JPH03142881A - 固体撮像装置の製造方法 - Google Patents
固体撮像装置の製造方法Info
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- JPH03142881A JPH03142881A JP1281008A JP28100889A JPH03142881A JP H03142881 A JPH03142881 A JP H03142881A JP 1281008 A JP1281008 A JP 1281008A JP 28100889 A JP28100889 A JP 28100889A JP H03142881 A JPH03142881 A JP H03142881A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は固体撮像装置に関し、特に表面に集光体を有し
た固体撮像装置に関する。
た固体撮像装置に関する。
固体撮像装置において、高感度化は特性の上で重要なポ
イントであるが、装置の高画素密度化に伴ｔｘい従来の
ような半導体構造の改良による感度向上には限界が生じ
ている。そこで近年、装置表面に凸状の集光体を形成し
、入射光な光電変換部に集光させ、感度を向上させる方
法が実用化されつつある。
イントであるが、装置の高画素密度化に伴ｔｘい従来の
ような半導体構造の改良による感度向上には限界が生じ
ている。そこで近年、装置表面に凸状の集光体を形成し
、入射光な光電変換部に集光させ、感度を向上させる方
法が実用化されつつある。
第２図は表面に集光体を形成した従来の固体撮像装置の
断面図である。半導体基板２０１表面に受光部２０２．
電荷転送部（図示せず）、更に遮光膜２０３を順次形成
する０次に透明平坦化層２０４をその内部にカラーフィ
ルタ層２０６を含むように形成した後、透明平坦化層２
０４の表面に集光体２０５を形成する。
断面図である。半導体基板２０１表面に受光部２０２．
電荷転送部（図示せず）、更に遮光膜２０３を順次形成
する０次に透明平坦化層２０４をその内部にカラーフィ
ルタ層２０６を含むように形成した後、透明平坦化層２
０４の表面に集光体２０５を形成する。
この集光体２０５はノボラック系フォトレジスト等の比
較的軟化温度の低い材料を用い、パターン形成した後、
例えば１５０℃の温度で溶融（リフロー）させ凸状の集
光体を各受光部に対応して形成している。
較的軟化温度の低い材料を用い、パターン形成した後、
例えば１５０℃の温度で溶融（リフロー）させ凸状の集
光体を各受光部に対応して形成している。
かかる従来構造による集光体２０５には以下に記す問題
点がある。すなわちフォトレジストのような軟化温度の
低い熱変形樹脂を用いて集光体２０５を形成した場合、
十分に温度制御を行ない同一チップ内で均一な集光体２
０５を形成しても集光体２０５を形成した後の熱工程で
再びフォトレジストが再度溶融され、集光体２０５の形
状が変化することがある０例えば組立工程でのボンディ
ングやチップ取り付けや容器への封入処理では、約り５
０℃〜約１８０℃の熱が加わり、その都度集光体２０５
の形状が変形する。
点がある。すなわちフォトレジストのような軟化温度の
低い熱変形樹脂を用いて集光体２０５を形成した場合、
十分に温度制御を行ない同一チップ内で均一な集光体２
０５を形成しても集光体２０５を形成した後の熱工程で
再びフォトレジストが再度溶融され、集光体２０５の形
状が変化することがある０例えば組立工程でのボンディ
ングやチップ取り付けや容器への封入処理では、約り５
０℃〜約１８０℃の熱が加わり、その都度集光体２０５
の形状が変形する。
従って、同一チップ内で集光体２０５の形状がバラツキ
、その結実装置の感度バラツキ、あるいは所望の感度が
得られないという問題が発生していた。
、その結実装置の感度バラツキ、あるいは所望の感度が
得られないという問題が発生していた。
この対策として集光体２０５をあらかじめ軟化温度の高
い（約２００℃）材料で形成する方法も考えられるが、
２００℃以上の温度を集光体２０５の形成時に半導体基
板に加えると、集光体２０５の下に形成している例えば
カゼインあるいはゼラチンからなる被染色体を染色して
成るカラーフィルター層２０６が脱色し、色ムラ等の不
良が発生する問題があった。
い（約２００℃）材料で形成する方法も考えられるが、
２００℃以上の温度を集光体２０５の形成時に半導体基
板に加えると、集光体２０５の下に形成している例えば
カゼインあるいはゼラチンからなる被染色体を染色して
成るカラーフィルター層２０６が脱色し、色ムラ等の不
良が発生する問題があった。
本発明によれば、半導体基板の一主面上に複数の受光部
