JP2005347733A

JP2005347733A - 固体撮像素子

Info

Publication number: JP2005347733A
Application number: JP2005018191A
Authority: JP
Inventors: Kazuya Oda; 和也小田
Original assignee: Fuji Photo Film Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Holdings Corp
Priority date: 2004-05-07
Filing date: 2005-01-26
Publication date: 2005-12-15
Anticipated expiration: 2025-01-26
Also published as: US7217910B2; US20050253045A1; JP4469732B2

Abstract

【課題】シェーディングを低減することが可能な固体撮像素子を提供する。
【解決手段】半導体基板上に配設された複数の光電変換領域を含む固体撮像素子であって、複数の光電変換領域は、複数の第１の光電変換領域１０１と、複数の第２の光電変換領域１０２とを含み、第１の光電変換領域１０１及び第２の光電変換領域１０２はそれぞれ市松状に配設されており、第１の光電変換領域１０１の上方には、マイクロレンズ１０９が形成されている。周辺部にある第２の光電変換領域の開口の大きさは、中心部にある第２の光電変換領域の開口の大きさより大きくなっている。周辺部にある第２の光電変換領域１０２の開口の中心を基準とするＨ方向（特定方向以外の方向）の長さの、中心部にある第２の光電変換領域１０２の開口の中心を基準とするＨ方向の長さに対する比よりも大きくなっている。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体基板上に配設された複数の光電変換領域を含む固体撮像素子に関する。

従来、半導体基板上の行方向とこれに直交する列方向に配設された複数の第１の光電変換領域と、複数の第１の光電変換領域の各々の上に設けられた複数のマイクロレンズとを含む固体撮像素子において、各マイクロレンズ同士の間に、複数の第２の光電変換領域を設け、第１の光電変換領域からの撮像信号と第２の光電変換領域からの撮像信号とを合成することで、ダイナミックレンジの拡大を図るデジタルカメラが知られている（特許文献１参照）。

特許文献１記載のような固体撮像素子においては、その周辺部において光が斜めに入射してくることになるため、シェーディングが発生する。そこで、従来、固体撮像素子の周辺部にある光電変換領域の大きさを、固体撮像素子の中心部から離れるにしたがって大きくすることで、シェーディングを低減させるといったシェーディング対策が行われている。このシェーディング対策は、固体撮像素子を搭載するデジタルカメラの光学系等が原因で起こるシェーディングを低減させるためのものである。

特開平１０−７４９２６号公報

固体撮像素子は、複数の光電変換領域が半導体基板上に高密度で配置されているため、複数の光電変換領域に対応するマイクロレンズ同士の間隔も非常に狭いものとなっている。特許文献１記載の技術では、マイクロレンズ同士の間に第２の光電変換領域を設けているが、上述したように、マイクロレンズ同士の間隔は非常に狭いため、上記の光学系が原因で起こるシェーディング以外に、マイクロレンズが原因となるシェーディングが発生してしまい、従来のシェーディング対策だけでは、充分にシェーディングを低減することができない。以下、マイクロレンズが原因となるシェーディングについて説明する。

図６は、特許文献１記載の固体撮像素子の概略断面を示す図である。
図６（ａ）に示すように、従来の固体撮像素子の上方から垂直に入射してくる光ａは、マイクロレンズ５０１に入射し、開口面５０２を通過して第１のフォトダイオード（ＰＤ）５０３に集光され、ここで蓄積された電荷が第１の垂直転送部５０４により転送される。又、光ａは、開口面５０５を通過して、マイクロレンズ５０１同士の間に配置された第２のＰＤ５０６に入射し、ここで蓄積された電荷が第２の垂直転送部５０７により転送される。

図６（ｂ）に示すように、固体撮像素子の上方から第２のＰＤ５０６を挟む２つのマイクロレンズ５０１の配列方向に斜めに入射してくる光ｂは、マイクロレンズ５０１に入射し、開口面５０２を通過して第１のＰＤ５０３に集光され、ここで蓄積された電荷が第１の垂直転送部５０４により転送される。光ｂは、開口面５０５を通過して第２のＰＤ５０６に入射するが、光ｂの一部（点線で示した矢印）は、開口面５０５を通過することができない。これは、光ｂと対称方向からくる光ｃについても同様である。一方、第２のＰＤ５０６のマイクロレンズ５０１に挟まれていない方向（図中矢印Ｘで示す方向と直交する方向）からの光は、マイクロレンズ等の障害がないために、その大部分が第２のＰＤ５０６に入射する。

