JPS6260821B2 - - Google Patents
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- JPS6260821B2 JPS6260821B2 JP57213138A JP21313882A JPS6260821B2 JP S6260821 B2 JPS6260821 B2 JP S6260821B2 JP 57213138 A JP57213138 A JP 57213138A JP 21313882 A JP21313882 A JP 21313882A JP S6260821 B2 JPS6260821 B2 JP S6260821B2
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- Japan
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- receiving elements
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- substrate
- manufacturing
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- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
- H01L27/14669—Infrared imagers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Electromagnetism (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Light Receiving Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(a) 発明の技術分野
本発明は多素子型光電変換素子の製造方法に係
り特に光導電現象を利用した多素子型赤外線検知
素子の側面に酸化保護膜を容易に形成する方法に
関するものである。
り特に光導電現象を利用した多素子型赤外線検知
素子の側面に酸化保護膜を容易に形成する方法に
関するものである。
(b) 技術の背景
エネルギーギヤツプの小さい多元半導体結晶基
板をサフアイヤ等からなる支持基板上に設け、該
多元半導体結晶基板を薄層化し、この薄い結晶基
板の主表面に多数の赤外線受光部を画定するよう
に絶縁膜を介して各受光部に対応する電極を設
け、それぞれ電極によつて画定された赤外線受光
部間の結晶基板を選択的に除去して複数の光伝導
型の受光素子を構成してなる多素子型赤外線検知
素子は周知である。
板をサフアイヤ等からなる支持基板上に設け、該
多元半導体結晶基板を薄層化し、この薄い結晶基
板の主表面に多数の赤外線受光部を画定するよう
に絶縁膜を介して各受光部に対応する電極を設
け、それぞれ電極によつて画定された赤外線受光
部間の結晶基板を選択的に除去して複数の光伝導
型の受光素子を構成してなる多素子型赤外線検知
素子は周知である。
(c) 従来技術と問題点
即ち従来の多素子型赤外線検知素子は、第１図
に示すように、例えばサフアイヤ等からなる支持
基板１上に裏面に絶縁膜を被着してなる多元半導
体基板２を接着剤によつて固着し、該半導体基板
２を所定の厚さに薄層化した後、その半導体基板
１の表面に多数の赤外線受光部３を画定するよう
に図示しない絶縁膜を介して金属導電膜を被着す
る。しかる後上記半導体基板２を所定の受光素子
パターンに選択的にパターニングして、前記支持
基板１上にそれぞれ個別電極４と共通電極５によ
つて画定された複数の受光素子６を有する多素子
に素子化している。
に示すように、例えばサフアイヤ等からなる支持
基板１上に裏面に絶縁膜を被着してなる多元半導
体基板２を接着剤によつて固着し、該半導体基板
２を所定の厚さに薄層化した後、その半導体基板
１の表面に多数の赤外線受光部３を画定するよう
に図示しない絶縁膜を介して金属導電膜を被着す
る。しかる後上記半導体基板２を所定の受光素子
パターンに選択的にパターニングして、前記支持
基板１上にそれぞれ個別電極４と共通電極５によ
つて画定された複数の受光素子６を有する多素子
に素子化している。
ところで上記の如き構成の赤外線検知素子、特
に光導電形の検知素子においては、外部からの不
純物の汚染等によつて素子内に反転層の形成や、
界面準位の発生によりデバイス特性の劣化を防止
するために素子の表、裏面に酸化膜等の保護膜を
被覆して、特性の安定化を図つている。また素子
側面にも当然、前記保護膜を被覆する必要がある
が、該素子の厚さが薄いために前記保護膜の被覆
が容易でなかつた。即ち、前記支持基板１上に複
数の受光素子６をフオトリソ工程によつてパター
ニング形成した後、あらためて前記複数の受光素
子６の表面のみにレジスト膜を被覆して各素子の
側面に例えば陽極酸化法によつて保護膜を形成す
ることが試みられているが、前記複数の受光素子
６によつて構成された多素子の表面が約10μｍ程
度の凹凸形状となつているので前記素子側面のみ
を露出させるようにレジスト膜を精度よくパター
ニングすることは至難であつた。そこで前記複数
の受光素子６の表面にレジスト膜を被覆すること
なく直接各素子の側面に陽極酸化膜を形成させる
ことも考えられるが、この場合、電極４，５に電
解電流が集中し、目的とする素子側面に対する電
