JPH04301097A - 選択酸化導電性膜の形成方法 - Google Patents
選択酸化導電性膜の形成方法Info
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Landscapes
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、所定領域を除く部分に
酸化層を有する選択酸化導電性膜の形成方法に関するも
のである。
酸化層を有する選択酸化導電性膜の形成方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】例えば、薄膜トランジスタや薄膜ダイオ
ード等の薄膜素子として、その絶縁破壊耐圧を高くする
ため、電極および配線等の金属膜や、ｎ型またはｐ型半
導体膜等の導電性膜を、所定領域（電極または半導体層
として最小限必要な面積領域）を除く部分に酸化層を有
する選択酸化導電性膜としたものがある。
ード等の薄膜素子として、その絶縁破壊耐圧を高くする
ため、電極および配線等の金属膜や、ｎ型またはｐ型半
導体膜等の導電性膜を、所定領域（電極または半導体層
として最小限必要な面積領域）を除く部分に酸化層を有
する選択酸化導電性膜としたものがある。
【０００３】図２は、従来の選択酸化導電性膜の形成方
法を示しており、選択酸化導電性膜は、次のような工程
で形成されている。
法を示しており、選択酸化導電性膜は、次のような工程
で形成されている。
【０００４】まず、図２（ａ）に示すように、ガラス基
板等の絶縁性基板１上に、導電性膜２を所定パターンに
形成する。
板等の絶縁性基板１上に、導電性膜２を所定パターンに
形成する。
【０００５】なお、この導電性膜２は、例えば逆スタガ
ー型薄膜トランジスタの下部電極であるゲート電極およ
びその配線であり、この導電性膜２は、アルミニウムま
たはタンタル等の金属をスパッタリング法等により基板
１上に成膜し、この金属膜をフォトエッチング法により
パターニングして形成されている。
ー型薄膜トランジスタの下部電極であるゲート電極およ
びその配線であり、この導電性膜２は、アルミニウムま
たはタンタル等の金属をスパッタリング法等により基板
１上に成膜し、この金属膜をフォトエッチング法により
パターニングして形成されている。
【０００６】次に、上記導電性膜２を陽極酸化し、図２
（ｂ）に示すように、導電性膜２の表面に酸化層２ａを
生成する。
（ｂ）に示すように、導電性膜２の表面に酸化層２ａを
生成する。
【０００７】この導電性膜２の陽極酸化は、上記導電性
膜２を形成した基板１を電解液中に浸漬して、この基板
１面の導電性膜２を電解液中に浸漬されている対向電極
（白金電極）に対向させ、この状態で導電性膜２に＋電
圧、対向電極に−電圧を印加して行なわれており、この
ように電解液中において導電性膜２と対向電極との間に
電圧を印加すると、導電性膜２が化成反応を起して、そ
の表面全体が陽極酸化される。
膜２を形成した基板１を電解液中に浸漬して、この基板
１面の導電性膜２を電解液中に浸漬されている対向電極
（白金電極）に対向させ、この状態で導電性膜２に＋電
圧、対向電極に−電圧を印加して行なわれており、この
ように電解液中において導電性膜２と対向電極との間に
電圧を印加すると、導電性膜２が化成反応を起して、そ
の表面全体が陽極酸化される。
【０００８】なお、導電性膜２の表面に生成する酸化層
２ａの厚さ（酸化深さ）は、導電性膜２と対向電極との
間に印加する電圧によって決まるため、印加電圧は、酸
化層２ａが導電性膜２の表面層だけに生成する値に設定
されている。
２ａの厚さ（酸化深さ）は、導電性膜２と対向電極との
間に印加する電圧によって決まるため、印加電圧は、酸
化層２ａが導電性膜２の表面層だけに生成する値に設定
されている。
【０００９】次に、図２（ｃ）に示すように、導電性膜
２の表面の酸化層２ａのうち、所定領域の酸化層をフォ
トエッチング法により除去して、その下の導電性層（非
酸化層）を露出させ、所定領域を除く部分に酸化層２ａ
を有する選択酸化導電性膜を形成する。
２の表面の酸化層２ａのうち、所定領域の酸化層をフォ
トエッチング法により除去して、その下の導電性層（非
酸化層）を露出させ、所定領域を除く部分に酸化層２ａ
を有する選択酸化導電性膜を形成する。
【００１０】なお、ここでは、金属膜からなる選択酸化
導電性膜の形成について説明したが、ｎ型またはｐ型半
導体膜からなる選択酸化導電性膜も、上記と同様な方法
で形成されている。
導電性膜の形成について説明したが、ｎ型またはｐ型半
導体膜からなる選択酸化導電性膜も、上記と同様な方法
