JP2009068863A - 赤外線検出素子及びそれを用いた赤外線イメージセンサ - Google Patents
赤外線検出素子及びそれを用いた赤外線イメージセンサ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009068863A JP2009068863A JP2007234696A JP2007234696A JP2009068863A JP 2009068863 A JP2009068863 A JP 2009068863A JP 2007234696 A JP2007234696 A JP 2007234696A JP 2007234696 A JP2007234696 A JP 2007234696A JP 2009068863 A JP2009068863 A JP 2009068863A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- infrared
- transistor
- detection element
- upper electrode
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 63
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 21
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 96
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 27
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 19
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 16
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 13
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 13
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 12
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 100
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 25
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 10
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 3
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 3
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 3
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 3
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 3
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 3
- 229910004262 HgTe Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N dioxido(oxo)titanium;lead(2+) Chemical compound [Pb+2].[O-][Ti]([O-])=O NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 2
- YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N (2,5-dioxopyrrolidin-1-yl) 4-pyren-1-ylbutanoate Chemical compound C=1C=C(C2=C34)C=CC3=CC=CC4=CC=C2C=1CCCC(=O)ON1C(=O)CCC1=O YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005542 GaSb Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019018 Mg 2 Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019021 Mg 2 Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002665 PbTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001362 Ta alloys Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 229910007657 ZnSb Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LNGCCWNRTBPYAG-UHFFFAOYSA-N aluminum tantalum Chemical compound [Al].[Ta] LNGCCWNRTBPYAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N tellanylidenelead Chemical compound [Pb]=[Te] OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- IGELFKKMDLGCJO-UHFFFAOYSA-N xenon difluoride Chemical compound F[Xe]F IGELFKKMDLGCJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/38—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using extension or expansion of solids or fluids
