JP5176453B2 - 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法及び撮像装置 - Google Patents

Description

本発明は、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）型の固体撮像装置及びその製造方法、並びに撮像装置に関する。

ＣＣＤ型の固体撮像装置は、その大画角化に加え、画素の小型化が進んでいる。画素の受光部の開口面積が小さくなり、画素の感度特性の向上が大きな課題となっている。
ＣＣＤ型の固体撮像装置では、行列状に配列された複数の受光部が設けられる。水平方向に隣接する受光部間には、受光部に蓄積された信号電荷を読み出して垂直方向に転送するための転送チャネルと複数の転送電極が設けられる。転送電極は、垂直方向の受光部間上を水平方向に通る配線により連結される。転送電極は、受光部への入射光をそれ自体が遮ってしまい、これにより画素の感度低下が起こることから、転送電極の厚みや凸部を少なくする構造が提案されている。
凸部を減らす構造としては、従来の２層あるいは３層のポリシリコンにより転送電極を形成するといった垂直ＣＣＤ構造ではなく、すべての転送電極を１回のポリシリコン成膜により形成する、いわゆる単層型転送電極構造が提案されている（例えば特許文献１参照）。
特開２００３−６０８１９号公報

しかしながら、単純に従来知られている単層転送電極構造だけでは、入射光の遮り（けられ）も十分低減できず、大画角ＣＣＤや高速ＣＣＤなどに対応できないのが現状である。
図２６は従来の固体撮像装置の一例を示す図であり、図２６（Ａ）は平面図、図２６（Ｂ）は図２６（Ａ）のＡ−Ａ’断面図、図２６（Ｃ）は図２６（Ａ）の転送電極の部分の説明図である。

この固体撮像装置は、４相駆動ＣＣＤを例にしたものであり、図２６（Ａ）〜図２６（Ｃ）に示すように、水平方向および垂直方向に行列状に配置された複数の受光部１０１を備える。受光部１０１は、フォトダイオードからなり、入射光量に応じた信号電荷を蓄積する。受光部１０１の水平方向に隣接する半導体基板１００の上層部には、垂直方向に延びる転送チャネル１０２が設けられている。

転送チャネル１０２の上には、ゲート酸化膜１０３が形成されている。ゲート酸化膜１０３の上には、第１の転送電極１１１および第２の転送電極１１２が形成されている。第１の転送電極１１１は、受光部１０１の垂直方向の中央部１０１Ａの水平方向に隣接する転送チャネル１０２上に浮島状（孤立して離れて）に設けられている。

第２の転送電極１１２は、垂直方向の受光部１０１間の中央部１０１Ｂの水平方向に隣接する転送チャネル１０２上に他の列の第２の転送電極１１２と連結部１１２Ａにより連結されて設けられている。第２の転送電極１１２は、連結部１１２Ａにより行毎に水平方向に連結されており、第２の配線（第２の転送電極１１２を水平方向に連結するもの）を兼ねている。

第１の転送電極１１１は、第１の転送電極１１１および第２の転送電極１１２の上層に形成された第１の配線１２１により行毎に水平方向に連結されている。第１の配線１２１は、第２の転送電極１１２の上層に水平方向に延びる水平部１２１Ａと、水平部１２１Ａから延長して転送チャネル１０２上に垂直方向に延びる枝葉部１２１Ｂとからなる。枝葉部１２１Ｂは、その下方のコンタクト部１２１Ｃを介して第１の転送電極１１１に接続されている。

この固体撮像装置を例えば、画素のユニットセル２μｍの１／２．５インチ型とする。第１の転送電極１１１、第１の配線１２１および第２の転送電極１１２は、一般にポリシリコンからなる。第１の配線１２１および第２の転送電極１１２（第２の配線）の配線幅は３００ｎｍ程度になる。第１の転送電極１１１、第１の配線１２１および第２の転送電極１１２の膜厚は、光のけられを低減する観点からそれぞれ２００ｎｍ程度になる。ゲート酸化膜１０３からの第１の配線１２１の高さは、図２６（Ｂ）に示すように、例えば４５０ｎｍ程度になり、受光部１０１の四方（水平方向および垂直方向）は、第１の転送電極１１１、第１の配線１２１および第２の転送電極１１２により高さ４５０ｎｍ程度の壁に囲まれることになる。この四方を囲む壁により受光部１０１に斜めから入る入射光が遮られてしまい、受光部１０１の感度が低下するといった問題を残していた。

本発明は、このような事情に鑑みなされたものであり、その目的は、受光部の水平方向の斜めからの入射光の遮り（けられ）を低減して受光部の感度を向上させ、かつ、大画角化や高速駆動化を図ることができる固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法及び撮像装置を提供するにある。

上記目的を達成するため、本発明の固体撮像装置は、水平方向および垂直方向に行列状に配置された複数の受光部と、前記受光部に蓄積された信号電荷を垂直方向に転送するための複数列の転送チャネルと、前記受光部の垂直方向の中央部に隣接した前記転送チャネル上に設けられ、前記受光部に蓄積された信号電荷を読み出して垂直方向に転送するための第１の転送電極と、前記第１の転送電極と同一の層の前記転送チャネル上に設けられ、前記第１の転送電極により転送された信号電荷を垂直方向に転送するための第２の転送電極と、前記行列の同行の前記第１の転送電極を水平方向に連結する第１の配線と、前記第１の配線と同一の層で形成され、前記行列の同行の前記第２の転送電極を水平方向に連結する第２の配線とを備え、前記第１および第２の転送電極の膜厚は、前記第１および第２の配線をポリシリコンで構成した場合の前記第１および第２の配線の膜厚に比べ薄く構成され、前記第２の配線は、前記第２の転送電極上に設けられ、前記第１の配線は、前記第２の配線に近接して水平方向に延びる水平部と、前記水平部から延長して枝状に垂直方向に延びて前記第１の転送電極上に延びる枝葉部とを有し、前記枝葉部は、第１の転送電極上に延びる前記枝葉部の上方に透明な層間絶縁膜の空間を作るように前記水平部から前記第１の転送電極に向かって折れ曲がり、コンタクトを介して前記第１の転送電極に接続され、前記第１の転送電極および前記第２の転送電極は、ポリシリコンからなり、前記第１の配線および前記第２の配線は、Ｗ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｐｔ、ＩｒもしくはＲｕの金属、Ｗ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｐｔ、ＩｒおよびＲｕの少なくとも２つ以上の合金、珪化物、窒化物または珪化物もしくは窒化物の積層物からなり、前記第１の配線および前記第２の配線は、前記第１の転送電極および前記第２の転送電極を覆うように形成され、前記受光部の開口を形成する遮光膜を兼ねることを特徴とする。
また、本発明の固体撮像装置の製造方法は、水平方向および垂直方向に行列状に配置された複数の受光部と、前記受光部に蓄積された信号電荷を垂直方向に転送するための複数列の転送チャネルとを半導体基板に形成する工程と、前記受光部の垂直方向の中央部に隣接した前記転送チャネル上に前記受光部に蓄積された信号電荷を読み出して垂直方向に転送するための第１の転送電極を形成し、同時に、前記第１の転送電極と同一の層の前記転送チャネル上に前記第１の転送電極により転送された信号電荷を垂直方向に転送するための第２の転送電極を形成する転送電極形成工程と、前記行列の同行の前記第１の転送電極を水平方向に連結する第１の配線と、前記行列の同行の前記第２の転送電極を水平方向に連結する第２の配線とを同時に形成する配線形成工程とを含み、前記転送電極形成工程は、前記第１および第２の転送電極の膜厚を前記第１および第２の配線をポリシリコンで構成した場合の前記第１および第２の配線の膜厚より薄く形成し、前記配線形成工程は、前記第２の配線を前記第２の転送電極上に形成し、同時に、前記第１の配線を、前記第２の配線に近接して水平方向に延びる水平部と、前記水平部から延長して枝状に垂直方向に延びて前記第１の転送電極上に延びる枝葉部とで形成し、前記枝葉部を、第１の転送電極上に延びる前記枝葉部の上方に透明な層間絶縁膜の空間を作るように前記水平部から前記第１の転送電極に向かって折れ曲がり、コンタクトを介して前記第１の転送電極に接続し、前記第１の転送電極および前記第２の転送電極は、ポリシリコンからなり、前記第１の配線および前記第２の配線は、Ｗ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｐｔ、ＩｒもしくはＲｕの金属、Ｗ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｐｔ、ＩｒおよびＲｕの少なくとも２つ以上の合金、珪化物、窒化物または珪化物もしくは窒化物の積層物からなり、前記第１の配線および前記第２の配線は、前記第１の転送電極および前記第２の転送電極を覆うように形成され、前記受光部の開口を形成する遮光膜を兼ねることを特徴とする。

