受光効率の高効率化の全てを同時に満たす受光素子を提供することができる。

以下、図面を用いて本発明の実施の形態について詳細に説明する。なお、以下で説明する図面で、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
図３は本発明の表面入射型受光素子の実施の形態の主要部位を示す断面図、図４は該主要部位を含む表面入射型受光素子の全体斜視図である。
図３において、２はｐ形半導体層（下部反射層および下部電極層）、３は光吸収層（キャリア走行層を含む場合もある）、４はｎ形半導体層（上部反射層および上部電極層）、５は複数の順メサ状の凹形斜面で構成される窪み状の光反射屈折部、６は開口部、７は入射光、図４において、１はＧａＡｓ、ＩｎＰなどからなる基板である。

有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)）装置や、分子線エピタキシー（ＭＢＥ(Molecular Beam Epitaxy)）装置等を用いて半導体からなる層構造を形成した後、リソグラフィを用いて素子表面に例えばグリッド（格子）状のパターン（図４参照）を作製し、レジストの開口部をウェットケミカルエッチングなどにより異方性エッチングを行う。この際、エッチング条件としては、（１１１）Ａ面ならびに（１１１）Ｂ面、もしくは（１１１）Ａ面ならびに（１１１）Ｂ面と結晶学的に等価な面が現れるものを使用し、例えばエッチング部位の光反射屈折部５の開口部６が正四角錐状になるようにする。エッチングによって新たに形成された面は、基板１の（００１）面、もしくは（００１）面と結晶学的に等価な面に対して５４．７°になる。なお、例えば基板１の面方位に（１１１）Ｂ面を用いた場合は、（００１）面と結晶学的に等価な面で囲まれた正三角錐のエッチング部位を作製することも可能である。また、その他、使用する基板１とエッチング条件により（３１１）Ｂ面などが斜面となる構造、順メサによる櫛形構造も作製可能である。しかしながら、基板１として用いる面方位およびその表面に作製される光反射屈折部５の開口部６のエッチング部位の形状差は、以下に述べる実施の形態に本質的な差異を生じさせない。また、この光反射屈折部５の開口部６の広さは、入射光７、すなわち、信号光を光反射屈折部５に効率よく導くために、開口部６に内接する真円の直径が信号光の波長と同程度かそれ以上になるようにする。以下の説明では、便宜上、基板１の面方位に、（００１）面に結晶学的に等価な面、エッチングにより作製した開口部６が（１１１）Ａ面ならびに（１１１）Ｂ面と結晶学的に等価な面で構成された正四角錐を用いている。

ここで、図３において、基板１の面とエッチングによって新たに形成された面とがなす角度をα、入力する光信号Ａの波長での四角錐状の開口部６内部に位置する物質（空気や、開口部６の光反射屈折部５の表面に設けたシリカなどの表面保護膜）の屈折率をｎ_１、入力する光信号Ａの波長での光吸収層３の屈折率をｎ_２とし、四角錐状の開口部６内部に位置する物質と光吸収層３の界面で生じる屈折により斜影投影される信号光Ｂが下部反射層に当るときの角度をβ（ただし、βは下部反射層の垂線からの角）、四角錐状の開口部６内部に位置する物質と光吸収層３の界面で一度反射してから対面の界面で屈折により斜影投影される信号光Ｃが下部反射層に当るときの角度をγ（ただし、γは下部反射層の垂線からの角）とすると、βおよびγはスネルの法則から以下のように求められる。

このβとγは、α＝５４．７°のときに一般な条件ではβ＜γとなる。また、信号光Ｂと信号光Ｃが上部反射層となす角は、一般的な結晶成長を用いている場合においては、上部反射層と下部反射層とが平行になっていることから、下部反射層での反射角と等しくなる。さらに、下部反射層および上部反射層での信号光Ｂおよび信号光Ｃの全反射条件は、反射層の屈折率をｎ_３とすると、

