JP2011243791A - 固体撮像素子 - Google Patents
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Abstract
【課題】 フォトダイオード間の信号電荷漏れ、混色やノイズ発生を防止し、また高感度、高ダイナミックレンジを実現できる固体撮像素子を提供する。
【解決手段】 複数のフォトダイオード1の列と垂直転送領域2が交互に形成され、垂直方向に互いに隣接するフォトダイオード1間には素子分離が形成される。各素子分離上には電気的にフローティングとされた中間電極4が設けられ、また垂直転送領域2上には垂直転送電極3が設けられる。さらに素子分離上の中間電極4の上層を通ると共にコンタクト孔7を通じて垂直転送電極3に電気的接続され、信号電荷の読み出しおよび転送を行うためにクロックパルスが印加される配線5が形成される。また、1画素において1つのフォトダイオードに対し、1つの垂直転送電極3と1本の配線5が割り当てられる。
【選択図】 図1
【解決手段】 複数のフォトダイオード1の列と垂直転送領域2が交互に形成され、垂直方向に互いに隣接するフォトダイオード1間には素子分離が形成される。各素子分離上には電気的にフローティングとされた中間電極4が設けられ、また垂直転送領域2上には垂直転送電極3が設けられる。さらに素子分離上の中間電極4の上層を通ると共にコンタクト孔7を通じて垂直転送電極3に電気的接続され、信号電荷の読み出しおよび転送を行うためにクロックパルスが印加される配線5が形成される。また、1画素において1つのフォトダイオードに対し、1つの垂直転送電極3と1本の配線5が割り当てられる。
【選択図】 図1
Description
本発明は固体撮像素子、特にCCD(Charge coupled Device)型の固体撮像素子の構造に関するものである。
従来から固体撮像素子、例えばインターライン型のCCDはビデオカメラやデジタルカメラに広く採用されている。このインターライン型CCDは複数の光電変換素子(フォトダイオード)と半導体基板に形成された電荷転送領域を含む垂直転送CCDを一列ごとに交互に配置し、各垂直転送CCD列の端部を水平転送CCDに接続した構成を有している。また水平転送CCDはアンプ部に接続されている。
図8は従来のCCD型固体撮像素子における一画素の代表的な構成を示す平面レイアウト図である。図8において、フォトダイオード41に隣接して垂直転送CCDを構成すると共に信号電荷を垂直方向に転送する垂直転送領域42が半導体基板に設けられている。そして1画素内においては、フォトダイオード41の1個に対して垂直転送CCDを駆動するための垂直転送用電極がフォトダイオード41を取り囲むように2本(第1垂直転送電極43aおよび第2垂直転送電極43b)設けられている。
このような画素セルを有するCCDは例えば各垂直転送電極に4相のクロックパルス電圧を印加して駆動することができる。この駆動方式の場合、例えば第1垂直転送電極43aにハイレベルのクロックパルス電圧が印加され、同時に第2垂直転送電極43bにはミドルレベルまたはローレベルのクロックパルス電圧が印加される。これによりフォトダイオード41で生成された信号電荷は第1垂直転送電極43a直下の垂直転送領域42に読み出され、一方第2垂直転送電極43b下の垂直転送領域42にはポテンシャルウエルの電位障壁が形成され、第2垂直転送電極43bによっては信号電荷の読み出しは行われない。
以上のような垂直転送電極を有するCCDでは、第1垂直転送電極43aに対応して形成できるポテンシャルウエルの長さが1個のフォトダイオード41の垂直転送方向の長さの約半分となるため、ポテンシャルウエルに読み出して転送時に取り扱うことのできる飽和電荷量が小さく、固体撮像素子のS/N比やダイナミックレンジを向上させることが困難であるという問題がある。
これを改善するための方法は例えば特許文献1に開示されている。図9は特許文献1が開示するCCD構造と同一概念を有する、一画素を中心とする領域のレイアウト図である。図9が示す画素では、1画素内に1個のフォトダイオード41とそのフォトダイオード41を取り囲むような形状を有する一本の垂直転送電極44が設けられる。垂直転送電極を図9のような構成とすることにより、図8に示す画素が有する2本分の垂直転送電極43a、43bを用いて垂直転送領域42に信号電荷を読み出すことと等価となり、図8に示す画素と比較して約2倍の信号電荷を読み出すことができるようになる。すなわち転送時の飽和電荷量の増大を図ることができる。そして4相クロックパルス電圧で駆動させることも可能となっている。これに類する技術は特許文献2にも記載されている。
