JP2006226890A - 熱型赤外線検出素子 - Google Patents
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims abstract description 47
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 49
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 121
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 description 194
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 47
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 27
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 description 22
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 16
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- 230000008859 change Effects 0.000 description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 6
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 4
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- -1 SiON Chemical compound 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N trichloroborane Chemical compound ClB(Cl)Cl FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
- G01J5/20—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using resistors, thermistors or semiconductors sensitive to radiation, e.g. photoconductive devices
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
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- Light Receiving Elements (AREA)
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Abstract
【解決手段】熱型赤外線検出素子の受光部11を構成する赤外線吸収膜(第1の赤外線吸収膜5、第2の赤外線吸収膜7及び第3の赤外線吸収膜9)を、8〜14μmの波長帯(大気の窓)の短波長側(略8〜10μm)で吸収率が大きい新規なSiCOを材料とする膜と、上記波長帯の長波長側(略10〜14μm)で吸収率が大きいSiOやSiN、SiC、SiON、SiCNなどを材料とする膜とを組み合わせた積層膜とする。これにより、従来の熱型赤外線検出素子では有効に利用することができなかった短波長側の赤外線をSiCO膜で吸収して上記波長帯全般の赤外線を有効に利用し、熱型赤外線検出素子の感度を向上させることができる。
【選択図】図1
Description
2 読み出し回路
3 赤外線反射膜
4 保護膜
5 第1の赤外線吸収膜
6 ボロメータ層
7 第2の赤外線吸収膜
8 配線
9 第3の赤外線吸収膜
10 梁
11 受光部
12 空洞部
12a 犠牲層
13 電極部
14 コンタクト部
Claims (7)
- 略8〜14μmの波長帯の赤外線を吸収するための構造体であって、
前記構造体は複数種類の膜からなり、前記複数種類の膜の中にSiCOを材料とする膜を含むことを特徴とする構造体。 - 感熱抵抗体と赤外線吸収膜とを備える受光部が、一端が基板に固定される梁によって中空に保持されてなる熱型赤外線検出素子において、
前記赤外線吸収膜は複数種類の膜からなり、前記複数種類の膜の中にSiCOを材料とする膜を含むことを特徴とする熱型赤外線検出素子。 - 感熱抵抗体と赤外線吸収膜とを備える受光部が、一端が基板に固定される梁によって中空に保持されてなる熱型赤外線検出素子において、
前記赤外線吸収膜は複数種類の膜からなり、前記複数種類の膜は、SiCOを材料とする膜と、SiO、SiN、SiC、SiON及びSiCNの中のいずれかを材料とする膜とで構成されていることを特徴とする熱型赤外線検出素子。 - 感熱抵抗体と赤外線吸収膜とを備える受光部と、一端が前記感熱抵抗体に接続され他端が基板に形成された回路に接続される配線を含む梁とで構成され、前記受光部が前記梁によって中空に保持されてなる熱型赤外線検出素子において、
前記赤外線吸収膜は、前記感熱抵抗体の下層に形成される第1の赤外線吸収膜と、前記感熱抵抗体の上層に形成される第2の赤外線吸収膜と、前記第2の赤外線吸収膜に設けたスルーホールを介して前記感熱抵抗体に接続される前記配線の上層に形成される第3の赤外線吸収膜とを含む複数種類の膜からなり、
前記複数種類の膜は、SiCOを材料とする膜と、SiO、SiN、SiC、SiON及びSiCNの中のいずれかを材料とする膜とで構成されていることを特徴とする熱型赤外線検出素子。 - 前記SiCOを材料とする膜は、最表層を除く層に形成されていることを特徴とする請求項2乃至4のいずれか一に記載の熱型赤外線検出素子。
- 前記複数種類の膜の内、一部の膜は前記受光部のみに形成され、他の膜は前記受光部及び前記梁の双方に連続して形成されていることを特徴とする請求項2乃至5のいずれか一に記載の熱型赤外線検出素子。
- 前記SiCOからなる膜は、略9〜10μmの波長帯において赤外線に対する吸収率が最大になることを特徴とする請求項2乃至6のいずれか一に記載の熱型赤外線検出素子。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005042221A JP4228232B2 (ja) | 2005-02-18 | 2005-02-18 | 熱型赤外線検出素子 |
