JP2002246583A - 固体撮像素子 - Google Patents

固体撮像素子

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JP2002246583A JP2001036640A JP2001036640A JP2002246583A JP 2002246583 A JP2002246583 A JP 2002246583A JP 2001036640 A JP2001036640 A JP 2001036640A JP 2001036640 A JP2001036640 A JP 2001036640A JP 2002246583 A JP2002246583 A JP 2002246583A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 構造が簡素で、少ない工程数で作製でき、さ
らに光の入射方向による感度差が少なく、かつ感度ムラ
が生じにくい、集光率の高い固体撮像素子を実現する。 【解決手段】 フォトダイオードである光電変換素子4
は、p型の半導体基板6の表面部にp型領域8およびn
型領域10を局所的に積層して形成されている。光電変
換素子4の両側の基板表面部には、垂直電荷転送レジス
ター12を構成すべくn型不純物を含む垂直転送路11
8が形成され、その上に凹部14が形成されている。そ
して、凹部14の内側に絶縁膜16を介して転送電極1
8が形成され、転送電極18の上面は基板表面と同じ高
さとなっており、その上に遮光膜20が形成されてい
る。そのため、光電変換素子4に斜めに入射する光14
0は、従来のように遮光膜20によって遮られることな
く光電変換素子4に入射する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は固体撮像素子に関す
るものである。
【0002】
【従来の技術】図2は従来の固体撮像素子の一例を示す
平面図、図3は図2における直線Aに沿った断面を示す
部分断面側面図である。図2に示した固体撮像素子10
2は、インターライン型の固体撮像素子であり、シリコ
ンから成る半導体基板104上に多数の光電変換素子1
06を相互に間隔をおきマトリクス状に近接配置して構
成されている。そして光電変換素子106の各列ごとに
CCD(Charge Coupled Devic
e)構造の垂直電荷転送レジスター108が、光電変換
素子106の列方向(矢印V)に延設され、垂直電荷転
送レジスター108の一端部側に同じくCCD構造の水
平電荷転送レジスター110が、光電変換素子106の
行方向(矢印H)に延設されている。水平電荷転送レジ
スター110の一方の端部にはアンプ部112が形成さ
れている。
【0003】このような構成において、各列の各光電変
換素子106が光を受けて生成した信号電荷は、光電変
換素子106と垂直電荷転送レジスター108との間に
介在する読み出し領域を経て、対応する垂直電荷転送レ
ジスター108に出力され、垂直電荷転送レジスター1
08はこの信号電荷を順次、水平電荷転送レジスター1
10に向けて転送する。水平電荷転送レジスター110
は各垂直電荷転送レジスター108から信号電荷を受け
取ってアンプ部112に転送し、アンプ部112は転送
されてきた信号電荷にもとづき出力端子113を通じて
映像信号を出力する。
【0004】断面図を参照して光電変換素子106周辺
を詳しく説明すると、図3に示したように、光電変換素
子106はp型の半導体基板104の表面部に局所的に
積層されたp型領域(図示せず)およびn型領域(図示
せず)から成り、図3ではその左側の半導体基板表面部
に、対応する垂直電荷転送レジスター108が形成され
ている。垂直電荷転送レジスター108は、その延在方
向(図3では紙面に垂直な方向)に延在する垂直転送路
118と、垂直転送路118の上に絶縁膜120を介し
て、垂直転送路118の延在方向に配列された複数の転
送電極122とを含んで構成されている。
【0005】また、光電変換素子106と、光電変換素
子106に隣接して同光電変換素子が生成した信号電荷
を転送する垂直転送路118とは、それらの間に介在す
る、高濃度のp型不純物を含む読み出しゲート124に
より分離され、一方、光電変換素子106と、光電変換
素子106に隣接する他の垂直転送路118とは、それ
らの間に介在する、高濃度のp型不純物を含むチャンネ
ルストップ領域126により分離されている。
【0006】そして、半導体基板104の表面は、光電
変換素子106の上部の箇所を除いて遮光膜128で覆
われ、その上に、透明な絶縁層130を介して、下に凸
で上面が平坦な層内レンズ132が各光電変換素子10
6ごとに形成されている。層内レンズ132上には、各
光電変換素子106ごとに赤、青、緑のいずれかの色の
光を選択的に透過させるカラーフィルター134が配置
され、その上に、各光電変換素子106ごとにオンチッ
プレンズ136が配置されている。