CCDなどの固体撮像素子ではフォトダイオードに蓄積された信号電荷を垂直転送領域に読み出す場合、垂直転送電極に例えば+12Vのような高い電圧を印加して行う。一方図8および図9に示したように、垂直転送電極43a、43bあるいは44は、垂直方向に互いに隣接する2個のフォトダイオード41の間にあり、それらフォトダイオード41を垂直方向に電気的に分離する半導体基板に形成された分離領域上を通るように設けられる。しかもそれら垂直転送電極はゲート絶縁膜程度の薄い絶縁膜を介して分離領域から電気的に絶縁されているだけであるので、信号電荷の読み出しを行うときに上記分離領域中のキャリアが垂直転送電極からの強い電界の影響を受けることになる。
図9に示した画素における垂直転送電極44はフォトダイオード41を垂直方向に分離する分離領域のほぼ全域を通るように配置されるので、信号電荷を読み出すための高いクロックパルス電圧が垂直転送電極44に印加されると、場合によっては分離領域の表面に反転層が形成され、フォトダイオード41に蓄積された信号電荷の一部が隣接する他のフォトダイオード41に漏れることによっていわゆる混色が発生したり、ノイズの原因となる。図9に示した垂直転送電極の配置は信号電荷転送時の飽和電荷量が改善できる効果は有するのであるが上記のような課題があった。
これに対して図8に示した画素においては互いに隣接するフォトダイオード41の1つの分離領域上に第1垂直転送電極43aおよび第2垂直転送電極43bの2本を通す構造となっている。従って第1垂直転送電極43aにハイレベルのクロックパルス電圧を印加してフォトダイオード41から信号電荷を読み出している期間であっても、第2垂直転送電極43bにはミドルレベルもしくはローレベルのクロックパルス電圧が印加された状態となっている。このためフォトダイオード41間の分離領域の、第1垂直転送電極43aによる高電界の影響を受ける領域が制限され、混色などの問題が発生しにくいと考えられる。しかしながらすでに述べたように垂直転送領域42における取り扱い飽和電荷量が小さいという課題は残されたままになっている。
本発明は上記課題を解決するものであって、フォトダイオードからの信号電荷読み出し動作のような固体撮像素子の駆動中に発生する強電界などにより問題が生ずることを防止できる固体撮像素子の構造を提供することを目的とする。またそれと共に垂直転送時における取り扱い飽和電荷量の増大を実現できる固体撮像素子の構造を提供することを目的とするものである。
上記課題を解決するための本発明に係る固体撮像素子は、半導体基板に行および列をなすようにマトリックス状に配列され、入射光を光電変換して信号電荷を生成するための複数の光電変換部と、前記複数の光電変換部からなる列の間に設けられ、前記列が延びる方向に沿って延びる、前記信号電荷を転送するための垂直転送領域と、前記列が延びる方向に互いに隣接する前記光電変換部の間の前記半導体基板に設けられた素子分離と、前記素子分離上に絶縁膜を介して形成された中間電極と、前記複数の光電変換部からなる行が延びる方向に沿って延びると共に前記中間電極上を通り、前記信号電荷を前記垂直転送領域に読み出して転送するための垂直転送電極配線とを備えたものである。
この固体撮像素子においては、前記垂直転送電極配線の上層に形成され、前記列が延びる方向に互いに隣接する前記光電変換部の間を通って、前記行が延びる方向に沿って延びるストライプ形状を有するパターン層を備えるようにすることができる。
あるいは、前記垂直転送電極配線の上層に形成され、前記列が延びる方向に互いに隣接する前記光電変換部の間を通って、前記行が延びる方向に沿って延びるストライプ形状を有する第1の部分と、前記垂直転送電極配線より上層に形成され、前記行が延びる方向に互いに隣接する前記光電変換部の間を通って、前記列が延びる方向に沿って延びるストライプ形状を有する第2の部分とを組み合わせた網目状のパターン層を備えるようにすることができる。
この固体撮像素子の望ましい形態では、前記中間電極を電気的にフローティングとする、また前記パターン層が導電材料からなり、前記中間電極に電気的に接続する構成とする。
また前記垂直転送電極配線は、さらに具体的には前記垂直転送領域上に設けられた垂直転送電極と、前記行が延びる方向に沿って延びると共に前記中間電極上を通り、前記垂直転送電極に電気的に接続する配線からなるようにすることができる。この場合において前記垂直転送電極と前記中間電極とを同一の導電膜から形成されたものとすることが望ましい。
前記配線は、前記光電変換部の、前記列が延びる方向への配列ピッチより小さく、且つ前記光電変換部の、前記列が延びる方向の幅より大きい一定の幅を有すると共に、前記光電変換部の表面を露出させる開口を有するようにできる。
また前記パターン層あるいは前記配線は、前記入射光に対して遮光性を有する膜からなる構成にもできる。特にこのようなパターン層は、前記パターン層の上層に、前記光電変換部に前記入射光を集光するためのレンズを備えた固体撮像装置に適用することが有益である。
