JPS62101087A - 赤外線検知素子の製造方法 - Google Patents
赤外線検知素子の製造方法Info
- Publication number
- JPS62101087A JPS62101087A JP60240125A JP24012585A JPS62101087A JP S62101087 A JPS62101087 A JP S62101087A JP 60240125 A JP60240125 A JP 60240125A JP 24012585 A JP24012585 A JP 24012585A JP S62101087 A JPS62101087 A JP S62101087A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chips
- crystal plate
- resin material
- protrusions
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
本発明は赤外線検知素子の製造において、複数の赤外線
検知用チップの受光部となる各面に、同時に陽極酸化処
理を施してパッシベーション膜を形成する方法として、
結晶板の一方の面に陽極酸化処理行うための電極接続用
の複数の突起部を形成し、この結晶板を各突起部単位に
チップ化し、この複数のチップを樹脂材により埋め込み
硬化して該各チップの厚さを薄層化し、該樹脂環め込み
形の複数のチップを、その突起部側を電極基板に貼着し
て、前記埋め込み樹脂材より露出する各チップ表面に、
同時に陽極酸化処理を施して確実にパッシベーション膜
を形成することを可能にしたことである。
検知用チップの受光部となる各面に、同時に陽極酸化処
理を施してパッシベーション膜を形成する方法として、
結晶板の一方の面に陽極酸化処理行うための電極接続用
の複数の突起部を形成し、この結晶板を各突起部単位に
チップ化し、この複数のチップを樹脂材により埋め込み
硬化して該各チップの厚さを薄層化し、該樹脂環め込み
形の複数のチップを、その突起部側を電極基板に貼着し
て、前記埋め込み樹脂材より露出する各チップ表面に、
同時に陽極酸化処理を施して確実にパッシベーション膜
を形成することを可能にしたことである。
本発明は赤外線検知素子の製造方法に係り、特に複数の
赤外線検知用デツプの受光部となる各面に、同時に陽極
酸化処理を施して容易にパソシヘーウ・ヨンｎ９を形成
する方法に関するものである。
赤外線検知用デツプの受光部となる各面に、同時に陽極
酸化処理を施して容易にパソシヘーウ・ヨンｎ９を形成
する方法に関するものである。
一般に、例えば水銀・カドミウム・テルル（１１ｇ−Ｃ
ｄ−Ｔｃ）等の多元半導体からなる光導電型の赤外線検
知素子の製造方法においては、素子の厚さが最終的にｌ
Ｏμｍ程度の薄層デバイスとなり、機械的な歪を受は易
く、工程での取扱が難しいことから処理用の絶縁性支持
板にＩｌｇ−Ｃｄ−Ｔｅ結晶板を接着剤等により貼着し
た状態で所定の製造プロセスによって素子化を行ってい
る。
ｄ−Ｔｃ）等の多元半導体からなる光導電型の赤外線検
知素子の製造方法においては、素子の厚さが最終的にｌ
Ｏμｍ程度の薄層デバイスとなり、機械的な歪を受は易
く、工程での取扱が難しいことから処理用の絶縁性支持
板にＩｌｇ−Ｃｄ−Ｔｅ結晶板を接着剤等により貼着し
た状態で所定の製造プロセスによって素子化を行ってい
る。
このような製造プロセスにより一度に多数の素子を形成
する場合、そのプロセス中で受光部となる各チップの表
面に陽極酸化処理を一度に施して効率よくパッシベート
膜を形成する方法が必要とされている。
する場合、そのプロセス中で受光部となる各チップの表
面に陽極酸化処理を一度に施して効率よくパッシベート
膜を形成する方法が必要とされている。
従来、複数の赤外線検知用チップの各表面に陽極酸化処
理を一度に施してパッシベート膜を形成する方法として
は、第２図ｆａ）に示すようにサファイア等の絶縁性支
持基板１上に貼着された複数の赤外線検知用チップ２を