流密度が減少するため、陽極酸化が正常に行なわ
れず、また電極が電解液と反応して溶解する等の
不都合があつた。
に光導電形の検知素子においては、外部からの不
純物の汚染等によつて素子内に反転層の形成や、
界面準位の発生によりデバイス特性の劣化を防止
するために素子の表、裏面に酸化膜等の保護膜を
被覆して、特性の安定化を図つている。また素子
側面にも当然、前記保護膜を被覆する必要がある
が、該素子の厚さが薄いために前記保護膜の被覆
が容易でなかつた。即ち、前記支持基板１上に複
数の受光素子６をフオトリソ工程によつてパター
ニング形成した後、あらためて前記複数の受光素
子６の表面のみにレジスト膜を被覆して各素子の
側面に例えば陽極酸化法によつて保護膜を形成す
ることが試みられているが、前記複数の受光素子
６によつて構成された多素子の表面が約10μｍ程
度の凹凸形状となつているので前記素子側面のみ
を露出させるようにレジスト膜を精度よくパター
ニングすることは至難であつた。そこで前記複数
の受光素子６の表面にレジスト膜を被覆すること
なく直接各素子の側面に陽極酸化膜を形成させる
ことも考えられるが、この場合、電極４，５に電
解電流が集中し、目的とする素子側面に対する電
流密度が減少するため、陽極酸化が正常に行なわ
れず、また電極が電解液と反応して溶解する等の
不都合があつた。
(d) 発明の目的
本発明は上記従来の不都合を除去するため、支
持基板上の半導体基板にフオトリソ工程によつて
複数の受光素子を形成した際のレジストパターン
をそのまま利用して前記複数の受光素子の各側面
に効率よく陽極酸化膜を形成するようにした多素
子型光電変換素子の製造方法を提供することを目
的とするものである。
持基板上の半導体基板にフオトリソ工程によつて
複数の受光素子を形成した際のレジストパターン
をそのまま利用して前記複数の受光素子の各側面
に効率よく陽極酸化膜を形成するようにした多素
子型光電変換素子の製造方法を提供することを目
的とするものである。
(e) 発明の構成
そして上記目的は本発明によれば、支持基板上
に配設された多元半導体基板を選択的に除去して
複数の受光素子に分割した後、該分割のために用
いたレジストパターンをマスクにして前記各受光
素子の側面に陽極酸化膜を被覆するようにしたこ
とを特徴とする多素子型光電変換素子の製造方法
を提供することによつて達成される。
に配設された多元半導体基板を選択的に除去して
複数の受光素子に分割した後、該分割のために用
いたレジストパターンをマスクにして前記各受光
素子の側面に陽極酸化膜を被覆するようにしたこ
とを特徴とする多素子型光電変換素子の製造方法
を提供することによつて達成される。
(f) 発明の実施例
以下図面を用いて本発明に係る製造方法の実施
例について詳細に説明する。
例について詳細に説明する。
第２図乃至第６図は本発明に係る多素子型光電
変換素子の製造方法の一実施例を工程順に示す要
部断面図である。
変換素子の製造方法の一実施例を工程順に示す要
部断面図である。
まず第２図に示すように従来と同様の工程によ
つて例えばサフアイヤからなる支持基板２１上
に、裏面に酸化膜２３が被着された多元半導体基
板２２を例えばエポキシ樹脂等からなる接着剤２
４によつて固着し、該基板を所定の厚さに薄層化
した後、該基板２２の表面に多数の赤外線受光部
を画定するようにリフトオフ法を用いて酸化膜２
４を介在して被着した金属導電膜を選択的にパタ
ーニングして所定の電極２５パターンを形成す
る。次いで該電極２５パターンが形成された半導
体基板２２の全表面に、第３図に示すようにレジ
スト膜２６を塗着し、該レジスト膜２６を所定の
パターンにパターニングする。そして第４図に示
すようにパターニングしたレジスト膜２６をマス
クにして前記半導体基板２２を選択的にエツチン
グ除去して素子分割をなし、支持基板２１上に電
極２５によつて画定された複数の受光素子２７を
有する多素子型の赤外線検知素子を形成する。引
続いて第４図に示すように前記レジスト膜２６を
マスクにして前記各受光素子２７を、支持基板２
１ごと陽極酸化工程において陽極酸化処理を行う
ことにより、第５図に示すように前記各受光素子
２７の側面に容易に陽極酸化膜２８を形成するこ
とが可能となる。その後前記レジスト膜をレジス
ト剥離液にて除去すれば、外部からの特性劣化の
影響が防止され、素子特性の向上、安定化を図る
ことができる。
つて例えばサフアイヤからなる支持基板２１上
に、裏面に酸化膜２３が被着された多元半導体基
板２２を例えばエポキシ樹脂等からなる接着剤２
４によつて固着し、該基板を所定の厚さに薄層化
した後、該基板２２の表面に多数の赤外線受光部
を画定するようにリフトオフ法を用いて酸化膜２
４を介在して被着した金属導電膜を選択的にパタ
ーニングして所定の電極２５パターンを形成す
る。次いで該電極２５パターンが形成された半導
体基板２２の全表面に、第３図に示すようにレジ
スト膜２６を塗着し、該レジスト膜２６を所定の
パターンにパターニングする。そして第４図に示
すようにパターニングしたレジスト膜２６をマス
クにして前記半導体基板２２を選択的にエツチン
グ除去して素子分割をなし、支持基板２１上に電
極２５によつて画定された複数の受光素子２７を
有する多素子型の赤外線検知素子を形成する。引
続いて第４図に示すように前記レジスト膜２６を
マスクにして前記各受光素子２７を、支持基板２
１ごと陽極酸化工程において陽極酸化処理を行う
ことにより、第５図に示すように前記各受光素子