本発明に係る固体撮像素子は、上に説明したように光電変換部の列が延びる方向に互いに隣接する当該光電変換部の間に設けられた素子分離上に中間電極が形成され、その中間電極上を通るように垂直転送電極配線が形成されたものである。中間電極上のような半導体基板の表面から高い位置に垂直転送電極配線を形成したことにより、垂直転送電極配線と素子分離との距離が大きくなるので、垂直転送電極配線からの強電界が素子分離に及びにくくなる。また垂直転送電極配線の下の中間電極によって強電界を遮蔽することが可能となる。
従って素子分離における上記強電界に起因して発生する混色やノイズ発生を防止することができる。また、本発明に係る固体撮像素子における上述の種々の構成によって他の様々な効果を奏することができる。
以下、本発明の固体撮像素子に係る実施形態を図面を参照しながら説明する。なお、本発明の実施形態においてはインターライン型CCDを例にとる。図6はインターライン型CCDの概略構成を示す図である。図6を参照すると、固体撮像素子(CCD)30には撮像領域31が設けられており、入射光を光電変換し信号電荷を生成するためのフォトダイオード(光電変換部)32、フォトダイオード32で生成された信号電荷を垂直方向に転送するための垂直転送領域(垂直電荷転送領域)33、垂直転送領域33によって転送されてきた信号電荷を水平方向に転送するための水平転送領域(垂直電荷転送領域)34からなる。
複数個のフォトダイオード32は半導体基板の表面部にマトリックス状に配列され、フォトダイオード32の各列間にその列が延びる方向に沿って平行に垂直転送領域33が配置されている。図6には垂直転送電極配線は記載していないが、複数の垂直転送電極配線のそれぞれは撮像領域31の右端領域から左端領域まで水平方向、すなわち複数のフォトダイオード32からなる行が延びる方向に沿って平行に延びている。また水平転送領域34で転送されてきた信号電荷は出力アンプ35を介して電気信号として出力される。以降、フォトダイオード配列の1列が延びる方向を垂直方向、フォトダイオードの1行が延びる方向を水平方向ということにして説明する。
(実施形態1)
図1は本発明の固体撮像素子に係る第1の実施形態における1画素とその周囲に配置された他の画素の一部分までを表示する平面レイアウト図である。また、図2は図1のA−A‘線に沿う断面図であり、図3は図1のB−B’線に沿う断面図である。まず、図1および図2により、固体撮像素子の平面構成およびA−A‘線方向の断面構成を説明する。図2において、N型シリコン基板(半導体基板)9上にP型ウエル10が形成されるが、このP型ウエル10はN型シリコン基板9に熱拡散により形成されてもよいし、N型シリコン基板9上にエピタキシャル成長にて形成されたエピタキシャル層であってもよい。本発明の実施形態ではP型ウエル10が半導体基板からなるか、エピタキシャル層からなるかに係らず半導体層と見なすことができる。
図1は本発明の固体撮像素子に係る第1の実施形態における1画素とその周囲に配置された他の画素の一部分までを表示する平面レイアウト図である。また、図2は図1のA−A‘線に沿う断面図であり、図3は図1のB−B’線に沿う断面図である。まず、図1および図2により、固体撮像素子の平面構成およびA−A‘線方向の断面構成を説明する。図2において、N型シリコン基板(半導体基板)9上にP型ウエル10が形成されるが、このP型ウエル10はN型シリコン基板9に熱拡散により形成されてもよいし、N型シリコン基板9上にエピタキシャル成長にて形成されたエピタキシャル層であってもよい。本発明の実施形態ではP型ウエル10が半導体基板からなるか、エピタキシャル層からなるかに係らず半導体層と見なすことができる。
P型ウエル10にはN型不純物層11およびその上の高不純物濃度のP型不純物層12が形成され、この2つの不純物層により、入射光を光電変換し信号電荷を蓄積するフォトダイオード(光電変換部)1を構成する。フォトダイオード1は図1において点線で囲まれる矩形領域として表示される。フォトダイオード1の領域の左側にはN型の転送チャネル13およびその下にP型不純物層14が形成されており、これら2つの層がフォトダイオード1で生成された信号電荷を転送する垂直転送領域(垂直電荷転送領域)2を構成する。垂直転送領域2は図1の点線で示すようにストライプ状であって垂直方向に延びる。
フォトダイオード1と垂直転送領域2との間には、図1には示さないがP型の読み出しゲート層15が設けられ、そのP型の不純物濃度はP型ウエル10よりも高い所定の濃度に設定されており、フォトダイオード1で生成された信号電荷は読み出しゲート層15を通じて転送チャネル13へ読み出すことができる。また、図1には示さないが転送チャネル13の左およびP型不純物層12およびN型不純物層11(フォトダイオード1)の右に隣接して高不純物濃度を有するP型の素子分離16が形成されている。この素子分離16は、注目する画素に属するフォトダイオード1および垂直転送領域2と、隣接する画素に属するフォトダイオードおよび垂直転送領域とを電気的に絶縁するものである。
