JPS62219568A

JPS62219568A - 固体撮像素子

Info

Publication number: JPS62219568A
Application number: JP61062617A
Authority: JP
Inventors: Shoichi Tanaka; 正一田中
Original assignee: Individual
Current assignee: Individual
Priority date: 1986-03-19
Filing date: 1986-03-19
Publication date: 1987-09-26

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】技術分野本発明はＣＣＶ固体撮像素子に関し、特にフレーム転送
ＣＣＤ固体撮像素子（ＦＴセンサ）の改良に関する。

背景技術重置ＣＣＩ）が画素列を兼ねろＦＴセンサはインタライ
ン転送ＣＣＤ固体撮像素子より簡単な構造とより高い水
平解像度を達成できる利点を持つ。しかし、従来のＦＴ
センサは光感度特に、ｎＴ感度が悪い欠点が打った。こ
の問題を改善する為に、各画素領域にそれぞれ受光窓（
本明細書では開口領域と略称される。）を設置する技術
（開［１技術と略称される。）は周知であり、青感度政
商の何力な手段であった。また、上記の開口技術の特殊
技術として、単相クロック転送技術または本出願人によ
って出願された変形１ト〕／Ｒ転送技術を使用して、一
部の画素の開口率を１００％とする事も周辺下余白知である。また、本出願人によって、高い導電率を持つ
奇（偶）数行の転送電極と、高い青感度を持つ偶（奇）
数行の転送電極を接続して実質的に１画素行の転送電極
を構成し、そして上記の奇（偶）数行の転送電極の下に
電位障壁領域を設置し、」二足の偶（奇）数行の転送電
極の下に電位井戸を設置する技術も提案されている。

また、固体撮像素子において重要な問題であるブルーミ
ング問題をを改善するする為に、Ｎ形基板の上にＰウェ
ル領域を設置し、そしてその表面にＮ形バルクチャンネ
ル領域を設置する技術（縦型オーバーフロー技術と略称
される。）を使用する事は周知である。

発明の開示（従来技術の問題点）しかし、上記の開口技術の欠点は各画素の必要面積が増
加するので、より高い水平画素数を達成する事が困難に
なる事である。即ち、所要ダイナミックレンジと最低ノ
イズレベルから決定される最大信号電荷量は大体一定で
あり、一般に、１５００００電子から４０００００電子
である。従って、上記の最大信号電荷量から主感光領域
の必要面積が決定される。従って、水平画素数の増加は
開口面積の減少によって達成される。その結果、水平画
素数の増加によって、各画素の青感度が低下する３、奇
（偶）数置素行の画素が１００％の開口率を持ち、偶（
奇）数置素行の画素が０％の開口率を持ついわゆるバー
チャルＣＣＶ構造のＦＴセンサまたは変形ＩＥ／Ｂ転送
ＦＴセン→ノ゛は、露出された画素の電位障壁電位と電
位井戸電位を固定するので、各画素のダイナミックレン
ジが小さくなる欠点を持つ。そして奇（偶）数置素行の
青感度が悪いので、限定された色画素配列しか採用でき
ず、水平輪郭部で偽色輪郭が発生する欠点を持−）。ま
た、奇（偶）数行の転送電極と偶（奇）数行の転送電極
を接続して実質的に１行の転送電極を構成する技術は非
常に薄いポリシリコン電極を設置する必要があり、」二
足の非常に薄いポリシリコン電極の厚さまたは不純物濃
度のばらつきによって、青感度がばらつく欠点を持つ。

また、上記の縦型オーバーフ［Ｊ−技術は垂直ＣＣＶの
バルクチャンネル領域のＩ・のＩ〕ウェル領域を空乏化
する必要がある。その結果、−上記の空乏化Ｉ〕ウェル
領域に人力する光電子の多くが基板に吸収されるので、
光感度が低下し、そして空乏化Ｐウェル領域に一時的に
滞在する光ホールによってバルクチャンネル領域の電位
が変動する欠点を持つ。