また、本発明の撮像装置は、固体撮像装置を用いた撮像部と、前記撮像部を制御する制御部と、前記撮像部を操作する操作部とを有し、前記固体撮像装置は、上記本発明の固体撮像装置の構成であることを特徴とする。

本発明の固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法及び撮像装置によれば、第１および第２の転送電極が第１および第２の配線をポリシリコンで構成した場合に比べ薄い膜厚で形成される。第２の配線は、第２の転送電極上に設けられる。第１の配線は、第２の配線の上層に設けられ水平方向に延びる水平部と、水平部から延長して枝状に垂直方向に延びて第１の転送電極上に延びる枝葉部とを有し、枝葉部は、第１の転送電極上に延びる枝葉部の上方に透明な層間絶縁膜の空間を作るように水平部から第１の転送電極に向かって折れ曲がり、コンタクトを介して第１の転送電極に接続される。
このため、第１の配線の水平部と同じ高さにある部分で第１の配線の枝葉部の第１の転送電極上にある部分に透明な層間絶縁膜の空間を作ることができる。このため、受光部への水平方向の斜めからの入射光の遮りを低減することができる。したがって、受光部の感度を向上させることができる。一般にＣＣＤの受光部は垂直方向に長い矩形状に形成されるので、垂直方向の広角から光が入射しても感度低下は少ない。これに対し、水平方向の広角からの光は感度低下の影響が大きく、本発明のように、水平方向の入射光の遮りを低減することは、受光部の感度の向上に大きく貢献する。
また、第１および第２の転送電極が第１および第２の配線をポリシリコンで構成した場合に比べ薄い膜厚で形成される。第１および第２の転送電極の膜厚が薄いため、これらの間を層間絶縁膜で埋めるのが容易になり、第１の転送電極と第２の転送電極との間の間隔をできるだけ短くすることができ、これにより第１および第２の転送電極の面積をそれぞれ大きくすることができる。したがって、第１および第２の転送電極のキャパシタ容量を向上させ、より多くの電子の転送が可能になる。
また、第１および第２の転送電極の膜厚が薄いため、これらの対向する面積が小さくなる。したがって、第１および第２の転送電極間の容量を低減することができるので、ＲＣ時定数が低減され、高速駆動が可能となる。

また、第１の配線は、第２の配線に近接して水平方向に延びる水平部と、水平部から延長して枝状に垂直方向に延びて第１の転送電極上に延びる枝葉部とを有し、枝葉部は、コンタクトを介して第１の転送電極に接続されるため、受光部の垂直方向の開口は短くなるものの、第１および第２の配線を同層に同じ高さに形成することができるので、受光部の四方（水平方向および垂直方向）周囲の壁の高さを低くすることができる。したがって、受光部への広角の入射光の遮りを低減して受光部の感度を向上させることができる。また、第１および第２の配線を同層に形成することができるので、工程数を削減することができる。

以下、本発明の固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法及び撮像装置について図面を参照して説明する。
（実施の形態１）
図１は実施の形態１の固体撮像装置を示す図であり、図１（Ａ）は平面図、図１（Ｂ）は図１（Ａ）のＡ−Ａ’断面図、図１（Ｃ）は図１（Ａ）の転送電極の部分の説明図、図１（Ｄ）は図１（Ａ）の第２の配線部分の説明図である。
図２（Ａ）は図１に示される実施の形態１の固体撮像装置を示す平面図であり、図２（Ｂ）は図２（Ａ）のＢ−Ｂ’断面図である。図２（Ｃ）は図２６に示される従来の固体撮像装置を示す平面図であり、図２（Ｄ）は図２（Ｃ）のＢ−Ｂ’断面図である。

この固体撮像装置は、４相駆動ＣＣＤを例にしたものであり、図１および図２に示すように、水平方向および垂直方向に行列状に配置された複数の受光部１を備える。受光部１は、フォトダイオードからなり、入射光量に応じた信号電荷を蓄積する。受光部１の水平方向に隣接する半導体基板１０の上層部には、垂直方向に延びる転送チャネル２が設けられている。転送チャネル２は、受光部１に蓄積された信号電荷を読み出して垂直方向に転送するためのものである。

転送チャネル２の上には、ゲート酸化膜３が形成されている。ゲート酸化膜３の上には、第１の転送電極１１および第２の転送電極１２が形成されている。第１の転送電極１１は、受光部１の垂直方向の中央部１Ａの水平方向に隣接する転送チャネル１０２上に設けられている。第２の転送電極１２は、垂直方向の受光部１間の中央部１Ｂの水平方向に隣接する転送チャネル１０２上に設けられている。第１の転送電極１１は、受光部１に蓄積された信号電荷を読み出して垂直方向の第２の転送電極１２に転送するためのものである。第２の転送電極１２は、第１の転送電極１１により転送された信号電荷を垂直方向の次の行の第１の転送電極１１に転送するためのものである。転送チャネル２、第１の転送電極１１および第２の転送電極１２は、いわゆる垂直転送部を構成する。

第２の転送電極１２は、第２の転送電極１２上に設けられた第２の配線２２により行毎に水平方向に連結されている。第２の配線２２は、その下方に形成されたコンタクト部２２Ｃにより第２の転送電極１２に接続される。

第１の転送電極１１は、第１の配線２１により行毎に水平方向に連結されている。第１の配線２１は、第２の配線２２の上層に水平方向に延びる水平部２１Ａと、水平部２１Ａから延長して転送チャネル２上に垂直方向に延びる枝葉部２１Ｂとからなる。枝葉部２１Ｂは、第１の転送電極１１上に延びる枝葉部２１Ｂの上方に図示しない透明な層間絶縁膜の空間を作るように水平部２１Ａから第１の転送電極１１に向かって折れ曲がり第１の転送電極上１１に延びる。枝葉部２１Ｂは、その下方のコンタクト部２１Ｃを介して第１の転送電極１１１に接続されている。

この固体撮像装置を例えば、画素のユニットセル２μｍの１／２．５インチ型とする。第１の転送電極１１および第２の転送電極１２は、ポリシリコンからなり、その膜厚は、光のけられを低減する観点から例えば４０ｎｍ程度で形成される。第１の転送電極１１および第２の転送電極１２は、１回のポリシリコンの成膜により形成される、いわゆる単層型電極構造を有する。第１の配線２１および第２の配線２２は、それぞれポリシリコンからなり、その膜厚は、光のけられを低減する観点から例えば２００ｎｍ程度で形成される。第１の転送電極１１および第２の転送電極１２と、第１の配線２１と、第２の配線２２とは、それぞれ別の工程で形成される。