P型ウエル10の表面上、すなわち転送チャネル13および読み出しゲート層15、素子分離16の一部表面上にはゲート絶縁膜としての薄い絶縁膜17を介して例えばシリコン膜からなる垂直転送電極3が形成され、図1に示すようにその水平方向の幅は、水平方向に互いに隣接するフォトダイオード1間の幅より小さく、また垂直方向の長さはフォトダイオード1の垂直方向への配列ピッチp(図1参照)より小さく、矩形形状を有する。また垂直転送電極3の垂直方向の配列間隔は信号電荷の転送効率を確保するためにできるだけ微小にされる。
垂直転送電極3の上層には配線5が形成され、垂直転送電極3を被覆すると共にシリコン酸化膜などからなる層間絶縁膜18に開孔されたコンタクト孔7を通じて垂直転送電極3と電気的に接続されている。この配線5は、撮像領域31(図6参照)の右端領域から左端領域まで水平方向に連続的に延びるように設けられ、固体撮像素子を駆動するための駆動信号(クロックパルス電圧)が印加されるものである。このようにして垂直転送電極3および配線5の組み合わせは図6に関して説明した垂直転送電極配線をなすものであり、駆動信号が印加されて、フォトダイオード1で生成された信号電荷を転送チャネル13に読み出し、または該信号電荷の垂直転送を行う機能を担うものである。
また配線5はフォトダイオード1の表面に近いという理由で遮光性を有する膜で構成し、遮光膜の機能も兼ね備えるようにしているため、強い入射光により垂直転送領域2への電荷漏れによりスミアが発生することも抑制する。配線5の平面パターンとしては、図1に示すようにその幅wはフォトダイオード1の垂直方向への配列ピッチpより小さく、フォトダイオード1の垂直方向の幅より大きい。このため、フォトダイオード1上の表面領域をほとんど露出させる大きい開口6が形成され、フォトダイオード1上をできる限り回避すると同時に互いに隣接するフォトダイオード1間の領域を通る幅の狭い部分を有する。そして隣接する別の配線5とはフォトダイオード1間の上で狭いギャップgをもって分離されている。配線5にはタングステンのような高融点金属、高融点金属とそのシリサイドの積層膜、アルミニウムやその合金を材料として使用することができる。
配線5の上層にはシリコン酸化膜などからなる層間絶縁膜19を介してパターン層8が形成されるが、固体撮像素子のどの部分にも電気的に接続されていない。このパターン層8は互いに隣接するフォトダイオード1の水平方向および垂直方向の間の領域上を通り、水平方向および垂直方向に延びるストライプ形状のパターンの組み合わせ、すなわち網目状パターンを有し、撮像領域31(図6)全面に渡って配置されている。パターン層8は図1に示すように特に垂直方向に隣接すると共に遮光膜として働く配線5間のギャップg上を覆うので、パターン層8が遮光性を有する膜とすればこの部分の遮光性を補償する役目を果たすことができる。従ってパターン層8には配線5と同様な材料を用いることが望ましい。
パターン層8上にはシリコン酸化膜などからなる層間絶縁膜20が形成され、さらにその上にはBPSG等からなる厚い層間絶縁膜21が形成されその表面が平坦化されている。さらに層間絶縁膜21上で且つフォトダイオード1の直上の領域には、フォトダイオード1の領域に入射光を効率的に集光するための層内レンズ22が設けられる。
次に図1および図3により固体撮像素子のB−B‘線方向の断面構成を中心に説明する。図3においては図2と同一部分には同一符号を付加しているので、それらの部分の詳細な説明は省略する。まずN型不純物層11およびP型不純物層12からなるフォトダイオード1の間には前述のP型の素子分離16が形成される。そしてP型ウエル10の表面上、すなわち素子分離16からN型不純物層12の一部分の表面上にかけて、前述のゲート絶縁膜としての薄い絶縁膜17を介して中間電極4が形成されている。
この中間電極4は例えば垂直転送電極3を構成する材料膜と同一の膜、例えばシリコン膜などを用いて垂直転送電極3と同時に形成される。その平面パターンは図1に示すように矩形であり、その幅は隣接するフォトダイオード1を垂直方向に分離する素子分離16の部分の幅より僅かに大きく、また水平方向の長さはフォトダイオード1の水平方向の一辺の長さより僅かに長く設定される。そして中間電極4は垂直転送電極3の垂直方向への配列によって分断されていると共に垂直転送電極3との間隔を例えば50nm〜200nmに設定することができる。さらに中間電極4は固体撮像素子のどの部分とも電気的に接続されず、電気的にフローティングの状態とされる。
中間電極4の上層には層間絶縁膜18を介して配線5が形成されている。そして隣接する配線5間の分離ギャップgは中間電極4の直上に位置する。配線5の上層、特に配線5の前記分離ギャップg上には上に述べたパターン層8が形成され、配線5と共に遮光膜の一部として働く。パターン層8上には層間絶縁膜20および21、層内レンズ22が形成されている。そして図2および図3には図示を省略しているが、層内レンズ22上に入射光に対して透過率の高い樹脂からなる平坦化層が形成され、さらにその上に例えばカラーフィルタが設けられ、カラーフィルタ上にはオンチップレンズが形成される。