【0007】このような構成において、オンチップレン
ズ136に入射した光138は、オンチップレンズ13
6および層内レンズ132により集光されて光電変換素
子106に入射し、光電変換素子106は入射光により
信号電荷を生成する。光電変換素子106で生成された
信号電荷は、対応する垂直電荷転送レジスター108に
供給され、垂直転送路118を水平電荷転送レジスター
110(図2)に向けて転送される。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
固体撮像素子102では、オンチップレンズ136の中
央部に入射した光138はオンチップレンズ136およ
び層内レンズ132の作用により効果的に集光されて光
電変換素子106に入射するものの、周辺部に入射した
光140は、図3に示したように、レンズの作用により
光電変換素子106方向に屈折しても、遮光膜128の
エッジ部142で遮られてしまい、光電変換素子106
に到達することができない。
【0009】このような現象は、近年の画素サイズの縮
小傾向とともに顕著となってきている。すなわち、光電
変換素子106の幅Wが小さくなるほど、転送電極12
2上の遮光膜128の高さHの影響が大きくなり、光電
変換素子106に斜めから入射する光は遮光膜128に
よっていそう遮られ易くなる。そのため、集光率が低下
し、固体撮像素子102の感度が低下する結果となって
いる。
【0010】また、オンチップレンズ136に対して最
初から斜めに入射した光は、オンチップレンズ136に
対して正面から入射した光、すなわち光電変換素子10
6に対し垂直に入射した光より、遮光膜128のエッジ
部142で遮られる割合が多くなる。したがって、従来
の固体撮像素子102では、固体撮像素子102に対
し、光が正面から入射する場合と、斜めの方向から入射
する場合とで、固体撮像素子102の感度に差が生じて
いる。
【0011】上記層内レンズ132はこれら問題を緩和
すべく設けられているが、層内レンズ132だけでは不
十分である。また、層内レンズ132の形成には熱処理
などを含め多くの工程が必要であり、さらに層内レンズ
132を設けることにより基板上層部の構造が複雑にな
っている。
【0012】また、入射光が遮光膜128のエッジ部1
42で遮られる割合は、転送電極122の位置や高さに
より変化する。そのため、製造時の誤差によって転送電
極122の位置や高さにバラツキが生じた場合、固体撮
像素子102の感度が固体撮像素子102上の位置によ
り異なってしまい、製造歩留まりが低下する結果となっ
ている。
【0013】本発明はこのような問題を解決するために
なされたもので、その目的は、構造が簡素で、少ない工
程数で作製でき、さらに光の入射方向による感度差が少
なく、かつ感度ムラが生じにくい、集光率の高い固体撮
像素子を提供することにある。
【0014】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため、第1導電型の半導体基板上に相互に近接して
マトリクス状に配列された複数の光電変換素子と、前記
光電変換素子の各列に沿って前記半導体基板上に形成さ
れたCCD構造の電荷転送レジスターとを備え、前記電
荷転送レジスターは、前記半導体基板の表面部に、前記
光電変換素子の列方向に延設された第2導電型の電荷転
送路と、同電荷転送路上に配列された複数の転送電極と
を含んで前記光電変換素子が受光して生成した信号電荷
を転送する固体撮像素子であって、前記電荷転送路の上
に凹部が形成され、前記転送電極は、前記凹部内に配設
されていることを特徴とする。
【0015】すなわち、本発明の固体撮像素子では、転
送電極が、電荷転送路の上に形成された凹部内に配設さ
れているので、その上部は基板表面から突出しないか、
あるいは突出しても突出量はわずかである。したがっ
て、光電変換素子に斜めに入射する光は、転送電極ある
いは転送電極上に形成された遮光膜によって遮られるこ
とがなく、その結果、層内レンズを設けなくとも集光率
を充分に高めて固体撮像素子の感度を向上させることが
できる。
【0016】そして、光電変換素子に斜めに入射する光
が、転送電極や遮光膜などによって遮られないことか
ら、固体撮像素子に対し正面から入射する光と、斜めか
ら入射する光とに対して感度差が小さく、さらに、転送
電極の位置や高さのバラツキが原因で生じる、固体撮像
素子上の位置による感度変動も低減できる。また、凹部
の形成や、凹部内への転送電極形成は容易であって必要
な工程数も少なく、一方、層内レンズは不要となること
から、全体として工程数を削減することができる。
【0017】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態例につい
て図面を参照して説明する。図1は本発明による固体撮
像素子の一例を示す部分断面側面図である。図中、図
2、図3と同一の要素には同一の符号が付されている。
ここで説明する実施の形態例としての固体撮像素子は、
