JPH0444266A - 固体撮像素子のマイクロレンズ形成方法 - Google Patents
固体撮像素子のマイクロレンズ形成方法Info
- Publication number
- JPH0444266A JPH0444266A JP2149629A JP14962990A JPH0444266A JP H0444266 A JPH0444266 A JP H0444266A JP 2149629 A JP2149629 A JP 2149629A JP 14962990 A JP14962990 A JP 14962990A JP H0444266 A JPH0444266 A JP H0444266A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- photosensitive resin
- microlens
- color filter
- solid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 42
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 42
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims abstract description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 18
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 abstract description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 5
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 13
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 5
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 4
- QVEIBLDXZNGPHR-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,4-dione;diazide Chemical compound [N-]=[N+]=[N-].[N-]=[N+]=[N-].C1=CC=C2C(=O)C=CC(=O)C2=C1 QVEIBLDXZNGPHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 4
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 4
- 108010010803 Gelatin Proteins 0.000 description 3
- 239000005018 casein Substances 0.000 description 3
- BECPQYXYKAMYBN-UHFFFAOYSA-N casein, tech. Chemical compound NCCCCC(C(O)=O)N=C(O)C(CC(O)=O)N=C(O)C(CCC(O)=N)N=C(O)C(CC(C)C)N=C(O)C(CCC(O)=O)N=C(O)C(CC(O)=O)N=C(O)C(CCC(O)=O)N=C(O)C(C(C)O)N=C(O)C(CCC(O)=N)N=C(O)C(CCC(O)=N)N=C(O)C(CCC(O)=N)N=C(O)C(CCC(O)=O)N=C(O)C(CCC(O)=O)N=C(O)C(COP(O)(O)=O)N=C(O)C(CCC(O)=N)N=C(O)C(N)CC1=CC=CC=C1 BECPQYXYKAMYBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 235000021240 caseins Nutrition 0.000 description 3
- 229920000159 gelatin Polymers 0.000 description 3
- 239000008273 gelatin Substances 0.000 description 3
- 235000019322 gelatine Nutrition 0.000 description 3
- 235000011852 gelatine desserts Nutrition 0.000 description 3
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 3