発明の目的従って、本発明の目的は上記の問題を改善し、高い光感
度を持つＦＴセンサを開発する事である。

本発明の第２の目的は高い青感度と大きな水平画素数を
持つＦＴセンサの開発である。

上記の目的を達成する為に、本明細書は複数の独立発明
を開示する。それらは共通の目的を持ち、−緒に実施す
る事によって、相乗効果が期待できるのて一緒に説明さ
れる。

以下余白本発明の基本的な特徴が以下上記載されろ。

（１）、　それぞれ異なる分光感度を有する複数の色画
素を備えろ単板カラーまたは２板カラーフレーム転送Ｃ
ＣＤエリアセンサ（以下において、カラーＦ′ｒセンサ
と略称される。）において、各色画素はクロック電圧を
印加される転送電極（クロック転送電極と略称される。

）の下に設置される感光領域（主感光領域と略称される
。）を備え、そして少なくとも一部の色画素はクロック
転送電極をその」一方に持たない感光領域（開口領域と
略称される。）を備え、そしてより高い青感度を有する
色画素（Ｂ系色画素と略称される。）の開口領域は残り
の色画素の内の少なくとも１種類の色画素の開口領域よ
り広い面積を持つ事を特徴とするカラーＦＴセンサ。

（２）、少なくとも１種類の色画素は開口領域を持たな
い事を特徴とする第１項記載のカラーＦＴセンサ。

（３）、上記のＢ系色画素を含む奇（偶）数画素列は上
記のＢ系色画素を含まない偶（奇）数画素列より広い水
平幅を持つ事を特徴とする第１項記載のカラーＦＴセン
サ。

（４）、　　Ｂ系色画素の開口領域は同じＢ系色画素の
主感光領域の両側に設置される事を特徴とする第１項記
載のカラーＦＴセンサ。

（５）、上記のＢ系色画素の開口領域の上に設置される
色フィルタは入力される緑色光を半分以下に減衰させる
事を特徴とする第４項記載のカラーＦＴセンサ。

（６）、　　Ｎ形基板と、Ｎ形基板のＬに作られたＰウ
ェル領域と、Ｐウェル表面に作られた垂直ｃｃＤのＮ形
バルクチャンネル領域と、隣接する垂直ＣＣＶのバルク
チャンネル領域を電気的に分離するチャンネルストップ
領域を備え、そして」二足の垂直ＣＣＶ　（Ａレジスタ
）は画素列を兼ねるフレーム転送ＣＣＤエリアセンサ（
ＦＴセンサと略称されろ。）において、上記のＮ形バルクチャンネル領域の下のＰウェル領域（
第１Ｐウエル領域と略称される。）の濃度または／そし
て厚さは上記のチャンネルストップ領域の下のＰウェル
領域（第２Ｐウエル領域と略称される。）の濃度または
／そして厚さと異なり、そして上記の垂直Ｃ’ＣＤのＮ
形バルクチャンネル領域に発生した過剰信号電荷（ブル
ーミング電荷と略称される。）は１記の第２Ｐウエル領
域を介してＮ形基板にオーバーフローする事を特徴とす
るＦＴセンサ。

（７）、　上記の第２Ｐウエル領域は奇（偶）数番目の
チャンネルストップ領域の下に設置され、そして少なく
とも一部の偶（奇）数番目のチャンネルストップ領域の
下に設置されない事を特徴とする第６項記載のＦＴセン
サ。