以上説明したように本発明の第1の実施形態に係る固体撮像装置における1個の画素は、1個のフォトダイオード1と、垂直転送電極3および駆動用のクロックパルス電圧が印加される配線5とが電気的に一体となった1本の垂直転送電極配線と、垂直転送電極3と対向する垂直転送領域2と、電気的にフローティングの中間電極4とを含む構成を有するものである。特に電気的にフローティング状態にある中間電極4を、フォトダイオード1を垂直方向に分離する素子分離16上に設けたことによって、フォトダイオード1で生成された信号電荷を垂直転送電極3により転送チャネル13に読み出すために配線5に12Vというような高い電圧のクロックパルスを配線5に印加しても、配線5からの強電界が中間電極4によって遮蔽される。また中間電極4と配線5とを絶縁するために必要な層間絶縁膜18が存在することによって配線5と素子分離16との距離が大きくなる。この2つの要因で配線5の下の素子分離16に強電界の影響が極めて及びにくくすることができる。このため素子分離16の表面の反転層などの形成を抑制でき、隣接するフォトダイオード1間の信号電荷漏れがなくなり混色やノイズ発生を防止することができる。
また、1画素あたり一本の垂直転送電極配線が割り当てられる構成であるので、垂直転送電極3の特に垂直転送方向の長さをフォトダイオード1あるいは画素の一辺の長さと同程度に大きくすることができ、これによって垂直転送領域2における取り扱い飽和電荷量が向上し、固体撮像素子を高感度化することができる。
本発明に係る固体撮像素子の画素構成は上記の効果の他にも利点を有する。例えばフォトダイオード1を取り囲むように配置される垂直転送電極3および中間電極4を同一の材料膜から形成する場合には同一膜厚を有するので両電極の高さが同一となる。また配線5はフォトダイオード1を水平および垂直方向に均等に取り囲む開口6を有し、さらにパターン層8もフォトダイオード1を水平および垂直方向に均等に取り囲む網目状パターンを有している。遮光膜として働く配線5およびパターン膜8と共に垂直転送電極3および中間電極4も遮光性を有する材料とするとき、フォトダイオード1はその周囲をほぼ均一の高さを有する前記複数の遮光性の膜でほぼ均等に囲まれることになる。
一方、層内レンズ22はフォトダイオード1の領域へ入射光を集中させて入射させ、高い入射効率を達成するために水平面上での異なる方向、すなわち水平および垂直方向の曲率が異なるように形成することは設計上においても製造上においても複雑な過程を要するものであるが、本発明によれば上に述べたようにフォトダイオード1の周囲をほぼ同一の高さを有する遮光性の膜で水平方向および垂直方向にほぼ均等に囲まれるようにすることができるので、層内レンズ22の表面曲率も水平面上での異なる方向に対して均一に近づけて形成できると共に固体撮像素子の高感度化が図れ、また垂直転送電極3および中間電極4、配線5、パターン膜8という3重の遮光性膜により高強度の入射光が原因となるスミアの低減や混色が防止できる。また層内レンズは、層間絶縁膜21上に、上に凸の形状を有する層内レンズ22(図2、図3を参照)として設けることができるだけでなく、図2および図3に示すように、層間絶縁膜21の、上記3重の遮光性膜からなる構造の間の凹部に形成された部分が下に凸のレンズ形状となっているので、この部分も層内レンズとして採用することができる。
(実施形態2)
図4は本発明の固体撮像素子に係る第2の実施形態における1画素とその周囲に配置された他の画素の一部分までを表示する平面レイアウト図である。また図5は図4のD−D‘線に沿う断面図である。第2の実施形態による固体撮像素子の大部分は第1の実施形態による固体撮像素子と同様の構成を有する。すなわち、フォトダイオード1、垂直転送領域2、垂直転送電極3、コンタクト孔7、N型シリコン基板9、P型ウエル10、N型不純物層11、P型不純物層12、N型の転送チャネル13、P型不純物層14、読み出しゲート層15、素子分離16、絶縁膜17、層間絶縁膜18、19,20、21、層内レンズ22は第1の実施形態の固体撮像素子のものと同一の形状、寸法、相対的配置、構成材料からなり、また同一の機能を有するものとする。
図4は本発明の固体撮像素子に係る第2の実施形態における1画素とその周囲に配置された他の画素の一部分までを表示する平面レイアウト図である。また図5は図4のD−D‘線に沿う断面図である。第2の実施形態による固体撮像素子の大部分は第1の実施形態による固体撮像素子と同様の構成を有する。すなわち、フォトダイオード1、垂直転送領域2、垂直転送電極3、コンタクト孔7、N型シリコン基板9、P型ウエル10、N型不純物層11、P型不純物層12、N型の転送チャネル13、P型不純物層14、読み出しゲート層15、素子分離16、絶縁膜17、層間絶縁膜18、19,20、21、層内レンズ22は第1の実施形態の固体撮像素子のものと同一の形状、寸法、相対的配置、構成材料からなり、また同一の機能を有するものとする。
