JPH04234707A - カラーフィルタ及びその製造方法 - Google Patents

カラーフィルタ及びその製造方法

Info

Publication number
JPH04234707A
JPH04234707A JP3224311A JP22431191A JPH04234707A JP H04234707 A JPH04234707 A JP H04234707A JP 3224311 A JP3224311 A JP 3224311A JP 22431191 A JP22431191 A JP 22431191A JP H04234707 A JPH04234707 A JP H04234707A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
lens
color filter
curvature
forming
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP3224311A
Other languages
English (en)
Inventor
Sang Sik Kim
キム、 サン−シク
Han Su Park
パーク、 ハン−ス
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of JPH04234707A publication Critical patent/JPH04234707A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0216Coatings
    • H01L31/02161Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02162Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00Optical elements other than lenses
    • G02B5/20Filters
    • G02B5/201Filters in the form of arrays
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133514Colour filters
    • G02F1/133516Methods for their manufacture, e.g. printing, electro-deposition or photolithography
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462Coatings
    • H01L27/14621Colour filter arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L27/14627Microlenses
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0232Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L31/02327Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements being integrated or being directly associated to the device, e.g. back reflectors
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133526Lenses, e.g. microlenses or Fresnel lenses

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optical Filters (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、カラーフィルタ及び
その製造方法に関し、特に光の効率を大きくし、等しい
分光特性が得られるカラーフィルタ及びその製造方法に
関する。
【0002】
【従来の技術】最近、撮像用電子管や電子管を代替する
次世代の撮像素子として脚光を受けている固体撮像素子
のカラー化は、光電変換領域の上部にカラーフィルタ(
Colr  Filter)を形成することにより行わ
れている。また、液晶表示素子(Liquid  Cr
ystal  Display;以下LCDという)等
表示素子のカラー化は、光電変換領域の上部にカラーフ
ィルタを形成することにより行われている。
【0003】カラーフィルタの種類にはカゼイン(Ca
sein)あるいはゼラチン(Gelatin)等の有
