JP2011091203A - 固体撮像素子及び撮像装置 - Google Patents

Abstract

【課題】多画素化が進展した場合でも製造が容易で高速駆動することができる固体撮像素子を提供する。
【解決手段】半導体基板の表面部に二次元アレイ状に配列形成された複数のフォトダイオード４１と、フォトダイオード４１で構成されるフォトダイオード列に沿って形成された電荷転送路４２と、電荷転送路４２を構成するポリシリコン膜でなる転送電極膜５１の上方に敷設され転送パルスを転送電極膜５１に印加する金属配線５３とを備える固体撮像素子であって、フォトダイオードのうちの任意フォトダイオード４１ａの開口部を転送電極膜５１ｃで覆い該開口部上の該転送電極膜５１ｃに短絡部５５を設けて転送電極膜５１と金属配線５３とを電気的に接続する。
【選択図】図３

Description

本発明は撮像装置及びこの撮像装置に搭載する固体撮像素子に係り、特に、微細化が図られたＣＣＤ型固体撮像素子を高速駆動するのに好適な撮像装置及び固体撮像素子に関する。

ＣＣＤ型の固体撮像素子は、半導体基板表面部に複数の光電変換素子の受光部（フォトダイオード（ＰＤ）の受光部：以下、画素ともいう。）が二次元アレイ状に形成されており、各画素が受光量に応じて蓄積した信号電荷を垂直電荷転送路に読み出し、転送し、出力する構成になっている。

垂直電荷転送路は、半導体基板表面部に画素列に沿って形成された埋め込みチャネルと、半導体基板上にゲート絶縁膜を介して形成された多数の転送電極膜とで構成される。夫々の転送電極膜は、例えばポリシリコン膜で形成され、画素列に直交する方向に沿って、固体撮像素子チップの一端部から他端部まで延設される。

この転送電極膜は、フォトダイオード（画素）の受光面を覆わないように画素と画素との間に設けられる関係で、その線幅は非常に細く、その抵抗値は高くなる傾向にある。この転送電極膜に垂直転送パルスを一端側から印加すると、抵抗があるため垂直転送パルスの伝播遅延が発生してしまい、固体撮像素子を高速駆動することが困難になってきている。このため、多画素化が進展した近年の固体撮像素子で、高フレームレートで動画像を撮像するのが困難になってきている。

そこで、例えば下記の特許文献１，２，３記載の従来技術の様に、ポリシリコン膜で形成される垂直転送電極膜とは別に、垂直転送電極膜の上方に転送パルス印加用の金属配線を設け、この金属配線と垂直転送電極線とを短絡（シャント）し、金属配線を通して転送パルスを転送電極膜に印加する構造が採用される様になっている。

特開平８―６４７９７号公報 特開２００３―２４３６４１号公報 特開２００３―２４３６４２号公報

上述したように、従来技術では、垂直転送パルス印加用の金属配線とポリシリコン膜による転送電極膜とをシャント部で電気的に接続し、高速パルスを垂直転送電極膜に印加できる構造を採用しており、シャント部を設ける場所として、転送電極膜が幅広となる場所すなわち垂直電荷転送路の埋め込みチャネル上が選ばれている。

しかしながら、近年の固体撮像素子では１千万画素以上を搭載するのが普通になってきており、フォトダイオードの微細化が図られている。この様な固体撮像素子では、なるべくフォトダイオードの受光面積を広くとって受光感度を高める必要があり、垂直電荷転送路の幅を狭くすることで対応している。更に、スミアを低減するために、細くした垂直電荷転送路の側壁部も遮光膜で覆わなければならず、遮光膜側壁とシャント部とが接触しないようにする必要があり、上記のシャント部の製造が困難になってきている。

本発明の目的は、多画素化が進展した場合でも製造が容易で高速駆動することができる固体撮像素子及びこの固体撮像素子を搭載した撮像装置を提供することにある。

本発明の固体撮像素子は、半導体基板の表面部に二次元アレイ状に配列形成された複数のフォトダイオードと、該フォトダイオードで構成されるフォトダイオード列に沿って形成された電荷転送路と、該電荷転送路を構成するポリシリコン膜でなる転送電極膜の上方に敷設され転送パルスを該転送電極膜に印加する金属配線とを備える固体撮像素子であって、前記フォトダイオードのうちの任意フォトダイオード（以下、コンタクト用画素という。）の開口部を前記転送電極膜で覆い該開口部上の該転送電極膜に短絡部を設けて該転送電極膜と前記金属配線とを電気的に接続することを特徴とする。