以下余白各発明の詳細な特徴と効果が以下に説明される。

独立発明１．クレート１本発明は甲板カラーまたは２板力ラー固体撮像装置を構
成するＦ　Ｔセンサ（カラーＦＴセンサ）がそれぞれ異
なる分光感度を持つ複数の色画素を備える事に着目して
為された。即ち、単板カラーまたは２板力ラー固体撮像
装置にＪｊいて、１個のカラーＦＴセンサの一部の色画
素だけが高い青感度を要求される。そして」―記のＦ　
Ｔセンサの金色画素の最大蓄積信号電荷量は垂直転送時
にオーバーフローするのを防止する為に、人体等しいか
または一定の信号電荷重置−にである必要がある。上記
の条件を満足する為に、本発明のカラーＦ　Ｔセンサの
金色画素はクロック転送電極の下に配置される主感光領
域を持ち、そしてＢ系色画素だけが広い開［］領域を持
つ。このようにすれば、各色画素はそれぞれクロック転
送電極を持つので、多くの信ぢ゛電荷を蓄積でき、そし
て上記のクロック転送電極は赤色光（Ｒ光）及び緑色光
（Ｇ光）にたいして高い感度を持つので、金色画素の赤
感度と緑感度は十分高くできる。そしてより高い青感度
を要求されるＢ系色画素の開Ｌ１領域が特に広く設定さ
れるので、Ｂ系色画素の青感度も高くてきる。そして、
開「Ｉ領域の総和は従来より小さくできるので、その結
果、大きい水平１ｉＴｉｊ素数を持つカラーＦＴセンサ
を実現できろ。一般に、中板カラー固体撮像素子は３ま
たは４種類の色画素を持ち、そのＩまたは２種類の色画
素が高い青感度を持つ必要かある。

従って、３種類の色画素を備えろ単板カラー固体撮像素
子において、１種類の色画素だけが高い青感度を持つ１
工が好ましい。なお、上記の開口領域である感光領域は
一般にその上にＭＯ３電極を持たないが、垂直転送用ク
ロック電圧を印加されないＭＯＳゲート電極を備える事
は可能である。

従属発明１．クレーム２クレーム１の好ましい実施例において、少なくとも１種
類の色画素は開口領域を持たない。当然、この色画素は
高い音感度を要求されない色画素である。このようにす
れば、Ｂ系色画素の開［」率を増加する事ができる。

従属発明２．クレーム３クレーｌ＼１の好ましい実施例において、■３系色画素
を含む画素列とＢ系色画素を含まない画素列が交互に設
置され、そしてＢ系色画素を含む画素列の水平幅がより
広く設定される。このようにすれば、同じ画素列の各色
画素の主感光領域をほとんど隣接して設置てきるので、
垂直転送効率が改善される。また、各色画素を電気的に
分離するヂャンネルストツプ領域は垂直方向にのみ設置
すれば良いので、感光領域の有効面積を増加できる。一
般に、甲板カラー固体撮像素子または２板力ラー固体撮
像装置の各固体撮像素子において、Ｂ系色画素を偶（奇
）数画素列に設置する事は非常に容易であり、本実施例
の実施は簡？１１である。

従属発明３．クレー２．４クレームｌの好ましい実施例において、Ｂ系色画素の主
感光領域の両側に開１」領域が設置される。

このようにすれば、■３系色画素の青信号の水平方向の
重心は」二足のＢ系色画素の中心に一致し、偽解像が減
少する。もし、Ｂ系色画素の主感光領域の片側に開口領
域を設置すれば、それから得られる青信号の重心はＢ系
色画素の中心に一致しない。

従属発明４．クレーム５クレーム４の好ましい実施例において、上記のＢ系色画
素の２個の開口領域上には少なくともＧ光を半分以下に
減衰させる色フィルタが設置される。

即ち、他の色画素よりＢ系色画素の感光面積が広い特徴
を持つ本発明において、各色画素の最大信号電荷量は垂
直ＣＣＶの転送能力、即ち各色画素の主感光領域面積で
決定されている。従って、少なくともＢ系色画素の感光
面積が大きい分だけ、その上に設置される色フィルタは
特にＲ光とＢ光に対して低感度である必要がある。上記
のＢ系色画素の色フィルタが青色フィルタであるならば
、Ｂ系色画素から発生ずる青色信号電荷は比較的小さい
ので、垂直ＣＣＶのダイナミックレンジ以下である。し
かし、」二足のＢ系色画素が補色系色フィルタ（たとえ
ばシアン色フィルタ（Ｃｙ）または透明色フィルタ（Ｗ
）など）である場合、Ｂ系色画素の色フィルタのＲ感度
とＧ感度を低下する必要がある。そしてＢ系色画素の主
感）し領域のＲ，Ｇ感度を低下オろよりも開口領域のＲ
，Ｇ感度を低下すて水平方向に隣接する色画素のクロク
トークが減少するからである。