及び電荷転送部を有し、この受光部上に透明平坦化層を
介して凸状の集光体を有する固体撮像装置において、凸
状の集光体は少なくとも２層以上の透明層から形成され
ている固体撮像装置を得る。
及び電荷転送部を有し、この受光部上に透明平坦化層を
介して凸状の集光体を有する固体撮像装置において、凸
状の集光体は少なくとも２層以上の透明層から形成され
ている固体撮像装置を得る。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の半導体チップの断面図であ
る。半導体基板１０１表面上に受光部１０２、電荷転送
部（図示せず）、透明膜１０３を順次形成する０次に透
明平坦化層１０４をＰＧＭＡ（ポリグリシジルメタレー
ト）やＰＭＭＡ （ポリメチルメタクレート）等のスピ
ン−塗布法により約３．０μｍの厚さ形成する。この時
透明平坦化層１０４内にカラーフィルタ層１０８を埋め
込むようにする。
る。半導体基板１０１表面上に受光部１０２、電荷転送
部（図示せず）、透明膜１０３を順次形成する０次に透
明平坦化層１０４をＰＧＭＡ（ポリグリシジルメタレー
ト）やＰＭＭＡ （ポリメチルメタクレート）等のスピ
ン−塗布法により約３．０μｍの厚さ形成する。この時
透明平坦化層１０４内にカラーフィルタ層１０８を埋め
込むようにする。
次に例えばポジ型のフォトレジストを通常のリソグラフ
ィー技術によりパターニングし、全面光照射して可視光
領域に透過率を９５％以上にした後、約１５０℃の熱処
理を行ない、各受光部１０２上に対応して第１の集光体
透明層１０５を形成する０次に、この第１の集光体透明
層１０５より軟化温度の高い（約２００℃程度）例えば
Ｐ ＧＭＡ 。
ィー技術によりパターニングし、全面光照射して可視光
領域に透過率を９５％以上にした後、約１５０℃の熱処
理を行ない、各受光部１０２上に対応して第１の集光体
透明層１０５を形成する０次に、この第１の集光体透明
層１０５より軟化温度の高い（約２００℃程度）例えば
Ｐ ＧＭＡ 。
ＰＭＭＡあるいは、光吸収波長が４００ｎｓａ以下のデ
ィープＵＶ用ネガレジスト等を約１０００〜２０００人
の厚さに前記第１の集光体透明層１０５上に被着して第
２の集光体透明層１０６とし固体撮像装置を形成する。
ィープＵＶ用ネガレジスト等を約１０００〜２０００人
の厚さに前記第１の集光体透明層１０５上に被着して第
２の集光体透明層１０６とし固体撮像装置を形成する。
この第２の集光体透明層１０６が第１の集光体透明層１
０５表面上に存在することにより、集光体形成後の工程
で熱を加えても第１の集光体層１０５は第２の集光体層
１０６に表面を押さえられている為、再リフローをする
ことはない。
０５表面上に存在することにより、集光体形成後の工程
で熱を加えても第１の集光体層１０５は第２の集光体層
１０６に表面を押さえられている為、再リフローをする
ことはない。
次に本発明の第２の実施例として、前記第１の集光体透
明層１０５を形成した後に、この第１の集光体透明層１
０５の表面を硬化処理をすることにより約２０００人〜
３０００人の硬化層を形成することもできる。この場合
も、第１の実施例と同様、後工程での熱による第１の集
光体透明層１０５のリフローを防止することも可能であ
る。かかる硬化処理は、例えばシランカップリング剤を
含む溶液にデイツプ方式で第１の集光体透明層１０５が
形成された半導体基板を処理するのが適当である。
明層１０５を形成した後に、この第１の集光体透明層１
０５の表面を硬化処理をすることにより約２０００人〜
３０００人の硬化層を形成することもできる。この場合
も、第１の実施例と同様、後工程での熱による第１の集
光体透明層１０５のリフローを防止することも可能であ
る。かかる硬化処理は、例えばシランカップリング剤を
含む溶液にデイツプ方式で第１の集光体透明層１０５が
形成された半導体基板を処理するのが適当である。
以上説明したように、本発明は、軟化温度の低いフォト
レジスト膜等からなる第１の集光体透明層の表面に軟化
温度の高い第２の集光体透明層を形成することにより、
例えば集光体形成後の組立工程で加わる熱により第１の
集光体透明層が再溶融して変形するのを防止する効果が
ある。これにより、安定的に高感度の固体撮像装置を形
成することが可能となる。
レジスト膜等からなる第１の集光体透明層の表面に軟化
温度の高い第２の集光体透明層を形成することにより、
例えば集光体形成後の組立工程で加わる熱により第１の
集光体透明層が再溶融して変形するのを防止する効果が
ある。これにより、安定的に高感度の固体撮像装置を形
成することが可能となる。
第１図は本発明の一実施例の断面図、第２図は従来構造
１説明する為の断面図である。 １０１．２０１・・・・・・半導体基板、１０２，２０