実施の形態１によれば、第１の転送電極１１および第２の転送電極１２の膜厚は、第１の配線２１や第２の配線２２に比べ十分に薄くすることができる。このため、第１の転送電極１１の上方のゲート酸化膜３からの第１の配線２１の枝葉部２１Ｂの高さは、第１の転送電極１１の膜厚４０ｎｍに第１の配線２１の膜厚２００ｎｍを加えた２４０ｎｍとなり、図２６、図２（Ｃ）および図２（Ｄ）に示される従来の固体撮像装置のゲート酸化膜１０３からの第１の配線１１１の高さ４５０ｎｍに比べ格段に低くなる。このため、水平方向の広角からの光の入射のけられが低減され、受光部１の感度を向上させることができる。

一方、第２の配線２２の上方に形成された第１の配線２１の水平部２１Ａのゲート酸化膜３からの高さは、第２の転送電極１２の膜厚４０ｎｍに第２の配線２２の膜厚２００ｎｍ、図示しない層間絶縁膜の厚み５０ｎｍ、第１の配線２１の膜厚２００ｎｍを加えた４９０ｎｍとなり、従来の固体撮像装置のゲート酸化膜１０３からの第１の配線１１１の高さ４５０ｎｍに比べやや高くなる。

一般に固体撮像装置は、ＬＣＤやＣＲＴなどの表示装置と同様の画面サイズにするため、垂直方向に比べ水平方向の画面サイズが大きい。このため、第１の配線２１および第２の配線２２が水平方向に延びる固体撮像装置では、水平方向の最外周の画素のほうが垂直方向の最外周の画素より光が広角に入射してくる。水平方向の最外周の画素のほうが転送電極や配線によりけられてしまう光の量が多く、その感度低下が大きい。したがって、第１の転送電極１１上の第１配線２１の枝葉部２１Ｂの上方に図示しない透明な層間絶縁膜の空間を作り、水平方向からの広角の光を取り入れる実施の形態１の固体撮像装置は、水平方向の最外周の画素の感度を向上させるのに大きく寄与する。

前述のように、第１の配線２１の水平部２１Ａのゲート酸化膜３からの高さは、従来にくらべ若干高くなる。一般に受光部１の開口部は垂直方向に長い。このため、垂直方向から入射してくる光は、広角から入射してきても、受光部１の感度低下は小さい。実施の形態１の固体撮像装置のように水平方向からの広角の入射光を効率良く取り入れたほうが、受光部１の感度を向上させる上で改善効果が大きい。

また、実施の形態１によれば、第１の転送電極１１および第２の転送電極１２の膜厚を薄く形成できる。このため、第１の転送電極１１と第２の転送電極１２との間に形成する層間絶縁膜のアスペクト比が従来に比べ小さくなり、第１の転送電極１１と第２の転送電極１２との間の層間絶縁膜の埋め込みが容易になる。このため、第１の転送電極１１と第２の転送電極１２との間隔を小さくすることができるので、第１の転送電極１１および第２の転送電極１２の面積を大きくすることができる。したがって、第１の転送電極１１および第２の転送電極１２のキャパシタ容量を大きくし、より多くの電子を転送することが可能となる。

また、実施の形態１によれば、第１の転送電極１１および第２の転送電極１２の膜厚が小さいため、これらの対向面積が小さくなる。したがって、第１の転送電極１１および第２の転送電極１２間の容量を低減することができるので、ＲＣ時定数を低減して高速駆動が可能となる。

なお、図１および図２では、説明を容易にするため、第１配線２１および第２配線２２の層間絶縁膜は図示が省略され、半導体基板１０の詳細や第１配線２１の上層の詳細も省略されている。第１配線２１の上層には、他の層間絶縁膜や遮光膜、カラーフィルタ、マイクロレンズ等が構成されるのは言うまでもない。

また、第１配線２１の枝葉部２１Ｂは、第１配線２１の水平部２１Ａから垂直方向に枝状に延びるように構成されているが、枝葉部２１Ｂの形状は、これに限るものではない。例えば、垂直方向にＶ字状に延びるように構成してもよい。この場合、枝葉部および水平部からなる第１配線２１の平面図は、上から視て波状のようになる。

図３〜図１１は、実施の形態１の固体撮像装置の製造方法を示す図であり、ゲート酸化膜３上に、第１の転送電極１１、第２の転送電極１２、第１の配線２１および第２の配線２２を形成する方法を示す。
ここでは、半導体基板１０に受光部１や転送チャネル２を形成する工程や、半導体基板１０上にゲート酸化膜３を形成する工程は、省略する。

まず、ゲート酸化膜３上に第１の転送電極１１および第２の転送電極１２となるポリシリコンを成膜する。
次に、図３に示すように、フォトレジストにより受光部１、第１の転送電極１１および第２の転送電極１２をパターニングし、ドライエッチング法でポリシリコンを除去した後、フォトレジストを除去して第１の転送電極１１および第２の転送電極１２を形成する。

次に、図４に示すように、第１の転送電極１１、第２の転送電極１２およびゲート酸化膜３上に層間絶縁膜３２を形成し、第１の転送電極１１および第２の転送電極１２の間を埋め込む。層間絶縁膜３２は、例えばＳｉＯ_２がカップリング容量の観点から好ましいが、ＳｉＮなどを用いてもよい。

次に、図５に示すように、層間絶縁膜３２の上にフォトレジストで第２の配線２２のコンタクト部２２Ｃのためのコンタクト孔３２Ｃをパターニングし、そのフォトレジストをマスクにドライエッチング法により層間絶縁膜３２を除去し、コンタクト孔３２Ｃを開口する。

次に、図６に示すように、層間絶縁膜３２の上に第２の配線２２となるポリシリコン４２を成膜する。次に、図７に示すように、ポリシリコン４２の上にフォトレジストで第２の配線２２をパターニングし、そのフォトレジストをマスクにドライエッチッグ法によりポリシリコン４２を除去し、第２の配線２２を形成する。

次に、図８に示すように、第２の配線２２および層間絶縁膜３２の上に層間絶縁膜３１を形成する。層間絶縁膜３１は、例えばＳｉＯ_２がカップリング容量の観点から好ましいが、ＳｉＮなどを用いてもよい。

次に、図９に示すように、層間絶縁膜３１の上にフォトレジストで第１の配線２１のコンタクト部２１Ｃのためのコンタクト孔３１Ｃをパターニングし、そのフォトレジストをマスクにドライエッチング法により層間絶縁膜３１を除去し、コンタクト孔３１Ｃを開口する。

次に、図１０に示すように、層間絶縁膜３１の上に第１の配線２１となるポリシリコン４１を成膜する。次に、図１１に示すように、ポリシリコン４１の上にフォトレジストで第１の配線２１をパターニングし、そのフォトレジストをマスクにドライエッチッグ法によりポリシリコン４１を除去し、第１の配線２１を形成する。

図２６、図２（Ｃ）および図２（Ｄ）に示される従来の固体撮像装置では、ゲート酸化膜１０３上に第１の転送電極１１１および第２の転送電極１１２を形成するためにドライエッチング法でポリシリコンを除去する際、特に受光部１０１の４隅の部分のゲート酸化膜１０３にダメージを与え、膜減りを起こしてしまう。膜減りが大きく半導体基板１００に達すると、受光部１０１の欠陥となり、欠陥から電子が湧き出ることになる。このゲート酸化膜１０３の膜減り量の制御は非常に難しい。
これに対し、実施の形態１によれば、第１の転送電極１１および第２の転送電極１２の膜厚を４０ｎｍ程度に薄くできるので、受光部１の４隅の部分のゲート酸化膜３のダメージが軽減され、受光部１の欠陥を有効に防止することができる。

（実施の形態２）
図１２は実施の形態２の固体撮像装置を示す図であり、図１２（Ａ）は平面図、図１２（Ｂ）は図１２（Ａ）のＡ−Ａ’断面図である。
図１２に示すように、実施の形態２の固体撮像装置は、図１および図２に示される実施の形態１の固体撮像装置の第１の配線２１を金属からなる第１の配線２３に置き換えたものである。他の部分は、実施の形態１の固体撮像装置と同様の構成であり、同一符号を付し、その説明を省略する。

