JPH0353787B2 - - Google Patents
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- JPH0353787B2 JPH0353787B2 JP16981281A JP16981281A JPH0353787B2 JP H0353787 B2 JPH0353787 B2 JP H0353787B2 JP 16981281 A JP16981281 A JP 16981281A JP 16981281 A JP16981281 A JP 16981281A JP H0353787 B2 JPH0353787 B2 JP H0353787B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は薄膜トランジスタの製造方法に関し、
とくにゲート絶縁膜の形成方法に関する。
とくにゲート絶縁膜の形成方法に関する。
薄膜トランジスタは半導体膜とゲート絶縁膜と
ゲート電極との積層構造を有しており、現在ゲー
ト絶縁膜としては主に二酸化シリコン（SiO2）
が用いられている。薄膜トランジスタを表示装置
の表示パネルのスイツチング素子として用いると
きは、薄膜トランジスタを形成する基板としては
ガラスを用いる。基板としてガラスを用いるとゲ
ート絶縁膜の形成方法としては、膜の均一性、絶
縁性、膜中欠陥密度、界面準位密度の点で優れて
いる、シリコンを熱酸化して形成する二酸化シリ
コンは、温度の制約から使用できない。
ゲート電極との積層構造を有しており、現在ゲー
ト絶縁膜としては主に二酸化シリコン（SiO2）
が用いられている。薄膜トランジスタを表示装置
の表示パネルのスイツチング素子として用いると
きは、薄膜トランジスタを形成する基板としては
ガラスを用いる。基板としてガラスを用いるとゲ
ート絶縁膜の形成方法としては、膜の均一性、絶
縁性、膜中欠陥密度、界面準位密度の点で優れて
いる、シリコンを熱酸化して形成する二酸化シリ
コンは、温度の制約から使用できない。
本発明の目的は、熱酸化により形成したゲート
絶縁膜と同等の膜質を有するゲート絶縁膜が、形
成可能な製造方法を提供することにある。
絶縁膜と同等の膜質を有するゲート絶縁膜が、形
成可能な製造方法を提供することにある。
上記目的を達成するために本発明の薄膜トラン
ジスタの製造方法は下記記載の方法を採用する。
ジスタの製造方法は下記記載の方法を採用する。
絶縁性を有する基板上の全面に半導体膜を形成
し、ホトエツチングによりこの半導体膜をパター
ニングする工程と、半導体膜を含む全面に金属膜
を形成する工程と、この金属膜上の全面に絶縁膜
を形成し、ホトエツチングによりこの絶縁膜をパ
ターニングする工程と、絶縁膜をマスクとして金
属膜を陽極酸化して絶縁膜の非形成領域の金属膜
を金属酸化膜とし、半導体膜上の金属酸化膜をゲ
ート絶縁膜とし、絶縁膜の形成領域の金属膜をソ
ース電極とドレイン電極とする工程と、ゲート電
極を形成する工程とを有する。
し、ホトエツチングによりこの半導体膜をパター
ニングする工程と、半導体膜を含む全面に金属膜
を形成する工程と、この金属膜上の全面に絶縁膜
を形成し、ホトエツチングによりこの絶縁膜をパ
ターニングする工程と、絶縁膜をマスクとして金
属膜を陽極酸化して絶縁膜の非形成領域の金属膜
を金属酸化膜とし、半導体膜上の金属酸化膜をゲ
ート絶縁膜とし、絶縁膜の形成領域の金属膜をソ
ース電極とドレイン電極とする工程と、ゲート電
極を形成する工程とを有する。
以下本発明の実施例を第１図Ａ〜Ｅを用いて説
明する。
明する。
まず第１図Ａに示すように、ガラスからなる基
板１１上の全面に半導体膜１２を形成する。半導
体膜１２としては、Si、Te、GaAs等が適用可能
であり、この半導体膜１２の形成方法としては、
化学気相成長法（CVD）、物理蒸着法（PVD）、
プラズマ化学気相成長法等がある。その後全面に
感光性樹脂（図示せず）を回転塗布法により形成
し、所定のホトマスクを用いて露光、および現像
を行い、パターニングした感光性樹脂を形成し、
その後このパターニングした感光性樹脂をマスク
として半導体膜１２をエツチングする、いわゆる
ホトエツチングにより半導体膜１２をパターニン
グする。
板１１上の全面に半導体膜１２を形成する。半導
体膜１２としては、Si、Te、GaAs等が適用可能
であり、この半導体膜１２の形成方法としては、
化学気相成長法（CVD）、物理蒸着法（PVD）、