機物を染色して製造される有機フィルタと、光学干渉を
利用する無機フィルタがある。しかし上記フィルタ中、
有機フィルタは安価なため無機フィルタより多く利用さ
れている。
【0004】図1は従来の電荷結合素子(Charge
  Coupled  Device;以下CCDとい
う)用カラーフィルタの断面図である。
【0005】図1は半導体基板1の表面が凹凸構造に成
り、凹部分の表面にフォトダイオードアレー2,3,4
が形成されており、凸部分の表面に導電膜5及び絶縁膜
7が形成されたCCDである。上記CCDの表面上にポ
リイミド(Polyimide)等の透明な物質が塗布
され、平坦化層9と多数の中間層13,17,21が形
成されており、この平坦化層9と中間層13,17との
表面上に上記フォトダイオード2,3,4と対応して染
色層11,15,19が形成されている。
【0006】上記染色層11,15,19はカゼインあ
るいはゼラチンに重クロム酸アンモニウムが所定比率で
配合された有機物質で成り、マゼンタ(Magenta
)、シアン(Cyan)及びイエロー(Yellow)
等の物質で染色され、入射光をマゼンタ色、シアン色及
びイエロー色に各々分光する。かつ上述した構造のすべ
ての表面にレンズ層23が形成されており、このレンズ
層23の表面上に上記フォトダイオード2,3,4と各
々対応してレンズ25,26,27が形成されている。
【0007】上述した構造を実現する製造工程を簡単に
説明する。半導体基板1の表面が凹凸構造で成り、凹部
分にフォトダイオードアレー2,3,4が形成されてお
り、凹部分に金属導電膜5及び絶縁膜7が形成されたC
CDがある。上記CCD上にポリイミド等の透明な物質
で平坦化層9を形成し、この平坦化層9の上部にカゼイ
ンあるいはゼラチンに重クロム酸アンモニウムが所定比
率で配合された有機物質で成り、染色物質で染色された
染色層11を上記フォトダイオード2と対応するように
形成する。上記染色層11がマゼンタ、シアンあるいは
イエロー等の色光を択一的に分光するために、染色物質
のマゼンタ、シアンあるいはイエロー等の物質の一つで
染色されて形成される。
【0008】その後、上述した構造のすべての表面にポ
リイミドを塗布して中間層13を形成する。次いで、上
述のような同じ方法で染色層15,19と中間層17と
を形成する。上記中間層13,17は染色層15,19
を形成する時予め形成された染色層との混色を防止する
。その次、上述した構造のすべての表面に最上の中間層
21とレンズ層23を順次に形成する。上記最上の中間
層21は上記中間層13,17と同一な物質で形成し、
上記レンズ層23はアクリル(Acril)系の物質で
形成される。その次、上記レンズ層23のすべての表面
にこのレンズ層23と同一な物質を塗布した後、写真工
程と熱処理工程により上記フォトダイオードアレー2,
3,4と対応するレンズ25,26,27を形成する。
【0009】上述したカラーフィルタにおいて、CCD
は絶縁膜5とフォトダイオード2,3,4の段差が2.
5μmで非常に大きくなる。従って、染色層11,15
,19の形成工程の安定化のためにほとんど100%で
ある平坦化率(Planarization  Rat
io)を持つ平坦化層9が必要になる。上記平坦化層9
は上記半導体基板1を回転させて形成するので、粘度が
高いフォトレジスト(Photo  Resist)を
使用してほとんど100%の平坦化率を持つためには、
少なくとも3回以上のコーティング(Coating)
をする。
【0010】かつ、カラーフィルタに照射される光はレ
ンズ25,26,27の表面に法線角(Normal 
 angle)で入射されて各染色層11,15,19
を通る。上記各染色層11,15,19を経た光は所定
の色を呈するようになり、この色を呈した光は各々のフ
ォトダイオード2,3,4により感知される。しかし、
平坦化層をほとんど100%の平坦化率を持つように形
成すると厚さが厚くなるので、透光率の低下により感度
が低下する問題があった。かつ、染色層が平坦に形成さ
れているのでレンズを通った光の入射角が異なるように
なり、反射が起こって分光特性を低下させる問題があっ
た。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】従って、この発明の一
番目の目的は、透光率及び光の集束度を改善させ、感度
を向上させることのできるカラーフィルタを提供するこ
とにある。
【0012】この発明の二番目の目的は、乱反射の発生
を抑制して分光特性を向上させることのできるカラーフ
ィルタを提供することにある。かつ、この発明の三番目
の目的は、上記のようなカラーフィルタの製造方法を提
供することにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】上記の一番目及び二番目
の目的を達成するために、この発明は、複数の画素がマ