第１の配線２３の金属としては、例えばＷやＡｌ、Ｔｉなどが好ましいが、Ｃｕ、Ｔａ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｕでもよい。また、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｐｔ、ＩｒおよびＲｕの少なくとも２つ以上の合金でもよい。さらに、珪化物、窒化物やこれらの積層物でもよい。

実施の形態２によれば、第１の配線２３の比抵抗をポリシリコンに比べ低くすることができる。このため、第１の配線２３の比抵抗をポリシリコンと同程度にした場合には、第１の配線２３の膜厚を小さくし、第１の配線２３のゲート酸化膜３からの高さを格段に低くすることができる。したがって、広角からの入射光のけられを低減して、受光部１の感度をいっそう向上させることができる。

また、第１の配線２３の比抵抗をポリシリコンに比べ低くすることができるので、受光部１の読み出し電圧を低減することができる。また、配線長が周辺部の画素より長い中央部の画素に電圧が印加されるまでの時間をポリシリコンの配線に比べ短くすることができる。したがって、伝播遅延に起因する印加電圧の上昇を抑えたり、ＣＣＤの中央部の画素での電圧降下に起因する印加電圧の上昇を抑えることができる。

また、第１の配線２３の配線幅を広くして第１の転送電極１１および第２の転送電極１２を覆うように構成すれば、第１の配線２３は、受光部１の開口を形成する遮光膜を兼ねることができる。これにより、従来の配線層の上層の遮光膜を省略することができる。

（実施の形態３）
図１３は実施の形態３の固体撮像装置を示す図であり、図１３（Ａ）は平面図、図１３（Ｂ）は図１３（Ａ）のＡ−Ａ’断面図、図１３（Ｃ）は図１３（Ａ）のＢ−Ｂ’断面図、図１３（Ｄ）は図１３（Ａ）の第２の配線の部分の説明図、図１３（Ｅ）は図１３（Ａ）の第１の配線の部分の説明図である。
図１３に示すように、実施の形態３の固体撮像装置は、図１２に示される実施の形態２の固体撮像装置の第２の配線２２を金属からなる第２の配線２４に置き換えたものであり、第１の配線２３および第２の配線２４の両方を金属配線にしたものである。他の部分は、実施の形態１の固体撮像装置と同様の構成であり、同一符号を付し、その説明を省略する。

第２の配線２４の金属としては、例えばＷやＡｌ、Ｔｉなどが好ましいが、Ｃｕ、Ｔａ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｕでもよい。また、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｐｔ、ＩｒおよびＲｕの少なくとも２つ以上の合金でもよい。さらに、珪化物、窒化物やこれらの積層物でもよい。

実施の形態３によれば、第１の配線２３および第２の配線２４の比抵抗をポリシリコンに比べ低くすることができる。このため、第１の配線２３および第２の配線２４の比抵抗をポリシリコンと同程度にした場合には、第１の配線２３および第２の配線２４の膜厚を小さくし、第１の配線２３のゲート酸化膜３からの高さをいっそう低くすることができる。したがって、広角からの入射光のけられをいっそう低減して、受光部１の感度をいっそう向上させることができる。

また、第１の配線２３および第２の配線２４の配線幅を広くして第１の転送電極１１および第２の転送電極１２を覆うように構成すれば、第１の配線２３および第２の配線２４は、受光部１の開口を形成する遮光膜を兼ねることができる。これにより、従来の配線層の上層の遮光膜を省略することができる。以下、遮光膜を兼ねる第１の配線２３および第２の配線２４の変形例について説明する。

図１４は実施の形態３の第１の変形例の固体撮像装置を示す図であり、図１４（Ａ）は平面図、図１４（Ｂ）は図１４（Ａ）のＡ−Ａ’断面図、図１４（Ｃ）は図１４（Ａ）のＢ−Ｂ’断面図、図１４（Ｄ）は図１４（Ａ）の第２の配線の部分の説明図、図１４（Ｅ）は図１４（Ａ）の第１の配線の部分の説明図である。
図１４に示すように、この固体撮像装置は、図１３に示される第１の配線２３および第２の配線２４をそれぞれ第１の配線７１および第２の配線７２に置き換えたものである。第１の配線７１および第２の配線７２の配線幅は、第１の転送電極１１および第２の転送電極１２を覆うように広くされている。また、第１の配線７１の枝葉部７１Ｂは、隣の行の第２の配線７２上に重なるように第１の転送電極１１からさらに延長されている。第１の配線７１の枝葉部７１Ｂは、第１の転送電極１１の両側面を覆っている。

図１５は実施の形態３の第２の変形例の固体撮像装置を示す図であり、図１５（Ａ）は平面図、図１５（Ｂ）は図１５（Ａ）のＡ−Ａ’断面図、図１５（Ｃ）は図１５（Ａ）のＢ−Ｂ’断面図、図１５（Ｄ）は図１５（Ａ）の第１の配線の部分の説明図、図１５（Ｅ）は図１５（Ａ）の第２の配線の部分の説明図である。
図１５に示すように、図１４に示される第１の配線７１および第２の配線７２をそれぞれ第１の配線７３および第２の配線７４に置き換え、配線の形成順序を逆にしたものである。図１４では、第２の配線７２を形成した後に第１の配線７１を形成しているのに対し、図１５では、第１の配線７３を形成した後、第２の配線７４を形成している。

図１６は実施の形態３の第３の変形例の固体撮像装置を示す図であり、図１６（Ａ）は平面図、図１６（Ｂ）は図１６（Ａ）のＡ−Ａ’断面図、図１６（Ｃ）は図１６（Ａ）のＢ−Ｂ’断面図、図１６（Ｄ）は図１６（Ａ）の第１の配線の部分の説明図、図１６（Ｅ）は図１６（Ａ）の第２の配線の部分の説明図である。
図１６に示すように、この固体撮像装置は、図１５に示される第１の配線７３および第２の配線７４をそれぞれ第１の配線７５および第２の配線７６に置き換えたものである。
第１の配線７５は、受光部１を囲むように格子状に形成されている。すなわち第１の配線７５は、同行の第２の配線７６に近接する水平部７５Ａと、隣の行に近接する水平部７５Ｃと、これらを垂直方向に繋げて第１の転送電極に接続される枝葉部７５Ｂとから構成される。

図１７は実施の形態３の第４の変形例の固体撮像装置を示す図であり、図１７（Ａ）は平面図、図１７（Ｂ）は図１７（Ａ）のＡ−Ａ’断面図、図１７（Ｃ）は図１７（Ａ）のＢ−Ｂ’断面図、図１７（Ｄ）は図１７（Ａ）の第２の配線の部分の説明図、図１７（Ｅ）は図１７（Ａ）の第１の配線の部分の説明図である。
図１７に示すように、この固体撮像装置は、図１６に示される第１の配線７５および第２の配線７６をそれぞれ第１の配線７７および第２の配線７８に置き換え、配線の形成順序を逆にしたものである。
第１の配線７５同様に第１の配線７７も格子状に形成される。
図１６では、第１の配線７５を形成した後に第２の配線７６を形成しているのに対し、図１７では、第２の配線７８を形成した後、第１の配線７７を形成している。

