JPH01198061A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH01198061A JPH01198061A JP2425788A JP2425788A JPH01198061A JP H01198061 A JPH01198061 A JP H01198061A JP 2425788 A JP2425788 A JP 2425788A JP 2425788 A JP2425788 A JP 2425788A JP H01198061 A JPH01198061 A JP H01198061A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はメタル・インシュレーター・メタル型コンデン
サを形成することのできる半導体装置の製造方法に関す
るものである。
サを形成することのできる半導体装置の製造方法に関す
るものである。
従来の技術
従来、半導体集積回路中のコンデンサーとして、不純物
層上に形成された誘電体を利用するメタル・インシュレ
ータ・セミコンダクター型（Ｍｉｓ型）コンデンサーを
利用する方法がよく用いられている。
層上に形成された誘電体を利用するメタル・インシュレ
ータ・セミコンダクター型（Ｍｉｓ型）コンデンサーを
利用する方法がよく用いられている。
このＭＩＳ型コンデンサーの製造方法を第２図に基づき
説明すると、まずＰ型シリコン基板１１の上に、Ｎ型エ
ピタキシャル層１２を形成し、そしてＰ÷型分離層１３
を形成する０次に、前記Ｎ型エピタキシャル層１２にコ
ンデンサーの片側のｔｉ層としてＮ“型不純物拡散層１
４を形成する０次に、このＮ＋型不純物拡散層１４の上
にｍＡ電体ＨＡｉｓを形成し、さらにこの誘電体層１５
の上面および上記Ｎ◆型不純物拡散層１４の電極取出し
部にアルミニウム層１６を形成し、ＭＩＳ型コンデンサ
ーの製造を行っていた。
説明すると、まずＰ型シリコン基板１１の上に、Ｎ型エ
ピタキシャル層１２を形成し、そしてＰ÷型分離層１３
を形成する０次に、前記Ｎ型エピタキシャル層１２にコ
ンデンサーの片側のｔｉ層としてＮ“型不純物拡散層１
４を形成する０次に、このＮ＋型不純物拡散層１４の上
にｍＡ電体ＨＡｉｓを形成し、さらにこの誘電体層１５
の上面および上記Ｎ◆型不純物拡散層１４の電極取出し
部にアルミニウム層１６を形成し、ＭＩＳ型コンデンサ
ーの製造を行っていた。
発明が解決しようとする課題
上記のように電極に半導体を利用しているコンデンサー
では、半導体側の電極取出し領域や、半導体上に形成さ
れた他の素子との分離のための分離層の存在のためにコ
ンデンサーのしめる面積の増大を招くという問題があり
、また大容量のコンデンサーにおいては、電極取出し部
からの距離の増大のなめに、半導体側＠極層の抵抗成分
の増加を招く問題もあった。
では、半導体側の電極取出し領域や、半導体上に形成さ
れた他の素子との分離のための分離層の存在のためにコ
ンデンサーのしめる面積の増大を招くという問題があり
、また大容量のコンデンサーにおいては、電極取出し部
からの距離の増大のなめに、半導体側＠極層の抵抗成分
の増加を招く問題もあった。
本発明は、このような問題を解決するもので、コンデン
サーの電極層として、半導体層を使わず、従来の半導体
集積回路の配線層を利用してコンデンサーを形成するこ
とのできる半導体装置の製造方法を提供するものである
。
サーの電極層として、半導体層を使わず、従来の半導体
集積回路の配線層を利用してコンデンサーを形成するこ
とのできる半導体装置の製造方法を提供するものである
。
課題を解決するための手段
上記の問題を解決するための本発明の半導体装置の製造
方法は、半導体基板上にトランジスターや抵抗などの素
子を形成した後、コンデンサー形成予定領域上のフィー
ルド酸化股上に、第１アルミニウム膜を形成する工程と
、前記第１アルミニウム膜のコンデンサー領域を酸化す
る工程と、前記酸化された第１アルミニウム股上に第２
アルミニウム膜を形成する工程とからなる製造方法であ
る。
方法は、半導体基板上にトランジスターや抵抗などの素
子を形成した後、コンデンサー形成予定領域上のフィー
ルド酸化股上に、第１アルミニウム膜を形成する工程と
、前記第１アルミニウム膜のコンデンサー領域を酸化す
る工程と、前記酸化された第１アルミニウム股上に第２
アルミニウム膜を形成する工程とからなる製造方法であ
る。
作用
この半導体装置の製造方法によれば、半導体基板上に集
積された他の素子との分離の必要がなく、低抵抗の電極
をもつコンデンサーを形成することが可能となる。
積された他の素子との分離の必要がなく、低抵抗の電極
をもつコンデンサーを形成することが可能となる。
実施例
以下、本発明の一実施例を第１図（ａＨｂＨｃ）に基づ
き説明する。
き説明する。
まず、第１図（ａ）に示すように、半導体基板上のフィ
ールド酸化膜１の上に第１アルミニウム膜２を形成する
０次に、第１図（ｂ）に示すように、通常のフォトマス
ク工程で、コンデンサー領域のみを露出させ、７０°Ｃ
〜１００℃の純水中に浸し、熱することで、露出した部
分のアルミニウムを酸化し、酸化アルミニウム３を形成
する。この酸化アルミニウム３はコンデンサーの誘電体
部として作用する０次に、第１図（Ｃ）に示すように、
層間の二酸化シリコン４をＣＶＤ法で形成した後、前記
酸化アルミニウム３の上の二酸化シリコン４をフッ酸系
溶液により、ウェットエツチングし、さらにこの上に第
２アルミニウムＭＪ５を形成し、開孔部をおおうことで
、アルミニウム・酸化アルミニウム・アルミニウムのＭ
ＩＭ型コンデンサーが形成される。
ールド酸化膜１の上に第１アルミニウム膜２を形成する
０次に、第１図（ｂ）に示すように、通常のフォトマス
ク工程で、コンデンサー領域のみを露出させ、７０°Ｃ