となる。ここで、光吸収層にＩｎＧａＡｓを用い（ｎ_２＝３．５９）、開口部６に特に保護膜を設けない場合（ｎ_１＝１．００）、βおよびγは、式１および式２からβ＝４１．６°、γ＝５９．１°となる。このとき、光吸収層３内で信号光を多重反射させて光路長を増加させるために用いられる反射層に求められる屈折率ｎ_３は、２．３８以下となる。一般に用いられている化合物半導体で２．３８以下の物質は無いため、信号損失のない理想的な全反射条件にこだわらずに可能な限り部分反射させることを目的として、屈折率ｎ_２よりも極力小さな屈折率ｎ_３を持つ物質を反射層に採用するか、もしくは光信号の波長および反射角に合わせて設計された上記ＤＢＲ構造を採用することで全反射させることになる。この場合、ＤＢＲ構造を構成する材料としては、ＧａＡｓ基板上であればＧａＡｓ／ＡｌＡｓなどを、ＩｎＰ基板上であればＧａＡｓＳｂ／ＡｌＡｓＳｂなどの屈折率差の大きな材料系が有力な候補となる。いずれを採用するかは、素子構造の複雑化と受光効率とのトレードオフの関係を考えた上で、求められる性能の他、他の集積素子との整合性などを考慮に入れて決定することができる。

反射層および電極層（伝導層）は、高速動作のためには低抵抗であることが望ましい。しかしながら、反射層については既に述べた屈折率の条件を満たすことが最優先されるため、必ずしも低抵抗化に向いた材料を採用できるとは限らない。その際には、電極層に信号光の波長に対して透明な物質、もしくは素子動作に影響を及ぼさない物質（例えば光吸収層３と同じ物質など）を用い、積層構造を、反射層／電極層／光吸収層／電極層／反射層の構造にすることにより、光吸収層３で発生したキャリアはそのまま直近の電極層へ、光信号自体は電極層を通過して反射層で反射されて再び電極層から光吸収層３へ戻るようにする方法を採ることにより、低抵抗化の要件に対する反射層の影響を可能な限り除去することが可能である。

また、上部反射層および上部電極層は格子状になるために、抵抗が加工前よりも高くなる。抵抗の上昇率は開口部６の大きさや繰り返し周期などによって異なるが、抵抗が著しく高くなる場合は、上部電極層に移動度が高く抵抗値を低くしやすいｎ形半導体を、下部電極層にｐ形半導体を採用することで素子全体の抵抗値を下げることが可能である。さらには、下部反射層で信号光を１回反射させるだけでも光路長は本発明を適用しない表面入射型受光素子よりも増加させることが可能なため、特性向上もしくは作製上の難易度によっては上部反射層についてはあえて設けない構造も可能である。この場合、格子状のパターン部分も信号光が透過して下部反射層で反射することで光路長が光吸収層３の厚みの２倍となる上、周囲の四角錐状の開口部６からも信号光が格子状のパターン部分の下側の光吸収層３に入射されてくるため、上部電極層の単位面積当たりの受光効率は大幅に増加する。しかも、上部電極層の総面積が格子状のパターンにより減少しているため、下部電極層と上部電極層とによる素子の寄生容量成分は減少することとなり、素子動作の高速化に貢献することとなる。

以上の構造により、光吸収層３内での信号光ＢおよびＣの光路長ｄ_Ｂ、ｄ_Ｃは、上部及び下部反射層が設けられている場合において、光吸収層３の厚さをｔ、信号光Ａが入射する光反射屈折部５の面上の点における光吸収層３の厚さをｔ’、反射回数をｉ（ｉ＞０の正の整数）とすると、

ただし、四角錐の深さをｌ（通常はｔ＝ｌ）とした場合に

となる。受光効率は、おおまかには光吸収層３内での入射光の光路長で決まるため、基板面に（１００）面を用いた場合のαと、光吸収層３に対して入射光が垂直入射して透過した場合の受光効率を１とした場合の相対値との関係は式１〜６から図５のように見積もられる。なお、図５は、本発明の表面入射型受光素子の光反射屈折部５をなす面と受光効率の相対値との関係を示す図である。この結果は、素子動作の高速化のために光吸収層３を薄層化した場合においても、光吸収層３内での信号光の光路長を十分確保することが可能であることを示しており、光吸収層３の薄層化に伴う受光効率の減少を最小限にとどめることが可能となる。

実施の形態１
図１は、本発明の実施の形態１の表面入射型受光素子の構造を示す断面図である。１１は基板、１２は下部反射層、１３は下部電極層、１４は金属からなる下部電極、１５は光吸収層、１６は四角錐状の凹形斜面で構成される光反射屈折部、１７は四角錐状の開口部、１８は上部電極層、１９は金属からなる上部電極、２０はグリッドパターン部、３１は信号光である。