このように、２つのマイクロレンズ５０１同士の間の狭い領域にＰＤを配置する場合、第２のＰＤ５０６のマイクロレンズ５０１に挟まれている方向から斜めに入射してくる光ｂ、ｃについては、マイクロレンズ５０１の影に隠れる部分が多いため、多くの光が開口面５０５を通過できない。一方、第２のＰＤ５０６のマイクロレンズ５０１に挟まれていない方向からの光は、その大部分が第２のＰＤ５０６に入射する。このため、第２のＰＤ５０６のマイクロレンズ５０１に挟まれていない方向は明るく、第２のＰＤ５０６を挟む２つのマイクロレンズ５０１の配列方向（Ｘ方向）は暗くなってしまい、シェーディングが大きくなってしまう。

このため、固体撮像素子の周辺部にある第２のＰＤ５０６から出力される信号については、従来のシェーディング対策を行っていたとしても、マイクロレンズが原因となるシェーディングが発生してしまう。したがって、固体撮像素子の周辺部にある第２のＰＤ５０６については、光学系が原因となるシェーディングと、マイクロレンズが原因となるシェーディングとの両方を低減するシェーディング対策が必要になる。

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、シェーディングを低減することが可能な固体撮像素子を提供することを目的とする。

本発明の固体撮像素子は、半導体基板上に配設された複数の光電変換領域を含む固体撮像素子であって、前記複数の光電変換領域は、前記半導体基板上に行方向とこれに直交する列方向に配設された複数の第１の光電変換領域と、前記半導体基板上に行方向とこれに直交する列方向に配設された複数の第２の光電変換領域とを含み、前記複数の第１の光電変換領域の上方には、それぞれを覆うマイクロレンズが形成されており、前記第２の光電変換領域は、隣接する前記複数の第１の光電変換領域を覆うマイクロレンズ同士の間に配設されており、前記複数の光電変換領域が配設される領域の周辺部にある前記第２の光電変換領域の開口の大きさが、前記複数の光電変換領域が配設される領域の中心部にある前記第２の光電変換領域の開口の大きさより大きくなっており、前記周辺部にある前記第２の光電変換領域の開口の中心を基準とする特定方向の長さの、前記中心部にある前記第２の光電変換領域の開口の中心を基準とする前記特定方向の長さに対する比は、前記周辺部にある前記第２の光電変換領域の開口の中心を基準とする前記特定方向以外の方向の長さの、前記中心部にある前記第２の光電変換領域の開口の中心を基準とする前記特定方向以外の方向の長さに対する比よりも大きくなっており、前記特定方向は、前記第２の光電変換領域に入射する光の平面視上の入射方向のうち、前記光が前記マイクロレンズによって最も遮られる方向である。

この構成により、シェーディングを低減することが可能な固体撮像素子を提供することができる。

又、本発明の固体撮像素子は、前記周辺部にある前記第２の光電変換領域の開口の中心を基準とする前記特定方向及び前記特定方向以外の方向の長さが、前記中心部から離れるにしたがって増加しているものである。

この構成により、より効率的にシェーディングを低減することができる。

又、本発明の固体撮像素子は、前記複数の光電変換領域が正方格子状に配設されたものであり、前記第１の光電変換領域及び第２の光電変換領域が、それぞれ市松状に配設されたものである。

又、本発明の固体撮像素子は、前記第２の光電変換領域に光を導入する光導波路を備え、前記第２の光電変換領域の開口は、前記光導波路の開口のことである。

本発明によれば、シェーディングを低減することが可能な固体撮像素子を提供することができる。

図１は、本発明の実施形態を説明するための固体撮像素子の概略構成を示す図である。図１では固体撮像素子１００の部分拡大図を示した。
固体撮像素子１００は、半導体基板表面に行方向（図１のＸ方向）とこれに直交する列方向（図１のＹ方向）に正方格子状に配設された複数の光電変換領域（複数の第１の光電変換領域１０１及び複数の第２の光電変換領域１０２）と、列方向に配設された複数の光電変換領域からなる複数の光電変換領域列の各々に対応して設けられ、複数の光電変換領域からの電荷を列方向に転送する複数の垂直転送部１１０（図１では一部にのみ符号を付してある）と、垂直転送部１１０により転送される電荷を行方向に転送する水平転送部１１１と、水平転送部１１１により転送される電荷に応じた信号を出力する出力部１１２とを含む。複数の第１の光電変換領域１０１の上方には、それぞれを覆うマイクロレンズ１０９が形成されている。第１の光電変換領域１０１及び第２の光電変換領域１０２は、例えばフォトダイオードである。尚、図１に示す第１の光電変換領域１０１及び第２の光電変換領域１０２は、第１の光電変換領域１０１及び第２の光電変換領域１０２の開口から見える領域だけを示している。

