JP2008103444A - 固体撮像装置及び撮像装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】PolySi膜製のキャパシタを有し、このキャパシタの拡散領域部の遮光およびキャパシタの容量を増加させることを目的として、PolySi膜の周囲および拡散領域にメタルを配置して、PolySi-メタル容量を付加させる。キャパシタのPolySi膜の周囲に配置されたメタル膜とPolySi膜との間の容量により、キャパシタの単位面積あたりの容量を増加させる。同時にPolySi膜を覆うようにメタル膜を配置するので、キャパシタの遮光を行うことができ、基板で光電変換した電荷によって、キャパシタで保持している電荷が変動するのを防ぐ。
【選択図】図3
Description
この種のキャパシタとしては、一般にポリシリコン膜が用いられている。
図6において、Si基板100の上層部にはN+拡散層101が形成されており、その上面にゲート酸化膜102を介してポリシリコン膜103が形成されている。
また、図7において、N+拡散層101とポリシリコン膜103は、それぞれビアプラグ(またはコンタクトプラグ)104、105を介してメタル配線106、107に接続され、これらメタル配線106、107を介して信号電荷が充放電されることにより、N+拡散層101とポリシリコン膜103とでキャパシタが構成されている。
しかし、画素の微細化を進めていくと、上述したカラム毎に設けられる負荷トランジスタ、キャパシタ、CDS回路等の各素子の配置スペースを確保することが困難となる。すなわち、1カラムの幅は単位画素のサイズで決定されるため、画素サイズの縮小に伴ってカラムの幅が減少し、各素子を効率よく配置することが困難になっている。
特に、ポリシリコン膜を用いたキャパシタに関しては、安定したアナログ動作を確保するためには容量を下げて回路を構成することが難しい。
結果として、遮光能力を維持したままキャパシタを小さく設計することが困難となっており、イメージセンサの小型化を妨げる要因の1つとなっている。
なお、ここではカラム回路に配置されたキャパシタについて説明したが、遮光を必要とするキャパシタのサイズ縮小は、カラム部に配置されるものだけではなく、その他の回路部においても同様に求められている。
また、下層のポリシリコン膜をメタル膜によって覆うように配置することにより、メタル膜によってキャパシタ部分の遮光を行うことができる。このため、半導体基板内での不正入射光による光電変換を防止でき、この不正に発生した電荷によって、キャパシタで保持している電荷が変動するのを防ぐことができる。
すなわち、本発明によれば、キャパシタ周辺における拡散領域の遮光と容量の付加を同時に実現することができ、固体撮像装置及び撮像装置に有用なキャパシタ構造を提供できる効果がある。
このような固体撮像装置及び撮像装置においては、キャパシタのPolySi膜の上層に配置されたメタル膜とPolySi膜との間の容量により、キャパシタの単位面積あたりの容量を増加させることができる。これにより、一定の容量値を維持したまま、キャパシタの面積を縮小することが可能となる。
また、同時にPolySi膜を覆うようにメタル膜を配置するので、キャパシタの遮光を行うことができる。これにより基板で光電変換した電荷によって、キャパシタで保持している電荷が変動するのを防ぐことができる。
図1は本発明の実施の形態に係る固体撮像装置の構成例を示す概略図である。この固体撮像装置は、例えばCMOSイメージセンサを構成するものであって、複数の画素1を二次元マトリクス状に配置した撮像領域2と、垂直選択駆動回路3と、列信号処理部4と、水平走査回路5と、タイミングジェネレータ6と、水平信号線7に出力された信号を処理する出力処理部8とを備えた構成となっている。
撮像領域2には複数の画素1とともに、各画素1の信号を垂直方向に読み出すための複数の垂直信号線(不図示)が形成されている。
また、各画素1には、光電変換部であるフォトダイオードと、このフォトダイオードで生成した信号電荷をFDに読み出す読み出しトランジスタと、このFDに読み出された信号電荷を画素信号に変換して垂直信号線に出力する増幅トランジスタと、FDの信号電荷をリセットするリセットトランジスタと、増幅トランジスタによる出力タイミングを選択する選択トランジスタ等が設けられている。
サンプルホールド・CDS回路は、画素列(カラム)毎に配線された各垂直信号線に対応して設けられ、水平走査方向に沿って並列に設けられている。そして、各垂直信号線によって出力される画素信号に基づいて、リセットレベルと信号レベルを順次サンプリングし、その差分を算出することにより、各画素間に固有に存在する特性のばらつき(リセットノイズ)を除去するCDS処理を行う。
そして、このサンプルホールド・CDS回路では、各画素信号を電荷の形で保持する電荷保持部が通常はPolySi膜によるキャパシタで構成されるが、本実施の形態では、このキャパシタの構造を改良することにより、小面積で十分な容量の電荷を保持できるようにした。なお、CDS回路及びキャパシタの具体的な構成例については後述する。
タイミングジェネレータ6は、垂直選択駆動回路3、列信号処理部4及び水平走査回路5に対して、所定周期の基準クロックに基づいて各部の動作に必要な各種のパルス信号を供給するものである。
出力処理部8は、水平走査回路5によって水平信号線7に読み出された画素信号の出力処理を行うものである。この出力処理部8には、画素信号の増幅処理、選択処理、AGC(Auto Gain Control)処理、A/D(アナログ/デジタル)変換処理などが含まれる。
このCDS回路は、図2(1)に示すように、上述した電荷保持部となるキャパシタ11と、このキャパシタ11の入力側に設けられるスイッチ12と、キャパシタ11の出力側(GND)に設けられるスイッチ13とを有し、キャパシタ11とスイッチ13との間に出力ノードを設けたものである。
また、このようなCDS動作は大きく分けて、図2(1)に示すリセットレベルサンプリング、図2(2)に示す切り替え、及び図2(3)に示す信号レベルサンプリングから成る。
次に、図2(2)において、スイッチ12をオフした後、スイッチ13をオンし、キャパシタ11の出力側をGNDに落とすことにより、リセットレベルの電荷をキャパシタにホールドした状態で、図2(3)において、画素側で転送動作が行われた時点で、再度スイッチ12をオンし、信号レベルVsignalを再度サンプルする。
このような動作によって、リセットレベルと信号レベルの差分(Vout=Vrst−Vsignal+Vclmp)を抽出し、各画素に固有のリセットノイズを除去することができる。
そこで本実施の形態では、キャパシタ11に、後述するようなPolySi膜とメタル膜とを組み合わせた構造を用いることにより、CDSの電荷変動を抑制した構造を提供するものである。
図3において、Si基板20の上層部にはN+拡散層21が形成されており、その上面にゲート酸化膜22を介してポリシリコン膜23が形成されている。
また、ポリシリコン膜23の上には層間絶縁膜24が形成され、この層間絶縁膜24の上にメタル膜25が形成されている。
このメタル膜25は、ポリシリコン膜23の上面を覆う状態(すなわち、ポリシリコン膜23を上方から遮光した状態)で形成され、かつ、N+拡散層21にビアプラグ(またはコンタクトプラグ)26を介して接続されており、1つのメタル膜25によってキャパシタの電極とN+拡散層21の配線を兼用したものである。
このようなキャパシタでは、N+拡散層21とポリシリコン膜23の間、及びポリシリコン膜23とメタル膜25の間にキャパシタが構成され、二重構造により、小面積で容量の大きいキャパシタを構成できる。
また、メタル膜25が遮光膜として機能するため、図6に示した従来例に対して、ポリシリコン膜23及びN+拡散層21への不正入射光を防止でき、電荷変動を抑制できる。
また、1つのメタル膜で容量の拡大効果と遮光効果の2つの効果を実現でき、少ないメタル面積で効果的にキャパシタの容量値を増加させることができる。特に、上述した例では、従来のメタル配線を延長した一体構造でメタル膜を設けることから、メタル配線のパターン変更だけで、従来の製造工程をほとんど変更することなく実現できる。
また、上層のメタル膜がメタル配線領域まではみ出した状態で下層のポリシリコン膜を覆う構造であるため、より確実な遮光を実現できる。
また、固体撮像装置は1チップ上にCMOSイメージセンサ等を構成したものに限らず、撮像部と信号処理部や光学系がまとめてパッケージ化されたモジュールであってもよい。また、カメラシステムや携帯電話器に利用される装置であってもよい。なお、本発明では、CMOSイメージセンサの機能を単体で有する構成を固体撮像装置といい、固体撮像装置と他の要素(制御回路、操作部、表示部、さらにはデータ蓄積機能、通信機能等)と一体化された構成を撮像装置というものとする。
図5は本例のCMOSイメージセンサを用いたカメラ装置の構成例を示すブロック図である。
図5において、撮像部310は、例えば図1に示したCMOSイメージセンサを用いて被写体の撮像を行うものであり、撮像信号をメイン基板に搭載されたシステムコントロール部320に出力する。
すなわち、撮像部310では、上述したCMOSイメージセンサの出力信号に対し、AGC(自動利得制御)、OB(オプティカルブラック)クランプ、CDS(相関二重サンプリング)、A/D変換といった処理を行い、デジタル撮像信号を生成して出力する。
また、撮像部310内での具体的な制御動作や信号処理等も従来から種々の方法が提供されており、本発明の撮像装置において特に限定しないことは勿論である。
CPU321は、ROM322及びRAM323を用いて本カメラ装置の各部に指示を送り、システム全体の制御を行う。
DSP324は、撮像部310からの撮像信号に対して各種の信号処理を行うことにより、所定のフォーマットによる静止画または動画の映像信号(例えばYUV信号等)を生成する。
外部インターフェース325には、各種エンコーダやD/A変換器が設けられ、システムコントロール部320に接続される外部要素(本例では、ディスプレイ330、メモリ媒体340、操作パネル部350)との間で、各種制御信号やデータをやり取りする。
メモリ媒体340は、例えば各種メモリカード等に撮影された画像を適宜保存しておけるものであり、例えばメモリ媒体コントローラ341に対してメモリ媒体を交換可能なものとなっている。メモリ媒体340としては、各種メモリカードの他に、磁気や光を用いたディスク媒体等を用いることができる。
操作パネル部350は、本カメラ装置で撮影作業を行うに際し、ユーザが各種の指示を行うための入力キーを設けたものであり、CPU321は、この操作パネル部350からの入力信号を監視し、その入力内容に基づいて各種の動作制御を実行する。
さらに、遠隔医療や防犯監視、個人認証等のように遠隔システムを構成する場合には、上述のようにネットワークと接続した通信モジュールを含む装置構成とすることも可能であり、幅広い応用が実現可能である。
水平走査回路、6……タイミングジェネレータ、7……水平信号線、8……出力処理部、11……キャパシタ、12、13……スイッチ、20……Si基板、21……N+拡散層、22……ゲート酸化膜、23……ポリシリコン膜、24……層間絶縁膜、25……メタル膜、26、27……ビアプラグ、28……メタル配線。
Claims (10)
- 複数の画素を形成した半導体基板と、前記半導体基板上に複数層の配線膜と絶縁膜を積層して形成される積層膜とを有し、
前記半導体基板の上層部に形成される拡散層と、前記拡散層上に絶縁膜を介して配置されるポリシリコン膜と、前記ポリシリコン膜上に絶縁膜を介して配置され、前記ポリシリコン膜を覆う状態で形成されたメタル膜とを含むキャパシタを有する、
ことを特徴とする固体撮像装置。 - 前記拡散層とメタル膜がプラグを介して接続されていることを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。
- 前記キャパシタは前記画素から読み出された電荷を保持する電荷保持手段を構成することを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。
- 前記電荷保持手段を構成するキャパシタは、各画素の信号電荷を取り出してサンプリングを行うCDS回路に設けられていることを特徴とする請求項3記載の固体撮像装置。
- 前記メタル膜はメタル配線と一体に形成されていることを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。
- 固体撮像装置を用いた撮像部と、前記撮像部を制御する制御部と、前記撮像部を操作する操作部とを有し、
前記固体撮像装置は、
複数の画素を形成した半導体基板と、前記半導体基板上に複数層の配線膜と絶縁膜を積層して形成される積層膜とを有し、
前記半導体基板の上層部に形成される拡散層と、前記拡散層上に絶縁膜を介して配置されるポリシリコン膜と、前記ポリシリコン膜上に絶縁膜を介して配置され、前記ポリシリコン膜を覆う状態で形成されたメタル膜とを含むキャパシタを有する、
ことを特徴とする撮像装置。 - 前記拡散層とメタル膜はプラグを介して接続されていることを特徴とする請求項6記載の撮像装置。
- 前記キャパシタは前記画素から読み出された電荷を保持する電荷保持手段を構成することを特徴とする請求項6記載の撮像装置。
- 前記電荷保持手段を構成するキャパシタは、各画素の信号電荷を取り出してサンプリングを行うCDS回路に設けられていることを特徴とする請求項8記載の撮像装置。
- 前記メタル膜はメタル配線と一体に形成されていることを特徴とする請求項5記載の撮像装置。
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JPH04154284A (ja) * | 1990-10-17 | 1992-05-27 | Sony Corp | 固体撮像装置の駆動方法 |
JPH10229182A (ja) * | 1997-02-14 | 1998-08-25 | Nikon Corp | 半導体集積回路の容量 |
JP2006032374A (ja) * | 2004-07-12 | 2006-02-02 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
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2006
- 2006-10-18 JP JP2006283335A patent/JP2008103444A/ja active Pending
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