インターライン型の固体撮像素子であり、光電変換素
子、垂直電荷転送レジスター、水平電荷転送レジスター
の配置などの基本的な構成は図2に示した固体撮像素子
と同じである。すなわち、シリコンから成る半導体基板
上に多数の光電変換素子を相互に間隔をおきマトリクス
状に配列して構成され、光電変換素子の各列ごとにCC
D構造の垂直電荷転送レジスターが、光電変換素子の列
方向に延設され、垂直電荷転送レジスターの一端部側に
CCD構造の水平電荷転送レジスターが配置されてい
る。また水平電荷転送レジスターの一方の端部にはアン
プ部が形成されている。
【0018】図1は図3と同様、光電変換素子の行方向
における光電変換素子周辺の詳しい断面を示し、図1に
示したように、本実施の形態例の固体撮像素子2では、
フォトダイオードである光電変換素子4は、p型(本発
明に係わる第1導電型)の半導体基板6の表面部にp型
領域8およびn型(本発明に係わる第2導電型)の領域
(n型領域10)を局所的に積層して形成され、p型領
域8はn型領域10より半導体基板6の表面側に形成さ
れている。
【0019】光電変換素子4の両側の基板表面部には、
垂直電荷転送レジスター12を構成すべくn型不純物を
含む垂直転送路118が形成され、本実施の形態例で
は、その上に凹部14が形成されている。凹部14の光
電変換素子4側の側壁は、本実施の形態例では、図1に
示したように傾斜しており、凹部14の幅は浅い位置ほ
ど広くなっている。凹部14の内面には、たとえばシリ
コンの酸化物による絶縁膜16が被着され、そして、こ
の絶縁膜16を介し凹部14の内側に、たとえばポリシ
リコンを充填して複数の転送電極18が、垂直転送路1
18の延在方向(図1の紙面に垂直な方向)に所定ピッ
チで形成されている。
【0020】転送電極18の上面は、本実施の形態例で
は、半導体基板6の表面、すなわちp型領域8の上面と
同じ高さとなっている。そして、半導体基板6の表面は
絶縁膜16により覆われ、絶縁膜16の上には光電変換
素子4の箇所を除いて、遮光膜20が形成されている。
遮光膜20および絶縁膜16の上にはカラーフィルター
130が配置され、その上にオンチップレンズ132が
形成されている。
【0021】また、光電変換素子4と、光電変換素子4
に隣接して同光電変換素子4が生成した信号電荷を転送
する垂直転送路118とは、それらの間に介在する、高
濃度のp型不純物を含む読み出しゲート21により分離
され、一方、光電変換素子4と、光電変換素子4に隣接
する他の垂直転送路118とは、それらの間に介在す
る、高濃度のp型不純物を含むチャンネルストップ領域
22により分離されている。
【0022】上記凹部14は、たとえば、半導体基板6
上にシリコンの窒化物による膜を形成して、凹部14の
箇所で開口させるべくパターン化し、このシリコン窒化
物の膜をマスクとして、たとえばドライエッチングを行
って形成することができる。また、絶縁膜16は、シリ
コンの熱酸化などにより形成でき、転送電極18は、凹
部14の内面に絶縁膜16を形成した後、凹部14内に
ポリシリコンを堆積させて形成することができる。
【0023】このように構成された固体撮像素子2で
は、転送電極18が垂直転送路118の上に形成された
凹部14の内側に配設され、その上部は基板表面から突
出していないので、オンチップレンズ132により屈折
して光電変換素子4に斜めに入射する光140は、従来
のように遮光膜によって遮られることなく光電変換素子
4に入射する。したがって、固体撮像素子2では、層内
レンズは不要であり、しかも層内レンズを用いた従来の
固体撮像素子より高い集光率が得られ、固体撮像素子2
の感度が向上する。
【0024】そして、光電変換素子4に斜めに入射する
光が遮光膜20によって遮られないことから、固体撮像
素子2に対し正面から入射する光と、斜めから入射する
光とに対して感度差が小さくなる。さらに、転送電極の
位置や高さのバラツキが原因で生じる、固体撮像素子2
上の位置による感度変動も低減できる。また、凹部14
の形成や、凹部14内への転送電極の形成は容易であっ
て必要な工程数も少なく、一方、層内レンズは不要とな
ることから、全体として工程数を削減することができ
る。
【0025】なお、本実施の形態例では、凹部14の側
壁は上述のように傾斜させるとしたが、側壁を傾斜させ
ない構成とすることも可能であり、その場合にも本発明
は有効である。ただし、側壁が傾斜した構造とする方
が、転送電極18の上部が光電変換素子4側に迫り出
し、転送電極18と光電変換素子4との距離が短くなる
ため、光電変換素子4により生成された信号電荷を効率
よく垂直転送路118に移行させることができる。した
がって、この点では、凹部14の側壁を傾斜させる構造
とすることが好ましい。
【0026】また、本実施の形態例では、転送電極18
の上面はp型領域8の上面と同じ高であるとしたが、転
送電極18の上部は、半導体基板6の表面から若干突出
していてもよく、その場合にも、斜めに入射した光が遮
られないか、あるいは遮られてもその量を僅かなものと
