JPS5836078A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPS5836078A JPS5836078A JP56133503A JP13350381A JPS5836078A JP S5836078 A JPS5836078 A JP S5836078A JP 56133503 A JP56133503 A JP 56133503A JP 13350381 A JP13350381 A JP 13350381A JP S5836078 A JPS5836078 A JP S5836078A
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- Japan
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- Pending
Links
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 7
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
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- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 10
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02162—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
- H01L31/02164—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors for shielding light, e.g. light blocking layers, cold shields for infrared detectors
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は固体撮像装置の改良に関する。
半導体基板を利用した固体撮像装置の主要部分は、光電
変換部と電荷転送部と入力出力等を含めた周辺回路部分
である。このような固体撮像装置の感度を上げるには、
絵素の開口率を大きくすることが望ましい。しかし電荷
転送部にＣ０Ｄ（電荷結合素子）を使用したものは、絵
素の開口率が２０〜４０％で半分にも満たない。光電変
換部の部分は、光遮蔽の為アルミニウム等の金属膜でお
おわれている。このような構造の固体撮像装置において
は、容器の透明光透過部を通過して来た光の一部が光電
変換部に入ハ電荷に変換される。しかしながら、残りの
直接光電変換部に入らず光遮蔽用金属に当った光は、金
属面の反射率に従って反射され再び上面の封入ガラスキ
ャップに当たる。
変換部と電荷転送部と入力出力等を含めた周辺回路部分
である。このような固体撮像装置の感度を上げるには、
絵素の開口率を大きくすることが望ましい。しかし電荷
転送部にＣ０Ｄ（電荷結合素子）を使用したものは、絵
素の開口率が２０〜４０％で半分にも満たない。光電変
換部の部分は、光遮蔽の為アルミニウム等の金属膜でお
おわれている。このような構造の固体撮像装置において
は、容器の透明光透過部を通過して来た光の一部が光電
変換部に入ハ電荷に変換される。しかしながら、残りの
直接光電変換部に入らず光遮蔽用金属に当った光は、金
属面の反射率に従って反射され再び上面の封入ガラスキ
ャップに当たる。
ここでもこの光の一部はガラス面の反射率に従い再び素
子面の方向に反射される。このような多重反射は１本来
光電変換部に入るべき光取外の不必要な光を光電変換部
に入れることになり、正確な撮像の防害となる。多重反
射による光が光電変換部に入ると１強い光の部分はその
周辺が明るくボケてくるし、又素子面の金属が鏡面に近
ければ幾重にも重なった映像があられれ見苦しいものと
なる。
子面の方向に反射される。このような多重反射は１本来
光電変換部に入るべき光取外の不必要な光を光電変換部
に入れることになり、正確な撮像の防害となる。多重反
射による光が光電変換部に入ると１強い光の部分はその
周辺が明るくボケてくるし、又素子面の金属が鏡面に近
ければ幾重にも重なった映像があられれ見苦しいものと
なる。
本発明では、上述したように素子面と封入ガラス面との
多重反射により本来必要でない光が光電変換部に入りフ
レア現象を起こすのを防いで、正確な撮像機能を持った
固体撮像装置を提供することにある。
多重反射により本来必要でない光が光電変換部に入りフ
レア現象を起こすのを防いで、正確な撮像機能を持った
固体撮像装置を提供することにある。
本発明は、素子の表面特に金属面での反射をおさえる為
に該金属面上に光透過率が低くしかも光反射率の低い物
質をのせておき、上方より来た光がこの物質に当たると
吸収されて多重反射を防止しよってフレア現像をさける
ものである。
に該金属面上に光透過率が低くしかも光反射率の低い物
質をのせておき、上方より来た光がこの物質に当たると
吸収されて多重反射を防止しよってフレア現像をさける
ものである。
すなわち本発明は複数の光電変換部を有し、この光電変
換部で変換された電荷を所定の方向に転送する為の複数
の電極を備えた電荷転送部と、電荷転送部により転送さ
れた電荷を電気信号として取り出す手段とを半導体基体
に有し、半導体基板上の光電変換部以外は遮光用金属層
でおおわれた固体撮像装置において、遮光用金属層上の
少くとも光電変換部近傍に光透過率と光反射率の低い膜