本発明の撮像装置は、上記の固体撮像素子と、該固体撮像素子の前記コンタクト用画素を欠陥画素として扱い該コンタクト用画素の撮像画像信号を周りの同色画素が検出した撮像画像信号から補間して求める信号処理手段とを備えることを特徴とする。

本発明によれば、シャント部（短絡部）の形成が容易となり、多画素化が進展した固体撮像素子の高速駆動，高感度化を図ることが容易となる。

本発明の一実施形態に係る撮像装置の機能ブロック構成図である。 図１に示す固体撮像素子の説明図である。 図２の点線円III内の拡大図である。 図３との比較例を示す図である。 図３のＶ―Ｖ線断面模式図である。 図５に代わる実施形態の断面模式図である。 図２に示す固体撮像素子のカラーフィルタ配列及びコンタクト用画素の配置例を示す図である。 図７に代わるカラーフィルタ配列及びコンタクト用画素の配置例を示す固体撮像素子の表面模式図である。 図８に示す固体撮像素子の図３に対応する要部拡大図である。 図９との比較例を示す図である。 図８に代わるカラーフィルタ配列及びコンタクト用画素の配置例を示す図である。

以下、本発明の一実施形態について、図面を参照して説明する。

図１は、本発明の一実施形態に係る撮像装置（この例ではデジタルスチルカメラ）２０の機能構成図である。この撮像装置２０は、撮像部２１と、撮像部２１から出力されるアナログの画像データを自動利得調整（ＡＧＣ）や相関二重サンプリング処理等のアナログ処理するアナログ信号処理部２２と、アナログ信号処理部２２から出力されるアナログ画像データをデジタル画像データに変換するアナログデジタル変換部（Ａ／Ｄ）２３と、後述のシステム制御部（ＣＰＵ）２９からの指示によってＡ／Ｄ２３，アナログ信号処理部２２，撮像部２１の駆動制御を行う駆動部（タイミングジェネレータＴＧを含む）２４と、ＣＰＵ２９からの指示によって発光するフラッシュライト２５とを備える。

撮像部２１は、被写界からの光を集光する光学レンズ系２１ａと、該光学レンズ系２１ａを通った光を絞る絞りやメカニカルシャッタ２１ｂと、光学レンズ系２１ａによって集光され絞りによって絞られた光を受光し撮像画像データ（アナログ画像データ）を出力するＣＣＤ型固体撮像素子３５とを備える。

本実施形態の撮像装置２０は更に、Ａ／Ｄ２３から出力されるデジタル画像データを取り込み補間処理やホワイトバランス補正，ＲＧＢ／ＹＣ変換処理等を行うデジタル信号処理部２６と、画像データをＪＰＥＧ形式などの画像データに圧縮したり逆に伸長したりする圧縮／伸長処理部２７と、カメラ背面等に設けられメニュー画面やスルー画像，撮像画像を表示する液晶表示部２８と、撮像装置全体を統括制御するシステム制御部（ＣＰＵ）２９と、フレームメモリ等の内部メモリ３０と、ＪＰＥＧ画像データ等を格納する記録メディア３２との間のインタフェース処理を行うメディアインタフェース（Ｉ／Ｆ）部３１と、これらを相互に接続するバス３４とを備え、また、システム制御部２９には、ユーザからの指示入力を行う操作部３３が接続されている。

上記のデジタル信号処理部２６は、後述するコンタクト用画素を欠陥画素として処理し、該コンタクト用画素の撮像画像信号を、周囲の同色画素が検出した撮像画像信号から補間処理して求め、被写体画像を生成する。

図２は、固体撮像素子３５の表面模式図である。半導体基板の表面には、複数の画素（フォトダイオードＰＤ：図３参照）４１が二次元アレイ状に配列形成され、各画素列に沿って垂直電荷転送路（ＶＣＣＤ：図３参照）４２が設けられている。

各垂直電荷転送路４２の転送方向端部に沿って水平電荷転送路（ＨＣＣＤ）４３が設けられ、水平電荷転送路４３の転送方向端部に出力アンプ４４が設けられている。

画素が形成された領域には、一端側から他端側に水平に延びる長さｈの金属配線（図３の符号５３）Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，…が、各垂直転送電極膜毎に形成されている。