第１の光電変換領域１０１は、固体撮像素子１００に入射する入射光量に対して相対的に高感度の光電変換を行うもので、市松状に配設されている。第２の光電変換領域１０２は、固体撮像素子１００に入射する入射光量に対して相対的に低感度の光電変換を行うもので、市松状に配設されている。第２の光電変換領域１０２は、隣接する第１の光電変換領域１０１を覆うマイクロレンズ１０９同士の間に配設されている。第１の光電変換領域１０１及び第２の光電変換領域１０２の開口形状は、それぞれ八角形となっている。第１の光電変換領域１０１と第２の光電変換領域１０２の感度を変化させるには、光電変換領域の受光面の面積（開口面積）を変化させても良いし、光電変換領域上方に設けたマイクロレンズによって集光面積を変化させても良い。これらの方法は、いずれも周知であるので説明を省略する。

垂直転送部１１０は、列方向に配設された複数の光電変換領域からなる複数の光電変換領域列の各々に対応して半導体基板上の列方向に形成された複数本の垂直転送チャネル（図示せず）と、垂直転送チャネルの上層に形成された複数本の垂直転送電極１０３〜１０６（図１では一部にのみ符号を付してある）と、第１の光電変換領域１０１及び第２の光電変換領域１０２からの電荷を垂直転送チャネルに読み出す第１電荷読み出し領域１０７及び第２電荷読み出し領域１０８（図１では模式的に矢印で示してある）とを含む。複数本の垂直転送電極１０３〜１０６は、それぞれ第１の光電変換領域１０１及び第２の光電変換領域１０２の間を全体として行方向に延在する蛇行形状となっている。

垂直転送チャネルは、光電変換領域列同士の間を全体として列方向に延在する蛇行形状の領域であり、その上層に形成された垂直転送電極１０３〜１０６によって、電荷が蓄積され、転送される領域が区分される。垂直転送電極１０３〜１０６は、第１の光電変換領域１０１及び第２の光電変換領域１０２のそれぞれに対応して２つ設けられる。垂直転送電極１０３〜１０６には、端子１１３〜１１６を介して４相の垂直転送パルス（以下、駆動パルスともいう）が印加され、垂直転送チャネルの電荷が列方向に転送される。

第１電荷読み出し領域１０７は、垂直転送電極１０３及び１０５に対応する位置に設けられる。第２電荷読み出し領域１０８は、垂直転送電極１０４及び１０６に対応する位置に設けられる。第１の光電変換領域１０１から垂直転送チャネルへの電荷読み出しは、端子１１３に印加される第１相の垂直転送パルス及び端子１１５に印加される第３相の垂直転送パルスに読み出しパルスを重畳させることによって行う。又、第２の光電変換領域１０２から垂直転送チャネルへの電荷読み出しは、端子１１４に印加される第２相の垂直転送パルス及び端子１１６に印加される第４相の垂直転送パルスに読み出しパルスを重畳させることによって行う。

図２は、固体撮像素子１００の駆動方法を説明するためのタイミングチャートである。図２では、固体撮像素子１００を搭載するデジタルカメラが、メカニカルシャッタを有する場合のタイミングを示したものである。図２には、垂直同期信号ＶＤ、メカニカルシャッタの開閉状態、端子１１３に印加される駆動パルスφＶ１、端子１１４に印加される駆動パルスφＶ２、端子１１５に印加される駆動パルスφＶ３、端子１１６に印加される駆動パルスφＶ４が示されている。