なお、クレーム１の他の実施例において、」二足のＢ糸
色画素は１種類の色フィルタを備える。このようにすれ
ば色フイルタプロセスが簡単になる。

独立発明２．クレーム６独立発明Ｉに開示されるＦＴセンサは透明電極を使用せ
ずに、高い青感度と高い水平解像度を達成できる。しか
し、固体撮像素子はブルーミング防止構造を必要とし、
従来のＦＴセンサは横型オーバーフロードレン構造を採
用していたので、１記の横型オーバーフロードレン構造
の占有面積だけ各色画素の感光面積が低下し、光感度が
低下していた。インクライン転送ＣＣＤ固体撮像素子（
ＩＴセンサ）と同様に、周知である縦型オーバーフロー
ドレン構造の採用すれば、各色画素の光感度または水平
解像度は大幅に改９（ｆされる。しかし、以下余白 ■？ゴセンサは垂直ＣＣＶ　（Ａレジスタ）が画素列を
兼ねるので、縦型オーバーフロードレン構造を採用すれ
ば、上記の縦型オーバーフロードレン構造の１一方を信
号電荷が転送されろ事になる１、縦型オーバーフロート
レン構造において、画素列の下のＩ）ウェル領域（第１
Ｐウエル領域）は一般に空乏化する必要がある。しかし
、垂直ＣＣＶの下の第１Ｐウエル領域を空乏化すれば、
人力される光によって発生した光ホールが一時的に上記
の第１Ｐウエル領域に蓄積され、その結果、垂直ＣＣＤ
のバルクチャンネル領域の電位は静電的に変動する。こ
の問題は過剰な光が入力される時に、特に重大になる。

また、縦型オーバーフロードレン構造を持つＩ　Ｔセン
サのように、画素の一部の領域の下のだけ、空乏化する
事も可能であるが、その結果、空乏化されたＩ〕ウェル
領域の−Ｌのバルクチャンネル領域部分だけ、特別の電
位井戸になってしまうので、垂直転送効率が低下する欠
点がある。また、画素の下の空乏化■）ウェル領域の光
電子のがなりの部分はＮ形基板にドリフトするので、光
感度が低下する欠点を持つ。本発明はこれらの欠点を改
善する事を目的とする。

本発明の糸本的な特徴は画素列を兼ねろ垂直ｃｃＤのバ
ルクチャンネル領域の両側に設置されるチャンネルスト
ップ領域の下に存在するＰウェル領域（第２Ｐウエル領
域）の不純物濃度または／そして１ワさを」二足の第１
１）ウェル領域の濃度または／そして厚さより減らず事
である。このようにすれば、上記の第１Ｐウエル領域の
濃度または厚さを十分大きく設定できるので、光感度と
垂直転送効率は改善される。従って、本発明において、
バルクチャンネルの過剰な光電子はチートンネルストッ
プ領域の側面の第１Ｐウエル領域と、チャンネルストッ
プ領域の下の第２Ｐウエル領域を介して、Ｎ形基板にパ
ンデスルーまたはドリフトする。上記の第２Ｐウエル領
域を１形化またはＮ形化する事ム可能である。本発明の
他の利点はＦ’Ｔセンセン周辺回路領域のＰウェル領域
の濃度または厚さが大きいので、設計が非常に楽になる
事である。なお、好ましい実施例において、必要なチャ
ンネルストップ領域上にマスクを設置し、その上からボ
ロンなどのイオンが注入される。特に、チャンネリング
効果を利用してイオン注入を実施すれば、横方向のイオ
ン拡散が小さく、厚い第１Ｐウエル領域が作る事ができ
る。