図１８は実施の形態３の第５の変形例の固体撮像装置を示す図であり、図１８（Ａ）は平面図、図１８（Ｂ）は図１８（Ａ）のＡ−Ａ’断面図、図１８（Ｃ）は図１８（Ａ）のＢ−Ｂ’断面図、図１８（Ｄ）は図１８（Ａ）の第２の配線の部分の説明図、図１８（Ｅ）は図１８（Ａ）の第１の配線の部分の説明図である。
図１８に示すように、この固体撮像装置は、第１の転送電極１１に接続される第１の配線８１と第２の転送電極に接続される第２の配線８２とを備える。第２の配線８２は、第２の電極上に水平方向に設けられた水平部８２Ａを有する。第１の配線８１は隣の行の第２の配線８２の水平部８２Ａに近接して水平方向に設けられた水平部８１Ａと、水平部８１Ａから枝状に垂直方向に延び第１の転送電極１１に達する枝葉部８１Ｂとを有する。第１の配線８１の枝葉部８１Ｂは、第１の転送電極１１とほぼ同じ幅で広がり、水平部８１Ａから第１の転送電極１１を通り第２の配線８２の水平部８２Ａに近づくように延びる。第２の配線８２は、その水平部８２Ａから延長して延びて第１の配線の枝葉部８１Ｂの下の第１の転送電極１１および第２の転送電極１２の垂直方向の両辺に沿って延びる２本の枝葉部８２Ｂおよび８２Ｃを有する。

このような構成にすることにより、第１の転送電極１１に接続される第１の配線７１、７３、７５、７７で遮光する場合と違い、第１の転送電極１１の近傍の受光部１で読み出し電圧が印加されなくなる。例えば図１６の場合には、受光部１から電子を読み出すときに、受光部１と転送部の間のポテンシャル障壁を潰すためにプラス１０（Ｖ）程度の電圧を印加する必要があるが、その電圧が配線材料にもかかってしまうため、配線材料−シリコン基板間にリーク電流が流れてしまう懸念がある。これに対し、図１８の配線の場合、読み出し電圧は、受光部１の脇の電極に印加されないため、そのような懸念がない。

なお、実施の形態２では、第１の配線２３を金属で構成し、実施の形態３では、第１の配線２３および第２の配線２４を金属で構成したが、実施の形態１の第１の配線２１をポリシリコンで構成し、第２配線２２のみを金属で構成してもよい。この場合にも、第１の配線２３のゲート酸化膜３からの高さを格段に低くすることができる。したがって、広角からの入射光のけられを低減して、受光部１の感度をいっそう向上させることができる。

（実施の形態４）
図１９は実施の形態４の固体撮像装置を示す図であり、図１９（Ａ）は平面図、図１９（Ｂ）は図１９（Ａ）のＡ−Ａ’断面図、図１９（Ｃ）は図１９（Ａ）の転送電極の部分の説明図、図１９（Ｄ）は図１９（Ａ）の第２の配線の部分の説明図である。
図１９に示すように、実施の形態４の固体撮像装置は、図１に示される実施の形態１の固体撮像装置の第２の転送電極１２を連結部１２Ａにより水平方向に連結したものである。連結部１２Ａは、第１の転送電極１１および第２の転送電極とともに１回のポリシリコンの成膜により製造される。
実施の形態４によれば、第２の転送電極１２が連結部１２Ａにより水平方向に連結されるので、第２の転送電極１２のいっそうの薄膜化が可能になる。したがって、広角からの入射光のけられを低減して、受光部１の感度をいっそう向上させることができる。
また、ひとつのコンタクトが開口不良でも、ポリシリコンを通じて隣のコンタクトから電圧を印加できる。

（実施の形態５）
図２０は実施の形態５の固体撮像装置を示す図であり、図２０（Ａ）は平面図、図２０（Ｂ）は図２０（Ａ）のＡ−Ａ’断面図、図２０（Ｃ）は図２０（Ａ）の転送電極の部分の説明図、図２０（Ｄ）は図２０（Ａ）の第２の配線の部分の説明図である。
図２０に示すように、実施の形態５の固体撮像装置は、実施の形態４の固体撮像装置と同様に第２の転送電極１２が連結部１２Ａにより水平方向に連結されるが、第２の配線２２がコンタクト部２２Ｃにより第２の転送電極１２に接続されるのではなく、第２の配線２２が水平方向に長く連続したコンタクト部２２Ｄにより接続される。このようにコンタクト部２２Ｄを構成すると、コンタクトの形成が容易になり、また、第２の転送電極１２のいっそうの薄膜化が可能になる。したがって、広角からの入射光のけられを低減して、受光部１の感度をいっそう向上させることができる。

（実施の形態６）
図２１は実施の形態６の固体撮像装置を示す図であり、図２１（Ａ）は平面図、図２１（Ｂ）は図２１（Ａ）のＡ−Ａ’断面図、図２１（Ｃ）は図２１（Ａ）の転送電極の部分の説明図、図２１（Ｄ）は図２１（Ａ）の第１および第２の配線の部分の説明図である。
図２２（Ａ）は図２１に示される実施の形態６の固体撮像装置を示す平面図であり、図２２（Ｂ）は図２２（Ａ）のＢ−Ｂ’断面図である。図２２（Ｃ）は図２６に示される従来の固体撮像装置を示す平面図であり、図２２（Ｄ）は図２２（Ｃ）のＢ−Ｂ’断面図である。

図２１および図２２に示すように、実施の形態６の固体撮像装置は、第１の転送電極１１を水平方向に連結する第１の配線２５および第２の転送電極１２を水平方向に連結する第２の配線２６が１層のポリシリコン成膜から形成され、並列に設けられる点が実施の形態１の固体撮像装置と異なる。他の部分は、実施の形態１の固体撮像装置と同様の構成であり、同一符号を付し、その説明を省略する。

第２の配線２６は、第２の転送電極１２上に設けられ、第２の配線２６の下方のコンタクト部２６Ｃにより第２の転送電極１２に接続されている。第１の配線２５は、第２の配線に近接して並列に設けられ、第２の転送電極１２の上方に水平方向に延びる水平部２５Ａと、水平部２５Ａから延長して転送チャネル２上に垂直方向に延びる枝葉部２５Ｂとからなる。枝葉部２５Ｂは、その下方のコンタクト部２５Ｃを介して第１の転送電極１１１に接続されている。

実施の形態６によれば、第１の配線２５および第２の配線２６を１層のポリシリコン成膜から形成し、並列に設けている。このため、受光部１の垂直方向のサイズは小さくなるものの、第１の配線２５および第２の配線２６のゲート酸化膜３からの高さを低くすることができる。したがって、広角からの入射光のけられを低減して、受光部１の感度をいっそう向上させることができる。また、１層のポリシリコン成膜により第１の配線２５および第２の配線２６を形成することができるので、工程数を削減することができる。

（実施の形態７）
図２３は実施の形態７の固体撮像装置を示す図であり、図２３（Ａ）は平面図、図２３（Ｂ）は図２３（Ａ）のＡ−Ａ’断面図、図２３（Ｃ）は図２３（Ａ）の転送電極の部分の説明図、図２３（Ｄ）は図２３（Ａ）の第２および第３の配線の部分の説明図である。
実施の形態７の固体撮像装置は、３相駆動ＣＣＤまたは６相駆動ＣＣＤを例にしたものである。なお、実施の形態１と同様の構成には、同一符号を付し、その説明を省略する。

実施の形態７の固体撮像装置は、実施の形態１の第１の転送電極１１および第２の転送電極１２に加え、第３の転送電極１３を備える。第１の転送電極１１は、受光部１に蓄積された信号電荷を読み出して垂直方向の第２の転送電極１２に転送するためのものである。第２の転送電極１２は、第１の転送電極１１により転送された信号電荷を垂直方向の第３の転送電極１３に転送するためのものである。第３の転送電極１３は、第２の転送電極１２により転送された信号電荷を垂直方向の次の行の第１の転送電極１１に転送するためのものである。第１の転送電極１１、第２の転送電極１２および第３の転送電極１３は、いわゆる単層型電極構造を有し、１回のポリシリコンの成膜により形成される。

第１の転送電極１１は、第１の配線５１により行毎に水平方向に連結される。第２の転送電極１２は、第２の配線５２により行毎に水平方向に連結される。第３の転送電極１３は、第３の配線５３により行毎に水平方向に連結される。