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- HXVNBWAKAOHACI-UHFFFAOYSA-N 2,4-dimethyl-3-pentanone Chemical compound CC(C)C(=O)C(C)C HXVNBWAKAOHACI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SYBYTAAJFKOIEJ-UHFFFAOYSA-N 3-Methylbutan-2-one Chemical compound CC(C)C(C)=O SYBYTAAJFKOIEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930192627 Naphthoquinone Natural products 0.000 description 1
- 230000032900 absorption of visible light Effects 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000001273 butane Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- QNXSIUBBGPHDDE-UHFFFAOYSA-N indan-1-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)CCC2=C1 QNXSIUBBGPHDDE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- ZGHFDIIVVIFNPS-UHFFFAOYSA-N methyl alpha-methylvinyl ketone Natural products CC(=C)C(C)=O ZGHFDIIVVIFNPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 150000002791 naphthoquinones Chemical class 0.000 description 1
- 238000001782 photodegradation Methods 0.000 description 1
- 238000006303 photolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000015843 photosynthesis, light reaction Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- YBBRCQOCSYXUOC-UHFFFAOYSA-N sulfuryl dichloride Chemical compound ClS(Cl)(=O)=O YBBRCQOCSYXUOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Color Television Image Signal Generators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
この発明は固体撮像素子のマイクロレンズ形成方法に関
する。
する。
近年、固体撮像素子の開発が盛んに行われている。例え
ば、第４図に示すように、受光部（Ｎ型拡散領域）１４
を形成したＰ型半導体基板１２上に、カラーフィルタ（
いわゆるオンチップカラーフィルタ）４０を設け、さら
に保護層３０を挾んで集光用のマイクロレンズ１２８を
設けたものがある。上ｇ己カラーフィルタ４０は、ゼラ
チンまたはカゼインを赤、緑、青に染色したものからな
り、４０Ｒ，４０Ｇ、４０Ｂは各色に対応する部分を示
している。マイクロレンズ１２８は、透光性を有する樹
脂からなり、受光１１１４ごとに半球状または一方向に
並ぶ一群の受光１１４ごとに半円柱状に成形されている
。なお、１４はＮ型拡散碩域１８および２０は転送用電
極、２４は遮光用メタル、２２および２６は中間層をそ
れぞれ示している。また、１６はチャンネルとなる領域
である。 上記マイクロレンズ１２８を形成する場合、第３図（ａ
）に示すように、固体撮像素子基板（Ｐ型半導体基板１
２上に保護膜３０まで形成したもの）ｌ上に、まず感光
性樹脂１２７を層状に設ける。 次に、ホトエツチング法により、この感光性樹脂１２７
を正方またはストライプ状のパターンで、受光部１４ご
とまたは一方向に並ぶ一群の受光部１４ごとに選択的に
エツチングして断面矩形状に加工する。続いて、第３図
（ｂ）に示すように、１５０〜１６０℃の温度で加熱し