図２に示すように、メカニカルシャッタが閉の期間に、垂直同期信号ＶＤに同期させて、読み出しパルスを重畳した駆動パルスφＶ１を端子１１３に印加し、読み出しパルスを重畳した駆動パルスφＶ３を端子１１５に印加する。これにより、第１電荷読み出し領域１０７からの電荷が垂直転送チャネルに読み出される。更に、端子１１３〜１１６に繰り返し駆動パルスを印加して、読み出された電荷を列方向に転送する。水平転送部１１１からは、１行分の第１の光電変換領域１０１から読み出された電荷が随時出力部１１２に転送される。
次の垂直同期信号ＶＤに同期させて、読み出しパルスを重畳した駆動パルスφＶ２を端子１１４に印加し、読み出しパルスを重畳した駆動パルスφＶ４を端子１１６に印加する。これにより、第２電荷読み出し領域１０８からの電荷が垂直転送チャネルに読み出される。更に、端子１１３〜１１６に繰り返し駆動パルスを印加して、読み出された電荷を列方向に転送する。水平転送部１１１では、１行分の第２の光電変換領域１０２から読み出された電荷が随時出力部１１２に転送される。
このように、固体撮像素子１００によれば、第１の光電変換領域１０１からの電荷と、第２の光電変換領域１０２からの電荷とを独立に読み出すことができる。

次に、第２の光電変換領域１０２の開口形状について説明する。
図３は、本発明の実施形態を説明するための固体撮像素子の中心部と周辺部を説明するための図である。
図３に示すように、固体撮像素子１００の複数の光電変換領域が配設される領域には、固体撮像素子１００に入射する光の入射角が半導体基板に対してほぼ垂直になる領域である中心部３１と、固体撮像素子１００に入射する光の入射角が半導体基板に対して斜めになり、この結果、シェーディングの大きくなる可能性が高くなる領域である周辺部３２とが存在する。

固体撮像素子１００においては、周辺部３２にある第２の光電変換領域１０２の開口の大きさが、中心部３１にある第２の光電変領域１０１の開口の大きさよりも大きくなっている。又、周辺部３２にある第２の光電変換領域１０２の開口の大きさは、中心部３１から離れるにしたがって大きくなっている。又、周辺部３２にある第２の光電変換領域１０２の開口の中心を基準とする特定方向の長さの、中心部３１にある第２の光電変換領域１０２の開口の中心を基準とする特定方向の長さに対する比は、周辺部３２にある第２の光電変換領域１０２の開口の中心を基準とする特定方向以外の方向の長さの、中心部３１にある第２の光電変換領域１０２の開口の中心を基準とする特定方向以外の方向の長さに対する比よりも大きくなっている。

特定方向とは、第２の光電変換領域１０２に入射する光の平面視上の入射方向のうち、該光がマイクロレンズ１０９によって最も遮られる方向のことである。図１で説明すると、第２の光電変換領域１０２に入射する光がマイクロレンズ１０９によって最も遮られる方向は、第２の光電変換領域１０２を挟む２つのマイクロレンズ１０９の配列方向、即ち、図１のＸ方向及びＹ方向である。Ｘ方向及びＹ方向から第２の光電変換領域に入射してくる光は、マイクロレンズ１０９によって遮られる光が多いため、第２の光電変換領域１０２にはあまり多くの光が入射してこない。

特定方向以外の方向とは、例えば、第２の光電変換領域１０２に入射する光の平面視上の入射方向のうち、該光がマイクロレンズ１０９によって最も遮られない方向のことである。図１で説明すると、第２の光電変換領域１０２に入射する光がマイクロレンズ１０９によって最も遮られない方向は、図１のＨ方向である。Ｈ方向から第２の光電変換領域１０２に入射してくる光は、マイクロレンズ１０９同士の谷間を通って第２の光電変換領域１０２に入射してくるため、第２の光電変換領域１０２には多くの光が入射する。

ここで、第２の光電変換領域１０２の開口の大きさについて具体的に説明する。
図４は、第２の光電変換領域１０２の開口の大きさを説明するための図であり、（ａ）は中心部３１にある第２の光電変換領域１０２の開口を示し、（ｂ）は周辺部３２にある第２の光電変換領域１０２の開口を示している。
図４（ａ）に示すように、中心部３１にある第２の光電変換領域１０２の開口の中心を基準とする特定方向（図１のＸ方向及びＹ方向）の長さはａとなっている。中心部３１にある第２の光電変換領域１０２の開口の中心を基準とする特定方向以外の方向（例えば、図１のＨ方向）の長さはｂとなっている。
図４（ｂ）に示すように、周辺部３２にある第２の光電変換領域１０２の開口の中心を基準とする特定方向（図１のＸ方向及びＹ方向）の長さはａ＋Δａとなっている。周辺部３２にある第２の光電変換領域１０２の開口の中心を基準とする特定方向以外の方向（例えば、図１のＨ方向）の長さはｂ＋Δｂとなっている。