で形成されている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の選択酸化導電性膜の形成方法は、導電性膜２の表面
全体を陽極酸化し、この後、所定領域の酸化層２ａをッ
チングにより除去して、その下の導電性層を露出させる
ものであるため、上記所定領域に表面が露出する状態で
残される導電性層の厚さが極端に薄くなってしまうとい
う問題をもっていた。
来の選択酸化導電性膜の形成方法は、導電性膜２の表面
全体を陽極酸化し、この後、所定領域の酸化層２ａをッ
チングにより除去して、その下の導電性層を露出させる
ものであるため、上記所定領域に表面が露出する状態で
残される導電性層の厚さが極端に薄くなってしまうとい
う問題をもっていた。
【００１２】これは、金属または半導体の酸化物は一般
に非酸化物よりもかなり耐蝕性が高いためであり、その
ため、上記酸化層２ａのエッチング時に、その下の導電
性層（非酸化層）もエッチングされて、この導電性層の
厚さが極端に薄くなってしまう。
に非酸化物よりもかなり耐蝕性が高いためであり、その
ため、上記酸化層２ａのエッチング時に、その下の導電
性層（非酸化層）もエッチングされて、この導電性層の
厚さが極端に薄くなってしまう。
【００１３】このため、上記従来の方法で形成された選
択酸化導電性膜は、電極または半導体層として用いられ
る領域（表面の酸化層２ａをエッチング除去して導電性
層を露出させた領域）の膜厚が極端に薄くて、その導電
性が大きく低下していた。
択酸化導電性膜は、電極または半導体層として用いられ
る領域（表面の酸化層２ａをエッチング除去して導電性
層を露出させた領域）の膜厚が極端に薄くて、その導電
性が大きく低下していた。
【００１４】本発明の目的は、所定領域に表面が露出す
る状態で残される導電性層の厚さを十分に確保して、上
記所定領域に高い導電性をもたせることができる、選択
酸化導電性膜の形成方法を提供することにある。
る状態で残される導電性層の厚さを十分に確保して、上
記所定領域に高い導電性をもたせることができる、選択
酸化導電性膜の形成方法を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明の選択酸化導電性
膜の形成方法は、導電性膜の所定領域の表面をレジスト
層でマスクしてこの導電性膜を陽極酸化し、この後前記
レジスト層を剥離して、前記導電性膜の所定領域を露出
させることを特徴とするものである。
膜の形成方法は、導電性膜の所定領域の表面をレジスト
層でマスクしてこの導電性膜を陽極酸化し、この後前記
レジスト層を剥離して、前記導電性膜の所定領域を露出
させることを特徴とするものである。
【００１６】
【作用】このように、導電性膜の所定領域の表面をレジ
スト層でマスクしておいてこの導電性膜を陽極酸化すれ
ば、上記導電性膜は、上記所定領域以外の部分だけを酸
化されるため、この後前記レジスト層を剥離して導電性
膜の所定領域を露出させれば、この所定領域に表面が露
出する状態で残される導電性層は、上記導電性膜の最初
の膜厚と同じ厚さに残る。
スト層でマスクしておいてこの導電性膜を陽極酸化すれ
ば、上記導電性膜は、上記所定領域以外の部分だけを酸
化されるため、この後前記レジスト層を剥離して導電性
膜の所定領域を露出させれば、この所定領域に表面が露
出する状態で残される導電性層は、上記導電性膜の最初
の膜厚と同じ厚さに残る。
【００１７】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１を参照して説
明する。
明する。
【００１８】まず、図１（ａ）に示すように、ガラス基
板等の絶縁性基板１上に、導電性膜２を所定パターンに
形成する。
板等の絶縁性基板１上に、導電性膜２を所定パターンに
形成する。
【００１９】なお、この導電性膜２は、例えば逆スタガ
ー型薄膜トランジスタの下部電極であるゲート電極およ
びその配線であり、この導電性膜２は、従来と同様にし
て形成する。
ー型薄膜トランジスタの下部電極であるゲート電極およ
びその配線であり、この導電性膜２は、従来と同様にし
て形成する。
【００２０】次に、図１（ｂ）に示すように、上記導電
性膜２の所定領域（電極として用いられる領域）の表面
をレジスト層３でマスクし、この状態で上記導電性膜２
を陽極酸化して、導電性膜２の表面に酸化層２ａを生成
する。
性膜２の所定領域（電極として用いられる領域）の表面
をレジスト層３でマスクし、この状態で上記導電性膜２
を陽極酸化して、導電性膜２の表面に酸化層２ａを生成
する。
【００２１】上記レジスト層３は、フォトレジストを塗