て、上記感光性樹脂１２７を軟化させて表面張力により
半球状または半円柱状に成形する。このようにして、マ
イクロレンズ１２８を形成している。なお、上記感光性
樹脂１２７としては、ナフトキノンジアジド（感光剤）
を加えたノボラック樹脂を用いている。
ば、第４図に示すように、受光部（Ｎ型拡散領域）１４
を形成したＰ型半導体基板１２上に、カラーフィルタ（
いわゆるオンチップカラーフィルタ）４０を設け、さら
に保護層３０を挾んで集光用のマイクロレンズ１２８を
設けたものがある。上ｇ己カラーフィルタ４０は、ゼラ
チンまたはカゼインを赤、緑、青に染色したものからな
り、４０Ｒ，４０Ｇ、４０Ｂは各色に対応する部分を示
している。マイクロレンズ１２８は、透光性を有する樹
脂からなり、受光１１１４ごとに半球状または一方向に
並ぶ一群の受光１１４ごとに半円柱状に成形されている
。なお、１４はＮ型拡散碩域１８および２０は転送用電
極、２４は遮光用メタル、２２および２６は中間層をそ
れぞれ示している。また、１６はチャンネルとなる領域
である。 上記マイクロレンズ１２８を形成する場合、第３図（ａ
）に示すように、固体撮像素子基板（Ｐ型半導体基板１
２上に保護膜３０まで形成したもの）ｌ上に、まず感光
性樹脂１２７を層状に設ける。 次に、ホトエツチング法により、この感光性樹脂１２７
を正方またはストライプ状のパターンで、受光部１４ご
とまたは一方向に並ぶ一群の受光部１４ごとに選択的に
エツチングして断面矩形状に加工する。続いて、第３図
（ｂ）に示すように、１５０〜１６０℃の温度で加熱し
て、上記感光性樹脂１２７を軟化させて表面張力により
半球状または半円柱状に成形する。このようにして、マ
イクロレンズ１２８を形成している。なお、上記感光性
樹脂１２７としては、ナフトキノンジアジド（感光剤）
を加えたノボラック樹脂を用いている。
ところで、上記カラーフィルタ４ｏはゼラチンまたはカ
ゼインからなり、熱に弱いものである。 実際に、１５０〜１６０℃程度以上に加熱すると、熱歪
によってクラック（ひび割れ）を起こしてしまう。この
ため、上に述べたように、上記感光性樹脂１２７を成形
する工程の温度は１５０〜１６０℃程度以下に抑えてい
る。しかしながら、上記工程の温度を１５０〜１６０℃
程度以下の温度に抑える場合、感光性樹脂１２７の種類
を選択できる範囲が極めて制限される。この結果、透光
性の良い感光性樹脂を採用することが困難となっている
。 上記ナフトキノンジアジドを加えたノボラック樹脂は透
光性が良くなるように工夫されたものであるが、それで
も透過率（測定条件二波長４００ｎ（膜厚２μ１０以下
同じ。）がせいぜい８０％にしかならない。このため、
上記従来のマイクロレンズ形成方法では、透光性の良い
マイクロレンズ１２８を形成することができないという
問題があった。 そこで、この発明の目的は、カラーフィルタを変質させ
ることなく、透光性の良いマイクロレンズを形成するこ
とができる固体撮像素子のマイクロレンズ形成方法を提
供することにある。
ゼインからなり、熱に弱いものである。 実際に、１５０〜１６０℃程度以上に加熱すると、熱歪
によってクラック（ひび割れ）を起こしてしまう。この
ため、上に述べたように、上記感光性樹脂１２７を成形
する工程の温度は１５０〜１６０℃程度以下に抑えてい
る。しかしながら、上記工程の温度を１５０〜１６０℃
程度以下の温度に抑える場合、感光性樹脂１２７の種類
を選択できる範囲が極めて制限される。この結果、透光
性の良い感光性樹脂を採用することが困難となっている
。 上記ナフトキノンジアジドを加えたノボラック樹脂は透
光性が良くなるように工夫されたものであるが、それで
も透過率（測定条件二波長４００ｎ（膜厚２μ１０以下
同じ。）がせいぜい８０％にしかならない。このため、
上記従来のマイクロレンズ形成方法では、透光性の良い
マイクロレンズ１２８を形成することができないという
問題があった。 そこで、この発明の目的は、カラーフィルタを変質させ
ることなく、透光性の良いマイクロレンズを形成するこ
とができる固体撮像素子のマイクロレンズ形成方法を提
供することにある。
上ｉ己目的を達成するために、この発明の固体撮像素子
のマイクロレンズ形成方法は、受光部を覆うカラーフィ
ルタを設けた基板上に、透光性を有する感光性樹脂を層
状に設ける工程と、この感光性樹脂を正方またはストラ
イプ状のパターンで上記受光部ごとまたは一方向に並ぶ
一群の受光部ごとにホトエツチングして、断面矩形状に
加工する工程と、上記感光性樹脂に対して紫外光を照射
した状態で、上記カラーフィルタを変質させない１６０
℃以下の温度で加熱して、上記感光性樹脂を軟化させて
表面張力により半球状または半円柱状に成形する工程と
を有することを特徴としている。