第２の配線５２は、第２の転送電極１２上に設けられ、水平方向に延び、その下方のコンタクト部５２Ｃを介して第２の転送電極１２に接続される。第３の配線５３は、第３の転送電極１３上に設けられ、水平方向に延び、その下方のコンタクト部５３Ｃを介して第３の転送電極１３に接続される。

第１の配線５１は、第２の配線５２および第３の配線５３の上層に水平方向に延びる水平部５１Ａと、水平部５１Ａから延長して転送チャネル２上に垂直方向に延びる枝葉部５１Ｂとからなる。枝葉部５１Ｂは、第１の転送電極１１上に延びる枝葉部５１Ｂの上方に図示しない透明な層間絶縁膜の空間を作るように水平部５１Ａから第１の転送電極１１に向かって折れ曲がり第１の転送電極上１１に延びる。枝葉部５１Ｂは、その下方のコンタクト部５１Ｃを介して第１の転送電極１１に接続されている。

第２の配線５２および第３の配線５３は、同層のポリシリコン成膜から形成される。第１の配線５１は、第２の配線５２および第３の配線５３の上層に層間絶縁膜を介して形成される。

実施の形態７によれば、実施の形態１と同様に、第１の転送電極上の第１の配線５１の枝葉部５１Ｂの上方に透明な層間絶縁膜の空間を作り、水平方向の広角からの光のけられを低減している。したがって、受光部１の感度を向上させることができる。

（実施の形態８）
図２４は実施の形態８の固体撮像装置を示す図であり、図２４（Ａ）は平面図、図２４（Ｂ）は図２４（Ａ）のＡ−Ａ’断面図、図２４（Ｃ）は図２４（Ａ）の転送電極の部分の説明図、図２４（Ｄ）は図２４（Ａ）の第１および第２の配線の部分の説明図である。
実施の形態８の固体撮像装置は、実施の形態７の固体撮像装置の第１の配線５１、第２の配線５２および第３の配線５３を第１の配線６１、第２の配線６２および第３の配線６３に置き換えたものである。なお、他の部分は、実施の形態７の固体撮像装置と同様の構成であり、同一符号を付し、その説明を省略する。

第１の配線６１は、同行の第１の転送電極１１を水平方向に連結する。第２の配線６２は、同行の第２の転送電極１２を水平方向に連結する。第３の配線６３は、同行の第３の転送電極１３を水平方向に連結する。
第２の配線６２は、第２の転送電極１２上に設けられ、水平方向に延び、その下方のコンタクト部６２Ｃを介して第２の転送電極１２に接続されている。

第１の配線６１は、第２の配線６２の上層に水平方向に延びる水平部６１Ａと、水平部６１Ａから延長して転送チャネル２上に垂直方向に延びる枝葉部６１Ｂとからなる。枝葉部６１Ｂは、第１の転送電極１１上に延びる枝葉部６１Ｂの上方に図示しない透明な層間絶縁膜の空間を作るように水平部６１Ａから第１の転送電極１１に向かって折れ曲がり第１の転送電極１１上に延びる。枝葉部６１Ｂは、その下方のコンタクト部６１Ｃを介して第１の転送電極１１に接続されている。

第３の配線６３は、第２の配線６２の上層に水平方向に延びる水平部６３Ａと、水平部６３Ａから延長して転送チャネル２上に垂直方向に延びる枝葉部６３Ｂとからなる。枝葉部６３Ｂは、水平部６３Ａから第１の転送電極１１に向かって折れ曲がり第３の転送電極１３上に延びる。枝葉部６３Ｂは、第３の転送電極１３に接続されている。

第１の配線６１および第３の配線６３は、第２の配線６２の上層に層間絶縁膜を介して形成される。第１の配線６１および第３の配線６３は、同層のポリシリコン成膜から形成される。

実施の形態８によれば、実施の形態７と同様に、第１の転送電極上の第１の配線６１の枝葉部６１Ｂの上方に透明な層間絶縁膜の空間を作り、水平方向の広角からの光のけられを低減している。したがって、受光部１の感度を向上させることができる。

（実施の形態９）
実施の形態９は、本発明を適用した撮像装置の具体例を説明する。
図２５はＣＣＤイメージセンサを用いたカメラ装置の構成例を示すブロック図である。
図２５において、撮像部３１０は、例えば図１に示したＣＣＤイメージセンサを用いて被写体の撮像を行い、撮像信号をメイン基板に搭載されたシステムコントロール部３２０に出力する。すなわち、撮像部３１０では、上述したＣＣＤイメージセンサの出力信号に対し、ＡＧＣ（自動利得制御）、ＯＢ（オプティカルブラック）クランプ、ＣＤＳ（相関二重サンプリング）、Ａ／Ｄ変換といった処理を行い、デジタル撮像信号を生成して出力する。
なお、本例では、撮像部３１０内で撮像信号をデジタル信号に変換してシステムコントロール部３２０に出力する例について示しているが、撮像部３１０からアナログ撮像信号をシステムコントロール部３２０に送り、システムコントロール部３２０側でデジタル信号に変換する構成であってもよい。また、撮像部３１０内での処理も種々の方法があり、特に限定しないことは勿論である。

また、撮像光学系３００は、鏡筒内に配置されたズームレンズ３０１や絞り機構３０２等を含み、ＣＣＤイメージセンサの受光部に被写体像を結像させるものであり、システムコントロール部３２０の指示に基づく駆動制御部３３０の制御により、各部を機械的に駆動してオートフォーカス等の制御が行われる。

また、システムコントロール部３２０には、ＣＰＵ３２１、ＲＯＭ３２２、ＲＡＭ３２３、ＤＳＰ３２４、外部インターフェース３２５等が設けられている。
ＣＰＵ３２１は、ＲＯＭ３２２及びＲＡＭ３２３を用いて本カメラ装置の各部に指示を送り、システム全体の制御を行う。
ＤＳＰ３２４は、撮像部３１０からの撮像信号に対して各種の信号処理を行うことにより、所定のフォーマットによる静止画または動画の映像信号（例えばＹＵＶ信号等）を生成する。
外部インターフェース３２５には、各種エンコーダやＤ／Ａ変換器が設けられ、システムコントロール部３２０に接続される外部要素（本例では、ディスプレイ３６０、メモリ媒体３４０、操作パネル部３５０）との間で、各種制御信号やデータをやり取りする。

ディスプレイ３６０は、本カメラ装置に組み込まれた例えば液晶パネル等の小型表示器であり、撮像した画像を表示する。なお、このようなカメラ装置に組み込まれた小型表示器に加えて、外部の大型表示装置に画像データを伝送し、表示できる構成とすることも勿論可能である。
メモリ媒体３４０は、例えば各種メモリカード等に撮影された画像を適宜保存しておけるものであり、例えばメモリ媒体コントローラ３４１に対してメモリ媒体を交換可能なものとなっている。メモリ媒体３４０としては、各種メモリカードの他に、磁気や光を用いたディスク媒体等を用いることができる。
操作パネル部３５０は、本カメラ装置で撮影作業を行うに際し、ユーザが各種の指示を行うための入力キーを設けたものであり、ＣＰＵ３２１は、この操作パネル部３５０からの入力信号を監視し、その入力内容に基づいて各種の動作制御を実行する。

このようなカメラ装置に、本発明を適用することにより、種々の被写体に関し、高品位の撮影を行うことができる。なお、以上の構成において、システムの構成要素となる単位デバイスや単位モジュールの組み合わせ方、セットの規模等については、製品化の実情等に基づいて適宜選択することが可能であり、本発明の撮像装置は、種々の変形を幅広く含むものとする。