図３は、図２の点線円III内の拡大模式図である。半導体基板の表面部には、二次元アレイ状に、図示する例では正方格子状に複数の画素（ＰＤ）４１が配列形成されており、各画素列に沿って、垂直電荷転送路４２が形成されている。

垂直電荷転送路４２は、半導体基板表面部に形成された垂直方向に延びる埋め込みチャネルと、その上にゲート絶縁膜を介して形成された単層膜構造の垂直転送電極膜５１とで構成される。

垂直転送電極膜５１は、水平方向に延びる様に形成され、垂直方向に隣接する画素間に設けられる細線部５１ａと、埋め込みチャネル上の幅広部５１ｂとで構成される。

本実施形態では、垂直転送電極膜５１の細線部５１ａに沿うように、水平方向に延びる金属配線５３が垂直転送電極膜５１毎に設けられ、この金属配線５３に、垂直転送パルスＶ１，Ｖ２，…が印加される。

固体撮像素子３５では、画素（ＰＤ）４１の開口部に入射光が入射し、その他には入射しないように、画素（ＰＤ）４１開口部以外は、遮光膜によって覆われており、金属配線５３は、遮光膜の下側に敷設される。

この金属配線５３と、ポリシリコン膜製の垂直転送電極膜５１とをシャント部５５によって短絡するのであるが、本実施形態の固体撮像素子３５では、垂直電荷転送路４２の埋め込みチャネル幅が狭い。そこで、シャント部５５を設ける位置の画素（ＰＤ）４１ａの半分を覆うように、垂直転送電極膜５１の幅広部が水平方向に長い幅長部５１ｃを形成し、この幅長部５１ｃにシャント部５５を設けている。そして、このシャント部５５と金属配線５３とを、金属配線５３から延ばした連絡部５３ａで電気的に接続する様にしている。

画素４１ａを垂直方向に挟む２本の垂直転送電極膜５１は、同じ画素位置で幅長部５１ｃを形成し、２枚の幅長部５１ｃが１つの画素４１ａを覆うように形成される。２枚の隣接する幅長部５１ｃに設ける夫々のシャント部５５は、距離が離間する位置に設けられ、一方のシャント部５５から印加される転送パルスの影響が他方のシャント部５５に及ばない様にするのが良い。この画素４１ａは、遮光膜で覆ってしまい、撮像画像信号を信号処理するとき、この画素４１ａを欠陥画素として取り扱う。

図４は、図３と比較する図であり、画素４１ａを欠陥画素として取り扱わずに普通の画素としたときのシャント部５５を設ける場合を示している。フォトダイオードの受光面積を増大させて高感度化を図るために、垂直電荷転送路４２の幅狭化を図っているため、シャント部５５を設けるのが困難になっている。

これに対し、図３に示す実施形態では、１行に１個の画素４１ａを欠陥画素として扱うだけで、シャント部５５の形成を容易としている。

図５は、図３のＶ―Ｖ線位置の断面模式図である。半導体基板４０の表面部にはｐウェル層４５が形成され、このｐウェル層４５内に、フォトダイオード４１，４１ａを構成するｎ領域５６が形成され、ｎ領域５６間に、垂直電荷転送路４２を構成する埋め込みチャネル（ｎ領域）５７が形成される。

この半導体基板４０の最表面にはゲート酸化膜５８が形成され、その上の埋め込みチャネル５７上には、ポリシリコン膜でなる垂直転送電極膜５１ｂ，５１ｃが形成される。

幅広の部分が水平方向に長い垂直転送電極膜５１ｃ上に、図５では図示しない金属配線５３と短絡するシャント部５５が設けられ、その上に絶縁層５４を介して遮光膜５９が設けられ、その上に、平坦化膜６０を介してカラーフィルタ層６１が設けられ、その上に、マイクロレンズ６２が設けられる。遮光膜５９は、垂直転送電極膜５１の側壁も覆うようにして遮光膜開口が設けられ、スミア低減が図られている。

垂直転送電極膜５１のうち幅広の部分を水平方向に長くして覆ってしまった画素４１ａは、遮光膜５９に覆われているため、入射光は入射しない。このため、画素４１ａは欠陥画素と同じであり、この画素４１ａ位置の撮像画像信号は、周りの同色画素の撮像画像信号を補間演算して求めることになる。

