JPS63260070A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
- Publication number
- JPS63260070A JPS63260070A JP62094377A JP9437787A JPS63260070A JP S63260070 A JPS63260070 A JP S63260070A JP 62094377 A JP62094377 A JP 62094377A JP 9437787 A JP9437787 A JP 9437787A JP S63260070 A JPS63260070 A JP S63260070A
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- JP
- Japan
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- film
- transparent resin
- resin film
- photoelectric conversion
- vertical ccd
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 11
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14831—Area CCD imagers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は固体撮像装置に関するものである。
撮像装置において、映像信号の基準レベルを作る一方法
として撮像装置の光電変換領域の一部を遮光し、その部
分の映像信号を基準信号とするものがある（通称オプチ
カルブラックと呼ばれている）、固体撮像装置において
も周辺回路の配線用金属膜で光電変換素子（例えばホト
ダイオード）を被覆することによってオプチカルブラッ
クを形成する構造が提案されている。
として撮像装置の光電変換領域の一部を遮光し、その部
分の映像信号を基準信号とするものがある（通称オプチ
カルブラックと呼ばれている）、固体撮像装置において
も周辺回路の配線用金属膜で光電変換素子（例えばホト
ダイオード）を被覆することによってオプチカルブラッ
クを形成する構造が提案されている。
上述した従来の固体撮像装置は、一般のシリコン集積回
路で用いられている配線用金属のＡＩ！層で覆われたホ
トダイオードの暗電流がＡ１層で被覆されていないホト
ダイオードの暗電流より小さくなるという現象がある。
路で用いられている配線用金属のＡＩ！層で覆われたホ
トダイオードの暗電流がＡ１層で被覆されていないホト
ダイオードの暗電流より小さくなるという現象がある。
これは、シリコン基板主面に形成される酸化シリコン膜
とシリコン基板との界面準位がＡＩ！層の有無により異
るためである。前述のＡｅ層の有無によるホトダイオー
ドの暗電流差によって、映像信号の黒レベルが広範囲な
温度領域において不安定となるという問題点があった。
とシリコン基板との界面準位がＡＩ！層の有無により異
るためである。前述のＡｅ層の有無によるホトダイオー
ドの暗電流差によって、映像信号の黒レベルが広範囲な
温度領域において不安定となるという問題点があった。
本発明は、広範囲な温度領域においても安定な映像信号
が得られる固体撮像装置を提供することにある。
が得られる固体撮像装置を提供することにある。
本発明の固体撮像装置は、半導体基板上に行列状に形成
された光電変換素子と、前記光電変換素子の信号を時系
列的に読出すように前記半導体基板上に設けられたＣＣ
Ｄレジスタとを含む固体撮像装置において、前記光電変
換素子を含む表面に形成された透明樹脂膜と、該透明樹
脂膜上に前記光電変換素子の複数列を遮光するように設
けられた遮光膜とを有するように構成される。
された光電変換素子と、前記光電変換素子の信号を時系
列的に読出すように前記半導体基板上に設けられたＣＣ
Ｄレジスタとを含む固体撮像装置において、前記光電変
換素子を含む表面に形成された透明樹脂膜と、該透明樹
脂膜上に前記光電変換素子の複数列を遮光するように設
けられた遮光膜とを有するように構成される。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図および第２図は本発明の一実施例の固体撮像装置
の要部を示す半導体チップの平面図およびＡ−Ａ’線断
面図である。
の要部を示す半導体チップの平面図およびＡ−Ａ’線断
面図である。
第１図および第２図に示すように、Ｐ型シリコン基板（
Ｎ型シリコン基板に形成したＰウェルでも良い）５にＮ
型不純物を導入したホトダイオードが行列状に形成され
、ホトダイオード１の各列に隣接してＰ型シリコン基板
５に埋込チャネル型の垂直ＣＣＤレジスタ２が形成され
、隣接したホトダイオード１と垂直ＣＣＤレジスタ２の
間に転送ゲート領域６が設けられる。転送ゲート領域６
および垂直ＣＣＤレジスタ２のそれぞれの上に酸イビシ
リコン膜７を介して転送電極８が設けられ、更にその上
に酸化シリコン［７を介して各列の転送ゲート領域６お
よび垂直ＣＣＤレジスタ２を遮光するためのＡｔ’層９
が列状に設けられる。Ａ！！層９を含む全面に保護膜と
して絶縁Ｊｌ！１０が形成され、絶縁膜１０の上に透明
樹脂膜１１が全面に形成される。透明樹脂膜１１の上に
複数のホトダイオード１の列を遮光してオプチカルブラ
ックを形成する例えばＡＩ！層のような遮光膜４が選択
的に設けられる。
Ｎ型シリコン基板に形成したＰウェルでも良い）５にＮ
型不純物を導入したホトダイオードが行列状に形成され
、ホトダイオード１の各列に隣接してＰ型シリコン基板
５に埋込チャネル型の垂直ＣＣＤレジスタ２が形成され
、隣接したホトダイオード１と垂直ＣＣＤレジスタ２の
間に転送ゲート領域６が設けられる。転送ゲート領域６
および垂直ＣＣＤレジスタ２のそれぞれの上に酸イビシ
リコン膜７を介して転送電極８が設けられ、更にその上