また、本発明の固体撮像装置及び撮像装置において、撮像対象（被写体）としては、人や景色等の一般的な映像に限らず、偽札検出器や指紋検出器等の特殊な微細画像パターンの撮像にも適用できるものである。この場合の装置構成としては、図２５に示した一般的なカメラ装置ではなく、さらに特殊な撮像光学系やパターン解析を含む信号処理系を含むことになり、この場合にも本発明の作用効果を十分発揮して、精密な画像検出を実現することが可能となる。
さらに、遠隔医療や防犯監視、個人認証等のように遠隔システムを構成する場合には、上述のようにネットワークと接続した通信モジュールを含む装置構成とすることも可能であり、幅広い応用が実現可能である。

実施の形態１の固体撮像装置を示す図であり、図１（Ａ）は平面図、図１（Ｂ）は図１（Ａ）のＡ−Ａ’断面図、図１（Ｃ）は図１（Ａ）の転送電極の部分の説明図、図１（Ｄ）は図１（Ａ）の第２の配線の部分の説明図である。 図２（Ａ）は図１に示される実施の形態１の固体撮像装置を示す平面図であり、図２（Ｂ）は図２（Ａ）のＢ−Ｂ’断面図である。図２（Ｃ）は図２６に示される従来の固体撮像装置を示す平面図であり、図２（Ｄ）は図２（Ｃ）のＢ−Ｂ’断面図である。 実施の形態１の固体撮像装置の製造方法を示す図であり、図３（Ａ）は平面図、図３（Ｂ）は図３（Ａ）のＡ−Ａ’断面図、図３（Ｃ）は図３（Ａ）のＢ−Ｂ’断面図、図３（Ｄ）は図３（Ａ）のＣ−Ｃ’断面図である。 実施の形態１の固体撮像装置の製造方法を示す図であり、図４（Ａ）は平面図、図４（Ｂ）は図４（Ａ）のＡ−Ａ’断面図、図４（Ｃ）は図４（Ａ）のＢ−Ｂ’断面図、図４（Ｄ）は図４（Ａ）のＣ−Ｃ’断面図である。 実施の形態１の固体撮像装置の製造方法を示す図であり、図５（Ａ）は平面図、図５（Ｂ）は図５（Ａ）のＡ−Ａ’断面図、図５（Ｃ）は図５（Ａ）のＢ−Ｂ’断面図、図５（Ｄ）は図５（Ａ）のＣ−Ｃ’断面図である。 実施の形態１の固体撮像装置の製造方法を示す図であり、図６（Ａ）は平面図、図６（Ｂ）は図６（Ａ）のＡ−Ａ’断面図、図６（Ｃ）は図６（Ａ）のＢ−Ｂ’断面図、図６（Ｄ）は図６（Ａ）のＣ−Ｃ’断面図である。 実施の形態１の固体撮像装置の製造方法を示す図であり、図７（Ａ）は平面図、図７（Ｂ）は図７（Ａ）のＡ−Ａ’断面図、図７（Ｃ）は図７（Ａ）のＢ−Ｂ’断面図、図７（Ｄ）は図７（Ａ）のＣ−Ｃ’断面図である。 実施の形態１の固体撮像装置の製造方法を示す図であり、図８（Ａ）は平面図、図８（Ｂ）は図８（Ａ）のＡ−Ａ’断面図、図８（Ｃ）は図８（Ａ）のＢ−Ｂ’断面図、図８（Ｄ）は図８（Ａ）のＣ−Ｃ’断面図である。 実施の形態１の固体撮像装置の製造方法を示す図であり、図９（Ａ）は平面図、図９（Ｂ）は図９（Ａ）のＡ−Ａ’断面図、図９（Ｃ）は図９（Ａ）のＢ−Ｂ’断面図、図９（Ｄ）は図９（Ａ）のＣ−Ｃ’断面図である。 実施の形態１の固体撮像装置の製造方法を示す図であり、図１０（Ａ）は平面図、図１０（Ｂ）は図１０（Ａ）のＡ−Ａ’断面図、図１０（Ｃ）は図１０（Ａ）のＢ−Ｂ’断面図、図１０（Ｄ）は図１０（Ａ）のＣ−Ｃ’断面図である。 実施の形態１の固体撮像装置の製造方法を示す図であり、図１１（Ａ）は平面図、図１１（Ｂ）は図１１（Ａ）のＡ−Ａ’断面図、図１１（Ｃ）は図１１（Ａ）のＢ−Ｂ’断面図、図１１（Ｄ）は図１１（Ａ）のＣ−Ｃ’断面図である。 実施の形態２の固体撮像装置を示す図であり、図１２（Ａ）は平面図、図１２（Ｂ）は図１２（Ａ）のＡ−Ａ’断面図である。 実施の形態３の固体撮像装置を示す図であり、図１３（Ａ）は平面図、図１３（Ｂ）は図１３（Ａ）のＡ−Ａ’断面図、図１３（Ｃ）は図１３（Ａ）のＢ−Ｂ’断面図、図１３（Ｄ）は図１３（Ａ）の第２の配線の部分の説明図、図１３（Ｅ）は図１３（Ａ）の第１の配線の部分の説明図である。 実施の形態３の第１の変形例の固体撮像装置を示す図であり、図１４（Ａ）は平面図、図１４（Ｂ）は図１４（Ａ）のＡ−Ａ’断面図、図１４（Ｃ）は図１４（Ａ）のＢ−Ｂ’断面図、図１４（Ｄ）は図１４（Ａ）の第２の配線の部分の説明図、図１４（Ｅ）は図１４（Ａ）の第１の配線の部分の説明図である。 実施の形態３の第２の変形例の固体撮像装置を示す図であり、図１５（Ａ）は平面図、図１５（Ｂ）は図１５（Ａ）のＡ−Ａ’断面図、図１５（Ｃ）は図１５（Ａ）のＢ−Ｂ’断面図、図１５（Ｄ）は図１５（Ａ）の第１の配線の部分の説明図、図１５（Ｅ）は図１５（Ａ）の第２の配線の部分の説明図である。 実施の形態３の第３の変形例の固体撮像装置を示す図であり、図１６（Ａ）は平面図、図１６（Ｂ）は図１６（Ａ）のＡ−Ａ’断面図、図１６（Ｃ）は図１６（Ａ）のＢ−Ｂ’断面図、図１６（Ｄ）は図１６（Ａ）の第１の配線の部分の説明図、図１６（Ｅ）は図１６（Ａ）の第２の配線の部分の説明図である。 実施の形態３の第４の変形例の固体撮像装置を示す図であり、図１７（Ａ）は平面図、図１７（Ｂ）は図１７（Ａ）のＡ−Ａ’断面図、図１７（Ｃ）は図１７（Ａ）のＢ−Ｂ’断面図、図１７（Ｄ）は図１７（Ａ）の第２の配線の部分の説明図、図１７（Ｅ）は図１７（Ａ）の第１の配線の部分の説明図である。 実施の形態３の第５の変形例の固体撮像装置を示す図であり、図１８（Ａ）は平面図、図１８（Ｂ）は図１８（Ａ）のＡ−Ａ’断面図、図１８（Ｃ）は図１８（Ａ）のＢ−Ｂ’断面図、図１８（Ｄ）は図１８（Ａ）の第２の配線の部分の説明図、図１８（Ｅ）は図１８（Ａ）の第１の配線の部分の説明図である。 実施の形態４の固体撮像装置を示す図であり、図１９（Ａ）は平面図、図１９（Ｂ）は図１９（Ａ）のＡ−Ａ’断面図、図１９（Ｃ）は図１９（Ａ）の転送電極の部分の説明図、図１９（Ｄ）は図１９（Ａ）の第２の配線の部分の説明図である。 実施の形態５の固体撮像装置を示す図であり、図２０（Ａ）は平面図、図２０（Ｂ）は図２０（Ａ）のＡ−Ａ’断面図、図２０（Ｃ）は図２０（Ａ）の転送電極の部分の説明図、図２０（Ｄ）は図２０（Ａ）の第２の配線の部分の説明図である。 実施の形態６の固体撮像装置を示す図であり、図２１（Ａ）は平面図、図２１（Ｂ）は図２１（Ａ）のＡ−Ａ’断面図、図２１（Ｃ）は図２１（Ａ）の転送電極の部分の説明図、図２１（Ｄ）は図２１（Ａ）の第１および第２の配線の部分の説明図である。 図２２（Ａ）は実施の形態６の固体撮像装置を示す平面図であり、図２２（Ｂ）は図２２（Ａ）のＢ−Ｂ’断面図である。図２２（Ｃ）は図２６に示される従来の固体撮像装置を示す平面図であり、図２２（Ｄ）は図２２（Ｃ）のＢ−Ｂ’断面図である。 実施の形態７の固体撮像装置を示す図であり、図２３（Ａ）は平面図、図２３（Ｂ）は図２３（Ａ）のＡ−Ａ’断面図、図２３（Ｃ）は図２３（Ａ）の転送電極の部分の説明図、図２３（Ｄ）は図２３（Ａ）の第２および第３の配線の部分の説明図である。 実施の形態８の固体撮像装置を示す図であり、図２４（Ａ）は平面図、図２４（Ｂ）は図２４（Ａ）のＡ−Ａ’断面図、図２４（Ｃ）は図２４（Ａ）の転送電極の部分の説明図、図２４（Ｄ）は図２４（Ａ）の第１および第２の配線の部分の説明図である。 ＣＣＤイメージセンサを用いたカメラ装置の構成例を示すブロック図である。 従来の固体撮像装置の一例を示す図であり、図２６（Ａ）は平面図、図２６（Ｂ）は図２６（Ａ）のＡ−Ａ’断面図、図２６（Ｃ）は図２６（Ａ）の転送電極の部分の説明図である。