図６は、図５に代わる実施形態の断面模式図である。図５では、画素４１ａのｎ領域５６を設けているが、フォトダイオードは暗電流の発生源でもあるため、図６の実施形態では、金属配線と垂直転送電極膜とをコンタクトするためにシャント部５５を設け欠陥画素として扱う画素（以下、コンタクト用画素という。）４１ａの位置に、ｎ領域５６を設けない構成としている。

図７は、コンタクト用画素を設ける位置を例示する図であり、図中のＲ（赤），Ｇ１（緑），Ｇ２（緑），Ｂ（青）は、カラーフィルタの色（Ｇ１，Ｇ２は同色であるが、設ける行が違うためＧ１，Ｇ２と区別して記載している。）を示しており、画素（フォトダイオード）対応となっている。図中の○印を付した画素を、本実施形態では、コンタクト用画素としている。

本実施形態では、カラーフィルタ配列はベイヤ配列となっており、画素を設けた領域の水平方向の幅ｈに対し、両側の電源供給部（図１の駆動部２４からの指令を受けて転送電極膜に転送パルスを供給する転送パルス供給源）６５から略等距離となるｈ／２となる位置の画素に対し、１行に１個のコンタクト用画素を設けている。

コンタクト用画素を設ける画素列は中央の４列としている。ベイヤ配列では、Ｒフィルタを搭載した画素やＢフィルタを搭載した画素に比較してＧフィルタを搭載した画素が２倍存在するため、図示する例では、Ｇフィルタを搭載した画素をコンタクト用画素としている。

コンタクト用画素は欠陥画素として扱い、周りの同色画素の撮像画像信号を補間演算してコンタクト用画素位置の撮像画像信号を求めるため、二次元的に最も近い位置の同色画素同士がコンタクト用画素とならないようにするのが良い。図示する例では、Ｇフィルタを搭載した画素をコンタクト用画素としているが、垂直方向に１画素分ずらしたＲフィルタ搭載画素，Ｂフィルタ搭載画素をコンタクト用画素としても良い。

本実施形態によれば、１行に１つのコンタクト用画素を設けている。例えば１２００万画素が搭載された固体撮像素子では、横４０００画素×縦３０００画素の画素数となり、コンタクト用画素は３０００個となる。しかし、１千万画素程度を搭載した固体撮像素子では、通常、数千個の欠陥画素が存在するため、コンタクト用画素を更に３０００個追加しても、影響は少ない。それよりも、転送電極を細線化した場合における高速駆動化，垂直電荷転送路を幅狭とすることでフォトダイオードの面積増大を図って高感度化を図る利点の方が大きい。

図８は、本発明の別実施形態に係る固体撮像素子の表面模式図であり、図７に代わる図である。図７では、各画素が正方格子配列されカラーフィルタがベイヤ配列された例であるが、本実施形態では、奇数行の画素行に対して偶数行の画素行が１／２画素ピッチずらして形成された所謂ハニカム画素配列の固体撮像素子を示している。

図７と同様に、本実施形態でも同様に、画素を設けた領域の幅ｈに対して略ｈ／２となる位置の画素（○印を付した画素）をコンタクト用画素としている。図示する例の固体撮像素子では、ＲフィルタとＢフィルタが交互に配列された画素列と、Ｇフィルタが配列された画素列とが水平方向に交互に設けられており、中央のＧフィルタ搭載画素列２列に対し、コンタクト用画素と非コンタクト用画素とを交互に設け、最隣接するコンタクト用画素が同色にならないようにしている。コンタクト用画素を、斜め方向に１画素分ずらして、Ｒフィルタ搭載画素，Ｂフィルタ搭載画素としても良い。

図９は、図８のハニカム画素配列において、シャント部を設ける部分を説明する図である。半導体基板には各画素（ＰＤ）４１がハニカム配列で設けられており、垂直電荷転送路４２が画素列に沿って蛇行して設けられている。垂直電荷転送路４２の垂直転送電極膜５１も、水平方向に蛇行して設けられているが、コンタクト画素４１ａ（ｎ領域は設けられてない。）の位置において、垂直方向に隣接する２本の垂直転送電極膜５１に幅広部５１ｃが形成されて２つの幅広部５１ｃがコンタクト画素４１ａを１／２づつ覆うようになっている。そして、この幅広部５１ｃに、シャント部５５が設けられ、水平方向に蛇行して敷設されている金属配線５３がシャント部５５を介して垂直転送電極膜５１に電気的に接続されている。

