JPS58197748A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体装置の製造方法に係り、特に半導体集積
回路の配線の形成方法に関するものである。

最近半導体集積回路挟置はパターンの微細化が進み金属
配線においても、配線巾が２μ〜３μ程度のものが出現
しつつあり、それに伴ない、金属配線の高’Ｍ頼性が従
来にも増し要求されてきている。

第１図は一般的な金属配線の形成方法である。

半導体基板ｌの上面に設けられた篤１の絶縁膜２上にア
ルミニウム等の金属層３を例えば真空蒸着法によ〕被着
する０次にフオトレジス）４７に用い、所望のパターン
を形成する（第１図（ａ）　）、次にリン酸等１ｒ使用
するウェットエッチ沃又は、塩素系ガスプラズマ′ｆｒ
使用するドライエッチ法により不要部分の金属層を除去
する（第１因（ｂ）　）、次に工、チングのマスクに使
用したフォトレジストをと９除き（第１図ｉｃｌ　）　
ｓ第２の絶縁膜５を形成するＣｍ１図（ｄ））。

この時、金属配線の表面及び側面は、第２の絶縁膜と、
直ｗｊ！接している為、その後の熱処理等で絶破膜中の
ある極の成分と反応し、腐蝕が生じる場合があり、金属
配線Ｏ信Ｕ性、ひいては半導体装置の信頼性を低下させ
問題となってｂる。

本発明の目的は上記の欠点を除去し、高信頼性の配線構
造を有する半導体装置の製造方法′ｆｒ提供することに
ある。

本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板上に絶縁
ｍｉ影形成る工程と、絶縁膜上にアルミニウム等の金属
層ｔ−被着する工程と、フォトレジストを用い、所望の
パターンｔ−形成する工程と、不要部分の全４層を除去
する工程とｔ−ｉみ、しかる後フォトレジス）ｋとりｖ
＜′＠、牛導体基板全体を硝敏処理し、金属配線表面及
び側面に金属酸化＠を形成する工程とｔ含んで構成され
る。そしてこの硝酸は好ましくはａ度が４０％以上であ
ることが好ましい。

本発明の実施例について図面上用いて説明する。

第２図（ａ）〜（８）は、本発明の一実施例を説明する
ための工程断面図である。

まず第２図（ａ）のように、半導体基板１１０六面に、
第１の絶縁膜１２に設け、その上にアルミ寺次に、フォ
トレジスト１４會用いｆｆｒ望のパターンを形成する０
次に、第２図（ｂ）のようにリン酸等を使用するウェッ
トエッチ法又は、塩素系がスプツズマ全使用するドライ
エッチ法により不要部分の金属層を除去する。

次に第２図（Ｃ）のように、フォトレジストヲトシ除＜
、シかる後第２図（ｄ）のように半導体基板全体を硝酸
１７に浸す、このようにすることにより、硝酸のもつ酸
化作用により、金属配線表面及び側［ＩＫ金属酸化膜１
６が形成される。又、この時に。

硝酸の濃度は４０％以上であることが必要である。

４０−未満では、金属によってはその金属が溶けてしま
うからである。すなわち濃硝酸で処理することがＷｌま
しい。

その後、第２図＋６１のように第２の絶縁［１５を形成
するが、金属配線表面及び側面には、前記の硝酸処理に
よシ、酸化被膜が形成されている為、配線金嬌と絶縁膜
とは直接触れることはなく、従って、アルオの腐蝕が生
じることはない。

このようにして、腐蝕のない金属配線を有する高信頼性
の半導体装置′Ｊｋ製造することが可能となった。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）〜（４１は従来の金属配線構造の半導体装
置の製造方法を説明する丸めの工程断面図、第２図（ａ
）〜（６）は、本発明の一実施例を説明するための工程
断面図である。 尚図中の記号は、 １．１１・・・・・・半導体基板、２．１２・・・第１
の絶縁膜、３．１３・・・・・・配線金属層、４．１４
・・・・フォトレジスト、５．１５・・・・・・Ｗｌ２
の絶縁膜、１６・・・・・・金属酸化膜、１７・・・・
・・濃硝酸、である。 １９６ 哨１　図 １１ り５２図 ４ 一部一一−−−−一−７、−−１７ 、−５丁５ 、　．１１

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ＜１）　　＃ｐ導体基板上に絶縁ａｔ−形成する工程と
   、絶縁膜上にアル１ニウム等の金属層を被着する工程と
   、フォトレジストを用い、所望のパターンを形成する工
   程と、不要部分の金稿層１を除去する工程とを含み、し
   かる後、該フォトレジストをと９除き、半導体基板全体
   を硝酸中で処理することを特徴とした半導体装置の裏道
   方法。 （２）硝酸の濃度が４０−以上であることを特徴とする
   特許請求の範囲第（１）項記載の半導体装置の製造方法
   。