- G01J5/40—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using extension or expansion of solids or fluids using bimaterial elements
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/02—Constructional details
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/02—Constructional details
- G01J5/0225—Shape of the cavity itself or of elements contained in or suspended over the cavity
- G01J5/023—Particular leg structure or construction or shape; Nanotubes
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/02—Constructional details
- G01J5/0225—Shape of the cavity itself or of elements contained in or suspended over the cavity
- G01J5/024—Special manufacturing steps or sacrificial layers or layer structures
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
- G01J5/34—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using capacitors, e.g. pyroelectric capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N15/00—Thermoelectric devices without a junction of dissimilar materials; Thermomagnetic devices, e.g. using the Nernst-Ettingshausen effect
Abstract
【解決手段】基板と、下部電極と、上部電極と、前記下部電極と前記上部電極との間に設けられ膜面に対して略垂直にc軸が配向した窒化アルミニウムからなる圧電膜と、を有する積層体と、前記積層体の一部と前記基板とを連結し前記積層体を前記基板の上方に間隙を空けて支持するアンカーと、前記基板上に設けられ、前記下部電極と前記上部電極とに接続された増幅器と、を備えたことを特徴とする赤外線検出素子が提供される。
【選択図】図1
Description
焦電型赤外線センサにおいては、赤外線検出素子として焦電体と呼ばれる特殊な材料を使用する必要があり、代表的には酸化物の強誘電体であるチタン酸鉛系、あるいはチタン酸バリウム系の材料が使用される。しかしながらこれらの材料は、結晶化温度が高いこと、イオンエッチングが困難であること、酸化物であるために貴金属系の電極材料が必要であることなどから、CMOSプロセスで作製した赤外線センサ用のシリコン基板の上に直接作成することが困難であるという問題点がある。
例えば、焦電型赤外線検出素子の例として、基板上に配向性酸化物下地膜を形成し、その上に焦電体と樹脂膜を形成した後、これを別の基板と貼り合わせ、その後に配向性酸化物下地膜を溶解除去する赤外線検出素子の製造方法がある。
第1の問題点は、検出素子の作製における複雑な貼り合せおよび基板の溶解除去工程が信頼性、精度、微細化、アレイ化する上での大きな障害となることである。
特許文献1では圧電膜として、PbTe、PbSe、PbS、HgTe、HgSe、Hg1−xCdxTe、GaSb、GaAs、InP、InAs、InSb、Ge、Mg2Si、Mg2Ge、Mg2Sn、Ca2Sn、Ca2Pb、ZnSb、ZnAs2、Zn3As2、CdSb、CdAs2、Cd3As2、Bi2Se3、Bi2Te3、Sb2Te3、As2Se3、As2Te3、PtSb2、In2Se3、In2Te3などの化合物半導体を挙げているが、これらの材料はシリコン基板上に成膜した場合、充分な圧電性を持つ単結晶膜ないしは高配向膜を作製するのは容易でない。そして、そのための特別な工夫も開示されていない。また、特に望ましい圧電膜として、狭バンドギャップの半導体であるHgTe、Hg1−xCdxTe、InSb、Cd3As2、Bi2Te3、PtSb2を挙げているが、バンドギャップが狭いために必然的にリーク電流は非常に多く、室温で読み出すには非常に大きな困難が伴う。また、圧電体と基板間の熱膨張差を利用しており、基板上に圧電体が直接形成されているため、赤外線照射によって受ける熱が容易に基板中に放散され、圧電体の温度が上がらず、得られる起電力は僅かである。
図1は、第1の実施形態に係わる赤外線検出素子14の平面図である。また、図2は、第1の実施形態に係わる赤外線検出素子の部分断面図であり、図2(a)及び図2(b)は、図1のA−A線断面図、及びB−B線断面図である。
本発明は、上記の条件(A)〜(I)を満たすべくなされたものである。
条件(A)について述べる。第1の実施形態で例示される赤外線検出素子においては、アルミニウムからなる下部電極4および上部電極6、並びに窒化アルミニウムからなる圧電膜5から構成される積層体51は、赤外線を吸収し、温度が上昇することができる。さらに、第1の実施形態においては、積層体51の上にポリイミドからなる赤外線吸収層13が形成されており、感熱部7は効率的に赤外線を吸収して熱に変換することが可能である。このように、第1の実施形態で例示される赤外線検出素子は条件(A)を満たしており、感熱部への赤外線照射により、感熱部の温度を充分上昇させることができる。