また図4のC−C‘線に沿う断面も第1の実施形態の固体撮像素子におけるA−A’線に沿う断面構造と同一であるから説明を省略する。従って図4に示す平面レイアウトおよび図5に示すD−D‘線に沿う断面について第1の実施の形態と異なる部分を中心として説明する。
図5において互いに隣接するフォトダイオード1間を垂直転送方向に分離する素子分離16上、およびフォトダイオード1を構成するP型不純物層12の一部領域上に薄い絶縁膜17を介し、第1の実施形態と同様に導電材料からなる中間電極4が形成される。中間電極4は例えば垂直転送電極3を構成する材料膜と同一の膜、例えばシリコン膜などを用いて同時に形成される。中間電極4は矩形であり、その幅は隣接するフォトダイオード1を垂直方向に分離する素子分離16の部分の幅より僅かに大きく、また水平方向の長さはフォトダイオード1の水平方向の一辺の長さより僅かに長く設定される。そして中間電極4と垂直転送電極3との間隔を例えば50nm〜300nmに設定することができる。
中間電極4の直上には、互いに隣接する画素のそれぞれに属する配線5間のギャップ領域g(図4参照)を被覆するように入射光に対して遮光性を有する導電材料からなるパターン層8が形成されている。そして中間電極4を被覆する層間絶縁膜18および19を貫通し中間電極4の表面に達するコンタクト孔23を通じて中間電極4とパターン層8が電気的に接続されている。パターン層8は図4に示すように網目状パターンを有し、撮像領域31(図6参照)全面に渡って配置される。
中間電極4とパターン層8を接続するコンタクト孔23は互いに隣接する配線5間の狭いギャップ領域gに形成しなければならないので、図4に示すように配線5のパターンはコンタクト孔23に対向する端部に切り欠きを形成し、配線5の間隔を大きくする。それと共にコンタクト孔23の寸法はコンタクト孔7の寸法より小さくする必要がある。このため図5に示すようにコンタクト孔23にタングステンなどからなるプラグを埋め込み、プラグを介して中間電極4とパターン層8とを電気接続することが望ましい。しかしながら許されるならばコンタクト孔23内に直接パターン層8を構成する導電材料の膜を形成し、中間電極4に直接接触させるようにすることも可能である。
このように第2の実施の形態に係る固体撮像素子は中間電極4とパターン層8との接続部分を除き同様の構成を有する。この固体撮像素子において、フォトダイオード1で生成された信号電荷を垂直転送電極3により転送チャネル13に読み出す動作を行うときは、パターン層8から中間電極に例えば常時0Vの駆動信号を与えた上で、配線5に12Vというような高い電圧のクロックパルスを印加する。これにより配線5からの強電界が中間電極4によって遮蔽され、第1の実施の形態と同様に互いに垂直転送方向に隣接するフォトダイオード1間に位置する素子分離16の表面の反転層などの形成を抑制でき、当該フォトダイオード1間の信号電荷漏れがなくなり混色やノイズ発生を防止する効果を奏することができる。
なお中間電極4に駆動信号を与えるタイミングは、上に述べたように常時印加すること以外に、少なくとも配線5に信号電荷読み出し用のクロックパルスを印加している期間とすることができる。またパターン層8を電気的にフローティングとすれば第1の実施の形態と同様、中間電極4をフローティング状態とすることができる。このような意味で本実施の形態ではパターン層8は配線として機能するものである。
また垂直転送電極3および中間電極4、配線5、パターン膜8の高さを均一にできるので、第1の実施形態と同様に層内レンズ22の表面曲率を水平面における異なる方向に対して均一に近づけて形成でき、固体撮像素子の高感度化が図れると共にスミアの低減や混色が防止できることは言うまでもない。
以上第1および第2の実施の形態に係る固体撮像素子について説明したが、これらの固体撮像素子は共に例えば以下のように駆動することができる。図7は固体撮像素子、特にインターライン型CCDを4相駆動方式で駆動する方法を説明する概略模式図である。図7はCCDにおけるマトリックス状画素アレイのうち垂直転送方向に配列された画素4個分に対応する領域を選択して示すものである。4個のフォトダイオード1a、1b、1c、1dに隣接して垂直転送領域が設けられるが、各フォトダイオードが属する画素に対応して垂直転送領域2a、2b、2c、2dに分けられる。