従属発明１．クレーム＃７クレーム７の好ましい実施例において、上記の第２Ｐウ
エル領域は奇（偶）数番目のチャンネルストップ領域の
下に設置され、そして偶（奇）数番目のチャンネルスト
ップ領域の下に設置されない。このようにすれば、低濃
度の第２Ｐウエル領域のバルクチャンネル領域または第
１Ｐウエル領域への影響が半減するので、光感度はより
改善される。そして第１Ｐウエル領域の抵抗が低下し、
第１Ｐウエル領域の電位はより安定する。

−）二足の各発明の他の特徴と効果が以下の実施例によ
って説明される。

発明を実施するための最良の形態図１は本発明の１実施例を表す単板カラーＦＴセンサの
画素図である。ヂャンネルストツブ領域ｌて分割されて
、画素列ＣＩ、Ｃ２，Ｃ３が設置され色画素３Ｃを交互
に備える。色画素３ａと３Ｃは光遮断領域（光シールド
領域）２で分離されている。

そして画素列Ｃ２は色画素（３ｂ−！−７１ｂ）と色画
素（３ｄ→／Ｉｄ）を交互に備え、色画素（３ｂ＋−４
ｂ）と色画素（３ｄ＋、４ｄ）は光遮断領域２で分離さ
れている。

そして画素行Ｒ１，Ｒ３は色画素３Ｃと色画素（３ｄ１
４ｄ）を交互に備え、画素行１ｊ２．Ｒ４は色画素３ｃ
と色画素（３ｄ＋　／Ｉ　ｄ）を交Ｏ：に備える。」二
足の領域３　ａ、３　ｂ、３　ｃ、、３　ｄはその」−
にクロック転送電極が設置される主感光領域である。そ
して上記の領域４ｂ、４ｄは開口領域である。光遮断領
域２のににはクロック転送電極が設置される。そしてチ
ャンネルストップ領域１の」二方と、光遮断領域２のに
のクロック転送電極の−に方には光シールド層が設置さ
れる。当然、画素列ＣＩ、Ｃ３において、領域２．３ａ
、３ｃ＋、ｌ：Ｎ形バルクチャンネル領域である。そし
て画素列Ｃ２において、領域２．３ｂ、３ｄはＮ形バル
クチャンネル領域である。領域２．３（ａからｄ）の−
にに絶縁膜を介して設置されるクロック転送電極は多く
の垂直転送用り〔ノック電圧を受は取る事ができる。代
表的なりロック電圧は２相り「ノック電圧、４相り［ノ
ック電圧、Ｉ　１＝：　／　Ｉ３転送りロック電圧、２
　Ｅ／　Ｂ転送りロック電圧である。

２相クロツク電圧とＩ　Ｅ、／　Ｂ転送り［ノック電圧
を上記のクロック転送電極に印加する時に、周知のよう
に、３（ａからｄ）は電位井戸領域となり、そして２は
電位障壁領域になる。上記の電位障壁と電位井戸が絶縁
膜厚またはバルクチャンネル領域へのイオン注入によっ
て、実施される事は周知である。４相クロツク電圧と２
　Ｅ　／　Ｔ３転送りロック電圧を上記のり［ノック転
送電極に印加ずろ時に、領域２と領域３（ａからｄ）と
のヂャンネル電位差は必ずしも必要では無い１，上記の
２相、４相クロツク電圧を使用する時に、垂直方向に隣
接する２画素の信号電荷は混合して出力される。ストラ
イブ色フィルタ配列またはフィールド蓄積モート色フィ
ルタ配列は隣接２画素混合出力形式に適した色画素配列
であり、この場合、必ずしも領域２の」二の光遮断層は
必要では無い。上記のＩ　Ｅ／Ｂ転送りロック電圧、２
　Ｅ　／　Ｂ転送り［ノック電圧を使用する時に、各色
画素の信号電荷は独立に垂直転送される。