２・・・・・・受光部、１０３．２０３・・・・・・遮
光膜、２０４・・・・・・透明平坦化層、１０５，１０
６゜２０５・・・・・・集光体。 ０４゜ １０７゜
１説明する為の断面図である。 １０１．２０１・・・・・・半導体基板、１０２，２０
２・・・・・・受光部、１０３．２０３・・・・・・遮
光膜、２０４・・・・・・透明平坦化層、１０５，１０
６゜２０５・・・・・・集光体。 ０４゜ １０７゜
Claims (1)
- 半導体基板の一主面上に複数の受光部および電荷転送
部を有し、該受光部上に透明平坦化層を介して凸状の集
光体を有する固体撮像装置において、該凸状の集光体は
少なくとも２層以上の透明層からなることを特徴とする
固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1281008A JP2555893B2 (ja) | 1989-10-27 | 1989-10-27 | 固体撮像装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1281008A JP2555893B2 (ja) | 1989-10-27 | 1989-10-27 | 固体撮像装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03142881A true JPH03142881A (ja) | 1991-06-18 |
| JP2555893B2 JP2555893B2 (ja) | 1996-11-20 |
Family
ID=17632994
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1281008A Expired - Lifetime JP2555893B2 (ja) | 1989-10-27 | 1989-10-27 | 固体撮像装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2555893B2 (ja) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60233852A (ja) * | 1984-05-04 | 1985-11-20 | Victor Co Of Japan Ltd | 固体撮像装置 |
| JPS61203663A (ja) * | 1985-02-13 | 1986-09-09 | Nec Corp | 固体撮像装置の製造方法 |
| JPS6477161A (en) * | 1987-09-18 | 1989-03-23 | Toshiba Corp | Solid-state image sensing element and manufacture thereof |
| JPH01207831A (ja) * | 1988-02-16 | 1989-08-21 | Fujitsu Ltd | マルチタスクシステム |
| JPH01237731A (ja) * | 1988-03-17 | 1989-09-22 | Nec Corp | 動的ジョブ多重度制御方式 |
-
1989
- 1989-10-27 JP JP1281008A patent/JP2555893B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60233852A (ja) * | 1984-05-04 | 1985-11-20 | Victor Co Of Japan Ltd | 固体撮像装置 |
| JPS61203663A (ja) * | 1985-02-13 | 1986-09-09 | Nec Corp | 固体撮像装置の製造方法 |
| JPS6477161A (en) * | 1987-09-18 | 1989-03-23 | Toshiba Corp | Solid-state image sensing element and manufacture thereof |
| JPH01207831A (ja) * | 1988-02-16 | 1989-08-21 | Fujitsu Ltd | マルチタスクシステム |
| JPH01237731A (ja) * | 1988-03-17 | 1989-09-22 | Nec Corp | 動的ジョブ多重度制御方式 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2555893B2 (ja) | 1996-11-20 |
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