図１０は、図９と比較する図であり、コンタクト画素４１ａを欠陥画素として取り扱わずに普通の画素としたときのシャント部５５を設ける場合を示している。フォトダイオードの受光面積を増大させて高感度化を図るために、垂直電荷転送路４２の幅狭化を図っているため、シャント部５５を設けるのが困難になっている。

これに対し、図９に示す実施形態では、１行に１個のコンタクト画素４１ａを欠陥画素として扱うだけで、シャント部５５の形成を容易とし、高感度化，高速駆動化を可能としている。

図１１は、ハニカム画素配列の固体撮像素子において、図８と異なるカラーフィルタ配列とした例を示す図である。この固体撮像素子では、奇数行の画素行と偶数行の画素行とが１／２画素ピッチずらして構成され、奇数行の画素に対してカラーフィルタをベイヤ配列し、偶数行の画素に対してもカラーフィルタをベイヤ配列している。

Ｒ，ｒは同一色フィルタ、Ｂ，ｂも同一色フィルタ、Ｇ１，Ｇ２，ｇ１，ｇ２も同一色フィルタであり、上記の奇数行の画素の搭載フィルタを大文字、偶数行の画素の搭載フィルタを小文字で表している。また、「１」「２」の区別は、図７と同じである。

この実施形態では、コンタクト用画素となる画素（○印を付けてある。）の搭載カラーフィルタの色が図８と異なり、また、１列で２個のコンタクト用画素と２個の非コンタクト用画素とが交互に設けられる様にしている。この場合も、最隣接する２つのコンタクト用画素が同色にならないようにしている。

上述した各実施形態では、ｈ／２の位置に集中してコンタクト用画素を設けたが、少し広げて、略ｈ／２位置における例えば１０画素列，２０画素列の範囲でコンタクト用画素をランダムに設ける構成としても良い。

また、ｈ／２の位置にだけシャント部５５を設けるのではなく、例えば、ｈ／４，２ｈ／４，３ｈ／４の様に、周期的，均等的な複数箇所にシャント部５５を設け、受光面全面での高速駆動を図る構成としても良い。

また、上述した実施形態では、転送パルス印加用の金属配線を水平方向に敷設した例を示したが、金属配線を垂直電荷転送路に沿って垂直方向に設ける構成としても良い。

以上述べた様に、本実施形態による固体撮像素子は、半導体基板の表面部に二次元アレイ状に配列形成された複数のフォトダイオードと、該フォトダイオードで構成されるフォトダイオード列に沿って形成された電荷転送路と、該電荷転送路を構成するポリシリコン膜でなる転送電極膜の上方に敷設され転送パルスを該転送電極膜に印加する金属配線とを備える固体撮像素子であって、前記フォトダイオードのうちの任意フォトダイオード（以下、コンタクト用画素という。）の開口部を前記転送電極膜で覆い該開口部上の該転送電極膜に短絡部を設けて該転送電極膜と前記金属配線とを電気的に接続することを特徴とする。

また、実施形態の固体撮像素子は、前記コンタクト用画素が撮像素子受光面の水平方向中央部に設けられることを特徴とする。

また、実施形態の固体撮像素子は、前記コンタクト用画素が撮像素子受光面の水平方向の周期的な複数箇所に設けられることを特徴とする。

また、実施形態の固体撮像素子は、前記コンタクト用画素を設ける位置の前記フォトダイオードが非形成であることを特徴とする。

また、実施形態の固体撮像素子は、前記フォトダイオードの各々にはカラーフィルタが搭載され、前記コンタクト用画素のカラーフィルタの色と、該コンタクト用画素に最隣接するコンタクト用画素のカラーフィルタの色とが異なる色となるようにコンタクト用画素の位置を決めたことを特徴とする。

また、実施形態の固体撮像素子は、前記フォトダイオードが正方格子配列され、各フォトダイオードに対してカラーフィルタがベイヤ配列されることを特徴とする。

また、実施形態の固体撮像素子は、奇数行のフォトダイオード行に対して偶数行のフォトダイオード行が１／２ピッチずつずらして形成されることを特徴とする。

また、実施形態の固体撮像素子は、前記奇数行のフォトダイオードにカラーフィルタがベイヤ配列され、前記偶数行のフォトダイオードにもカラーフィルタがベイヤ配列されることを特徴とする。

また、実施形態の固体撮像素子は、１列置きのフォトダイオード列に緑色フィルタが搭載され、残りの１列置きのフォトダイオードに赤色と青色のカラーフィルタが交互に搭載されることを特徴とする。