次に、本発明の第2の実施形態に係わる赤外線検出素子について説明する。
以下、本発明の赤外線検出素子と比較するために、比較例による赤外線検出素子について述べる。
まず、第1の比較例である焦電型の赤外線検出素子を説明する。図6は、第1の比較例の焦電型の赤外線検出素子の各工程における断面図である。
次に、図6(b)に表すように、第1の樹脂膜415、第1の電極416、第2の樹脂膜417を形成した。
次に、図6(c)に表すように、この焦電体411を形成した単結晶基板414を樹脂膜を介してアルミナなどを使用したセラミック基板413に接着層422を使用して接着した。
次に、第2の比較例の赤外線検出素子について説明する。
図1および図2に構造を示す赤外線検出素子において、圧電膜5に用いる材料をPZT系の圧電膜に変えて作製することを試みた。圧電膜5としてPb(Zr0.48Ti0.52)O3、下部電極4および上部電極6としてPt、赤外線吸収膜13としてSiN/SiO2を用いた積層体を作製した。膜厚は、第1の実施形態の赤外線検出素子の場合と同一である。ただし圧電膜の成膜にはゾルゲル法を使用し、犠牲層選択エッチング処理の前に600℃3分の結晶化熱処理を行い、さらに分極処理を行った。
次に、第3の比較例の赤外線検出素子について説明する。図7は、第3の比較例の赤外線検出素子の断面図である。第2の比較例において圧電膜の変形により赤外線検出素子が好適に形成できなかったため、第3の比較例においては、図7に表すように、SiNからなる支持層9の上に積層体51を作製した。支持層9の厚さは5μmである。支持基板9の他は、全ての構造およびプロセスは第2の比較例と同様である。作成後に光学顕微鏡により観察した所、積層体51部は大きく上側に変形していたが、基板には接触せず、かろうじて赤外線検出素子を形成できていた。
次に、本発明の第3の実施形態の赤外線検出素子について説明する。
図8は、第3の実施形態に係わる赤外線検出素子の回路構成を示す回路図である。図8に表すように、第3の実施形態の赤外線検出素子300において、増幅器310は、積層体301に接続され、積層体301で発生する電荷を電圧に変換する第1のトランジスタ303、第1のトランジスタ303に接続されている第2のトランジスタ(負荷トランジスタ)302、第2のトランジスタ302のゲートに電圧を印加する第1の端子304、第2のトランジスタ302のソースに電圧を印加する第2の端子305、及び、第1のトランジスタ303のドレインから電圧情報を取り出す第3の端子306により構成される。図8に表すように、第3の実施形態の赤外線検出素子300において、基板上に形成された増幅器310が、積層体301で発生する電荷情報を電圧情報に変換する回路を有している。
次に、本発明の第4の実施形態に係わる赤外線イメージセンサについて図を用いて説明する。
図9は、本発明の第4の実施形態に係わる赤外線イメージセンサの回路構成を示す回路図である。
第4の実施形態では、第3の実施形態の赤外線検出素子300をn×mのアレイ状に配置し、入力された赤外線画像情報を電圧情報に変換できるようにしている。
負荷トランジスタ104_1のドレインは赤外線イメージセンサ要素110の(1,1)要素、(2,1)要素、・・・、(m,1)要素の端子Aに接続され、以下同様に負荷トランジスタ104_2、・・・、104_nのドレインは赤外線イメージセンサ要素110の各要素の端子Aにそれぞれ接続されている。また、端子103_1は赤外線イメージセンサ要素110の(1,1)要素、(1,2)要素、・・・、(1,n)要素の端子Bに接続され、以下同様に端子103_2、・・・、103_mは、赤外線イメージセンサ要素110の各要素の端子Bにそれぞれ接続されている。また、スイッチングトランジスタ106_1のドレインは、赤外線イメージセンサ要素110の(1,1)要素、(2,1)要素、・・・、(m,1)要素の端子Cに接続され、以下同様にスイッチングトランジスタ106_2、・・・、106_nのドレインは、赤外線イメージセンサ要素110の各要素の端子Cにそれぞれ接続されている。スイッチングトランジスタ106_1のゲートは、端子107_1に接続され、以下同様にスイッチングトランジスタ106_2、・・・、106_nは、端子107_2、・・・、107_nにそれぞれ接続されている。また、スイッチングトランジスタ106_1、106_2、・・・、106_nの各ソースは、映像出力線108に接続されている。また、映像出力線は、バッファーアンプ109に入力され、バッファーアンプ109の出力は映像出力端子111に接続されている。端子101および端子102は、ある一定の電圧になっており、負荷抵抗として機能するようになっている。
図10は、第4の実施形態に係わる赤外線イメージセンサ100における赤外線イメージセンサ要素110の回路構成を示す回路図である。
図12は、本発明の第4の実施形態に係わる赤外線イメージセンサを用いた赤外線イメージセンサシステムの光学系を示す模式図である。赤外線イメージセンサ31はウインド33を持つパッケージ32中に真空封止されている。ウインド33の前には赤外線を集光するためのレンズ34、絞り35、およびチョッパ36が設置されている。チョッパ36により赤外線をオン/オフさせることで、赤外線イメージセンサ31の赤外線検出素子には温度差ΔTが生じ、それにより起電力ΔVが生じ、ΔVを増幅器で読み出すことで赤外線の強さを検出できる。
また、各具体例のいずれか2つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
その他、本発明の実施の形態として上述した赤外線検出素子及び赤外線イメージセンサを基にして、当業者が適宜設計変更して実施しうる全ての赤外線検出素子及び赤外線イメージセンサも、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。
その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