２７の側面に容易に陽極酸化膜２８を形成するこ
とが可能となる。その後前記レジスト膜をレジス
ト剥離液にて除去すれば、外部からの特性劣化の
影響が防止され、素子特性の向上、安定化を図る
ことができる。
なお前記各受光素子２７の側面に陽極酸化を施
す場合、各受光素子２７の一方の電極を共通に連
結している共通電極を利用して陽極酸化用電源の
陽極と接続するようにすればよい。その他前記共
通電極の端部を支持基板２１の裏面に導電塗料等
によつて引き出し前記電源の陽極と接続するよう
にしてもよい。
す場合、各受光素子２７の一方の電極を共通に連
結している共通電極を利用して陽極酸化用電源の
陽極と接続するようにすればよい。その他前記共
通電極の端部を支持基板２１の裏面に導電塗料等
によつて引き出し前記電源の陽極と接続するよう
にしてもよい。
(g) 発明の効果
以上の説明から明らかなように本発明に係る多
素子型光電変換素子の製造方法によれば、支持基
板上の半導体基板にフオトリソ工程によつて複数
の受光素子を形成した際に用いたレジストパター
ンをそのまま利用して各受光素子の側面にのみ選
択的に陽極酸化処理を施こすことにより、極めて
合理的、かつ効率よく陽極酸化膜を形成すること
が可能となり、素子特性の向上、安定化を図るこ
とができる利点を有する。よつて本発明で説明し
た多素子型の赤外線検知素子に限らず単素子の赤
外線検知素子の製造方法にも本発明の方法を適用
して極めて有利である。
素子型光電変換素子の製造方法によれば、支持基
板上の半導体基板にフオトリソ工程によつて複数
の受光素子を形成した際に用いたレジストパター
ンをそのまま利用して各受光素子の側面にのみ選
択的に陽極酸化処理を施こすことにより、極めて
合理的、かつ効率よく陽極酸化膜を形成すること
が可能となり、素子特性の向上、安定化を図るこ
とができる利点を有する。よつて本発明で説明し
た多素子型の赤外線検知素子に限らず単素子の赤
外線検知素子の製造方法にも本発明の方法を適用
して極めて有利である。
第１図は従来の多素子型赤外線検知素子の構成
及び製造方法を説明する斜視図、第２図乃至第５
図は本発明に係る製造方法を多素子型赤外線検知
素子の製造に適用した場合の一実施例を工程順に
示す要部断面図である。 図面において、２１は支持基板、２２は多元半
導体基板、２３は酸化膜、２４は接着剤、２５は
電極、２６はレジスト膜、２７は複数の受光素
子、２８は陽極酸化膜を示す。
及び製造方法を説明する斜視図、第２図乃至第５
図は本発明に係る製造方法を多素子型赤外線検知
素子の製造に適用した場合の一実施例を工程順に
示す要部断面図である。 図面において、２１は支持基板、２２は多元半
導体基板、２３は酸化膜、２４は接着剤、２５は
電極、２６はレジスト膜、２７は複数の受光素
子、２８は陽極酸化膜を示す。
Claims (1)
- １ 支持基板上に配設された多元半導体基板を選
択的にエツチング除去して複数の受光素子に分割
した後、該分割のためのエツチングに用いたレジ
ストパターンをマスクにして前記各受光素子の側
面に陽極酸化膜を被覆するようにしたことを特徴
とする多素子型光電変換素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57213138A JPS59103386A (ja) | 1982-12-03 | 1982-12-03 | 多素子型光電変換素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57213138A JPS59103386A (ja) | 1982-12-03 | 1982-12-03 | 多素子型光電変換素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59103386A JPS59103386A (ja) | 1984-06-14 |
| JPS6260821B2 true JPS6260821B2 (ja) | 1987-12-18 |
Family
ID=16634200
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57213138A Granted JPS59103386A (ja) | 1982-12-03 | 1982-12-03 | 多素子型光電変換素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59103386A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06147557A (ja) * | 1992-10-30 | 1994-05-27 | Haabesuto Syst:Kk | 空気調和機 |
-
1982
- 1982-12-03 JP JP57213138A patent/JPS59103386A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06147557A (ja) * | 1992-10-30 | 1994-05-27 | Haabesuto Syst:Kk | 空気調和機 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59103386A (ja) | 1984-06-14 |
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