本実施の形態１においては、基本となる素子構造として、超格子ヘテロ接合アバランシェフォトダイオードを用いているが、本発明は該超格子ヘテロ接合アバランシェフォトダイオードへの適用に限定されることはなく、フォトダイオード全般に適用可能である。本実施の形態１では、光吸収層１５の基板１１側に反射鏡、すなわち、下部反射層１２を備えた場合の例を示す。本実施の形態１では、基板１１としてＦｅをドープしたＩｎＰ（００１）基板、下部反射層１２としてＩｎＰ基板に格子整合したＧａＡｓＳｂ／ＡｌＡｓＳｂＤＢＲ（分布ブラッグ反射鏡）、下部電極層１３としてＣをドープしたｐ形ＧａＡｓＳｂ層、光吸収層１５としてＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓ超格子、上部電極層１８としてＳｉをドープしたｎ形ＩｎＧａＡｓ層を用いている。

このときの信号光の波長は１．５５μｍであり、下部反射層１２および下部電極層１３に用いているＧａＡｓＳｂは、ＧａＡｓＳｂの吸収端波長を信号光の波長近傍から遠ざけるために実際には少量のＡｌを添加している。なお、本実施の形態１の詳細な構造については、説明に支障のない範囲で省略している。また、ドーパントおよび各層の構成材料については本記述に限定されることなく、所定の素子動作を実現できるものであれば他材料でもかまわない。

ＭＢＥ、ＭＯＣＶＤなどの結晶成長装置により所定の層構造を基板１１上に形成した後、リソグラフィとエッチングにより下部電極層１３および上部電極層１８が露出するメサ構造を形成する（図４参照）。次に、図４に示したようなグリッド状の開口部１７を作製するために、メサ構造の上にリソグラフィによりグリッドパターンを形成し、上部電極層１８を選択エッチングして光吸収層１５を露出させる。さらに光吸収層１５に対して異方性エッチングを行い、正四角錐状の開口部１７を有する複数の順メサ状の斜面で構成される窪み状の光反射屈折部１６を形成する。

本実施の形態１の表面入射型受光素子では、基板１１上に形成された光吸収層１５を有する表面入射型受光素子であって、当該表面入射型受光素子の表面から光吸収層１５まで達した窪みが設けられ、該窪みの一部を構成する光吸収層１５の複数の順メサ状の斜面で構成される光反射屈折部１６を備え、表面から入射した光が光反射屈折部１６を通過する際に、該光反射屈折部１６における反射および屈折により進行方向を変えて光吸収層１５に入射するようになっている。このようにグリッド状に残された光吸収層１５には、通常通りの垂直方向からの信号光３１のみならず、光反射屈折部１６により集光される信号光も入射するため、素子の実効的な単位面積当たりの受光効率は垂直方向からの信号光のみの場合と比較して大幅に増加させることが可能である。

実施の形態２
図２は、本発明の実施の形態２の表面入射型受光素子の構造を示す断面図である。２１は基板、２２は下部反射層、２３は下部電極層、２４は金属からなる下部電極、２５は光吸収層、２６は四角錐状の凹形斜面で構成される光反射屈折部、２７は四角錐状の開口部、３２はキャリア走行層、２８は上部電極層、３３は上部反射層、２９は金属からなる上部電極、３０はグリッドパターン部、３１は信号光である。

本実施の形態２においては、基本となる素子構造として単一走行キャリアフォトダイオードを用いているが、本発明は該単一走行キャリアフォトダイオードへの適用に限定されることはなく、フォトダイオード全般に適用可能である。本実施の形態２では、光吸収層２５の基板２１側および表面側に反射鏡、すなわち、下部反射層２２および上部反射層３３を備えた場合の例を示す。本実施の形態１では、基板２１としてはＦｅをドープしたＩｎＰ（００１）基板、下部反射層２２としてＩｎＰ基板に格子整合したＧａＡｓＳｂ／ＡｌＡｓＳｂＤＢＲ、下部電極層２３としてＣをドープしたｐ形ＧａＡｓＳｂ層、光吸収層２５としてＺｎをドープしたＩｎＧａＡｓ層、キャリア走行層３２としてアンドープのＩｎＰ層、上部電極層２８としてＳｉをドープしたｎ形ＩｎＰ層、上部反射層３３としてＩｎＰ層に格子整合したＧａＡｓＳｂ／ＡｌＡｓＳｂＤＢＲを用いている。なお、本実施の形態２の詳細な構造については、説明に支障のない範囲で省略している。また、ドーパントおよび各層の構成材料については本記述に限定されることなく、所定の素子動作を実現できるものであれば他材料でもかまわない。