ラッピング、又はエツチング工程により第２図（′ｂ）
に示すように所定の厚さにする。
理を一度に施してパッシベート膜を形成する方法として
は、第２図ｆａ）に示すようにサファイア等の絶縁性支
持基板１上に貼着された複数の赤外線検知用チップ２を
ラッピング、又はエツチング工程により第２図（′ｂ）
に示すように所定の厚さにする。
次に第２図ｔｃ）に示すように絶縁性支持基板ｌ上より
前記複数の赤外線検知用チップ２′表面の縁端部上にか
けて陽極酸化処理用の導通接続用の全屈膜電極配線３を
蒸着法等により選択的に設けた後、その電極配線３を用
いて該複数の赤外線キ★知用チップ２°表面に陽極酸化
処理を施し、パッシベート膜４を形成している。
前記複数の赤外線検知用チップ２′表面の縁端部上にか
けて陽極酸化処理用の導通接続用の全屈膜電極配線３を
蒸着法等により選択的に設けた後、その電極配線３を用
いて該複数の赤外線キ★知用チップ２°表面に陽極酸化
処理を施し、パッシベート膜４を形成している。
しかしながら、上記のように複数の赤外線検知用テンプ
２゛表面に陽極酸化処理を一度に施して、パッシベート
膜を形成するために設けた導通接続用の全屈膜電極配線
３が、支持基板１面と赤外線検知用チップ２′ との段
差部分において、該電極配線２゛の膜厚該薄くなったり
、また断線するといった所謂、ステ、７ブカバレージが
低下する不都合があり、陽極酸化処理を施した複数の赤
外線検知素子ノブ２゛中にパッシベート膜４が形成され
ないものが出現するといった欠点があった。
２゛表面に陽極酸化処理を一度に施して、パッシベート
膜を形成するために設けた導通接続用の全屈膜電極配線
３が、支持基板１面と赤外線検知用チップ２′ との段
差部分において、該電極配線２゛の膜厚該薄くなったり
、また断線するといった所謂、ステ、７ブカバレージが
低下する不都合があり、陽極酸化処理を施した複数の赤
外線検知素子ノブ２゛中にパッシベート膜４が形成され
ないものが出現するといった欠点があった。
またこのように配設された前記電極配線３により前記各
チップ２゛に余分な面精が必要となり、千ノブ面の有効
利用の点からも問題があった。
チップ２゛に余分な面精が必要となり、千ノブ面の有効
利用の点からも問題があった。
本発明はこのような従来の欠点に鑑み、複数の赤外線検
知用チップの表面に陽極酸化処理を施す際に、陽導通接
続用の金属模電極配線を用いず、複数の赤外線検知用チ
ップの全表面に確実に陽極酸化処理が施され、パッシベ
ート膜を形成することを可能とした新規な赤外線検知素
子の製造方法を提供することを目的とするものである。
知用チップの表面に陽極酸化処理を施す際に、陽導通接
続用の金属模電極配線を用いず、複数の赤外線検知用チ
ップの全表面に確実に陽極酸化処理が施され、パッシベ
ート膜を形成することを可能とした新規な赤外線検知素
子の製造方法を提供することを目的とするものである。
本発明は上記目的を達成するため、第１図（ａ）に示す
ように処理用の絶縁性支持基板２１上に赤外線検知用の
半専体結晶扱２２を接着剤等により貼着し、その結晶板
２２表面に突起部形成用のレジスト膜パターン２３を形
成し、該レジスト膜パターン２３をマスクにして該結晶
板２２の表面を選択的にエツチングして、第１図（ｂｌ
に示すように高さが２００〜３００μｍの複数の突起部
２４を形成した後、該突起部２４を含む結晶板２２表面
に陽極酸化膜２５を形成する。
ように処理用の絶縁性支持基板２１上に赤外線検知用の
半専体結晶扱２２を接着剤等により貼着し、その結晶板
２２表面に突起部形成用のレジスト膜パターン２３を形
成し、該レジスト膜パターン２３をマスクにして該結晶
板２２の表面を選択的にエツチングして、第１図（ｂｌ
に示すように高さが２００〜３００μｍの複数の突起部
２４を形成した後、該突起部２４を含む結晶板２２表面
に陽極酸化膜２５を形成する。
次に第１図（Ｃ）に示すように陽極酸化膜２５を施した
結晶板２２上に複数のチップ形成用のレジスト膜パター
ン２６を形成し、該レジスト膜パターン２６をマスクに
