JPH05235176A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH05235176A JPH05235176A JP7315792A JP7315792A JPH05235176A JP H05235176 A JPH05235176 A JP H05235176A JP 7315792 A JP7315792 A JP 7315792A JP 7315792 A JP7315792 A JP 7315792A JP H05235176 A JPH05235176 A JP H05235176A
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- aluminum wiring
- wiring
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 半導体基板１７に第１アルミ配線１５を形成
し、層間絶縁膜１３を全面に形成し、この層間絶縁膜上
にレジスト１１を形成し、このレジストをパターニング
する工程と、レジストをマスクにして層間絶縁膜をドラ
イエッチングによりエッチングしてスルーホール２３を
形成する工程と、レジストを酸素プラズマを用いた灰化
処理によって除去する工程と、リン酸と酢酸と硝酸とフ
ッ化アンモンとの混合溶液に半導体基板を浸漬する工程
と、第２アルミ配線２１を形成する工程とを有する。 【効果】 スルーホール内で第２アルミ配線が断線する
ことがなくなり、第１アルミ配線と第２アルミ配線との
電気的接続を確実に行うことが可能となる。
し、層間絶縁膜１３を全面に形成し、この層間絶縁膜上
にレジスト１１を形成し、このレジストをパターニング
する工程と、レジストをマスクにして層間絶縁膜をドラ
イエッチングによりエッチングしてスルーホール２３を
形成する工程と、レジストを酸素プラズマを用いた灰化
処理によって除去する工程と、リン酸と酢酸と硝酸とフ
ッ化アンモンとの混合溶液に半導体基板を浸漬する工程
と、第２アルミ配線２１を形成する工程とを有する。 【効果】 スルーホール内で第２アルミ配線が断線する
ことがなくなり、第１アルミ配線と第２アルミ配線との
電気的接続を確実に行うことが可能となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は層間絶縁膜を介して、ア
ルミ配線を多層に設ける多層アルミ配線を有する半導体
装置の製造方法に関するものである。
ルミ配線を多層に設ける多層アルミ配線を有する半導体
装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の多層アルミ配線を有する半導体装
置の製造方法を、図６（ａ）〜（ｄ）の断面図を用いて
説明する。
置の製造方法を、図６（ａ）〜（ｄ）の断面図を用いて
説明する。
【０００３】まず図６（ａ）に示すように、半導体基板
１７上に第１アルミ配線１５と、シリコン酸化膜からな
る層間絶縁膜１３とを形成する。その後、レジスト１１
を全面に形成し、レジスト１１をパターニングする。
１７上に第１アルミ配線１５と、シリコン酸化膜からな
る層間絶縁膜１３とを形成する。その後、レジスト１１
を全面に形成し、レジスト１１をパターニングする。
【０００４】つぎに図６（ｂ）に示すように、レジスト
１１をエッチングマスクとして用いて、層間絶縁膜１３
をエッチングしてスルーホール２３を形成する。この層
間絶縁膜１３のエッチングは、ＣＦ4 （四フッ化炭素）
を主成分とするエッチングガスを用いてドライエッチン
グ法で行い、スルーホール２３を形成する。
１１をエッチングマスクとして用いて、層間絶縁膜１３
をエッチングしてスルーホール２３を形成する。この層
間絶縁膜１３のエッチングは、ＣＦ4 （四フッ化炭素）
を主成分とするエッチングガスを用いてドライエッチン
グ法で行い、スルーホール２３を形成する。
【０００５】スルーホール２３形成の際、スルーホール
２３の底面部に層間絶縁膜１３が残らないように、層間
絶縁膜１３のオーバーエッチングをほどこす。このと
き、第１アルミ配線１５の表面がスルーホール２３の底
面部において露出すると、エッチングガスにより第１ア
ルミ配線１５の表面が削られ、スルーホール２３の内壁
の全面にアルミ化合物１９が堆積する。このアルミ化合
物１９は、第１アルミ配線１５が表面に露出しないと発
生しないことから、アルミニウムを主成分としている。
２３の底面部に層間絶縁膜１３が残らないように、層間
絶縁膜１３のオーバーエッチングをほどこす。このと
き、第１アルミ配線１５の表面がスルーホール２３の底
面部において露出すると、エッチングガスにより第１ア
ルミ配線１５の表面が削られ、スルーホール２３の内壁
の全面にアルミ化合物１９が堆積する。このアルミ化合
物１９は、第１アルミ配線１５が表面に露出しないと発
生しないことから、アルミニウムを主成分としている。
【０００６】つぎに図６（ｃ）に示すように、スルーホ
ール２３形成後、レジスト１１を酸素プラズマを用いて
灰化して除去する。図６（ｃ）に示すように、アルミ化
合物１９は、酸素プラズマでは除去することはできず、
スルーホール２３の内壁領域に冠状に残る。
ール２３形成後、レジスト１１を酸素プラズマを用いて