トリクス状に配置された半導体基板の上部に形成された
カラーフィルタにおいて、上記半導体基板の上部に形成
され上記画素と対応する部分が所定の曲率半径で凹むよ
うに形成された平坦化層と、上記平坦化層の凹んでいる
部分に形成された集光レンズと、上記平坦化層と集光レ
ンズの上部に積層された少なくとも2つの中間層と、上
記中間層の下部に上記画素と対応され所定の曲率半径を
持って突出され各部分が同一な厚さを持つ少なくとも2
つの染色層と、上記最上の中間層上に形成されたレンズ
層と、上記レンズ層の上部に上記画素と対応され所定の
曲率半径を持つように形成された複数のレンズとから成
ることを特徴とする。
【0014】上記の三番目の目的を達成するために、こ
の発明は、複数の画素がマトリクス状で配置された半導
体基板の上部に形成するカラーフィルタの製造方法にお
いて、(a)上記半導体基板のすべての表面に上記画素
と対応する部分が所定の曲率半径を持って凹むように平
坦化層を形成する過程;(b)上記平坦化層の凹んでい
る部分に集光レンズを形成する過程;(c)上記集光レ
ンズの上部に上部及び下部が同一な曲率半径を持つ染色
層を形成する工程と、上記染色層の上部に中間層を形成
する工程とから成る過程;(d)上記過程を少なくとも
2回反復処理する過程;(e)上記過程後最上の中間層
にレンズ層を形成する過程;(f)上記レンズ層の上部
に複数の画素と対応する複数のレンズを形成する過程を
備えたことを特徴とする。
【0015】
【実施例】以下、添付の図面を参照してこの発明を説明
する。
【0016】図2はこの発明の一実施例によるカラーフ
ィルタの断面図である。上記の実施例ではカラーフィル
タをCCDに適用することを示しているが他の固体撮像
素子にも適用することができる。
【0017】図2を参照してこの発明によるカラーフィ
ルタを説明する。
【0018】半導体基板31の表面が凹凸構造で成り、
凹部分の表面に第1、第2及び第3フォトダイオード3
2,33,34がマトリクス状に形成されており、凸部
分の表面に導電膜35及び絶縁膜37が形成されている
CCDがある。
【0019】上記CCDの表面上にポリイミド等の透明
な物質で第1平坦化層39が形成されている。上記第1
平坦化層39は半導体基板31の凸部分に薄く形成され
ており、凹部分には所定の曲率半径を持って凹むように
形成されている。かつ、上記第1平坦化層39の凹んで
いる部分にアクリル等屈折率が大きな物質で所定の曲率
半径を持つ凸レンズから成る集光レンズ41が形成され
ている。
【0020】そして、上記第1平坦化層39と集光レン
ズ41の上部にはこの第1平坦化層39と同一な物質で
第2平坦化層43が形成されている。上記第2平坦化層
43は集光レンズ41により突出されるように形成され
る。そして、上記第2平坦化層43の上部に同一な物質
で第1、第2及び第3中間層47,51,55が積層さ
れている。かつ、上記第2平坦化層43と第1及び第2
中間層47,51の上部に上記第1、第2及び第3フォ
トダイオード32,33,34と対応する第1、第2及
び第3染色層45,49,53が所定の曲率半径を持っ
て突出されている。
【0021】上記第1、第2及び第3染色層45,49
,53の下部も上部と同様な曲率半径を持って陥没され
て光の通過距離が各部分で同一になる。上記第1、第2
及び第3染色層45,49,53はカゼインあるいはゼ
ラチンに重クロム酸アンモニウムが所定比率で配合して
成り、マゼンタ、シアン及びイエロー等の物質で染色さ
れて入射光をマゼンタ、シアン及びイエロー等の色光で
分ける。
【0022】上記第3中間層55の上部にポリイミド又
はアクリル系の物質で表面が平坦なレンズ層57が形成
されており、このレンズ層57の上部には上記第1、第
2及び第3フォトダイオード32,33,34と対応す
る第1、第2及び第3レンズ59,60,61が形成さ
れている。上記第1、第2及び第3レンズ59,60,
61は受光面積を最大にするために、隣接するレンズど
うしが互いに接触される程度で形成する。かつ、上記第
1、第2及び第3レンズ59,60,61と第1、第2
及び第3染色層45,49,53は曲率半径を似るよう
にしてこの染色層45,49,53で光の乱反射を最小
とする。
【0023】そして、上記集光レンズ41は上記第1、
第2及び第3染色層45,49,53から分光された光
を上記第1、第2及び第3フォトダイオード32,33
,34に集束させる。
【0024】図3〜図6はこの発明によるカラーフィル
タの製造工程図である。
【0025】図3を参照すると、半導体基板31の表面
が凹凸構造で成り、凹部分の表面に第1、第2及び第3
フォトダイオード32,33,34が凹部分にはAl等
の金属から成る配線用導電膜35とSiO2 等で成る
絶縁膜37が形成されたCCDがある。上記CCDの表
面上に第1平坦化層39を形成する。上記第1平坦化層
39は上記CCDを回転させながらポリイミド等を一度
だけ塗布して形成するもので、凹部分は薄くて凸部分に
は所定の曲率半径を持って凹むように形成される。上記
凹部分での曲率半径は塗布する時RPM(Revolu
tion  PerMinute)により調節される。
【0026】その次、上記第1平坦化層39のすべての
表面にアクリル等を塗布した後、通常の露光及び現像(
Exposure  and  Developmen
t)方法により上記凹んでいる部分にパターンを形成す
る。そして、上記パターンをリフロー(Reflow)
させ集光レンズ41を形成する。上記集光レンズ41は
凸レンズで成り、この集光レンズ41の曲率はリフロー
時の温度と時間の調節により上記第1、第2及び第3フ
ォトダイオード32,33,34に光の焦点がよく合わ
されるようにする。その次、上述したすべての表面に上
記第1平坦化層39と同一な物質で第2平坦化層43を
形成する。
【0027】図4を参照すると、上記第2平坦化層43
の上部に重クロム酸が含有されたカゼインにゼラチンを
所定比率で配合して、4000〜7000Å程の厚さに
塗布した後、通常の写真工程により上記第1フォトダイ
オード32と対応される部分に染色層パターンを形成す
る。この時、上記染色層パターンは所定の曲率半径を持
って突出される。次いで、上述した構造のすべての表面
に染料を塗布すると上記染色層パターンが染色されて第
1染色層45が形成される。この時、上記染料は上記染
色層パターンと反応し、第2平坦化層43とは反応しな
い。
【0028】その次、上記第2平坦化層43上の染料は
脱イオン水(DeionizedWater)により除
去する。上記第1染色層45が入射光をマゼンタ、シア
ンあるいはイエロー等の色光に択一的に分光するために
は、マゼンタ、シアンあるいはイエロー等の染料中の一
つで染色される。即ち、上記第1染色層45がマゼンタ
色の光を分光するためには、染料でマゼンタを使用する
【0029】図5を参照すると、上述した構造のすべて
の表面に上記第1及び第2平坦化層39,43と同一な
物質で1μm程度の厚さの第1中間層41を形成する。 その次、上記第1中間層47の上部に上記第1染色層4
5と同一な物質及び方法により第2及び第3フォトダイ
オード33,34と対応する第2及び第3染色層49,
53を形成する。上記第2及び第3染色層49,53が
入射光をシアンとイエローの色光に各々分光するために
は、染料はシアンとイエローを使用する。かつ、上記第
2及び第3染色層49,53の上部には、上記第1中間
層47と同一な物質及び方法で第2及び第3中間層51
,55を形成する。
【0030】図6を参照すると、上記第3中間層55の
上部にポリイミドあるいはアクリル等の物質でレンズ層
57を形成する。その次、上記レンズ層57の上部には
上記第1、第2及び第3フォトダイオード32,33,
34と対応するように第1、第2及び第3レンズ59,
60,61を形成する。上記第1、第2及び第3レンズ
59,60,61は受光面積を最大にするために,隣接
するレンズどうしを互いに接触される程度に形成する。 かつ、上記の製造工程で第2平坦化層43と第1及び第
2中間層43,47の第1、第2及び第3染色層45,
49,53との対応する部分を突出させ、この染色層4
5,49,53が所定の曲率半径を持つことができるよ
うに形成することができる。
【0031】
【発明の効果】上述のように、平坦化層を薄く形成する
と、フォトダイオードの上には凹むように形成され、こ
の上に所定曲率を持つ集光レンズを形成して透光性と光
の集束度を向上させる。かつ、染色層をレンズと互いに
似た曲率を持つように形成して、このレンズを通って入
る光が染色層の表面で乱反射されないようにする。従っ
て、この発明は、透光性及び光の集束度を改善して、フ
ォトダイオードの感度を向上させることができ、かつ入
射光の乱反射を抑制して干渉現象を最小化するので分光
特性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来のカラーフィルタの断面図。
【図2】この発明によるカラーフィルタの断面図。
【図3】この発明によるカラーフィルタの製造工程を示
す断面図。
【図4】この発明によるカラーフィルタの製造工程を示
す断面図。
【図5】この発明によるカラーフィルタの製造工程を示
す断面図。
【図6】この発明によるカラーフィルタの製造工程を示
す断面図。
【符号の説明】
31  半導体基板 32,33,34  第1、第2及び第3フォートダイ
オード 35  導電膜 37  絶縁膜 39  第1平坦化層 41  集光レンズ 43  第2平坦化層 45  第1染色層 47  第1中間層 49  第2染色層 51  第2中間層 53  第3染色層 55  第3中間層 57  レンズ層