できる。さらに、転送電極18の上部が半導体基板6の
表面より低い位置となる構造とすることも可能である。
【0027】本実施の形態例では、転送電極18はポリ
シリコンにより形成するとしたが、転送電極18をアル
ミニウムやタングステンなどの金属材料により形成する
ことも可能である。その場合には、入射光は転送電極1
8により遮られるため、斜光膜20は不要となり、入射
角の大きい光も光電変換素子4に到達するので、集光率
はいっそう向上する。また、斜光膜を形成するための工
程が不要となるので、製造コストの削減にも有利であ
る。
【0028】
【発明の効果】以上説明したように本発明の固体撮像素
子では、転送電極が、電荷転送路の上に形成された凹部
内に配設されているので、その上部は基板表面から突出
しないか、あるいは突出しても突出量はわずかである。
したがって、光電変換素子に斜めに入射する光は、転送
電極あるいは転送電極上に形成された遮光膜によって遮
られることがなく、その結果、層内レンズを設けなくと
も集光率を充分に高めて固体撮像素子の感度を向上させ
ることができる。
【0029】そして、光電変換素子に斜めに入射する光
が、転送電極や遮光膜などによって遮られないことか
ら、固体撮像素子に対し正面から入射する光と、斜めか
ら入射する光とに対して感度差が小さく、さらに、転送
電極の位置や高さのバラツキが原因で生じる、固体撮像
素子上の位置による感度変動も低減できる。また、凹部
の形成や、凹部内への転送電極形成は容易であって必要
な工程数も少なく、一方、層内レンズは不要となること
から、全体として工程数を削減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による固体撮像素子の一例を示す部分断
面側面図である。
【図2】従来の固体撮像素子の一例を示す平面図であ
る。
【図3】図2における直線Aに沿った断面を示す部分断
面側面図である。
【符号の説明】
2……固体撮像素子、4……光電変換素子、6……半導
体基板、8……p型領域、10……n型領域、12……
垂直電荷転送レジスター、14……凹部、16……絶縁
膜、18……転送電極、20……遮光膜、22……チャ
ンネルストップ領域。

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 第1導電型の半導体基板上に相互に近接
    してマトリクス状に配列された複数の光電変換素子と、
    前記光電変換素子の各列に沿って前記半導体基板上に形
    成されたCCD構造の電荷転送レジスターとを備え、前
    記電荷転送レジスターは、前記半導体基板の表面部に、
    前記光電変換素子の列方向に延設された第2導電型の電
    荷転送路と、同電荷転送路上に配列された複数の転送電
    極とを含んで前記光電変換素子が受光して生成した信号
    電荷を転送する固体撮像素子であって、 前記電荷転送路の上に凹部が形成され、 前記転送電極は、前記凹部内に配設されていることを特
    徴とする固体撮像素子。
  2. 【請求項2】 前記転送電極の上面と、前記光電変換素
    子の上面とはほぼ同一の高さに形成されていることを特
    徴とする請求項1記載の固体撮像素子。
  3. 【請求項3】 前記凹部の内面に絶縁膜が被着され、前
    記凹部の内面と前記転送電極との間に前記絶縁膜が介在
    していることを特徴とする請求項1記載の固体撮像素
    子。
  4. 【請求項4】 前記転送電極および前記光電変換素子の
    上面は絶縁膜により覆われていることを特徴とする請求
    項1記載の固体撮像素子。
  5. 【請求項5】 前記凹部の前記光電変換素子側の側壁
    は、前記凹部の幅が浅い位置ほど広くなるように傾斜し
    て形成されていることを特徴とする請求項1記載の固体
    撮像素子。
  6. 【請求項6】 各光電変換素子ごとに入射光を前記光電
    変換素子に集めるオンチップレンズが各光電変換素子の
    上方に形成されていることを特徴とする請求項1記載の
    固体撮像素子。
  7. 【請求項7】 各光電変換素子ごとに入射光を前記光電
    変換素子に集める層内レンズが、各光電変換素子とオン
    チップレンズとの間に形成されていることを特徴とする
    請求項6記載の固体撮像素子。
  8. 【請求項8】 前記光電変換素子の上方にカラーフィル
    ターが設けられ、前記カラーフィルターはオンチップレ
    ンズの下に配置されていることを特徴とする請求項6記
    載の固体撮像素子。
  9. 【請求項9】 前記光電変換素子は、前記半導体基板の
    表面部に局所的に積層された第1導電型および第2の導
    電型の領域を含むフォトダイオードにより構成されてい
    ることを特徴とする請求項1記載の固体撮像素子。
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