2 アンカー
3 犠牲層
4 下部電極
5 圧電膜
51 積層体
52 間隙
6 上部電極
7 感熱部
8 接続梁部
9 支持層
10 増幅器
11 配線
12 コンタクト部
13 赤外線吸収層
14 赤外線検出素子
301 積層体
302 第2のトランジスタ
303 第1のトランジスタ
304 第1の端子
305 第2の端子
306 第3の端子
Claims (10)
- 基板と、
下部電極と、上部電極と、前記下部電極と前記上部電極との間に設けられ膜面に対して略垂直にc軸が配向した窒化アルミニウムからなる圧電膜と、を有する積層体と、
前記積層体の一部と前記基板とを連結し前記積層体を前記基板の上方に間隙を空けて支持するアンカーと、
前記基板上に設けられ、前記下部電極と前記上部電極とに接続された増幅器と、
を備えたことを特徴とする赤外線検出素子。 - 前記圧電膜のc軸の配向半値幅は、5°以下であることを特徴とする請求項1記載の赤外線検出素子。
- 前記上部電極および前記下部電極の線膨張率と前記圧電膜の線膨張率との差は、5×10−6/K以上であることを特徴とする請求項1または2に記載の赤外線検出素子。
- 前記上部電極の厚さをtTE、前記上部電極の膜面内縦弾性率をETE、前記下部電極の厚さをtBE、前記下部電極の膜面内縦弾性率をEBE、前記圧電膜の厚さをtP、前記圧電膜の膜面内縦弾性率をEPとしたとき、(tTE・ETE+tBE・EBE)/(tP・EP) が、0.1以上10以下であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載の赤外線検出素子。
- 前記積層体は、前記上部電極の上に設けられた赤外線吸収膜をさらに有することを特徴とする請求項1〜4のいずれか1つに記載の赤外線検出素子。
- 前記積層体は、前記上部電極の上に設けられた第1の赤外線吸収膜と、前記下部電極の下に設けられた第2の赤外線吸収膜と、を有し、
前記第1及び第2の赤外線吸収膜は、実質的に同じ材質からなり且つ実質的に等しい膜厚を有することを特徴とする請求項1〜4のいずれか1つに記載の赤外線検出素子。 - 前記赤外線吸収膜の線膨張率は、前記圧電膜の線膨張率より5×10−6/K以上大きいことを特徴とする請求項5または6に記載の赤外線検出素子。
- 前記増幅器は、前記積層体において発生する電荷に応じた電圧に変換する回路を有することを特徴とする請求項1〜7のいずれか1つに記載の赤外線検出素子。
- 前記増幅器は、
第1のトランジスタと、
第2のトランジスタと、
前記第2のトランジスタのゲートに電圧を印加する第1の端子と、
前記第2のトランジスタのソースに電圧を印加する第2の端子と、
前記第1のトランジスタのドレインから電圧を取り出す第3の端子と、
を有し、
前記上部電極または前記下部電極のいずれか一方は、前記第1のトランジスタのゲートに接続され、
前記上部電極または前記下部電極のいずれか他方は、接地され、
前記第1のトランジスタのドレインは、前記第2のトランジスタのドレインと前記第3の端子とに接続され、
前記第1のトランジスタのソースは接地され、
前記第2のトランジスタのゲートは、前記第1の端子に接続され、
前記第2のトランジスタのソースは、前記第2の端子に接続されたことを特徴とする請求項1〜8のいずれか1つに記載の赤外線検出素子。 - 請求項1〜9のいずれか1つに記載の複数の赤外線検出素子がアレイ状に配置されてなることを特徴とする赤外線イメージセンサ。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007234696A JP2009068863A (ja) | 2007-09-10 | 2007-09-10 | 赤外線検出素子及びそれを用いた赤外線イメージセンサ |
US12/207,744 US7847252B2 (en) | 2007-09-10 | 2008-09-10 | Infrared-detecting element and infrared image sensor using the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007234696A JP2009068863A (ja) | 2007-09-10 | 2007-09-10 | 赤外線検出素子及びそれを用いた赤外線イメージセンサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009068863A true JP2009068863A (ja) | 2009-04-02 |
Family
ID=40605300
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007234696A Pending JP2009068863A (ja) | 2007-09-10 | 2007-09-10 | 赤外線検出素子及びそれを用いた赤外線イメージセンサ |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7847252B2 (ja) |
JP (1) | JP2009068863A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013221907A (ja) * | 2012-04-19 | 2013-10-28 | Seiko Epson Corp | 検出回路、センサーデバイス及び電子機器 |
US9035252B2 (en) | 2010-11-29 | 2015-05-19 | Seiko Epson Corporation | Detection circuit, sensor device, and electronic apparatus |
US9146160B2 (en) | 2012-04-19 | 2015-09-29 | Seiko Epson Corporation | Sensor device and electronic apparatus |