のマイクロレンズ形成方法は、受光部を覆うカラーフィ
ルタを設けた基板上に、透光性を有する感光性樹脂を層
状に設ける工程と、この感光性樹脂を正方またはストラ
イプ状のパターンで上記受光部ごとまたは一方向に並ぶ
一群の受光部ごとにホトエツチングして、断面矩形状に
加工する工程と、上記感光性樹脂に対して紫外光を照射
した状態で、上記カラーフィルタを変質させない１６０
℃以下の温度で加熱して、上記感光性樹脂を軟化させて
表面張力により半球状または半円柱状に成形する工程と
を有することを特徴としている。
基板上の感光性樹脂に対して紫外光を照射すると、上記
感光性樹脂に含まれる光活性基が光崩壊または光解璽合
を起こす。そして、上記感光性樹脂のポリマーが低分子
量化して、ガラス転位点が低下する。したがって、単に
加熱するだけでは１８０℃程度以上の高温でしか融解し
ないポリマーが、１４０〜１５０℃程度の温度で融解す
る。したがって、上記感光性樹脂の組成を選択できる範
囲が広がり、透光性の良い感光性樹脂を採用できる。こ
れにより、カラーフィルタを変質させることなく、透光
性の良いマイクロレンズが形成される。 しかも、上記紫外光を照射することによって、上記感光
性樹脂中の可視光を吸収する光活性基が分解して、工程
完了後に可視光の吸収が減少した状態となる。したがっ
て、上記マイクロレンズの透光性がさらに向上する。
感光性樹脂に含まれる光活性基が光崩壊または光解璽合
を起こす。そして、上記感光性樹脂のポリマーが低分子
量化して、ガラス転位点が低下する。したがって、単に
加熱するだけでは１８０℃程度以上の高温でしか融解し
ないポリマーが、１４０〜１５０℃程度の温度で融解す
る。したがって、上記感光性樹脂の組成を選択できる範
囲が広がり、透光性の良い感光性樹脂を採用できる。こ
れにより、カラーフィルタを変質させることなく、透光
性の良いマイクロレンズが形成される。 しかも、上記紫外光を照射することによって、上記感光
性樹脂中の可視光を吸収する光活性基が分解して、工程
完了後に可視光の吸収が減少した状態となる。したがっ
て、上記マイクロレンズの透光性がさらに向上する。
以下、この発明の固体撮像素子のマイクロレンズ形成方
法を図示の実施例により詳細ｌこ説明する。 第り図（ａ）に示すように、受光部を覆うカラーフィル
タ（ゼラチンまたはカゼインからなる）を設けた固体撮
像素子基板１を用意する。そして、この基板ｌの表面の
保護層３０上に、感光性樹脂２７を膜厚２μ夏で層状に
設け、続いて、ホトエツチング法により、この感光性樹
脂２７を正方またはストライプ状のパターンで受光部ご
とまたは一方向に並ぶ一群の受光部ごとに選択的にエツ
チングして断面矩形状に加工する。ここで、感光性樹脂
２７の材質は、アクリル系のポリメチルメタクリレー）
（ＰＭＭＡ）またはポリメチルイソプロピルケトン（Ｐ
ＭＩＰＫ）とする。これらは、いずれも透過率が９７〜
９８％であり、従来のナフトキノンジアジドを加えたノ
ボラック樹脂（透過率８０％以下）よりも透光性に優れ
ている。けれども、単に加熱するだけの場合、軟化させ
るためには１８０〜２５０℃の温度を要する。 次に、第２図に示すように、上記感光性樹脂２７に対し
て波長２００〜３２０ｒｖ＋の遠紫外（ＤＵＶ）光を照
射した状態で、上記基板ｌをホットプレート上で加熱す
る。すなわち、室温（時刻ｔｏ）から１０℃／ｓｉｎの
割合で１４０℃まで昇温して、時刻ｔ１から時刻ｔ、ま
で約２０程度度温度１４０℃の状態を保つようにする。 なお、光源としてクセノンＤＵＶランプを使用し、照度
は波長２５４ｎｍで２０Ｗ／ＣＩｌ＋″とする。このよ
うにした場合、上記ＤＵＶ光を照射することにより、感
光性樹脂２７に含まれる光活性基が光崩壊または光解璽
合を起こす。そして、上記感光性樹１１２７のポリマー
が低分子量化して、ガラス転位点が低下する。したがっ
て、単に加熱するだけでは１８０℃以上の高温でしか融
解しないポリマーが１４０℃の低温で融解する。したが
って、第１図（ｂ）に示すように、この温度１４０℃で
もってカラーフィルタを変質させることなく、上記感光
性樹脂２７を表面張力により半球状または半円柱状に成
形することができる。すなわち、マイクロレンズ２８を
形成することができる。ただし、より完全に成形するた
めに、第２図に示すように、時刻ｔ、に上記ＤＵＶ光の
照射を停止した後、ｌＯ℃／ｓｉｎの割合で１５０℃ま
で昇温する。そして、時刻ｔ、から時刻ｔ、まで約ＩＯ
分間程度温度１５０℃の状態を保ち、その後自然冷却し
ている。このように、感光性樹脂２７として透過率９７
〜９８％を示すアクリル系のＰＭＭＡまたはＰＭＩ Ｐ
Ｋを用いてマイクロレンズ２８を形成することができる
。なお、工程完了後も上記透過率９７〜９８％はそのま
まの値となっている。 なお、ＤＵＶ光照射中に感光性樹脂２７の融解を促進す