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  複数の画素がマトリクス状に配置され
    た半導体基板の上部に形成されたカラーフィルタにおい
    て、上記半導体基板の上部に形成され上記画素と対応す
    る部分が所定の曲率半径で凹むように形成された平坦化
    層と、上記平坦化層の凹んでいる部分に形成された集光
    レンズと、上記平坦化層と集光レンズの上部に積層され
    た少なくとも二つの中間層と、上記中間層の下部に上記
    画素と対応されて所定の曲率半径を持ち突出され各部分
    が同一な厚さを持つ少なくとも二つの染色層と、上記最
    上の中間層上に形成されたレンズ層と、上記レンズ層の
    上部に上記画素と対応されて所定の曲率半径を持つよう
    に形成された複数のレンズとから成ることを特徴とする
    カラーフィルタ。
  2. 【請求項2】  上記集光レンズの上部に他の平坦化層
    が形成されることを特徴とする請求項1記載のカラーフ
    ィルタ。
  3. 【請求項3】  上記集光レンズが凸レンズであること
    を特徴とする請求項1記載のカラーフィルタ。
  4. 【請求項4】  上記染色層はレンズと似た曲率半径を
    持つことを特徴とする請求項1記載のカラーフィルタ。
  5. 【請求項5】  複数の画素がマトリクス状に配置され
    た半導体基板の上部に形成するカラーフィルタの製造方
    法において、(a)上記半導体基板のすべての表面に上
    記画素と対応する部分が所定の曲率半径を持ち凹むよう
    に平坦化層を形成する過程;(b)上記平坦化層の凹ん
    だ部分に集光レンズを形成する過程;(c)上記集光レ
    ンズの上部に上部及び下部が同一な曲率半径を持つ染色
    層を形成する工程と、上記染色層の上部に中間層を形成
    する工程で成る過程;(d)上記第3過程を少なくとも
    2回反復処理する過程;(e)上記第4過程後最上の中
    間層にレンズ層を形成する過程;(f)上記レンズ層の
    上部に複数の画素と対応する複数のレンズを形成する過
    程で成ることを特徴とするカラーフィルタの製造方法。
  6. 【請求項6】  前記第2過程で、上記集光レンズの上
    部に他の平坦化層を形成する工程を備えることを特徴と
    する請求項5記載のカラーフィルタの製造方法。
  7. 【請求項7】  上記平坦化層の曲率半径を塗布時基板
    の回転速度により調節することを特徴とする請求項5記
    載のカラーフィルタの製造方法。
  8. 【請求項8】  上記集光レンズを凸レンズで形成する
    ことを特徴とする請求項5記載のカラーフィルタの製造
    方法。
JP3224311A 1990-12-31 1991-09-04 カラーフィルタ及びその製造方法 Pending JPH04234707A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019900022671A KR920013735A (ko) 1990-12-31 1990-12-31 칼라필터 및 그 제조방법
KR1990-22671 1990-12-31