この隣接２画素行独立出力形式に適した色画素配列方式
は過去において、多く提案されている。この場合、領域
２の上の光遮断膜は設置される事が好ましい。一般に、
領域２上のクロック転送電極と主感光領域３（ａからｄ
）」−のクロック転送電極は異なる層の転送電極である
。上記の各種転送法及びクロック転送電極構造は周知で
あり、本発明の説明と深く関係しないので、図１におい
てクロック転送電極は省略されている。図１において重
要な事はＢ系色画素である色画素（３ｂキ４ｂ）。

（３ｄ＋４　ｄ）だけが開口領域領域を持つ事である。

図３９図４は図１の色画素構造を持つ隣接２画素行独立
出力形単板カラーＦＴセンサの周知の色画素配列図であ
る。図５は奇（偶）数画素列が透明（Ｗ）色画素とシア
ン色画素（Ｃｙ）を持ち、そして偶（奇）数画素列がＧ
色画素と黄色（Ｙｅ）色画素を持つフィールド蓄積モー
ド単板カラーＦＴセンサの色画素配列図である。図５に
おいて、色差信号Ｒ十Ｂと色信号■３が得られる。他に
も図１の構造のＦＴセンサが使用できろ多くの色画素配
列が周知である。

図２は図１のＦＴセンサのΔ−Ａ’断面図である。

Ｎ形基板５の表面にイオン注入ににって、Ｐウェル領域
６が作られる。そして上記のＰウェル領域６の表面に、
Ｎ形バルクチャンネル領域１０が設置され、そして各垂
直ＣＣＤのＮ形バルクチャンネル領域は２酸化シリコン
分離領域８とその下にドープされたＰ形チャンネルスト
ップ領域７で分離される。そして−上記のバルクチャン
ネル領域ＩＯの」〕に薄い絶縁膜９を介して、クロック
転送電極１１が設置される。ただし、クロック転送電極
１１は開口領域Ｉ２の１−には設置されない。上記の開
口領域１２は電位を浅く設定する為にＰ形化する事が好
ましいが、Ｎ形バルクチャンネル領域ＩＯに弱くボロン
などのイオンを注入してＮ−形化もよい。上記の開口領
域１２の電位をクロック転送電極の下の主感光領域の信
号電荷蓄積電位より負にする事は周知である。そして−
上記のＰウェル領域６は画素列の下の第１Ｐウエル領域
６ａと、Ｐ形チャンネルストップ領域７の下の第２　Ｐ
ウエル領域６ｂ、６ｂ”に分類される。そして奇（偶）
数番目のＰ形チャンネルストップ領域７（または酸化物
絶縁分離領域８）の下の第２Ｐウエル領域６ｂ“の濃度
と厚さは小さくされる。上記の第２Ｐウエル領域６ｂ”
の濃度と厚さの低減はイオン１１−犬侍に、その−１−
にマスクを設置する事によって、簡単に実施できる。こ
のようにすれば、図２に示されろように、過剰信号電子
ｅ−は第２Ｐウエル領域６ｂ’を介してＮ形基板５にパ
ンデスルーされる。

図６は図１の変形実施例であり、Ｂ系色画素である色画
素（３ａ−１−４ａ）と色画素（３ｄ＋４ｄ）がそれぞ
れ開口領域４ａ、４ｄを持つ実施例を表す。この実施例
は単板カラーＦＴセンサに応用できる。図７はＢ系色画
素（３ｄ＋　４　ｄ）だけが開口領域４ｄを持つ単板カ
ラーＦＴセンサの１実施例平面図である。

図７は特に、図３の色画素配列（ベイヤー配列）に好ま
しい。図８は本発明の２板カラーＦＴセンサの実施例平
面図である。各領域はけ基本的に図１の構造と同じ構造
を持つ。ただし、１５ａは第１ＦＴセンサの色画素配列
を表し、１５ｂは第２ＦＴセンサの色画素配列を表す。