まず、フォトダイオード1a〜1d上に形成された開口部6(図1、図4参照)を通じて入射した入射光をフォトダイオード1a〜1dにて光電変換し発生したそれぞれの信号電荷の蓄積を行う。次にフォトダイオード1aに対応する配線5(図1、図4参照)を通じて読み出し用クロックパルス電圧φ1(例えば+12V:ハイレベル)を垂直転送電極3(図1、図4参照)に印加し、フォトダイオード1aに蓄積された信号電荷を垂直転送領域2aに読み出す。この時、フォトダイオード1b、1cに対応する配線5および垂直転送電極3にはそれぞれφ2(例えば0V:ミドルレベル)、φ3(例えば0V:ミドルレベル)、フォトダイオード1dに対応する配線5および垂直転送電極3にはφ4(例えば−6V:ローレベル)のクロックパルス電圧が印加される。
これにより垂直転送領域2aにはフォトダイオード1aから読み出された信号電荷が一時的に蓄積された深いポテンシャルウエルが形成され、垂直転送領域2b、2cには電荷転送可能状態の比較的浅いポテンシャルウエルが形成され、垂直転送領域2dにはポテンシャル障壁が形成される。次にφ1のみに例えばローレベル(−6V)のクロックパルス電圧を印加すると垂直転送領域2aにはポテンシャル障壁が生じてポテンシャルウエルは垂直転送領域2b、2c内だけとなり、垂直転送領域2aに蓄積された前記信号電荷がこのポテンシャルウエルに転送される。
これ以降クロックパルス電圧φ1〜φ4のレベルを適宜順次切り替えることによって2個分の垂直転送領域のポテンシャルウエルを移動させ、信号電荷を垂直転送領域(例えば図6の符号33)に沿って水平転送領域34まで転送する。このような駆動方法はインターレース方式に属するものであるが、当該4相駆動方式に限らず一般的にはN(N≧3)相駆動以上の駆動方式を採用することができる。その場合垂直インターレース数はNとなる。
本発明に係る固体撮像素子では上に述べたように、1画素あたり一本の垂直転送電極配線が割り当てられるので垂直転送電極の寸法を大きく取ることができ、各画素に対応する垂直転送領域2a〜2dにおける取り扱い飽和電荷量が向上し、固体撮像素子のS/N比やダイナミックレンジを改善することができる。またインターレース方式を採用して低い駆動周波数で高解像度の映像を得ることができる。さらに駆動方法としてインターレース方式だけでなくプログレッシブなど任意の駆動方式を採用できる。
以上固体撮像素子として第1および第2の実施形態によるものを示したが、本発明に係る固体撮像素子の構造はそれらに限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、中間電極4の垂直方向の幅は配線5に印加されるクロックパルス電圧による高電界を十分に遮蔽するため、垂直方向に隣接するフォトダイオード1間に位置する素子分離16の幅以上であることが望ましいが、層内レンズ22の表面曲率、形状や配線5の開口6の寸法の最適化と連動して任意に決定してもよい。配線5はその下部に層間絶縁膜18が存在するために素子分離16から比較的離れているという要因からだけでも配線5の強電界が素子分離16に及ぼす影響がかなり軽減されるからである。
また、パターン層8は垂直転送電極3上を通る垂直方向のストライプ形状パターンと中間電極4上を通る水平方向のストライプ形状パターンとの合成からなる網目状パターンとしたが、画素内でのパターン層8の配置均一性を無視し、パターン層8の表面高さの不均一性が許容され、また層内レンズ22の水平面内の異なる方向において表面曲率が異なることが許容されるならば、中間電極4上を通り水平方向に延びるストライプ形状パターン部のみからなるパターンであってもよい。
また、配線5は一本の配線5がフォトダイオード1の上下両側を水平方向に延びると共に開口6を有するものとしたが、図9に示す垂直転送電極44のようにフォトダイオード1の上下いずれか片側を水平方向に延び、他方の側は開放された形状とすることもできる。この場合配線5はフォトダイオード1付近を通る部分で片側が開放されているので遮光性は若干劣るが、隣接する配線5間のギャップを、垂直方向に互いに隣接するフォトダイオード1間の領域に設ける必要がなくなるので、配線5のフォトダイオード1間を通る部分の幅を狭くしてフォトダイオード1の占有面積を増加させることができる。あるいはフォトダイオード1間の占有面積を一定に保ちつつその間隔を狭くし、固体撮像素子全体の寸法を縮小することができる。
本発明に係る固体撮像素子によれば高感度化、低スミア化、混色防止、垂直転送時の飽和電荷容量の増大が実現でき、さらにノイズ低減できるので、各種のカメラ等に採用して有用なものである。
1、1a、1b、1c、1d、32 フォトダイオード
2、2a、2b、2c、2d、33 垂直転送領域
3 垂直転送電極
4 中間電極
5 配線
6 開口
7、23 コンタクト孔
8 パターン層
9 N型シリコン基板
10 P型ウエル
11 N型不純物層
12、14 P型不純物層
13 転送チャネル
15 読み出しゲート層
16 素子分離
17 絶縁膜
18、19、20、21 層間絶縁膜
22 層内レンズ
30 固体撮像素子
31 撮像領域
34 水平転送領域
35 出力アンプ
2、2a、2b、2c、2d、33 垂直転送領域
3 垂直転送電極
4 中間電極