布してこれを露光および現像処理する周知の方法で形成
する。
布してこれを露光および現像処理する周知の方法で形成
する。
【００２２】また、導電性膜２の陽極酸化は、従来と同
様に、導電性膜２を形成した基板１を電解液中に浸漬し
、導電性膜２と対向電極との間に電圧を印加して行なう
。
様に、導電性膜２を形成した基板１を電解液中に浸漬し
、導電性膜２と対向電極との間に電圧を印加して行なう
。
【００２３】なお、上記導電性膜２は、例えばアルミニ
ウムまたはタンタル等の金属膜であり、その陽極酸化は
、クエン酸溶液またはホウ酸アンモニウム溶液を電解液
として行なう。
ウムまたはタンタル等の金属膜であり、その陽極酸化は
、クエン酸溶液またはホウ酸アンモニウム溶液を電解液
として行なう。
【００２４】このように、導電性膜２の所定領域の表面
をレジスト層３でマスクしておいて、導電性膜２を陽極
酸化すると、導電性膜２のレジスト層３でマスクされて
いる領域は電解液に触れないために化成反応は起らず、
したがって、導電性膜２の上記所定領域以外の部分だけ
がその表面側から陽極酸化される。
をレジスト層３でマスクしておいて、導電性膜２を陽極
酸化すると、導電性膜２のレジスト層３でマスクされて
いる領域は電解液に触れないために化成反応は起らず、
したがって、導電性膜２の上記所定領域以外の部分だけ
がその表面側から陽極酸化される。
【００２５】この後は、図１（ｃ）に示すように、上記
レジスト層３を剥離して、導電性膜２の所定領域を露出
させ、所定領域を除く部分に酸化層２ａを有する選択酸
化導電性膜を形成する。
レジスト層３を剥離して、導電性膜２の所定領域を露出
させ、所定領域を除く部分に酸化層２ａを有する選択酸
化導電性膜を形成する。
【００２６】すなわち、上記選択酸化導電性膜の形成方
法は、導電性膜２の所定領域の表面をレジスト層３でマ
スクしてこの導電性膜２を陽極酸化し、この後レジスト
層３を剥離して、導電性膜２の所定領域を露出させるも
のである。
法は、導電性膜２の所定領域の表面をレジスト層３でマ
スクしてこの導電性膜２を陽極酸化し、この後レジスト
層３を剥離して、導電性膜２の所定領域を露出させるも
のである。
【００２７】このように、導電性膜２の所定領域の表面
をレジスト層３でマスクしておいてこの導電性膜３を陽
極酸化すれば、上記導電性膜は、上記所定領域以外の部
分だけが酸化されるため、この後レジスト層３を剥離し
て導電性膜２の所定領域を露出させれば、この所定領域
に表面が露出する状態で残される導電性層は、上記導電
性膜２の最初の膜厚と同じ厚さに残る。
をレジスト層３でマスクしておいてこの導電性膜３を陽
極酸化すれば、上記導電性膜は、上記所定領域以外の部
分だけが酸化されるため、この後レジスト層３を剥離し
て導電性膜２の所定領域を露出させれば、この所定領域
に表面が露出する状態で残される導電性層は、上記導電
性膜２の最初の膜厚と同じ厚さに残る。
【００２８】したがって、選択酸化導電性膜の形成方法
によれば、所定領域に表面が露出する状態で残される導
電性層の厚さを十分に確保して、上記所定領域に高い導
電性をもたせた選択酸化導電性膜を形成することができ
る。
によれば、所定領域に表面が露出する状態で残される導
電性層の厚さを十分に確保して、上記所定領域に高い導
電性をもたせた選択酸化導電性膜を形成することができ
る。
【００２９】なお、上記実施例では、導電性膜２の表面
層だけを酸化させているが、この導電性膜２の酸化部分
は、その全厚にわたって酸化させてもよく、その酸化層
２ａの厚さ（酸化深さ）は、上記陽極酸化時に導電性膜
２と対向電極との間に印加する電圧を変えることによっ
て、任意に選ぶことができる。
層だけを酸化させているが、この導電性膜２の酸化部分
は、その全厚にわたって酸化させてもよく、その酸化層
２ａの厚さ（酸化深さ）は、上記陽極酸化時に導電性膜
２と対向電極との間に印加する電圧を変えることによっ
て、任意に選ぶことができる。
【００３０】また、本発明は、金属膜からなる選択酸化
導電性膜に限らず、ｎ型またはｐ型半導体膜からなる選
択酸化導電性膜の形成にも適用できる。
導電性膜に限らず、ｎ型またはｐ型半導体膜からなる選
択酸化導電性膜の形成にも適用できる。
【００３１】なお、図１（ａ）に示した導電性膜２がシ
リコンからなるｎ型またはｐ型半導体膜である場合、そ
の陽極酸化は、グリセリン（例えばエチレングリコール
）溶媒に硝酸カリウムを添加した溶液等を電解液とし、
導電性膜２に光を照射して行なえばよい。
リコンからなるｎ型またはｐ型半導体膜である場合、そ
の陽極酸化は、グリセリン（例えばエチレングリコール