して選択的にエツチングを行い、前記支持基板上にそれ
ぞれ突起部２４を有する複数のチップ２７を形成する。
結晶板２２上に複数のチップ形成用のレジスト膜パター
ン２６を形成し、該レジスト膜パターン２６をマスクに
して選択的にエツチングを行い、前記支持基板上にそれ
ぞれ突起部２４を有する複数のチップ２７を形成する。
次に第１図ｆｄｌに示すように該支持基板２１上に形成
された複数のチップ２７を樹脂材２８に埋め込み硬化後
、前記各チップ２７の突起部２４上の陽極酸化膜２５の
みを樹脂材２８と共に研磨等により除去し、かかる樹脂
材２８に埋め込まれた状態の複数のチップ２７を前記支
持基板２１より外して、第１図（１１４１に示すように
その厚さを、前記突起部２４を除いた厚みが１０μｍ程
度となるように薄層化する。
された複数のチップ２７を樹脂材２８に埋め込み硬化後
、前記各チップ２７の突起部２４上の陽極酸化膜２５の
みを樹脂材２８と共に研磨等により除去し、かかる樹脂
材２８に埋め込まれた状態の複数のチップ２７を前記支
持基板２１より外して、第１図（１１４１に示すように
その厚さを、前記突起部２４を除いた厚みが１０μｍ程
度となるように薄層化する。
その後、第１図（［１に示すように薄層化した樹脂材埋
め込み形の複数のす、プ２７を、陽極酸化処理用の接続
電極が設けられた電極基板２９上に、突起部２４側を導
電材を介して貼着し、前記埋め込み樹脂材２８より露出
する複数のチップ２７の受光部となる表面に、陽極酸化
処理を施してパッシベーション膜３０を形成する。
め込み形の複数のす、プ２７を、陽極酸化処理用の接続
電極が設けられた電極基板２９上に、突起部２４側を導
電材を介して貼着し、前記埋め込み樹脂材２８より露出
する複数のチップ２７の受光部となる表面に、陽極酸化
処理を施してパッシベーション膜３０を形成する。
このように本発明では複数の赤外線検知用チップ２７の
各裏面側に、周囲が陽極酸化膜２５により保護された陽
極酸化電極接続用の突起部２４が設けられているため、
該複数の赤外線検知用チップ２７の各突起部２４を陽極
酸化処理用の接続電極が設けられた電極基板２９に接続
し、陽極酸化処理を行うことにより、該複数のチップ２
７の受光部となる表面にパッシベーション膜３０を確実
に形成することが可能となる。
各裏面側に、周囲が陽極酸化膜２５により保護された陽
極酸化電極接続用の突起部２４が設けられているため、
該複数の赤外線検知用チップ２７の各突起部２４を陽極
酸化処理用の接続電極が設けられた電極基板２９に接続
し、陽極酸化処理を行うことにより、該複数のチップ２
７の受光部となる表面にパッシベーション膜３０を確実
に形成することが可能となる。
以下図面を用いて本発明の実施例について詳細に説明す
る。
る。
第１図（＝１）〜（ｆｌは本発明に係る赤外線検知素子
の製造方法の一実施例を工程順に示す要部断面図である
。
の製造方法の一実施例を工程順に示す要部断面図である
。
先ず、第１図（ａ＋に示すように処理用の例えばテフロ
ン坂、或いはサファイア板等からなる絶縁性支持基板２
１上に、赤外線検知用のｆｉｇ−Ｃｄ−Ｔｅ半導体結晶
板２２をワックスなどの接着剤等により貼着し、その結
晶板２２表面に突起部形成用のレジスト膜パターン２３
を形成する。
ン坂、或いはサファイア板等からなる絶縁性支持基板２
１上に、赤外線検知用のｆｉｇ−Ｃｄ−Ｔｅ半導体結晶
板２２をワックスなどの接着剤等により貼着し、その結
晶板２２表面に突起部形成用のレジスト膜パターン２３
を形成する。
次に該レジスト膜パターン２３をマスクにして該結晶板
２２の表面を選択的にエツチングして、第１図（ｂｌに
示すように複数の高さが２００〜３００μｍの突起部２
４を形成した後、該突起部２４を含む結晶板２２表面に
陽極酸化膜２５を形成する。
２２の表面を選択的にエツチングして、第１図（ｂｌに
示すように複数の高さが２００〜３００μｍの突起部２
４を形成した後、該突起部２４を含む結晶板２２表面に
陽極酸化膜２５を形成する。
次に第１図（Ｃ１に示すように陽極酸化膜２５を施した
結晶板２２上に、複数のチップ形成用のレジスト膜パタ
ーン２６を形成し、該レジスト膜パターン２６をマスク
にして１ｉｉｌ記結晶板２２を臭素（Ｂｒ）系のエツチ
ング溶液により選択的にエツチングを行って、前記支持
基板上にそれぞれ突起部２４を有する複数のチップ２７
を形成する。
結晶板２２上に、複数のチップ形成用のレジスト膜パタ
ーン２６を形成し、該レジスト膜パターン２６をマスク
にして１ｉｉｌ記結晶板２２を臭素（Ｂｒ）系のエツチ
ング溶液により選択的にエツチングを行って、前記支持
基板上にそれぞれ突起部２４を有する複数のチップ２７
を形成する。
次に第１図Ｆｄｌに示すように該支持基板２１上に形成
された複数のチップ２７を、例えばエポキシ系の樹脂材
２８に埋め込み硬化後、前記各千ノブ２７の突起部２４
上の陽極酸化膜２５のみを樹脂材２８と共にラソピング
工程などにより除去し、かかる樹脂材２８に埋め込まれ
た状態の複数のチップ２７を、前記支持基板２１より外
して第１図ｆｅｌに示すようにその厚さを、前記突起部
２４を除いた厚みが１０μｍ程度となるように再びラソ
ビング工程などにより薄層化する。
された複数のチップ２７を、例えばエポキシ系の樹脂材
２８に埋め込み硬化後、前記各千ノブ２７の突起部２４
上の陽極酸化膜２５のみを樹脂材２８と共にラソピング
工程などにより除去し、かかる樹脂材２８に埋め込まれ
た状態の複数のチップ２７を、前記支持基板２１より外
して第１図ｆｅｌに示すようにその厚さを、前記突起部
２４を除いた厚みが１０μｍ程度となるように再びラソ
ビング工程などにより薄層化する。
その後、第１図（［１に示すように薄層化した樹脂材埋
め込み形の複数のチップ２７を、陽極酸化処理用の接続
電極が設けられた電極基板２９上に、各突起部２４側を
導電材を介して貼着して、前記埋め込み樹脂材２８より
露出する複数の千ツブ２７の受光部となる表面に陽極酸
化処理を施し、バンシベーション１１９３０を形成する
。
め込み形の複数のチップ２７を、陽極酸化処理用の接続
電極が設けられた電極基板２９上に、各突起部２４側を
導電材を介して貼着して、前記埋め込み樹脂材２８より
露出する複数の千ツブ２７の受光部となる表面に陽極酸
化処理を施し、バンシベーション１１９３０を形成する
。
以上の説明から明らかなように、本発明に係る赤外線検
知素子の製造方法によれば、複数のチップに陽極酸化処
理を行うための電極接続用の余分な表面積や導１１１ｉ
接続用の全屈膜電極配線を必要とせず、複数のチップの
受光部となる表面にパッシベーション膜を同時に、かつ
確実に形成することが可能となる優れた利点を有する。
知素子の製造方法によれば、複数のチップに陽極酸化処
理を行うための電極接続用の余分な表面積や導１１１ｉ
接続用の全屈膜電極配線を必要とせず、複数のチップの
受光部となる表面にパッシベーション膜を同時に、かつ
確実に形成することが可能となる優れた利点を有する。
第１図ｆａｔ〜（「）は本発明に係る赤外線検知素子の
製造方法の一実施例を工程順に示す要 部断面図、 第２図（２））〜（Ｃ１は従来の赤外線検知素子の製造
方法を説明するための工程図であり、（ａ）。 （ｂｌは要部断面図、ＦＣ＋は要部斜視図である。 第１図（ａｌ〜（ｒｌにおいて、 ２１は支持基板、２２は結晶板、２３は突起部形成相レ
ジス１−膜パターン、２４は複数の突起ａ］Ｘ、２５は
陽極酸化Ｈｔｌ、２ａはチップ他用レジストＩＫ’パタ
ーン、２７は複数のチ。 プ、２８は埋め込み樹脂材、２９は電極基板、３０はバ
、シベーション膜をそれぞれ示す。 士ッ７゛拓看り裡Ｉ （Ｃ１４ −ｆ−ｔ ７’の簿層花工科図 （ｂ） ハ”−ｖ”ｙＴ−＞ｐ＞＄ｃｐｒ、ＹｔｌＪ’１ｎ（ｌ
ａ（Ｃ） 従来ｙ’）を不７工硅フ 第２図
製造方法の一実施例を工程順に示す要 部断面図、 第２図（２））〜（Ｃ１は従来の赤外線検知素子の製造
方法を説明するための工程図であり、（ａ）。 （ｂｌは要部断面図、ＦＣ＋は要部斜視図である。 第１図（ａｌ〜（ｒｌにおいて、 ２１は支持基板、２２は結晶板、２３は突起部形成相レ
ジス１−膜パターン、２４は複数の突起ａ］Ｘ、２５は
陽極酸化Ｈｔｌ、２ａはチップ他用レジストＩＫ’パタ
ーン、２７は複数のチ。 プ、２８は埋め込み樹脂材、２９は電極基板、３０はバ
、シベーション膜をそれぞれ示す。 士ッ７゛拓看り裡Ｉ （Ｃ１４ −ｆ−ｔ ７’の簿層花工科図 （ｂ） ハ”−ｖ”ｙＴ−＞ｐ＞＄ｃｐｒ、ＹｔｌＪ’１ｎ（ｌ
ａ（Ｃ） 従来ｙ’）を不７工硅フ 第２図
Claims (1)
- 処理用支持基板（２１）上に赤外線検知用の半導体結晶
板（２２）を貼着し、該結晶板（２２）表面を選択的に
エッチングして複数の突起部（２４）を形成すると共に
、該突起部（２４）を含む結晶板（２２）表面に陽極酸
化膜（２５）を形成し、次に陽極酸化膜（２５）を施し
た結晶板（２２）を選択的にエッチングして前記支持基
板（２１）上にそれぞれ突起部（２４）を有する複数の
チップ（２７）を形成する工程と、該支持基板（２１）
上に形成され該複数のチップ（２７）を樹脂材（２８）
に埋め込み硬化後、各チップ（２７）の突起部（２４）
上の陽極酸化膜（２５）のみを除去する工程と、樹脂材
（２８）に埋め込まれた複数のチップ（２７）を前記支
持基板（２１）より外して薄層化する工程とを行った後
、該樹脂材（２８）に埋め込まれた複数のチップ（２７
）の突起部（２４）側を電極基板（２９）に貼着して前
記埋め込み樹脂材（２８）より露出する複数のチップ（
２７）表面に陽極酸化処理を施してパッシベーション膜
（３０）を形成することを特徴とする赤外線検知素子の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60240125A JPS62101087A (ja) | 1985-10-25 | 1985-10-25 | 赤外線検知素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60240125A JPS62101087A (ja) | 1985-10-25 | 1985-10-25 | 赤外線検知素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62101087A true JPS62101087A (ja) | 1987-05-11 |
| JPH0373148B2 JPH0373148B2 (ja) | 1991-11-20 |
Family
ID=17054867
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60240125A Granted JPS62101087A (ja) | 1985-10-25 | 1985-10-25 | 赤外線検知素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62101087A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU2001282621B2 (en) * | 2000-09-04 | 2004-11-11 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Rotary fluid machinery |
-
1985
- 1985-10-25 JP JP60240125A patent/JPS62101087A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU2001282621B2 (en) * | 2000-09-04 | 2004-11-11 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Rotary fluid machinery |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0373148B2 (ja) | 1991-11-20 |
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