固体撮像素子１００では、長さａ＋Δａの長さａに対する比が、長さｂ＋Δｂの長さｂに対する比よりも大きくなっている。つまり、ΔａがΔｂよりも大きくなるように設計されている。又、Δａ及びΔｂは、第２の光電変換領域１０２が中心部３１から離れるにしたがって増加するように設計されている。

このように設計することで、固体撮像素子１００の中心部３１から周辺部３２にいくにしたがって、第２の光電変換領域１０２の開口が大きくなっているため、固体撮像素子１００を搭載するデジタルカメラの光学系が原因となる周辺部３２でのシェーディングを抑制することができる。

又、固体撮像素子１００の中心部３１から周辺部３２にいくにしたがって、第２の光電変換領域１０２の開口の中心を基準とするＸ及びＹ方向の長さとＨ方向の長さとが長くなっており、その長さの増加の割合は、Ｘ及びＹ方向の方がＨ方向よりも大きくなっている。例えば、上記長さの増加の割合が、Ｘ及びＹ方向とＨ方向とで一緒であったり、Ｈ方向の方がＸ及びＹ方向よりも大きかったりすると、第２の光電変換領域１０２には、Ｈ方向からくる光がＸ及びＹ方向からくる光よりも多く入射し、Ｘ及びＹ方向からくる光がＨ方向からくる光よりも少なく入射することになる。これでは、上記光学系が原因となる周辺部３２でのシェーディング（第２の光電変換領域１０２から得られる信号のシェーディング）を低減することはできても、マイクロレンズ１０９が原因となる周辺部３２でのシェーディング（第２の光電変換領域１０２から得られる信号のシェーディング）を低減することはできない。そこで、本実施形態のようにすることで、第２の光電変換領域１０２に入射する光のうち、Ｈ方向から入射する光の量とＸ及びＹ方向から入射する光の量との差を少なくすることができ、マイクロレンズ１０９が原因となる周辺部３２でのシェーディング（第２の光電変換領域１０２から得られる信号のシェーディング）を低減することができる。

尚、上記では、特定方向以外の方向としてＨ方向を例にあげたが、特定方向の長さの増加の割合が、その他の方向よりも大きければ、上記効果を期待することができる。
又、上記では、第１の光電変換領域１０１の開口の大きさについて触れていないが、第１の光電変換領域１０１の開口は、従来と同様のシェーディング対策を行うことで、第１の光電変換領域１０１から得られる信号のシェーディングを低減することができる。これにより、第１の光電変換領域１０１及び第２の光電変換領域１０２から得られる信号のシェーディングを低減することができ、第１の光電変換領域１０１からの信号と第２の光電変換領域１０２からの信号とを合成して得られる画像データを良好なものにすることができる。

最後に、第２の光電変換領域１０２の開口について詳しく説明する。
図５は、図１に示す固体撮像素子のＢ−Ｂ断面図である。
図５に示すように、半導体基体１内には第２の光電変換領域１０２と、転送チャネル３がそれぞれ形成され、第２の光電変換領域１０２と転送チャネル３の間には、図示しない読み出しゲート或いはチャネルストップ領域が形成される。転送チャネル３の上方にはゲート絶縁膜４を介して垂直転送電極１０５が形成されている。垂直転送電極１０５を覆って薄い絶縁膜６が形成され、その上を覆って層間絶縁膜７が第２の光電変換領域１０２上にもわたって形成されている。さらに、層間絶縁膜７には垂直転送電極１０５への光の入射を防止するための遮光膜８が形成されている。この遮光膜８には第２の光電変換領域１０２上に開口が設けられており、第２の光電変換領域１０２に光が入射するようにしている。

遮光膜８の上には、厚い透明膜９が形成されている。この透明膜９は、低屈折率材料のＳｉＯ₂系材料を用いて形成されている。転送チャネル３及び垂直転送電極１０５によって垂直転送部１１０が構成される。