符号の説明

１０……半導体基板、２……転送チャネル、３……ゲート酸化膜、１１……第１の転送電極、１２……第２の転送電極、２１……第１の配線、２１Ａ……水平部、２１Ｂ……枝葉部、２２……第２の配線。

Claims (6)

1. 水平方向および垂直方向に行列状に配置された複数の受光部と、
   前記受光部に蓄積された信号電荷を垂直方向に転送するための複数列の転送チャネルと、
   前記受光部の垂直方向の中央部に隣接した前記転送チャネル上に設けられ、前記受光部に蓄積された信号電荷を読み出して垂直方向に転送するための第１の転送電極と、
   前記第１の転送電極と同一の層の前記転送チャネル上に設けられ、第１の転送電極により転送された信号電荷を垂直方向に転送するための第２の転送電極と、
   前記行列の同行の前記第１の転送電極を水平方向に連結する第１の配線と、
   前記行列の同行の前記第２の転送電極を水平方向に連結する第２の配線とを備え、
   前記第１および第２の転送電極の膜厚は、前記第１および第２の配線をポリシリコンで構成した場合の前記第１および第２の配線の膜厚より薄く構成され、
   前記第２の配線は、前記第２の転送電極上に設けられ、
   前記第１の配線は、前記第２の配線に近接して水平方向に延びる水平部と、前記水平部から延長して枝状に垂直方向に延びて前記第１の転送電極上に延びる枝葉部とを有し、
   前記枝葉部は、第１の転送電極上に延びる前記枝葉部の上方に透明な層間絶縁膜の空間を作るように前記水平部から前記第１の転送電極に向かって折れ曲がり、コンタクトを介して前記第１の転送電極に接続され、
   前記第１の転送電極および前記第２の転送電極は、ポリシリコンからなり、
   前記第１の配線および前記第２の配線は、Ｗ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｐｔ、ＩｒもしくはＲｕの金属、Ｗ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｐｔ、ＩｒおよびＲｕの少なくとも２つ以上の合金、珪化物、窒化物または珪化物もしくは窒化物の積層物からなり、
   前記第１の配線および前記第２の配線は、前記第１の転送電極および前記第２の転送電極を覆うように形成され、前記受光部の開口を形成する遮光膜を兼ねる
   固体撮像装置。
2. 前記第１の配線は、同行の前記第２の配線に近接して設けられ水平方向に延びる第１の水平部と、隣の行の前記第２の配線に近接して設けられ水平方向に延びる第２の水平部と、第１の水平部から前記第１の転送電極上を経て前記第２の水平部に延びる第１の枝葉部とを有し、前記第１の水平部、隣接する２つの前記第１の枝葉部および前記第２の水平部により格子状に形成される請求項１記載の固体撮像装置。
3. 前記第２の配線は、前記第２の転送電極上の水平方向に延びる第３の水平部と、前記第３の水平部から延長して垂直方向に延びる２本の第２の枝葉部とを有し、２本の前記第２の枝葉部の一方は前記第１の配線の前記第１の水平部の上方に延び、第２の枝葉部の他方は前記第１の配線の前記第２の水平部の上方に延びている請求項２記載の固体撮像装置。
4. 前記第２の配線は、前記第２の転送電極上の水平方向に延びる第３の水平部と、前記第３の水平部から延長して垂直方向に延びる２本の第２の枝葉部とを有し、２本の前記第２の枝葉部の一方は前記第１の配線の前記第１の水平部の下方に延び、第２の枝葉部の他方は前記第１の配線の前記第２の水平部の下方に延びている請求項２記載の固体撮像装置。
5. 水平方向および垂直方向に行列状に配置された複数の受光部と、前記受光部に蓄積された信号電荷を垂直方向に転送するための複数列の転送チャネルとを半導体基板に形成する工程と、
   前記受光部の垂直方向の中央部に隣接した前記転送チャネル上に前記受光部に蓄積された信号電荷を読み出して垂直方向に転送するための第１の転送電極を形成し、同時に、前記第１の転送電極と同一の層の前記転送チャネル上に前記第１の転送電極により転送された信号電荷を垂直方向に転送するための第２の転送電極を形成する転送電極形成工程と、
   前記行列の同行の前記第１の転送電極を水平方向に連結する第１の配線と、前記行列の同行の前記第２の転送電極を水平方向に連結する第２の配線とを同時に形成する配線形成工程とを含み、
   前記転送電極形成工程は、前記第１および第２の転送電極の膜厚を前記第１および第２の配線をポリシリコンで構成した場合の前記第１および第２の配線の膜厚より薄く形成し、
   前記配線形成工程は、前記第２の配線を前記第２の転送電極上に形成し、同時に、前記第１の配線を前記第２の配線に近接して水平方向に延びる水平部と、前記水平部から延長して枝状に垂直方向に延びて前記第１の転送電極上に延びる枝葉部とで形成し、
   前記枝葉部を、第１の転送電極上に延びる前記枝葉部の上方に透明な層間絶縁膜の空間を作るように前記水平部から前記第１の転送電極に向かって折れ曲がり、コンタクトを介して前記第１の転送電極に接続し、
   前記第１の転送電極および前記第２の転送電極は、ポリシリコンからなり、
   前記第１の配線および前記第２の配線は、Ｗ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｐｔ、ＩｒもしくはＲｕの金属、Ｗ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｐｔ、ＩｒおよびＲｕの少なくとも２つ以上の合金、珪化物、窒化物または珪化物もしくは窒化物の積層物からなり、
   前記第１の配線および前記第２の配線は、前記第１の転送電極および前記第２の転送電極を覆うように形成され、前記受光部の開口を形成する遮光膜を兼ねる
   固体撮像装置の製造方法。
6. 固体撮像装置を用いた撮像部と、前記撮像部を制御する制御部と、前記撮像部を操作する操作部とを有し、
   前記固体撮像装置は、請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の固体撮像装置の構成である
   撮像装置。

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