るために、増感剤としてｐ−メトキノ安息香酸を添加し
ても良い。またＭＭＡ（メチルメタクリレート）に３−
メタクリロキシイミノ−２−ブタンまたはインダノンを
共重合させても良い。 また、上記感光性樹脂２７として、感光剤としてナフト
キノンジアジド−４〜スルホニルクロリドを加えたノボ
ラック樹脂を用いても良い。この場合も、まず第１図（
ａ）に示すように、基板ｌ上に塗布する。なお、塗布し
ただけの状態では透過率４０％（赤褐色）であり、従来
のナフトキノンジアジド（感光基４−スルホニルクロリ
ドを含まないもの）を加えたノボラック樹脂よりも透光
性が劣っている。しかも、単に加熱するだけの場合、軟
化させるためには１８０℃以上の温度を要する。 次に、この樹脂に対して高圧水銀ランプを使用して波長
３６５ｎｇ＋を含む近紫外光（３５０〜４５０ｎ■）を
照射した状態で、オーブン中で温度１５０℃、３０分間
の加熱を行ってマイクロレンズ２８を形成する。この場
合も、ＰＭＭＡまたはＰＭＩＰＫの場合と同様に、ガラ
ス転位点が低下して良好な形状のマイクロレンズ２ｇを
形成できる。しかも、上記近紫外光によって感光剤の光
活性基を分解することができ、工程完了後に可視光の吸
収を減少させることができる。実際に、透過率を９２％
以上に上昇させることかできた。
法を図示の実施例により詳細ｌこ説明する。 第り図（ａ）に示すように、受光部を覆うカラーフィル
タ（ゼラチンまたはカゼインからなる）を設けた固体撮
像素子基板１を用意する。そして、この基板ｌの表面の
保護層３０上に、感光性樹脂２７を膜厚２μ夏で層状に
設け、続いて、ホトエツチング法により、この感光性樹
脂２７を正方またはストライプ状のパターンで受光部ご
とまたは一方向に並ぶ一群の受光部ごとに選択的にエツ
チングして断面矩形状に加工する。ここで、感光性樹脂
２７の材質は、アクリル系のポリメチルメタクリレー）
（ＰＭＭＡ）またはポリメチルイソプロピルケトン（Ｐ
ＭＩＰＫ）とする。これらは、いずれも透過率が９７〜
９８％であり、従来のナフトキノンジアジドを加えたノ
ボラック樹脂（透過率８０％以下）よりも透光性に優れ
ている。けれども、単に加熱するだけの場合、軟化させ
るためには１８０〜２５０℃の温度を要する。 次に、第２図に示すように、上記感光性樹脂２７に対し
て波長２００〜３２０ｒｖ＋の遠紫外（ＤＵＶ）光を照
射した状態で、上記基板ｌをホットプレート上で加熱す
る。すなわち、室温（時刻ｔｏ）から１０℃／ｓｉｎの
割合で１４０℃まで昇温して、時刻ｔ１から時刻ｔ、ま
で約２０程度度温度１４０℃の状態を保つようにする。 なお、光源としてクセノンＤＵＶランプを使用し、照度
は波長２５４ｎｍで２０Ｗ／ＣＩｌ＋″とする。このよ
うにした場合、上記ＤＵＶ光を照射することにより、感
光性樹脂２７に含まれる光活性基が光崩壊または光解璽
合を起こす。そして、上記感光性樹１１２７のポリマー
が低分子量化して、ガラス転位点が低下する。したがっ
て、単に加熱するだけでは１８０℃以上の高温でしか融
解しないポリマーが１４０℃の低温で融解する。したが
って、第１図（ｂ）に示すように、この温度１４０℃で
もってカラーフィルタを変質させることなく、上記感光
性樹脂２７を表面張力により半球状または半円柱状に成
形することができる。すなわち、マイクロレンズ２８を
形成することができる。ただし、より完全に成形するた
めに、第２図に示すように、時刻ｔ、に上記ＤＵＶ光の
照射を停止した後、ｌＯ℃／ｓｉｎの割合で１５０℃ま
で昇温する。そして、時刻ｔ、から時刻ｔ、まで約ＩＯ
分間程度温度１５０℃の状態を保ち、その後自然冷却し
ている。このように、感光性樹脂２７として透過率９７
〜９８％を示すアクリル系のＰＭＭＡまたはＰＭＩ Ｐ
Ｋを用いてマイクロレンズ２８を形成することができる
。なお、工程完了後も上記透過率９７〜９８％はそのま
まの値となっている。 なお、ＤＵＶ光照射中に感光性樹脂２７の融解を促進す
るために、増感剤としてｐ−メトキノ安息香酸を添加し
ても良い。またＭＭＡ（メチルメタクリレート）に３−
メタクリロキシイミノ−２−ブタンまたはインダノンを
共重合させても良い。 また、上記感光性樹脂２７として、感光剤としてナフト
キノンジアジド−４〜スルホニルクロリドを加えたノボ
ラック樹脂を用いても良い。この場合も、まず第１図（
ａ）に示すように、基板ｌ上に塗布する。なお、塗布し
ただけの状態では透過率４０％（赤褐色）であり、従来
のナフトキノンジアジド（感光基４−スルホニルクロリ
ドを含まないもの）を加えたノボラック樹脂よりも透光
性が劣っている。しかも、単に加熱するだけの場合、軟
化させるためには１８０℃以上の温度を要する。 次に、この樹脂に対して高圧水銀ランプを使用して波長