5 配線
6 開口
7、23 コンタクト孔
8 パターン層
9 N型シリコン基板
10 P型ウエル
11 N型不純物層
12、14 P型不純物層
13 転送チャネル
15 読み出しゲート層
16 素子分離
17 絶縁膜
18、19、20、21 層間絶縁膜
22 層内レンズ
30 固体撮像素子
31 撮像領域
34 水平転送領域
35 出力アンプ
Claims (11)
- 半導体基板に行および列をなすようにマトリックス状に配列され、入射光を光電変換して信号電荷を生成するための複数の光電変換部と、
前記複数の光電変換部からなる列の間に設けられ、前記列が延びる方向に沿って延びる、前記信号電荷を転送するための垂直転送領域と、
前記列が延びる方向に互いに隣接する前記光電変換部の間の前記半導体基板に設けられた素子分離と、
前記素子分離上に絶縁膜を介して形成された中間電極と、
前記複数の光電変換部からなる行が延びる方向に沿って延びると共に前記中間電極上を通り、前記信号電荷を前記垂直転送領域に読み出して転送するための垂直転送電極配線と、
を備えたことを特徴とする固体撮像素子。 - 前記垂直転送電極配線の上層に形成され、前記列が延びる方向に互いに隣接する前記光電変換部の間を通って、前記行が延びる方向に沿って延びるストライプ形状を有するパターン層を備えたことを特徴とする請求項1に記載の固体撮像素子。
- 前記垂直転送電極配線の上層に形成され、前記列が延びる方向に互いに隣接する前記光電変換部の間を通って、前記行が延びる方向に沿って延びるストライプ形状を有する第1の部分と、前記垂直転送電極配線より上層に形成され、前記行が延びる方向に互いに隣接する前記光電変換部の間を通って、前記列が延びる方向に沿って延びるストライプ形状を有する第2の部分とを組み合わせた網目状のパターン層を備えたことを特徴とする請求項1に記載の固体撮像素子。
- 前記中間電極は電気的にフローティングとされていることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の固体撮像素子。
- 前記パターン層は導電材料からなり、前記中間電極に電気的に接続していることを特徴とする請求項2または3に記載の固体撮像素子。
- 前記垂直転送電極配線は、前記垂直転送領域上に設けられた垂直転送電極と、前記行が延びる方向に沿って延びると共に前記中間電極上を通り、前記垂直転送電極に電気的に接続する配線からなることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の固体撮像素子。
- 前記垂直転送電極と前記中間電極は同一の導電膜から形成されていることを特徴とする請求項6に記載の固体撮像素子。
- 前記配線は、前記光電変換部の、前記列が延びる方向への配列ピッチより小さく、且つ前記光電変換部の、前記列が延びる方向の幅より大きい一定の幅を有すると共に、前記光電変換部の表面を露出させる開口を有することを特徴とする請求項6に記載の固体撮像素子。
- 前記パターン層は前記入射光に対して遮光性を有する膜からなることを特徴とする請求項2または3に記載の固体撮像素子。
- 前記配線は前記入射光に対して遮光性を有する膜からなることを特徴とする請求項6または8に記載の固体撮像素子。
- 前記パターン層の上層に、前記光電変換部に前記入射光を集光するためのレンズを備えたことを特徴とする請求項9に記載の固体撮像素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010115276A JP2011243791A (ja) | 2010-05-19 | 2010-05-19 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2010115276A JP2011243791A (ja) | 2010-05-19 | 2010-05-19 | 固体撮像素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2011243791A true JP2011243791A (ja) | 2011-12-01 |
Family
ID=45410142
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2010115276A Pending JP2011243791A (ja) | 2010-05-19 | 2010-05-19 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2011243791A (ja) |
-
2010
- 2010-05-19 JP JP2010115276A patent/JP2011243791A/ja active Pending
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