）溶媒に硝酸カリウムを添加した溶液等を電解液とし、
導電性膜２に光を照射して行なえばよい。
【００３２】
【発明の効果】本発明は、導電性膜の所定領域の表面を
レジスト層でマスクしてこの導電性膜を陽極酸化し、こ
の後前記レジスト層を剥離して、前記導電性膜の所定領
域を露出させるものであるから、所定領域に表面が露出
する状態で残される導電性層の厚さを十分に確保して、
上記所定領域に高い導電性をもたせた選択酸化導電性膜
を得ることができる。
レジスト層でマスクしてこの導電性膜を陽極酸化し、こ
の後前記レジスト層を剥離して、前記導電性膜の所定領
域を露出させるものであるから、所定領域に表面が露出
する状態で残される導電性層の厚さを十分に確保して、
上記所定領域に高い導電性をもたせた選択酸化導電性膜
を得ることができる。
【図１】本発明の一実施例を示す選択酸化導電性膜の形
成工程図。
成工程図。
【図２】従来の選択酸化導電性膜の形成工程図。
１…基板、２…導電性膜、２ａ…酸化層、３…レジスト
層。
層。
Claims (1)
- 【請求項１】 導電性膜の所定領域の表面をレジスト
層でマスクしてこの導電性膜を陽極酸化し、この後前記
レジスト層を剥離して、前記導電性膜の所定領域を露出
させることを特徴とする選択酸化導電性膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8724791A JPH04301097A (ja) | 1991-03-28 | 1991-03-28 | 選択酸化導電性膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8724791A JPH04301097A (ja) | 1991-03-28 | 1991-03-28 | 選択酸化導電性膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04301097A true JPH04301097A (ja) | 1992-10-23 |
Family
ID=13909474
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8724791A Pending JPH04301097A (ja) | 1991-03-28 | 1991-03-28 | 選択酸化導電性膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04301097A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2293490A (en) * | 1994-09-14 | 1996-03-27 | Citizen Watch Co Ltd | Manufacturing a thin film diode for a liquid crystal display device |
| WO2010103815A1 (ja) * | 2009-03-10 | 2010-09-16 | 昭和電工株式会社 | 透明導電性材料の製造方法 |
-
1991
- 1991-03-28 JP JP8724791A patent/JPH04301097A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2293490A (en) * | 1994-09-14 | 1996-03-27 | Citizen Watch Co Ltd | Manufacturing a thin film diode for a liquid crystal display device |
| GB2293490B (en) * | 1994-09-14 | 1998-12-02 | Citizen Watch Co Ltd | Manufacturing method of thin film diode for liquid crystal display device |
| WO2010103815A1 (ja) * | 2009-03-10 | 2010-09-16 | 昭和電工株式会社 | 透明導電性材料の製造方法 |
| JP4608030B2 (ja) * | 2009-03-10 | 2011-01-05 | 昭和電工株式会社 | 透明導電性材料の製造方法 |
| JPWO2010103815A1 (ja) * | 2009-03-10 | 2012-09-13 | 昭和電工株式会社 | 透明導電性材料の製造方法 |
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