３６５ｎｇ＋を含む近紫外光（３５０〜４５０ｎ■）を
照射した状態で、オーブン中で温度１５０℃、３０分間
の加熱を行ってマイクロレンズ２８を形成する。この場
合も、ＰＭＭＡまたはＰＭＩＰＫの場合と同様に、ガラ
ス転位点が低下して良好な形状のマイクロレンズ２ｇを
形成できる。しかも、上記近紫外光によって感光剤の光
活性基を分解することができ、工程完了後に可視光の吸
収を減少させることができる。実際に、透過率を９２％
以上に上昇させることかできた。
以上より明らかなように、この発明の固体撮像素子のマ
イクロレンズ形成方法は、マイク。レンズの材料とする
感光性樹脂に対して紫外光を照射した状態で加熱してい
るので、オンチップカラーフィルタを変質させることな
く、透光性の良いマイクロレンズを形成することができ
る。 しかも、上記感光性樹脂中の可視光を吸収する光活性基
を分解して、工程完了後にマイクロレンズの透光性を良
くすることができる。
イクロレンズ形成方法は、マイク。レンズの材料とする
感光性樹脂に対して紫外光を照射した状態で加熱してい
るので、オンチップカラーフィルタを変質させることな
く、透光性の良いマイクロレンズを形成することができ
る。 しかも、上記感光性樹脂中の可視光を吸収する光活性基
を分解して、工程完了後にマイクロレンズの透光性を良
くすることができる。
第１図（ａ）乃至（ｂ）はこの発明の一実施例の固体撮
像素子のマイクロレンズ形成方法を説明する工程図、第
２図は上記固体撮像素子のマイクロレンズ形成方法にお
ける基板加熱温度の時間変化を示す図、第３図（ａ）乃
至（ｂ）は従来の固体撮像素子のマイクロレンズ形成方
法を示す工程図、第４図はマイクロレンズを形成した固
体撮像素子の構造を示す断面図である。 １・・・固体撮像素子基板、１２・・・Ｐ型半導体基板
、１４・・・受光部、２７・・・感光性樹脂、２８・・
・マイクロレンズ、３０・・・保護層、４０・・・カラ
ーフィルタ、４０Ｒ・・赤色フィルタ、４０Ｇ・・・緑
色フィルタ、４０Ｂ・・・青色フィルタ。
像素子のマイクロレンズ形成方法を説明する工程図、第
２図は上記固体撮像素子のマイクロレンズ形成方法にお
ける基板加熱温度の時間変化を示す図、第３図（ａ）乃
至（ｂ）は従来の固体撮像素子のマイクロレンズ形成方
法を示す工程図、第４図はマイクロレンズを形成した固
体撮像素子の構造を示す断面図である。 １・・・固体撮像素子基板、１２・・・Ｐ型半導体基板
、１４・・・受光部、２７・・・感光性樹脂、２８・・
・マイクロレンズ、３０・・・保護層、４０・・・カラ
ーフィルタ、４０Ｒ・・赤色フィルタ、４０Ｇ・・・緑
色フィルタ、４０Ｂ・・・青色フィルタ。
Claims (1)
- （１）受光部を覆うカラーフィルタを設けた基板上に、
透光性を有する感光性樹脂を層状に設ける工程と、 この感光性樹脂を正方またはストライプ状のパターンで
上記受光部ごとまたは一方向に並ぶ一群の受光部ごとに
ホトエッチングして、断面矩形状に加工する工程と、 上記感光性樹脂に対して紫外光を照射した状態で、上記
カラーフィルタを変質させない１６０℃以下の温度で加
熱して、上記感光性樹脂を軟化させて表面張力により半
球状または半円柱状に成形する工程とを有することを特
徴とする固体撮像素子のマイクロレンズ形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2149629A JPH0444266A (ja) | 1990-06-07 | 1990-06-07 | 固体撮像素子のマイクロレンズ形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2149629A JPH0444266A (ja) | 1990-06-07 | 1990-06-07 | 固体撮像素子のマイクロレンズ形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0444266A true JPH0444266A (ja) | 1992-02-14 |
Family
ID=15479405
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2149629A Pending JPH0444266A (ja) | 1990-06-07 | 1990-06-07 | 固体撮像素子のマイクロレンズ形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0444266A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100481937B1 (ko) * | 2002-07-27 | 2005-04-13 | 동국내화 주식회사 | 자외광 검출소자 |