プラズマ化学気相成長法等がある。その後全面に
感光性樹脂（図示せず）を回転塗布法により形成
し、所定のホトマスクを用いて露光、および現像
を行い、パターニングした感光性樹脂を形成し、
その後このパターニングした感光性樹脂をマスク
として半導体膜１２をエツチングする、いわゆる
ホトエツチングにより半導体膜１２をパターニン
グする。
次に第１図Ｂに示すように、全面に金属膜１３
を形成する。金属膜１３としては、Te、Al等が
適用可能で、形成方法としてはスツパタリング
法、あるいは真空蒸着法がある。
を形成する。金属膜１３としては、Te、Al等が
適用可能で、形成方法としてはスツパタリング
法、あるいは真空蒸着法がある。
次に第１図Ｃに示すように、絶縁膜１４として
たとえば二酸化シリコンをCVD法にて全面に形
成し、ホトエツチングにより絶縁膜１４をパター
ニングする。
たとえば二酸化シリコンをCVD法にて全面に形
成し、ホトエツチングにより絶縁膜１４をパター
ニングする。
次に第１図Ｄに示すように、半導体膜１２から
リード線１９を取り出し、白金（Pt）からなる
対向電極２０との間に、陽極酸化用電源１８によ
り、電圧を印加し、電解液１６中で陽極酸化を行
う。電解液１６としては、エチレングリコール、
蟻酸、フツ化アンモニウム、テトラフリルアルコ
ール等を用いる。半導体膜１２からリード線１９
を取り出す領域は、陽極酸化処理を安定して行う
ため、絶縁性膜１７で覆う。この絶縁性膜１７は
感光性樹脂やポリイミド樹脂を用いる。陽極酸化
処理により、絶縁膜１４に覆われていない領域の
金属膜１３は金属酸化膜１５になり、絶縁膜１４
に覆われている領域は陽極酸化されずに金属膜１
３のままである。
リード線１９を取り出し、白金（Pt）からなる
対向電極２０との間に、陽極酸化用電源１８によ
り、電圧を印加し、電解液１６中で陽極酸化を行
う。電解液１６としては、エチレングリコール、
蟻酸、フツ化アンモニウム、テトラフリルアルコ
ール等を用いる。半導体膜１２からリード線１９
を取り出す領域は、陽極酸化処理を安定して行う
ため、絶縁性膜１７で覆う。この絶縁性膜１７は
感光性樹脂やポリイミド樹脂を用いる。陽極酸化
処理により、絶縁膜１４に覆われていない領域の
金属膜１３は金属酸化膜１５になり、絶縁膜１４
に覆われている領域は陽極酸化されずに金属膜１
３のままである。
次に第１図Ｅに示すように、陽極酸化のマスク
として用いた絶縁膜１４を除去する。半導体膜１
２上の金属酸化膜１５がゲート絶縁膜となる。そ
の後ゲート電極材料を全面に形成し、ホトエツチ
ングによりゲート電極２１を形成して、薄膜トラ
ンジスタが完成する。絶縁膜１４を覆い陽極酸化
されずに残つた金属部分２３は、薄膜トランジス
タのソース電極、ドレイン電極となる。さらに薄
膜トランジスタが形成されていない素子分離領域
には、金属膜１３を陽極酸化した金属酸化膜１５
が形成されている。このため半導体膜１２間のリ
ーク電流を低減し、さらに金属部分２３も金属酸
化膜１５により分離されており、ソース電極、ド
レイン電極間のリーク電流を低減し、そのうえ薄
膜トランジスタ間の素子分離も完全に行うことが
できる。
として用いた絶縁膜１４を除去する。半導体膜１
２上の金属酸化膜１５がゲート絶縁膜となる。そ
の後ゲート電極材料を全面に形成し、ホトエツチ
ングによりゲート電極２１を形成して、薄膜トラ
ンジスタが完成する。絶縁膜１４を覆い陽極酸化
されずに残つた金属部分２３は、薄膜トランジス
タのソース電極、ドレイン電極となる。さらに薄
膜トランジスタが形成されていない素子分離領域
には、金属膜１３を陽極酸化した金属酸化膜１５
が形成されている。このため半導体膜１２間のリ
ーク電流を低減し、さらに金属部分２３も金属酸
化膜１５により分離されており、ソース電極、ド
レイン電極間のリーク電流を低減し、そのうえ薄
膜トランジスタ間の素子分離も完全に行うことが
できる。
さらに本発明の形成方式によれば、金属膜を陽
極酸化して形成する金属酸化膜を容量の絶縁膜と
して利用することが可能で、容量も薄膜トランジ
スタと同時に形成できる。このとき容量の下電極
は半導体膜を用い、上電極としてはゲート電極材
料で構成すればよい。
極酸化して形成する金属酸化膜を容量の絶縁膜と
して利用することが可能で、容量も薄膜トランジ
スタと同時に形成できる。このとき容量の下電極
は半導体膜を用い、上電極としてはゲート電極材
料で構成すればよい。
以上の説明で明らかなように、金属膜を陽極酸
化して絶縁膜とする本発明の製造方法により、熱