US9182287B2 (en) | 2013-03-25 | 2015-11-10 | Seiko Epson Corporation | Infrared sensor, heat sensing element, and heat sensing method using the same |
US9274004B2 (en) | 2013-03-25 | 2016-03-01 | Seiko Epson Corporation | Infrared sensor and heat sensing element |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5830877B2 (ja) * | 2011-02-24 | 2015-12-09 | セイコーエプソン株式会社 | 焦電型検出器、焦電型検出装置及び電子機器 |
US20150292949A1 (en) * | 2012-11-26 | 2015-10-15 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Infrared detecting device |
EP2840369A1 (en) * | 2013-08-19 | 2015-02-25 | Nxp B.V. | Integrated circuit, system and manufacturing method |
US9705069B2 (en) * | 2013-10-31 | 2017-07-11 | Seiko Epson Corporation | Sensor device, force detecting device, robot, electronic component conveying apparatus, electronic component inspecting apparatus, and component machining apparatus |
KR101578321B1 (ko) * | 2015-01-21 | 2015-12-16 | 성균관대학교산학협력단 | 온도변화에 의해 에너지를 발생시키는 에너지 발생소자 및 이를 포함하는 온도변화 감지센서 |
JP6547967B2 (ja) * | 2016-10-06 | 2019-07-24 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 赤外線検出装置 |
US11856858B2 (en) * | 2017-10-16 | 2023-12-26 | Akoustis, Inc. | Methods of forming doped crystalline piezoelectric thin films via MOCVD and related doped crystalline piezoelectric thin films |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07306093A (ja) * | 1994-05-12 | 1995-11-21 | Hamamatsu Photonics Kk | 焦電センサ |
JP2004017171A (ja) * | 2002-06-12 | 2004-01-22 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品およびその製造方法 |
JP2006047085A (ja) * | 2004-08-04 | 2006-02-16 | Denso Corp | 赤外線センサ装置およびその製造方法 |
JP2006129298A (ja) * | 2004-10-29 | 2006-05-18 | Sony Corp | Cmos固体撮像素子 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4902894A (en) * | 1986-09-26 | 1990-02-20 | Honeywell Inc. | Gate coupled input circuit |
JP3311869B2 (ja) | 1994-09-16 | 2002-08-05 | 株式会社東芝 | 半導体光電変換素子およびこれを用いた撮像装置 |
JP3186603B2 (ja) * | 1996-09-06 | 2001-07-11 | 株式会社村田製作所 | 焦電型赤外線センサ素子 |
GB2335077B (en) * | 1998-03-04 | 2003-05-28 | Marconi Gec Ltd | Radiation detectors |
JP4228232B2 (ja) * | 2005-02-18 | 2009-02-25 | 日本電気株式会社 | 熱型赤外線検出素子 |
-
2007
- 2007-09-10 JP JP2007234696A patent/JP2009068863A/ja active Pending
-
2008
- 2008-09-10 US US12/207,744 patent/US7847252B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07306093A (ja) * | 1994-05-12 | 1995-11-21 | Hamamatsu Photonics Kk | 焦電センサ |
JP2004017171A (ja) * | 2002-06-12 | 2004-01-22 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品およびその製造方法 |
JP2006047085A (ja) * | 2004-08-04 | 2006-02-16 | Denso Corp | 赤外線センサ装置およびその製造方法 |
JP2006129298A (ja) * | 2004-10-29 | 2006-05-18 | Sony Corp | Cmos固体撮像素子 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9035252B2 (en) | 2010-11-29 | 2015-05-19 | Seiko Epson Corporation | Detection circuit, sensor device, and electronic apparatus |