| US8389920B2 (en) | 2008-03-13 | 2013-03-05 | Aptina Imaging Corporation | Method and apparatus for breaking surface tension during a recessed color filter array process |
-
1990
- 1990-06-07 JP JP2149629A patent/JPH0444266A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100481937B1 (ko) * | 2002-07-27 | 2005-04-13 | 동국내화 주식회사 | 자외광 검출소자 |
| US8389920B2 (en) | 2008-03-13 | 2013-03-05 | Aptina Imaging Corporation | Method and apparatus for breaking surface tension during a recessed color filter array process |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7829965B2 (en) | Touching microlens structure for a pixel sensor and method of fabrication | |
| KR960016178B1 (ko) | 고체촬상장치 및 그 제조방법 | |
| US20060292731A1 (en) | CMOS image sensor and manufacturing method thereof | |
| JPH05134109A (ja) | カラーフイルタの製造方法 | |
| US20090206430A1 (en) | Solid-state imaging device and method for manufacturing the same | |
| KR100649031B1 (ko) | 씨모스 이미지 센서의 제조방법 | |
| JP4465750B2 (ja) | 固体撮像素子の製造方法 | |
| JPH0624232B2 (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
| JP2009198547A (ja) | 固体撮像素子用マイクロレンズの製造方法及び固体撮像素子用マイクロレンズ | |
| JPH0444266A (ja) | 固体撮像素子のマイクロレンズ形成方法 | |
| JP2000307090A (ja) | 固体撮像素子用マイクロレンズアレイ及びそれを用いた固体撮像素子並びにそれらの製造方法 | |
| CN100474606C (zh) | Cmos图像传感器及其制造方法 | |
| JP2518955B2 (ja) | 固体撮像素子のマイクロレンズ形成方法 | |
| KR100972059B1 (ko) | 마이크로 렌즈의 도포 균일성을 개선한 씨모스 이미지 센서의 제조방법 | |
| JP2988556B2 (ja) | マイクロレンズの製造方法および半導体装置の製造方法 | |
| US20070026564A1 (en) | Method for forming microlenses of different curvatures and fabricating process of solid-state image sensor | |
| KR20000044588A (ko) | 높은 광 투과도를 갖는 이미지센서의 마이크로렌즈 형성방법 | |
| JPH06302794A (ja) | 固体撮像素子の製法 | |
| JP2000260970A (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法 | |
| JPS5868970A (ja) | カラ−固体撮像素子の製造方法 | |
| JPH06112456A (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
| JP2000183321A (ja) | 固体撮像素子及びその製造方法 | |
| JPH03169076A (ja) | マイクロレンズ付き固体撮像素子及びその製造方法 | |
| JPH03152973A (ja) | 固体撮像素子の製法 | |
| JPH05183140A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 |