この実施例の特徴は第１Ｆ”［’センサ１５ａの色画素
３ａ、３ｂは開口領域を持たず、第２ＦＴセンサ１５ｂ
の色画素（３ｃ十４ｃ）と（３ｄ−１−、Ｉｄ）だけが
開口領域４ｃ、４ｄを持ら、そして第２ＦＴセンサ１５
ｂにより多くのＢ光が入力されるように、光分割器の分
光特性が選定される。このようにすれば、実質的に青感
度を改善する事ができる。

なお、本明細書に説明された独立発明１．２は他のタロ
ツク転送電極構造または他の転送方式のＦ］゛センセン
応用できる。

【図面の簡単な説明】

図１は独立発明１を使用するｍ板カラーＦＴセンサの１
実施例画素領域図である。図２は図１のＡ−Δ°断面図
である。図３、図４、図５はそれぞれ図Ｉのの構造を持
つＦＴセンサに使用できる１実施例色画素配列図である
。図６と図７は図１の変形実施例を表す画素領域図であ
る。図８は本発明の２板カラーＦＴセンサの画素領域図
である。図ノ

Claims

【特許請求の範囲】

（１）、それぞれ異なる分光感度を有する複数の色画素
を備える単板カラーまたは２板カラーフレーム転送ＣＣ
Ｄエリアセンサ（以下において、カラーＦＴセンサと略
称される。）において、各色画素はクロック電圧を印加
される転送電極（クロック転送電極と略称される。）の
下に設置される感光領域（主感光領域と略称される。）
を備え、そして少なくとも一部の色画素はクロック転送
電極をその上方に持たない感光領域（開口領域と略称さ
れる。）を備え、そしてより高い青感度を有する色画素
（Ｂ系色画素と略称される。）の開口領域は残りの色画
素の内の少なくとも１種類の色画素の開口領域より広い
面積を持つ事を特徴とするカラーＦＴセンサ。
（２）、少なくとも１種類の色画素は開口領域を持たな
い事を特徴とする第１項記載のカラーＦＴセンサ。
（３）、上記のＢ系色画素を含む奇（偶）数画素列は上
記のＢ系色画素を含まない偶（奇）数画素列より広い水
平幅を持つ事を特徴とする第１項記載のカラーＦＴセン
サ。
（４）、Ｂ系色画素の開口領域は同じＢ系色画素の主感
光領域の両側に設置される事を特徴とする第１項記載の
カラーＦＴセンサ。
（５）、上記のＢ系色画素の開口領域の上に設置される
色フィルタは入力される緑色光を半分以下に減衰させる
事を特徴とする第４項記載のカラーＦＴセンサ。
（６）、Ｎ形基板と、Ｎ形基板の上に作られたＰウェル
領域と、Ｐウェル表面に作られた垂直ＣＣＤのＮ形バル
クチャンネル領域と、隣接する垂直ＣＣＤのバルクチャ
ンネル領域を電気的に分離するチャンネルストップ領域
を備え、そして上記の垂直ＣＣＶ（Ａレジスタ）は画素
列を兼ねるフレーム転送ＣＣＤエリアセンサ（ＦＴセン
サと略称される。）において、上記のＮ形バルクチャンネル領域の下のＰウェル領域（
第１Ｐウェル領域と略称される。）の濃度または／そし
て厚さは上記のチャンネルストップ領域の下のＰウェル
領域（第２Ｐウエル領域と略称される。）の濃度または
／そして厚さと異なり、そして上記の垂直ＣＣＤのＮ形
バルクチャンネル領域に発生した過剰信号電荷（ブルー
ミング電荷と略称される。）は上記の第２Ｐウェル領域
を介してＮ形基板にオーバーフローする事を特徴とする
ＦＴセンサ。
（７）、上記の第２Ｐウェル領域は奇（偶）数番目のチ
ャンネルストップ領域の下に設置され、そして少なくと
も一部の偶（奇）数番目のチャンネルストップ領域の下
に設置されない事を特徴とする第６項記載のＦＴセンサ
。