JP2013221907A (ja) * | 2012-04-19 | 2013-10-28 | Seiko Epson Corp | 検出回路、センサーデバイス及び電子機器 |
CN103376161A (zh) * | 2012-04-19 | 2013-10-30 | 精工爱普生株式会社 | 检测电路、传感器器件以及电子设备 |
US9052237B2 (en) | 2012-04-19 | 2015-06-09 | Seiko Epson Corporation | Detection circuit, sensor device and electronic apparatus |
US9146160B2 (en) | 2012-04-19 | 2015-09-29 | Seiko Epson Corporation | Sensor device and electronic apparatus |
US9222839B2 (en) | 2012-04-19 | 2015-12-29 | Seiko Epson Corporation | Detection circuit, sensor device and electronic apparatus |
US9182287B2 (en) | 2013-03-25 | 2015-11-10 | Seiko Epson Corporation | Infrared sensor, heat sensing element, and heat sensing method using the same |
US9274004B2 (en) | 2013-03-25 | 2016-03-01 | Seiko Epson Corporation | Infrared sensor and heat sensing element |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7847252B2 (en) | 2010-12-07 |
US20090200471A1 (en) | 2009-08-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2009068863A (ja) | 赤外線検出素子及びそれを用いた赤外線イメージセンサ | |
US6249001B1 (en) | Infrared imager using room temperature capacitance sensor | |
US6737648B2 (en) | Micromachined infrared sensitive pixel and infrared imager including same | |
US8648302B2 (en) | Thermal detector, thermal detection device, electronic instrument, and thermal detector manufacturing method | |
JP5636787B2 (ja) | 熱型光検出器、熱型光検出装置及び電子機器 | |
US6339187B1 (en) | Infrared sensor and method of manufacturing the same | |
US8426864B2 (en) | Infrared sensor | |
US20110175145A1 (en) | Infrared Sensor | |
US8445848B2 (en) | Infrared array sensor | |
JPH10209418A (ja) | 赤外線固体撮像素子 | |
US20130032906A1 (en) | Ferroelectric device | |
JP2006300623A (ja) | 赤外線センサ | |
US8692348B2 (en) | Photodetector | |
JPH11344377A (ja) | 赤外線検知素子およびその製造方法 | |
JP2000146686A (ja) | 赤外線固体撮像素子 | |
JP2008039570A (ja) | 熱型赤外線固体撮像装置及び赤外線カメラ | |
JP2005116856A (ja) | 熱型赤外線固体撮像素子及びその製造方法 | |
CN113851552A (zh) | 石墨烯氧化钒红外探测器、制备方法及其应用 | |
JP2005030871A (ja) | 赤外線センサの製造方法 | |
JP5707930B2 (ja) | 熱型光検出器、熱型光検出装置、電子機器および熱型光検出器の製造方法 | |
JP2012137366A (ja) | 熱型光検出器、熱型光検出装置、電子機器および熱型光検出器の製造方法 | |
JP5016382B2 (ja) | センサ装置およびその製造方法 | |
JP2000346704A (ja) | ボロメーター型赤外線検出素子 | |
TW541413B (en) | Two-layer thermo-electric stack sensor device | |
JP5655556B2 (ja) | 熱型光検出器、熱型光検出装置、電子機器および熱型光検出器の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100705 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20111122 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120116 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120316 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20121031 |