〜１００℃の純水中に浸し、熱することで、露出した部
分のアルミニウムを酸化し、酸化アルミニウム３を形成
する。この酸化アルミニウム３はコンデンサーの誘電体
部として作用する０次に、第１図（Ｃ）に示すように、
層間の二酸化シリコン４をＣＶＤ法で形成した後、前記
酸化アルミニウム３の上の二酸化シリコン４をフッ酸系
溶液により、ウェットエツチングし、さらにこの上に第
２アルミニウムＭＪ５を形成し、開孔部をおおうことで
、アルミニウム・酸化アルミニウム・アルミニウムのＭ
ＩＭ型コンデンサーが形成される。
なお、第１アルミニウムＩＩ！ｉ！２と、第２アルミニ
ウム膜５は、半導体基板上に集積されたトランジスター
などの素子間の配線として利用できる。
ウム膜５は、半導体基板上に集積されたトランジスター
などの素子間の配線として利用できる。
発明の効果
以上のように本発明の半導体装置の製造方法によれば、
半導体基板上に集積された素子間の配線を利用して、半
導体基板上に集積された素子との分離層を必要とぜずに
ＭＩＭ型；１ンデンサーを形成することができる。
半導体基板上に集積された素子間の配線を利用して、半
導体基板上に集積された素子との分離層を必要とぜずに
ＭＩＭ型；１ンデンサーを形成することができる。
に
第１図（ａ） （ｂ） （ｃ）は本発明の一実施例声け
る半導体装置の製造工程を示す断面図、第２図は従来の
半導体装置の断面図である。 １・・・フィールド酸化膜、２・・・第１アルミニウム
膜、３・・・酸化アルミニウム、４・・・二酸化シリコ
ン、５・・・第２アルミニウム膜。 代理人 森 本 義 弘 万１図 （ｂン （Ｃ） ２°−躬ｌアノＬミニウム８兵 ３１編イしアルミニウム ４−・・二酸化シリコン ６・葛２アルミニウム曖
る半導体装置の製造工程を示す断面図、第２図は従来の
半導体装置の断面図である。 １・・・フィールド酸化膜、２・・・第１アルミニウム
膜、３・・・酸化アルミニウム、４・・・二酸化シリコ
ン、５・・・第２アルミニウム膜。 代理人 森 本 義 弘 万１図 （ｂン （Ｃ） ２°−躬ｌアノＬミニウム８兵 ３１編イしアルミニウム ４−・・二酸化シリコン ６・葛２アルミニウム曖
Claims (1)
- １、半導体基板上のフィールド酸化膜上のコンデンサー
形成予定領域に第１アルミニウム膜を形成する工程と、
前記第１アルミニウム膜を酸化する工程と、前記酸化さ
れた第１アルミニウム膜上に第２アルミニウム膜を形成
する工程とからなる半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2425788A JPH01198061A (ja) | 1988-02-03 | 1988-02-03 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2425788A JPH01198061A (ja) | 1988-02-03 | 1988-02-03 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01198061A true JPH01198061A (ja) | 1989-08-09 |
Family
ID=12133189
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2425788A Pending JPH01198061A (ja) | 1988-02-03 | 1988-02-03 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01198061A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6838340B2 (en) | 2003-02-28 | 2005-01-04 | Renesas Technology Corp. | Method of manufacturing semiconductor device having MIM capacitor element |
| KR100588899B1 (ko) * | 2004-12-29 | 2006-06-09 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자의 엠아이엠 캡 형성 방법 |
| US11354558B2 (en) | 2013-01-18 | 2022-06-07 | Amatech Group Limited | Contactless smartcards with coupling frames |
-
1988
- 1988-02-03 JP JP2425788A patent/JPH01198061A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6838340B2 (en) | 2003-02-28 | 2005-01-04 | Renesas Technology Corp. | Method of manufacturing semiconductor device having MIM capacitor element |
| KR100588899B1 (ko) * | 2004-12-29 | 2006-06-09 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자의 엠아이엠 캡 형성 방법 |
| US11354558B2 (en) | 2013-01-18 | 2022-06-07 | Amatech Group Limited | Contactless smartcards with coupling frames |
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