JP6026102B2 - 固体撮像素子および電子機器 - Google Patents
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Description
(1)
光を受光して電荷に変換する光電変換部を有する画素と、
所定数の前記画素により共有され、前記光電変換部で発生した電荷を増幅して、その電荷に応じたレベルの信号を出力する増幅部と
を備え、
前記増幅部を共有する所定数の前記画素が、前記増幅部が信号を出力する信号線の延びる第1の方向に沿って配置され、
前記増幅部が形成される領域の前記第1の方向に略直交する第2の方向に沿った長さが、前記画素の1画素分の前記第2の方向の長さ以上、かつ、前記画素の2画素分の前記第2の方向の長さ未満に設定される
固体撮像素子。
(2)
4つの前記画素が前記増幅部を共有し、前記第1の方向に沿って、1番目の前記画素および2番目の前記画素が隣接して配置されるとともに、3番目の前記画素および4番目の前記画素が隣接して配置され、2番目の前記画素と3番目の前記画素との間に、前記増幅部が配置される
上記(1)に記載の固体撮像素子。
(3)
前記第1の方向に沿って配置される4つの前記画素を有する画素共有単位と、前記画素共有単位に隣接して前記第1の方向に沿って配置される他の画素共有単位とが、前記第1の方向に前記画素の2画素分のピッチに応じて位置をずらして配置される
上記(1)または(2)に記載の固体撮像素子。
(4)
前記信号を出力する前記画素として選択されたときに、前記増幅部と前記信号線とを接続する選択部と、
前記光電変換部で発生した電荷をリセットするリセット部と
をさらに備え、
前記増幅部、前記選択部、および前記リセット部が前記第2の方向に一列に配置される領域の前記第2の方向の長さが、前記画素の2画素分の前記第2の方向の長さ未満に限定される中で、前記増幅部の長さを最大限に設定する
上記(1)から(3)までのいずれかに記載の固体撮像素子。
(5)
前記光電変換部で発生した電荷が転送されるフローティングディフュージョン部をさらに備え、
前記増幅部を共有する前記画素であって、同色の光を受光する前記画素で発生した電荷が前記フローティングディフュージョン部において加算される
上記(1)から(4)までのいずれかに記載の
固体撮像素子。
(6)
前記増幅部が信号を出力する前記信号線が2本以上配設される
上記(1)から(5)までのいずれかに記載の固体撮像素子。
(7)
前記信号線どうしの間隔が、前記信号線の幅の2倍以上に設定される
上記(6)に記載の固体撮像素子。
(8)
前記光電変換部が形成される半導体基板に前記信号線が形成される配線層が積層される面に対して反対側となる面に、前記光電変換部が電荷に変換する光が入射するように構成される
上記(1)から(7)までのいずれかに記載の固体撮像素子。
Claims (8)
- 光を受光して電荷に変換する光電変換部を有する画素と、
前記光電変換部で発生した電荷を増幅して、その電荷に応じたレベルの信号を出力する増幅部と、
前記信号を出力する前記画素として選択されたときに、前記増幅部と前記増幅部が信号を出力する信号線とを接続する選択部と、
前記光電変換部で発生した電荷をリセットするリセット部と
を備え、
前記増幅部、前記選択部、および前記リセット部は4つの前記画素により共有されており、それらの4つの前記画素が、前記信号線の延びる第1の方向に沿って配置され、
前記第1の方向に沿って、1番目の前記画素および2番目の前記画素が隣接して配置されるとともに、3番目の前記画素および4番目の前記画素が隣接して配置され、
2番目の前記画素と3番目の前記画素との間に、前記増幅部、前記選択部、および前記リセット部が、それぞれのゲート長の方向が前記第1の方向に略直交する第2の方向に沿って、一列に配置され、
前記増幅部、前記選択部、および前記リセット部それぞれのゲート長を合計した長さが、前記画素の1画素分の前記第2の方向の長さ以上、かつ、前記画素の2画素分の前記第2の方向の長さ未満に設定される中で、前記増幅部のゲート長を前記画素の前記第2の方向の1画素分以上に設定し、
前記第1の方向に沿って配置される4つの前記画素を有する画素共有単位について、前記増幅部、前記選択部、および前記リセット部が一列に配置される領域が4つの前記画素に対して突出する方向が、全ての前記画素共有単位において同一方向である
固体撮像素子。 - 前記第1の方向に沿って配置される4つの前記画素を有する画素共有単位と、前記画素共有単位に隣接して前記第1の方向に沿って配置される他の画素共有単位とが、前記第1の方向に前記画素の2画素分のピッチに応じて位置をずらして配置される
請求項1に記載の固体撮像素子。 - 前記選択部および前記リセット部のゲート長を、素子バラツキが抑制できる最低限の長さにそれぞれ調整することで前記増幅部のゲート長を最大限に設定する
請求項1に記載の固体撮像素子。 - 前記光電変換部で発生した電荷が転送されるフローティングディフュージョン部をさらに備え、
前記増幅部を共有する前記画素であって、同色の光を受光する前記画素で発生した電荷が前記フローティングディフュージョン部において加算される
請求項1に記載の固体撮像素子。 - 前記増幅部が信号を出力する前記信号線が2本以上配設される
請求項1に記載の固体撮像素子。 - 前記信号線どうしの間隔が、前記信号線の幅の2倍以上に設定される
請求項5に記載の固体撮像素子。 - 前記光電変換部が形成される半導体基板に前記信号線が形成される配線層が積層される面に対して反対側となる面に、前記光電変換部が電荷に変換する光が入射するように構成される
請求項1に記載の固体撮像素子。 - 光を受光して電荷に変換する光電変換部を有する画素と、
前記光電変換部で発生した電荷を増幅して、その電荷に応じたレベルの信号を出力する増幅部と、
前記信号を出力する前記画素として選択されたときに、前記増幅部と前記増幅部が信号を出力する信号線とを接続する選択部と、
前記光電変換部で発生した電荷をリセットするリセット部と
を有し、
前記増幅部、前記選択部、および前記リセット部は4つの前記画素により共有されており、それらの4つの前記画素が、前記信号線の延びる第1の方向に沿って配置され、
前記第1の方向に沿って、1番目の前記画素および2番目の前記画素が隣接して配置されるとともに、3番目の前記画素および4番目の前記画素が隣接して配置され、
2番目の前記画素と3番目の前記画素との間に、前記増幅部、前記選択部、および前記リセット部が、それぞれのゲート長の方向が前記第1の方向に略直交する第2の方向に沿って、一列に配置され、
前記増幅部、前記選択部、および前記リセット部それぞれのゲート長を合計した長さが、前記画素の1画素分の前記第2の方向の長さ以上、かつ、前記画素の2画素分の前記第2の方向の長さ未満に設定される中で、前記増幅部のゲート長を前記画素の前記第2の方向の1画素分以上に設定し、
前記第1の方向に沿って配置される4つの前記画素を有する画素共有単位について、前記増幅部、前記選択部、および前記リセット部が一列に配置される領域が4つの前記画素に対して突出する方向が、全ての前記画素共有単位において同一方向である
固体撮像素子を備える電子機器。
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