ＭＢＥ、ＭＯＣＶＤなどの結晶成長装置により所定の層構造を基板２１上に形成した後、リソグラフィとエッチングにより下部電極層２３および上部電極層２８が露出するメサ構造を形成する。次に、櫛形（あるいはグリッド状でも可能）の開口部２７を作製するために、メサ構造の上にリソグラフィによりラインアンドスペースパターンを形成し、上部電極層２８およびキャリア走行層３２を選択エッチングして光吸収層２５を露出させる。さらに光吸収層２５に対して異方性エッチングを行い、櫛形に周期的に並んだ光反射屈折部２６を形成する。なお、櫛形パターン（あるいはグリッドパターン）の形状、各層の厚さ等によっては、キャリア走行層３２までを選択エッチングした後、キャリア走行層３２も含めて異方性エッチングを行い、キャリア走行層３２の一部も光反射屈折部として使用することも可能である。

本実施の形態２の表面入射型受光素子においても、櫛形に残された光吸収層２５には、通常通りの垂直方向からの信号光３１のみならず、光反射屈折部２６により集光される信号光も入射するため、素子の実効的な単位面積当たりの受光効率は垂直方向からの信号光のみの場合と比較して大幅に増加させることが可能である。
以上のように上記実施の形態１、２では、表面入射型受光素子に受光効率を向上させる構造を導入することにより、モジュール化の容易性、応答速度の高速化、受光効率の高効率化の全てを同時に満たす受光素子を実現することが可能となる。
なお、以上説明した実施の形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記実施の形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。例えば、開口部２７は図１の実施の形態１、図２の実施の形態２では、光吸収層１５、２５を貫通しているが、必ずしも貫通していなくても本発明による効果が得られる。

本発明の実施の形態１の表面入射型受光素子の構造を示す断面図である。本発明の実施の形態２の表面入射型受光素子の構造を示す断面図である。本発明の表面入射型受光素子の主要部位を示す断面図である。本発明の表面入射型受光素子の全体斜視図である。本発明の表面入射型受光素子の光反射屈折部をなす面と受光効率の相対値との関係を示す図である。（ａ）は表面入射型受光素子、（ｂ）は導波路型受光素子、（ｃ）は裏面入射型受光素子、（ｄ）は斜影投射構造を付加した裏面入射型受光素子の構造を示す断面図である。

符号の説明

１…基板２…ｐ形半導体層
３…光吸収層４…ｎ形半導体層
５…光反射屈折部６…開口部
７…入射光
１１…基板１２…下部反射層
１３…下部電極層１４…下部電極
１５…光吸収層１６…光反射屈折部
１７…開口部１８…上部電極層
１９…上部電極２０…グリッドパターン部
２１…基板２２…下部反射層
２３…下部電極層２４…下部電極
２５…光吸収層２６…光反射屈折部
２７…開口部２８…上部電極層
２９…上部電極３０…グリッドパターン部
３１…信号光３２…キャリア走行層
３３…上部反射層
６１…基板６２…下部電極層
６３…光吸収層６４…上部電極層
６５…入射光６６…透過光
６７…光反射屈折部６８…反射光

Claims

基板上に形成された光吸収層を有する表面入射型受光素子であって、当該表面入射型受光素子の表面から前記光吸収層まで達した窪みが設けられ、該窪みの一部を構成する前記光吸収層の複数の順メサ状の斜面で構成される光反射屈折部を備え、
前記表面から入射した光が前記光反射屈折部を通過する際に、該光反射屈折部における反射および屈折により進行方向を変えて前記光吸収層に入射するようになっていることを特徴とする表面入射型受光素子。
前記光吸収層の前記基板側、もしくは前記基板側および前記表面側に、該光吸収層に入射した光を反射する反射層を有することを特徴とする請求項１記載の表面入射型受光素子。
前記光吸収層の上下に電極層を有し、前記基板側に近い前記電極層がｐ形半導体層、逆側の電極層がｎ形半導体層で構成されていることを特徴とする請求項１または２記載の表面入射型受光素子。
前記光反射屈折部が、（１１１）Ａ面ならびに（１１１）Ｂ面、もしくは（１１１）Ａ面ならびに（１１１）Ｂ面と結晶学的に等価な面で構成されていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか記載の表面入射型受光素子。
前記光反射屈折部の開口部の寸法が、受光する信号光の波長と同程度かそれ以上であることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか記載の表面入射型受光素子。