本実施形態では、特に低屈折率材料から成る透明膜９の第２の光電変換領域１０２の直上の部分に孔部１３が形成され、この孔部１３を高屈折率材料で埋めて光導波路（第２の光電変換領域１０２に光を導入する路）が構成されている。さらに、この光導波路を構成する高屈折率材料として、第２の光電変換領域１０２上方に形成するカラーフィルタの色に対応する色素が添加された有機ポリマー（前述した高屈折率の有機ポリマー例えばポリイミド樹脂）から成る着色膜１０が用いられている。そして、この着色膜１０が孔部１３に埋め込まれて光導波路が形成されている。透明膜９及び着色膜１０の上には、透明平坦化膜１１が形成されて表面が平坦化される。

尚、上記光導波路は、特開２００４−２２１５３２号公報に記載されたような順テーパー形状部を有している構成であっても良い。順テーパー形状部とは、光の入射方向から見た平面形状の大きさが、透明膜９の光入射側の面から、第２の光電変換領域１０２側に向けて徐々に小さくなるテーパー形状の部分のことをいう。

本実施形態で説明した“第２の光電変換領域１０２の開口”とは、第２の光電変換領域１０２に入射する光の範囲を決める領域のことを意味し、光導波路を持たない構成の場合には図５に示す遮光膜８に設けられた開口がこれに該当し、光導波路を持つ構成の場合には光導波路の透明平坦化膜１１と接触する部分（光導波路の開口と定義する）がこれに該当する。

本発明の実施形態を説明するための固体撮像素子の概略構成を示す図固体撮像素子の駆動方法を説明するためのタイミングチャート本発明の実施形態を説明するための固体撮像素子の中心部と周辺部を説明するための図第２の光電変換領域の開口の大きさを説明するための図であり、（ａ）は中心部にある第２の光電変換領域の開口を示す図、（ｂ）は周辺部にある第２の光電変換領域の開口を示す図図１に示す固体撮像素子のＢ−Ｂ断面図特許文献１記載の固体撮像素子の概略断面を示す図

符号の説明

１００固体撮像素子
１０１第１の光電変換領域
１０２第２の光電変換領域
１０９マイクロレンズ

Claims

半導体基板上に配設された複数の光電変換領域を含む固体撮像素子であって、
前記複数の光電変換領域は、前記半導体基板上に行方向とこれに直交する列方向に配設された複数の第１の光電変換領域と、前記半導体基板上に行方向とこれに直交する列方向に配設された複数の第２の光電変換領域とを含み、
前記複数の第１の光電変換領域の上方には、それぞれを覆うマイクロレンズが形成されており、
前記第２の光電変換領域は、隣接する前記複数の第１の光電変換領域を覆うマイクロレンズ同士の間に配設されており、
前記複数の光電変換領域が配設される領域の周辺部にある前記第２の光電変換領域の開口の大きさが、前記複数の光電変換領域が配設される領域の中心部にある前記第２の光電変換領域の開口の大きさより大きくなっており、
前記周辺部にある前記第２の光電変換領域の開口の中心を基準とする特定方向の長さの、前記中心部にある前記第２の光電変換領域の開口の中心を基準とする前記特定方向の長さに対する比は、前記周辺部にある前記第２の光電変換領域の開口の中心を基準とする前記特定方向以外の方向の長さの、前記中心部にある前記第２の光電変換領域の開口の中心を基準とする前記特定方向以外の方向の長さに対する比よりも大きくなっており、
前記特定方向は、前記第２の光電変換領域に入射する光の平面視上の入射方向のうち、前記光が前記マイクロレンズによって最も遮られる方向である固体撮像素子。
請求項１記載の固体撮像素子であって、
前記周辺部にある前記第２の光電変換領域の開口の中心を基準とする前記特定方向及び前記特定方向以外の方向の長さが、前記中心部から離れるにしたがって増加しているものである固体撮像素子。
請求項１又は２記載の固体撮像素子であって、
前記複数の光電変換領域は正方格子状に配設されたものであり、
前記第１の光電変換領域及び第２の光電変換領域は、それぞれ市松状に配設されたものである固体撮像素子。
請求項１〜３のいずれか記載の固体撮像素子であって、
前記第２の光電変換領域に光を導入する光導波路を備え、
前記第２の光電変換領域の開口は、前記光導波路の開口のことである固体撮像素子。