酸化膜と同等の膜の均一性、絶縁性、膜中欠陥密
度、界面準位密度の優れた膜質を有するゲート絶
縁膜が得られ、さらにこのゲート絶縁膜を低温で
形成することが可能となる。
化して絶縁膜とする本発明の製造方法により、熱
酸化膜と同等の膜の均一性、絶縁性、膜中欠陥密
度、界面準位密度の優れた膜質を有するゲート絶
縁膜が得られ、さらにこのゲート絶縁膜を低温で
形成することが可能となる。
第１図Ａ〜Ｅは本発明の薄膜トランジスタの製
造方法を工程順に示す断面図である。 １１……基板、１２……半導体膜、１３……金
属膜、１４……絶縁膜、１５……金属酸化膜、２
１……ゲート電極。
造方法を工程順に示す断面図である。 １１……基板、１２……半導体膜、１３……金
属膜、１４……絶縁膜、１５……金属酸化膜、２
１……ゲート電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 絶縁性を有する基板上の全面に半導体膜を形
成し、ホトエツチングにより該半導体膜をパター
ニングする工程と、前記半導体膜を含む全面に金
属膜を形成する工程と、 該金属膜上の全面に絶縁膜を形成し、ホトエツ
チングにより該絶縁膜をパターニングする工程
と、 前記絶縁膜をマスクとして前記金属膜を陽極酸
化して前記絶縁膜の非形成領域の前記金属膜を金
属酸化膜とし、前記半導体膜上の金属酸化膜をゲ
ート絶縁膜とし、前記絶縁膜の形成領域の金属膜
をソース電極とドレイン電極とする工程と、 ゲート電極を形成する工程とを有することを特
徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16981281A JPS5871661A (ja) | 1981-10-23 | 1981-10-23 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16981281A JPS5871661A (ja) | 1981-10-23 | 1981-10-23 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5871661A JPS5871661A (ja) | 1983-04-28 |
| JPH0353787B2 true JPH0353787B2 (ja) | 1991-08-16 |
Family
ID=15893352
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16981281A Granted JPS5871661A (ja) | 1981-10-23 | 1981-10-23 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5871661A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2512702B2 (ja) * | 1983-03-28 | 1996-07-03 | 株式会社小松製作所 | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
| US4754614A (en) * | 1986-02-07 | 1988-07-05 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Prime-motor-driven room warming/cooling and hot water supplying apparatus |
| JPS62271471A (ja) * | 1986-05-20 | 1987-11-25 | Sanyo Electric Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
| US5352907A (en) * | 1991-03-29 | 1994-10-04 | Casio Computer Co., Ltd. | Thin-film transistor |
-
1981
- 1981-10-23 JP JP16981281A patent/JPS5871661A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5871661A (ja) | 1983-04-28 |
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