また、実施形態の撮像装置は、上記のいずれかに記載の固体撮像素子と、該固体撮像素子の前記コンタクト用画素を欠陥画素として扱い該コンタクト用画素の撮像画像信号を周りの同色画素が検出した撮像画像信号から補間して求める信号処理手段とを備えることを特徴とする。

以上述べた実施形態によれば、コンタクト用画素を利用して幅広となる転送電極膜に転送パルス印加用のシャント部を設けたため、多画素化を図った固体撮像素子でも高速駆動が可能となり、垂直電荷転送路の狭幅化を図って各画素の開口面積増大を図り固体撮像素子を高感度化することも可能となる。

本発明に係る固体撮像素子は、多画素化を図ったＣＣＤ型の固体撮像素子において、高速駆動が可能となり、高感度化も可能となり、スミア低減も図ることができるため、デジタルスチルカメラやデジタルビデオカメラ、カメラ付携帯電話機、ＰＤＡやノートパソコン等のカメラ付電子装置、内視鏡等の撮像装置一般に適用すると有用である。

２０ 撮像装置
２４ 撮像素子駆動部を含む駆動部
３５ 固体撮像素子
４１ 画素（フォトダイオード）
４１ａ コンタクト用画素
４２ 垂直電荷転送路（ＶＣＣＤ）
４３ 水平電荷転送路（ＨＣＣＤ）
４４ 出力アンプ
５１ 垂直転送電極膜
５１ａ 細線部
５１ｂ 幅広部
５１ｃ 幅長部（コンタクト用画素を覆う転送電極部）
５３ 金属配線
５３ａ 連絡部
５５ シャント部
５６ フォトダイオードを構成するｎ領域
５７ ＶＣＣＤの埋め込みチャネルを構成するｎ領域
５９ 遮光膜

Claims (10)

1. 半導体基板の表面部に二次元アレイ状に配列形成された複数のフォトダイオードと、該フォトダイオードで構成されるフォトダイオード列に沿って形成された電荷転送路と、該電荷転送路を構成するポリシリコン膜でなる転送電極膜の上方に敷設され転送パルスを該転送電極膜に印加する金属配線とを備える固体撮像素子であって、前記フォトダイオードのうちの任意フォトダイオード（以下、コンタクト用画素という。）の開口部を前記転送電極膜で覆い該開口部上の該転送電極膜に短絡部を設けて該転送電極膜と前記金属配線とを電気的に接続する固体撮像素子。
2. 請求項１に記載の固体撮像素子であって、前記コンタクト用画素が撮像素子受光面の水平方向中央部に設けられる固体撮像素子。
3. 請求項１に記載の固体撮像素子であって、前記コンタクト用画素が撮像素子受光面の水平方向の周期的な複数箇所に設けられる固体撮像素子。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の固体撮像素子であって、前記コンタクト用画素を設ける位置の前記フォトダイオードが非形成である固体撮像素子。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の固体撮像素子であって、前記フォトダイオードの各々にはカラーフィルタが搭載され、前記コンタクト用画素のカラーフィルタの色と、該コンタクト用画素に最隣接するコンタクト用画素のカラーフィルタの色とが異なる色となるようにコンタクト用画素の位置を決めた固体撮像素子。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の固体撮像素子であって、前記フォトダイオードが正方格子配列され、各フォトダイオードに対してカラーフィルタがベイヤ配列される固体撮像素子。
7. 請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の固体撮像素子であって、奇数行のフォトダイオード行に対して偶数行のフォトダイオード行が１／２ピッチずつずらして形成される固体撮像素子。
8. 請求項７に記載の固体撮像素子であって、前記奇数行のフォトダイオードにカラーフィルタがベイヤ配列され、前記偶数行のフォトダイオードにもカラーフィルタがベイヤ配列される固体撮像素子。
9. 請求項７に記載の固体撮像素子であって、１列置きのフォトダイオード列に緑色フィルタが搭載され、残りの１列置きのフォトダイオードに赤色と青色のカラーフィルタが交互に搭載される固体撮像素子。
10. 請求項１乃至請求項９のいずれかに記載の固体撮像素子と、該固体撮像素子の前記コンタクト用画素を欠陥画素として扱い該コンタクト用画素の撮像画像信号を周りの同色画素が検出した撮像画像信号から補間して求める信号処理手段とを備える撮像装置。

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