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH04234707A true JPH04234707A (ja) 1992-08-24

Family

ID=19309137

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3224311A Pending JPH04234707A (ja) 1990-12-31 1991-09-04 カラーフィルタ及びその製造方法

Country Status (6)

Country Link
JP (1) JPH04234707A (ja)
KR (1) KR920013735A (ja)
DE (1) DE4129427A1 (ja)
FR (1) FR2671198A1 (ja)
GB (1) GB2251335A (ja)
IT (1) IT1251699B (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10202513B4 (de) * 2002-01-23 2006-03-30 Infineon Technologies Ag Selbstreinigende Oberflächen für bildgebende Sensoren
KR100838952B1 (ko) * 2002-07-06 2008-06-16 매그나칩 반도체 유한회사 이미지센서 제조 방법
US6924472B2 (en) * 2002-11-12 2005-08-02 Eastman Kodak Company Image sensor with improved optical response uniformity

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6223161A (ja) * 1985-07-23 1987-01-31 Mitsubishi Electric Corp マイクロレンズ付固体撮像装置
JPH01246505A (ja) * 1988-03-29 1989-10-02 Canon Inc 固体撮像素子
JPH01270362A (ja) * 1988-04-22 1989-10-27 Toshiba Corp 固体撮像装置の製造方法
JPH0265171A (ja) * 1988-08-30 1990-03-05 Sony Corp 固体撮像装置の製造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59122193A (ja) * 1982-12-28 1984-07-14 Nec Corp 固体撮像装置
JPS59198754A (ja) * 1983-04-26 1984-11-10 Toshiba Corp カラ−用固体撮像デバイス
US4695719A (en) * 1983-12-05 1987-09-22 Honeywell Inc. Apparatus and method for opto-electronic package
JPS61203663A (ja) * 1985-02-13 1986-09-09 Nec Corp 固体撮像装置の製造方法
US4694185A (en) * 1986-04-18 1987-09-15 Eastman Kodak Company Light sensing devices with lenticular pixels

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6223161A (ja) * 1985-07-23 1987-01-31 Mitsubishi Electric Corp マイクロレンズ付固体撮像装置
JPH01246505A (ja) * 1988-03-29 1989-10-02 Canon Inc 固体撮像素子
JPH01270362A (ja) * 1988-04-22 1989-10-27 Toshiba Corp 固体撮像装置の製造方法
JPH0265171A (ja) * 1988-08-30 1990-03-05 Sony Corp 固体撮像装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
ITMI912730A1 (it) 1993-04-16
FR2671198A1 (fr) 1992-07-03
IT1251699B (it) 1995-05-19
GB2251335A (en) 1992-07-01
GB9118971D0 (en) 1991-10-23
KR920013735A (ko) 1992-07-29
ITMI912730A0 (it) 1991-10-16
DE4129427A1 (de) 1992-07-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4721999A (en) Color imaging device having white, cyan and yellow convex lens filter portions
US5132251A (en) Method for manufacturing a color filter
US6274917B1 (en) High efficiency color filter process for semiconductor array imaging devices
US7466001B2 (en) Image sensor and manufacturing method of image sensor
US6495813B1 (en) Multi-microlens design for semiconductor imaging devices to increase light collection efficiency in the color filter process
KR19980080644A (ko) 고체 촬상 소자
JP2004200360A (ja) 固体撮像素子及びその製造方法
US6136481A (en) Color filter manufacturing method capable of assuring a high alignment accuracy of color filter and alignment mark therefor
JP2609339B2 (ja) カラ−フィルタ−の製造方法
KR20000077374A (ko) 고화질을 가진 고체촬상장치 및 그의 제조 방법
JP2000357786A (ja) 固体撮像装置
JPH04234707A (ja) カラーフィルタ及びその製造方法
GB2251721A (en) Colour filter for a CCD imager
KR930003686B1 (ko) 칼라필터 및 그 제조방법
JP2951942B1 (ja) 固体撮像装置の製造方法
JP2004335598A (ja) 固体撮像素子及びその製造方法
JPH04303801A (ja) 固体撮像装置およびその製造方法
KR920008073B1 (ko) 칼라필터의 제조방법
JPH03190168A (ja) 固体撮像装置の製造方法
JPH04234705A (ja) カラーフィルタの製造方法
JP3919671B2 (ja) カラーフィルタの製造方法およびアライメントマーク
KR930000152B1 (ko) 칼라필터 및 그 제조방법
JPH0582113B2 (ja)
JPH03181168A (ja) カラー固体撮像素子
KR920008072B1 (ko) 칼라필터의 제조방법