US11/356,380 US7417229B2 (en) | 2005-02-18 | 2006-02-17 | Thermal-type infrared detection element |
FR0601408A FR2882820A1 (fr) | 2005-02-18 | 2006-02-17 | Element de detection infrarouge de type thermique |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005042221A JP4228232B2 (ja) | 2005-02-18 | 2005-02-18 | 熱型赤外線検出素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006226890A true JP2006226890A (ja) | 2006-08-31 |
JP4228232B2 JP4228232B2 (ja) | 2009-02-25 |
Family
ID=36911701
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005042221A Expired - Fee Related JP4228232B2 (ja) | 2005-02-18 | 2005-02-18 | 熱型赤外線検出素子 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7417229B2 (ja) |
JP (1) | JP4228232B2 (ja) |
FR (1) | FR2882820A1 (ja) |
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---|---|---|---|---|
US9285274B2 (en) | 2011-08-04 | 2016-03-15 | Seiko Epson Corporation | Infrared detecting element and electronic device |
Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005241457A (ja) * | 2004-02-26 | 2005-09-08 | Hamamatsu Photonics Kk | 赤外線センサ及びその製造方法 |
JP5283825B2 (ja) * | 2006-01-25 | 2013-09-04 | 浜松ホトニクス株式会社 | 熱型赤外線検出器 |
JP2009068863A (ja) * | 2007-09-10 | 2009-04-02 | Toshiba Corp | 赤外線検出素子及びそれを用いた赤外線イメージセンサ |
JP4978501B2 (ja) * | 2008-02-14 | 2012-07-18 | 日本電気株式会社 | 熱型赤外線検出器及びその製造方法 |
JP2009222489A (ja) * | 2008-03-14 | 2009-10-01 | Oki Semiconductor Co Ltd | 赤外線検出素子およびその製造方法 |
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US9029783B2 (en) * | 2011-06-10 | 2015-05-12 | Flir Systems, Inc. | Multilayered microbolometer film deposition |
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CN112117367B (zh) * | 2020-06-30 | 2022-10-18 | 中芯集成电路(宁波)有限公司上海分公司 | 热电堆传感器的制作方法 |
CN112117368B (zh) * | 2020-06-30 | 2024-03-05 | 中芯集成电路(宁波)有限公司上海分公司 | 热电堆传感器的制作方法 |
CN112117369B (zh) * | 2020-06-30 | 2022-12-02 | 中芯集成电路(宁波)有限公司上海分公司 | 热电堆传感器的制作方法 |
CN112117363B (zh) * | 2020-06-30 | 2022-12-02 | 中芯集成电路(宁波)有限公司上海分公司 | 热电堆传感器及其制作方法、电子设备 |
CN112117371B (zh) * | 2020-06-30 | 2023-02-17 | 中芯集成电路(宁波)有限公司上海分公司 | 热电堆传感器的制作方法 |
CN112038475B (zh) * | 2020-06-30 | 2023-02-03 | 中芯集成电路(宁波)有限公司上海分公司 | 热电堆传感器及其制作方法、电子设备 |
CN112117370B (zh) * | 2020-06-30 | 2023-02-21 | 中芯集成电路(宁波)有限公司上海分公司 | 热电堆传感器的制作方法 |
CN112117374A (zh) * | 2020-06-30 | 2020-12-22 | 中芯集成电路(宁波)有限公司上海分公司 | 热电堆传感器的制作方法 |
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CN112117362B (zh) * | 2020-06-30 | 2023-02-17 | 中芯集成电路(宁波)有限公司上海分公司 | 热电堆传感器及其制作方法、电子设备 |
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-
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- 2005-02-18 JP JP2005042221A patent/JP4228232B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
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Date | Code | Title | Description |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |