JPS5976465A - 半導体素子の製造方法 - Google Patents
半導体素子の製造方法Info
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- JPS5976465A JPS5976465A JP57187748A JP18774882A JPS5976465A JP S5976465 A JPS5976465 A JP S5976465A JP 57187748 A JP57187748 A JP 57187748A JP 18774882 A JP18774882 A JP 18774882A JP S5976465 A JPS5976465 A JP S5976465A
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- Japan
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- substrate
- semiconductor substrate
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- support plate
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
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- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ） 発明の技術分野
本発明は半導体素子の製造方法に係り、特に裏面入射型
の光検知用半導体素子を形成する半導体基板を絶縁性支
持板に精度よく薄層化した状態で配設する方法に関する
ものである７ （ｂ） 技術の背景 光検知用半導体素子の１種として素子構成基板の裏面よ
り光を入射させて検知する、所謂裏面入射型の光検知用
半導体素子が知られている。このような素子を形成する
半導体基板は、該素子を形成するに先だって絶縁性支持
板上に接着剤等を用いて固着した状態で機械的な研磨お
よび化学的なエツチング等により数＋ｌＪｍの厚さ以下
に薄層化しているが、接着剤等により固着することに起
因して前記半導体基板を精度よく均一に薄層化すること
が難しく、容易に薄層化が行なえる方法が要望されてい
る。
の光検知用半導体素子を形成する半導体基板を絶縁性支
持板に精度よく薄層化した状態で配設する方法に関する
ものである７ （ｂ） 技術の背景 光検知用半導体素子の１種として素子構成基板の裏面よ
り光を入射させて検知する、所謂裏面入射型の光検知用
半導体素子が知られている。このような素子を形成する
半導体基板は、該素子を形成するに先だって絶縁性支持
板上に接着剤等を用いて固着した状態で機械的な研磨お
よび化学的なエツチング等により数＋ｌＪｍの厚さ以下
に薄層化しているが、接着剤等により固着することに起
因して前記半導体基板を精度よく均一に薄層化すること
が難しく、容易に薄層化が行なえる方法が要望されてい
る。
（Ｃン 従来技術と問題点
従来の裏面入射型光検知用半導体素子は第１図に示すよ
う傾サファイヤ等からなる光を透過する絶縁性支持板ｌ
上Ｋ例えばＩｎ Ｓｂ 、 Ｐｂ Ｓｎ Ｔｅからなる
Ｐ導電型の基板２を樹脂性の接着剤３によって固着し、
かかる基板２の厚さを、図示しない研磨治具と研磨装置
による機械的研磨と化学的エツチングによって第２図に
示すように数＋／１ｍの厚さ以下に薄層化し、しかる稜
第３図に示すように該基板２上に選択的に不純物を拡散
してｎ導電型の検知機能部４を形成し、さらに該機能部
３につらなる電極接続パターン６を図示のように絶縁膜
５を介して配設し、検知すべき光ｈＶを前記素子構成基
板１の裏面から入射せしめ、前記検知ｉ能部４にて光電
置換された検知信号を該機能部４に連なる電極接続パタ
ーン６より取り出すように構成されている。
う傾サファイヤ等からなる光を透過する絶縁性支持板ｌ
上Ｋ例えばＩｎ Ｓｂ 、 Ｐｂ Ｓｎ Ｔｅからなる
Ｐ導電型の基板２を樹脂性の接着剤３によって固着し、
かかる基板２の厚さを、図示しない研磨治具と研磨装置
による機械的研磨と化学的エツチングによって第２図に
示すように数＋／１ｍの厚さ以下に薄層化し、しかる稜
第３図に示すように該基板２上に選択的に不純物を拡散
してｎ導電型の検知機能部４を形成し、さらに該機能部
３につらなる電極接続パターン６を図示のように絶縁膜
５を介して配設し、検知すべき光ｈＶを前記素子構成基
板１の裏面から入射せしめ、前記検知ｉ能部４にて光電
置換された検知信号を該機能部４に連なる電極接続パタ
ーン６より取り出すように構成されている。
ところが上記従来の製造方法にあっては、素子を形成ず
べきＩｎ Ｓｂ、 Ｐｂ Ｓｎ Ｔｅ からなる基板
２をザファイヤ等からなる絶縁性の支持基板１上に樹脂
性の接着剤３を用いて固着した状態で数＋μｍの厚さ以
下に機械的研磨および化学エツチング等によって薄層化
しているため、前記支持板１と基板２間に介在した接着
剤３の厚さの不均一、あるいは介在厚さに起因して薄層
化された基板２の厚さが不均一になったり、また所定の
厚さよりも薄くなるといった不都合が生じ、精度よく薄
層化することができない欠点を有し、以後の素子形成歩
留を低下させ又いた。
べきＩｎ Ｓｂ、 Ｐｂ Ｓｎ Ｔｅ からなる基板
２をザファイヤ等からなる絶縁性の支持基板１上に樹脂
性の接着剤３を用いて固着した状態で数＋μｍの厚さ以
下に機械的研磨および化学エツチング等によって薄層化
しているため、前記支持板１と基板２間に介在した接着
剤３の厚さの不均一、あるいは介在厚さに起因して薄層
化された基板２の厚さが不均一になったり、また所定の
厚さよりも薄くなるといった不都合が生じ、精度よく薄
層化することができない欠点を有し、以後の素子形成歩
留を低下させ又いた。
（由 発明の目的
本発明は上記従来の欠点に鑑み、支持板に対す半導体基
板の固定構造を改良し、該支持板に固着した前記基板を
所定の厚さに精度よく、かつ簡単に薄層化し得る新規な
る半導体素子の製造方法を提供することを目的とするも
のである。
板の固定構造を改良し、該支持板に固着した前記基板を
所定の厚さに精度よく、かつ簡単に薄層化し得る新規な
る半導体素子の製造方法を提供することを目的とするも
のである。
＜ｅ） 発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば、絶縁性支持板に穿設
された貫通穴内に、該支持板の厚さよりも厚い素子形成
用半導体基板を嵌入して接着剤により固定した後、前記
半導体基板を支持板の表裏面と同一面になるように研磨
し、さらに研磨された半導体基板の表裏両面をエツチン
グして所定の厚さにし、その−主表面を素子形成面とし
たことを特徴とする半導体素子の製造方法によって達成
される。
された貫通穴内に、該支持板の厚さよりも厚い素子形成
用半導体基板を嵌入して接着剤により固定した後、前記
半導体基板を支持板の表裏面と同一面になるように研磨
し、さらに研磨された半導体基板の表裏両面をエツチン
グして所定の厚さにし、その−主表面を素子形成面とし
たことを特徴とする半導体素子の製造方法によって達成
される。
（ｆン 発明の実施例
以下図面を用いて本発明の実施例について詳細に説明す
る。
る。
第４図乃至第９図は本発明に係る裏面入射型光検知用半
導体素子の製造方法の一実施例を工程順に説明する平面
図および側断面図である。まず第４図の平面図および第
５図の側断面図で示されるように、例えば５０μｍ程度
の厚さを有し、中央部に貫通穴２２が穿設されたザファ
イヤ等からなる厚み精度のよい絶縁１コＶ支持板２１を
用意し、かかる支持板２１．ヒに従来のごとく光検知素
子形成用の半導体基板を固着する方法をとらずに該絶縁
性支持板２１の貫通穴２２内に第６図に示すように、例
えは前記支持板２１の厚さよりも５１１いＩｎ Ｓｂ
、 Ｐｂ Ｓｎ Ｔｅからなる赤外線検知素子形成用の
半導体基板２３をＯ’ｐ人して樹脂性の接着剤２４によ
って固着する。次いで前記支持板２１の両面より突出し
た半導体基板２３の両面を機械的に研磨して第７図に示
すように前記支持板２１の面と同一高さにする。この研
磨工程においてはＭｉＪ記支持板２１の硬度が半導体基
板２３の硬度よりも極めて大きいので該支持板２１が研
磨されずに、半導体基板２３の面突出面部分のみが研磨
されて、その各研磨面が支持板２１の各面と同一面とな
るように精度よく、かつ簡単に仕上げることができる。
導体素子の製造方法の一実施例を工程順に説明する平面
図および側断面図である。まず第４図の平面図および第
５図の側断面図で示されるように、例えば５０μｍ程度
の厚さを有し、中央部に貫通穴２２が穿設されたザファ
イヤ等からなる厚み精度のよい絶縁１コＶ支持板２１を
用意し、かかる支持板２１．ヒに従来のごとく光検知素
子形成用の半導体基板を固着する方法をとらずに該絶縁
性支持板２１の貫通穴２２内に第６図に示すように、例
えは前記支持板２１の厚さよりも５１１いＩｎ Ｓｂ
、 Ｐｂ Ｓｎ Ｔｅからなる赤外線検知素子形成用の
半導体基板２３をＯ’ｐ人して樹脂性の接着剤２４によ
って固着する。次いで前記支持板２１の両面より突出し
た半導体基板２３の両面を機械的に研磨して第７図に示
すように前記支持板２１の面と同一高さにする。この研
磨工程においてはＭｉＪ記支持板２１の硬度が半導体基
板２３の硬度よりも極めて大きいので該支持板２１が研
磨されずに、半導体基板２３の面突出面部分のみが研磨
されて、その各研磨面が支持板２１の各面と同一面とな
るように精度よく、かつ簡単に仕上げることができる。
次いでこのように形成された半導体基板２３の裏面を２
０μｍ程度エツチング除去して、第８図に示すように赤
外線入射面２５を形成する。なお該入射面２５には必要
に応じて、赤外線が透過する樹脂性の接着剤２６を図示
のように充填して前記入射面２５を補強保護するように
してもよい。さらに、かかる半導体基板２３の表面を、
同じく５μｍ程度エツチング除去して、第９図に示すよ
うに素子形成面２７を形成する。以後の素子形成工程は
従来と特に変りがなく、かくすることにより、裏面入射
型光検知素子形成用の半導体基板２３を所定の厚さに精
度よく容易に薄層化することが可能となる。
０μｍ程度エツチング除去して、第８図に示すように赤
外線入射面２５を形成する。なお該入射面２５には必要
に応じて、赤外線が透過する樹脂性の接着剤２６を図示
のように充填して前記入射面２５を補強保護するように
してもよい。さらに、かかる半導体基板２３の表面を、
同じく５μｍ程度エツチング除去して、第９図に示すよ
うに素子形成面２７を形成する。以後の素子形成工程は
従来と特に変りがなく、かくすることにより、裏面入射
型光検知素子形成用の半導体基板２３を所定の厚さに精
度よく容易に薄層化することが可能となる。
め 発明の効果
以上の説明から明らかなように、本発明に係る半導体素
子の製造方法によれば、裏面入射型光検知用の半導体素
子形成用の半導体基板を所定の厚さに、容易に精度よく
薄層化することが可能となり、以後の素子形成工程での
歩留りが向上する利点を有し、このような構成の各種光
センサ等の製造に、本発明の方法を適用して極めて有利
である。
子の製造方法によれば、裏面入射型光検知用の半導体素
子形成用の半導体基板を所定の厚さに、容易に精度よく
薄層化することが可能となり、以後の素子形成工程での
歩留りが向上する利点を有し、このような構成の各種光
センサ等の製造に、本発明の方法を適用して極めて有利
である。
第１図乃至第３図は従来の裏面入射型光検知用半導体素
子の製造方法を工程順に説明する断面図、第４図乃至第
９図は本発明に係る裏面入射型光検知用半導体素子の製
造方法の一実施例を工程順に説明する平面図および断面
図を示す。 図面において、２１は絶縁性支持板、２２は貫通穴、２
：）は半導体基板、２４．２６は樹脂性の接着剤、２５
は入射面、２７は素子形成面を示す、 第１図 第２図 第３図 第４（閉 ＼ 第５図 第６図 ］］〜 第７図 二ニニＴ ］畳下 第９図 ゝ２１ ２１ ．２１ ．２１
子の製造方法を工程順に説明する断面図、第４図乃至第
９図は本発明に係る裏面入射型光検知用半導体素子の製
造方法の一実施例を工程順に説明する平面図および断面
図を示す。 図面において、２１は絶縁性支持板、２２は貫通穴、２
：）は半導体基板、２４．２６は樹脂性の接着剤、２５
は入射面、２７は素子形成面を示す、 第１図 第２図 第３図 第４（閉 ＼ 第５図 第６図 ］］〜 第７図 二ニニＴ ］畳下 第９図 ゝ２１ ２１ ．２１ ．２１
Claims (1)
- 絶縁性支持板に穿設された貫通穴内に、該支持板の厚さ
よりも厚い素子形成用半導体基板を嵌入して接着剤によ
り固定した後、前記半導体基板を支持板の表裏面と同一
面になるように研磨し、さらに研磨された半導体基板の
表裏両面をエツチングして該半導体基板を所定の厚さに
し、その−主表面を素子機能部形成面としたことを特徴
とする半導体素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57187748A JPS5976465A (ja) | 1982-10-25 | 1982-10-25 | 半導体素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57187748A JPS5976465A (ja) | 1982-10-25 | 1982-10-25 | 半導体素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5976465A true JPS5976465A (ja) | 1984-05-01 |
Family
ID=16211507
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57187748A Pending JPS5976465A (ja) | 1982-10-25 | 1982-10-25 | 半導体素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5976465A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02214158A (ja) * | 1989-02-15 | 1990-08-27 | Mitsubishi Electric Corp | 赤外線イメージセンサ装置 |
| US5349234A (en) * | 1992-05-29 | 1994-09-20 | Eastman Kodak Company | Package and method for assembly of infra-red imaging devices |
-
1982
- 1982-10-25 JP JP57187748A patent/JPS5976465A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02214158A (ja) * | 1989-02-15 | 1990-08-27 | Mitsubishi Electric Corp | 赤外線イメージセンサ装置 |
| US5349234A (en) * | 1992-05-29 | 1994-09-20 | Eastman Kodak Company | Package and method for assembly of infra-red imaging devices |
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