に酸化シリコン［７を介して各列の転送ゲート領域６お
よび垂直ＣＣＤレジスタ２を遮光するためのＡｔ’層９
が列状に設けられる。Ａ！！層９を含む全面に保護膜と
して絶縁Ｊｌ！１０が形成され、絶縁膜１０の上に透明
樹脂膜１１が全面に形成される。透明樹脂膜１１の上に
複数のホトダイオード１の列を遮光してオプチカルブラ
ックを形成する例えばＡＩ！層のような遮光膜４が選択
的に設けられる。
入射光により、ホトダイオード１で発生した電荷は、転
送ゲート領域６を経由して垂直ＣＣＤレジスタ２へ移さ
れ、インクライン方式で転送電極８に印加されたクロッ
クパルスにより垂直ＣＣＤレジスタ２中を順次転送され
、垂直ＣＣＤレジスタ２の末端に接続された水平ＣＣＤ
レジスタ３に転送され、水平ＣＣＤレジスタ３より時系
列的に映像信号が取り出される。
送ゲート領域６を経由して垂直ＣＣＤレジスタ２へ移さ
れ、インクライン方式で転送電極８に印加されたクロッ
クパルスにより垂直ＣＣＤレジスタ２中を順次転送され
、垂直ＣＣＤレジスタ２の末端に接続された水平ＣＣＤ
レジスタ３に転送され、水平ＣＣＤレジスタ３より時系
列的に映像信号が取り出される。
以上説明したように本発明は、オプチカルブラックを各
列の転送ゲート領域および垂直ＣＣＤレジスタを遮光す
るＡｆｆ層と共用させることなく、保護膜上設けた透明
樹脂膜上に複数のホトダイオード列を遮光する遮光膜を
設けることによって、広範囲の温度領域において暗電流
差がなくなり、安定な映像信号が得られるという効果を
有する。
列の転送ゲート領域および垂直ＣＣＤレジスタを遮光す
るＡｆｆ層と共用させることなく、保護膜上設けた透明
樹脂膜上に複数のホトダイオード列を遮光する遮光膜を
設けることによって、広範囲の温度領域において暗電流
差がなくなり、安定な映像信号が得られるという効果を
有する。
第１図および第２図は本発明の一実施例の固体撮像装置
の要部を示す半導体チップの平面図およびＡ−Ａ’線断
面図である。 １・・・ホトダイオード、２・・・垂直ＣＣＤレジスタ
、３・・・水平ＣＣＤレジスタ、４・・・遮光膜、５・
・・Ｐ型シリコン基板、６・・・転送ゲート領域、７・
・・酸化シリコン膜、８・・・転送電極、９・・・Ａｆ
ｆ層、１０・・・絶縁膜、１１・・・透明樹脂膜。 代理人 弁理士 内 原 町； イ
の要部を示す半導体チップの平面図およびＡ−Ａ’線断
面図である。 １・・・ホトダイオード、２・・・垂直ＣＣＤレジスタ
、３・・・水平ＣＣＤレジスタ、４・・・遮光膜、５・
・・Ｐ型シリコン基板、６・・・転送ゲート領域、７・
・・酸化シリコン膜、８・・・転送電極、９・・・Ａｆ
ｆ層、１０・・・絶縁膜、１１・・・透明樹脂膜。 代理人 弁理士 内 原 町； イ
Claims (1)
- 半導体基板上に行列状に形成された光電変換素子と、
前記光電変換素子の信号を時系列的に読出すように前記
半導体基盤上に設けられたＣＣＤレジスタとを含む固体
撮像装置において、前記光電変換素子を含む表面に形成
された透明樹脂膜と、該透明樹脂膜上に前記光電変換素
子の複数列を遮光するように設けられた遮光膜とを有す
ることを特徴とする固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62094377A JPS63260070A (ja) | 1987-04-16 | 1987-04-16 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62094377A JPS63260070A (ja) | 1987-04-16 | 1987-04-16 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63260070A true JPS63260070A (ja) | 1988-10-27 |
Family
ID=14108628
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62094377A Pending JPS63260070A (ja) | 1987-04-16 | 1987-04-16 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63260070A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5008758A (en) * | 1989-05-24 | 1991-04-16 | Massachusetts Institute Of Technology | Suppressing dark current in charge-coupled devices |
| US5132801A (en) * | 1989-06-07 | 1992-07-21 | Nikon Corporation | Signal correction device of photoelectric conversion equipment |
-
1987
- 1987-04-16 JP JP62094377A patent/JPS63260070A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5008758A (en) * | 1989-05-24 | 1991-04-16 | Massachusetts Institute Of Technology | Suppressing dark current in charge-coupled devices |
| US5132801A (en) * | 1989-06-07 | 1992-07-21 | Nikon Corporation | Signal correction device of photoelectric conversion equipment |
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