が被覆されていることを特徴とする固体撮像装置である
。
換部で変換された電荷を所定の方向に転送する為の複数
の電極を備えた電荷転送部と、電荷転送部により転送さ
れた電荷を電気信号として取り出す手段とを半導体基体
に有し、半導体基板上の光電変換部以外は遮光用金属層
でおおわれた固体撮像装置において、遮光用金属層上の
少くとも光電変換部近傍に光透過率と光反射率の低い膜
が被覆されていることを特徴とする固体撮像装置である
。
次に、本発明の一実施例を図面を用いて説明する。
第１図、第２図はＣＯＤを利用した従来の固体撮像装置
の平面図と断面図である。光電変換部ｌで蓄積された電
荷は垂直電荷転送部２を通り、水平電荷転送部３を経て
出力回路４から電気信号として読み出される。光電変換
部１以外の領域は大部分がアルミニウム５でおおわれ光
遮蔽されている。
の平面図と断面図である。光電変換部ｌで蓄積された電
荷は垂直電荷転送部２を通り、水平電荷転送部３を経て
出力回路４から電気信号として読み出される。光電変換
部１以外の領域は大部分がアルミニウム５でおおわれ光
遮蔽されている。
第２図は第１図のＡ−Ａ’面にそった断面図である。す
なわち半導体基板６上に光電変換部１．電荷転送部２，
３．Ｊ光アルミニウム５等が形成されたチップを、透明
ガラスキャップ７で封入している。
なわち半導体基板６上に光電変換部１．電荷転送部２，
３．Ｊ光アルミニウム５等が形成されたチップを、透明
ガラスキャップ７で封入している。
本構造の固体撮像装置では、遮光用のアルミニウム５表
面に当った入射光は遮光用のアルミニウム５表面と封入
ガラス７の裏面とで多重反射を繰反して、光電変換部１
に入る。この光は本来入るべきでない光であり、余分な
電荷を光電変換部１に発生させ、再生画像をみだすこと
になる。チップの実際の構造は電荷転送電極や絶縁拡散
や絶縁酸化膜等が存在するが、本発明の説明には必ずし
も必要ないので図では省略しである。
面に当った入射光は遮光用のアルミニウム５表面と封入
ガラス７の裏面とで多重反射を繰反して、光電変換部１
に入る。この光は本来入るべきでない光であり、余分な
電荷を光電変換部１に発生させ、再生画像をみだすこと
になる。チップの実際の構造は電荷転送電極や絶縁拡散
や絶縁酸化膜等が存在するが、本発明の説明には必ずし
も必要ないので図では省略しである。
第３図は多重反射を防止する為に本発明を適用した固体
撮像装置の一実施例の平面図であり、第４図はそのＢ−
Ｂ／に於ける断面図である。すなわち、第１図に示した
従来の個体撮像装置の遮光用アルミニウム５上を光透過
率と光反射率の低い膜８でおおったものである。膜８は
必ずしも光遮蔽用アルミニウム５と同一形状である必要
はなく多少異っていてもよい。しかしながら、光電変換
部１近傍の遮光用アルミニウム５上には設けておく方が
、効果はより大きい。この膜８の製造は有機材料の黒色
染色や暗色有機材料の選択エツチング加工で作れる。
撮像装置の一実施例の平面図であり、第４図はそのＢ−
Ｂ／に於ける断面図である。すなわち、第１図に示した
従来の個体撮像装置の遮光用アルミニウム５上を光透過
率と光反射率の低い膜８でおおったものである。膜８は
必ずしも光遮蔽用アルミニウム５と同一形状である必要
はなく多少異っていてもよい。しかしながら、光電変換
部１近傍の遮光用アルミニウム５上には設けておく方が
、効果はより大きい。この膜８の製造は有機材料の黒色
染色や暗色有機材料の選択エツチング加工で作れる。
光電変換部ｌ以外の領域に光透過率と光反射率の低い膜
８をかぶせであるので、光電変換部ｌ以外の場所に入っ
た光は、この膜８に吸収されて封入ガラス面との多重反
射は少くなり、いわゆるス５− ミア現象の発生がガくなる。
８をかぶせであるので、光電変換部ｌ以外の場所に入っ
た光は、この膜８に吸収されて封入ガラス面との多重反
射は少くなり、いわゆるス５− ミア現象の発生がガくなる。
本発明は白黒用固体撮像装置のみならず、カラー用固体
撮像装置に応用しても効果があり、又−次元固体撮像装
置にも有効であることは明らかである。
撮像装置に応用しても効果があり、又−次元固体撮像装
置にも有効であることは明らかである。
第１図は従来の固体撮像装置の平面図、第２図は第１図
のＡ−Ａ’面にそった断面図である。 第３図は本発明の固体撮像装置の一実施例の平面図、第
４図は第３図のＢ−Ｂ／面にそった断面図である。 １・・・・・・光電変換部、２・・・・・・垂直電荷転
送部、３・・・・・・水平電荷転送部、４・・・・・出
力回路、５・・・・・光遮蔽用アルミニウム、６・・・
・・・半導体基板、７・・・・・・封入ガラスキャップ
、８・・・・・・光透過率及び光反射率の低い膜。 ｙ、’＝’ｌ−’、、・ ６− 手続補正書（１幻 ５６，１０．３０ 昭和 年 月 日 １、事件の表示 昭和６６年 Ｉｆ！ｉ 杵 願
第１３３５０３号２、発明の名称 固体撮像装置 ３、補正をする者 事件との関係 出 願 人東京都港区芝五
丁目３３番１号 （４２３） 日本電気株式会社 代表者 関本忠弘 ４、代理人 〒１０８ 東京都港区芝五丁目３７番８号 住友三田
ビル日本電気株式会社内 （６５９１） 弁理士 内 原 晋電話東京（０３
）４５６’−３１１１（大代表）（連絡先 日本電気株
式会社特許部） ＆ 補正の対象 明細書の１発明の詳細な説明」の欄 巴 補正の内容 １） １Ｊｔｌｌ細書第２頁δ行目の「光電変換部の
」を「光電変換部以外の」に訂正する。 ２）明細書第６頁２０行目乃至第６頁１行目の「スミア
現象」を「フレア現象」に訂正する。
のＡ−Ａ’面にそった断面図である。 第３図は本発明の固体撮像装置の一実施例の平面図、第
４図は第３図のＢ−Ｂ／面にそった断面図である。 １・・・・・・光電変換部、２・・・・・・垂直電荷転
送部、３・・・・・・水平電荷転送部、４・・・・・出
力回路、５・・・・・光遮蔽用アルミニウム、６・・・
・・・半導体基板、７・・・・・・封入ガラスキャップ
、８・・・・・・光透過率及び光反射率の低い膜。 ｙ、’＝’ｌ−’、、・ ６− 手続補正書（１幻 ５６，１０．３０ 昭和 年 月 日 １、事件の表示 昭和６６年 Ｉｆ！ｉ 杵 願
第１３３５０３号２、発明の名称 固体撮像装置 ３、補正をする者 事件との関係 出 願 人東京都港区芝五
丁目３３番１号 （４２３） 日本電気株式会社 代表者 関本忠弘 ４、代理人 〒１０８ 東京都港区芝五丁目３７番８号 住友三田
ビル日本電気株式会社内 （６５９１） 弁理士 内 原 晋電話東京（０３
）４５６’−３１１１（大代表）（連絡先 日本電気株
式会社特許部） ＆ 補正の対象 明細書の１発明の詳細な説明」の欄 巴 補正の内容 １） １Ｊｔｌｌ細書第２頁δ行目の「光電変換部の
」を「光電変換部以外の」に訂正する。 ２）明細書第６頁２０行目乃至第６頁１行目の「スミア
現象」を「フレア現象」に訂正する。
Claims (1)
- 半導体基板上に、複数の光電変換部とＪ該光電変換部で
変換された電荷を所定の方向に転送する為の複数の電極
を備えた電荷転送部と、該電荷転送部により転送された
電荷を電気信号として取り出す手段と、少くとも光電変
換部近傍の電荷転送部上に被覆された連光用金属膜と、
該遮光用金属膜上の少々くとも前記光電変換部近傍の領
域上に被覆された光透過率と光反射率の低い膜とを有す
ることを特徴とする固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56133503A JPS5836078A (ja) | 1981-08-26 | 1981-08-26 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56133503A JPS5836078A (ja) | 1981-08-26 | 1981-08-26 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5836078A true JPS5836078A (ja) | 1983-03-02 |
Family
ID=15106286
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56133503A Pending JPS5836078A (ja) | 1981-08-26 | 1981-08-26 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5836078A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6114749A (ja) * | 1984-06-29 | 1986-01-22 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| JPS61161878A (ja) * | 1985-01-10 | 1986-07-22 | Matsushita Electronics Corp | 固体撮像装置 |
| JPS6280350U (ja) * | 1985-11-08 | 1987-05-22 | ||
| JP2005177982A (ja) * | 2003-11-28 | 2005-07-07 | Yukiwa Seiko Inc | 回動工具 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52123824A (en) * | 1976-04-10 | 1977-10-18 | Sony Corp | Solid pikup element |
| JPS52144218A (en) * | 1976-05-26 | 1977-12-01 | Sony Corp | Solid pickup element |
-
1981
- 1981-08-26 JP JP56133503A patent/JPS5836078A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52123824A (en) * | 1976-04-10 | 1977-10-18 | Sony Corp | Solid pikup element |
| JPS52144218A (en) * | 1976-05-26 | 1977-12-01 | Sony Corp | Solid pickup element |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6114749A (ja) * | 1984-06-29 | 1986-01-22 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| JPS61161878A (ja) * | 1985-01-10 | 1986-07-22 | Matsushita Electronics Corp | 固体撮像装置 |
| JPS6280350U (ja) * | 1985-11-08 | 1987-05-22 | ||
| JP2005177982A (ja) * | 2003-11-28 | 2005-07-07 | Yukiwa Seiko Inc | 回動工具 |
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