灰化して除去する。図６（ｃ）に示すように、アルミ化
合物１９は、酸素プラズマでは除去することはできず、
スルーホール２３の内壁領域に冠状に残る。
【０００７】つぎに図６（ｄ）に示すように、第２アル
ミ配線１９を形成すると、冠状に残存するアルミ化合物
１９によって、スルーホール２３内で第２アルミ配線２
１が断線して、第１アルミ配線１５と第２アルミ配線２
１との間の電気的接続を行うことができない。
ミ配線１９を形成すると、冠状に残存するアルミ化合物
１９によって、スルーホール２３内で第２アルミ配線２
１が断線して、第１アルミ配線１５と第２アルミ配線２
１との間の電気的接続を行うことができない。
【０００８】またさらに、第２アルミ配線２１を形成す
る前に行なう、スルーホール２３内に露出した第１アル
ミ配線１５の表面の酸化膜を除去することを目的とする
スパッタエッチング処理の際に、冠状のアルミ化合物１
９が破砕される。この結果、冠状のアルミ化合物１９が
破片となって、スルーホール２３内を塞ぎ、第１アルミ
配線１５と第２アルミ配線２１との電気的接続を行うこ
とができない原因になる。
る前に行なう、スルーホール２３内に露出した第１アル
ミ配線１５の表面の酸化膜を除去することを目的とする
スパッタエッチング処理の際に、冠状のアルミ化合物１
９が破砕される。この結果、冠状のアルミ化合物１９が
破片となって、スルーホール２３内を塞ぎ、第１アルミ
配線１５と第２アルミ配線２１との電気的接続を行うこ
とができない原因になる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】従来の多層アルミ配線
の形成方法は、図６を用いて説明したように、スルーホ
ール２３を形成するとき、下層の第１アルミ配線１５が
露出すると、エッチングガスにより第１アルミ配線１５
がエッチングされ、スルーホール２３内壁にアルミニウ
ムを主成分とするアルミ化合物１９が堆積する。
の形成方法は、図６を用いて説明したように、スルーホ
ール２３を形成するとき、下層の第１アルミ配線１５が
露出すると、エッチングガスにより第１アルミ配線１５
がエッチングされ、スルーホール２３内壁にアルミニウ
ムを主成分とするアルミ化合物１９が堆積する。
【００１０】酸素プラズマによるレジスト１１剥離後、
スルーホール２３の内壁周囲に冠状の形状にアルミ化合
物１９が残存する。このことから第２アルミ配線２１を
形成すると、スルーホール２３内で第２アルミ配線２１
が断線して、第１アルミ配線１５と第２アルミ配線２１
との間で電気的接続を行うことができない。
スルーホール２３の内壁周囲に冠状の形状にアルミ化合
物１９が残存する。このことから第２アルミ配線２１を
形成すると、スルーホール２３内で第２アルミ配線２１
が断線して、第１アルミ配線１５と第２アルミ配線２１
との間で電気的接続を行うことができない。
【００１１】本発明の目的は、上記のような課題点を解
決するために、スルーホール形成時にスルーホール内壁
に形成されるアルミ化合物をエッチングにより除去し、
第１アルミ配線と第２アルミ配線とのスルーホール内で
の接続を確実に行うことが可能な半導体装置の製造方法
を提供することにある。
決するために、スルーホール形成時にスルーホール内壁
に形成されるアルミ化合物をエッチングにより除去し、
第１アルミ配線と第２アルミ配線とのスルーホール内で
の接続を確実に行うことが可能な半導体装置の製造方法
を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明の半導体装置の製造方法においては、下記記載の
工程を採用する。
本発明の半導体装置の製造方法においては、下記記載の
工程を採用する。
【００１３】本発明の半導体装置の製造方法は、半導体
基板に第１アルミ配線を形成し、全面に層間絶縁膜を形
成し、この層間絶縁膜上にレジストを形成し、このレジ
ストをパターニングする工程と、パターニングしたレジ
ストをマスクにして層間絶縁膜をドライエッチングによ
りエッチングしてスルーホールを形成する工程と、レジ
ストを酸素プラズマを用いて灰化処理して除去する工程
と、リン酸と酢酸と硝酸とフッ化アンモンとの混合溶液
に半導体基板を浸漬する工程と、第２アルミ配線を形成
する工程とを有することを特徴とする。
基板に第１アルミ配線を形成し、全面に層間絶縁膜を形
成し、この層間絶縁膜上にレジストを形成し、このレジ
ストをパターニングする工程と、パターニングしたレジ
ストをマスクにして層間絶縁膜をドライエッチングによ
りエッチングしてスルーホールを形成する工程と、レジ
ストを酸素プラズマを用いて灰化処理して除去する工程
と、リン酸と酢酸と硝酸とフッ化アンモンとの混合溶液
に半導体基板を浸漬する工程と、第２アルミ配線を形成
する工程とを有することを特徴とする。
【００１４】
【作用】本発明における半導体装置の製造方法は、第１
アルミ配線と第２アルミ配線のとの電気的接続を行うた
めに、スルーホールをドライエッチング法で形成した場
合に、スルーホール内壁に形成されるアルミニウムを主
成分としたアルミ化合物をエッチングにより除去し、信
頼性の高い多層配線の製造技術を得る。
アルミ配線と第２アルミ配線のとの電気的接続を行うた
めに、スルーホールをドライエッチング法で形成した場
合に、スルーホール内壁に形成されるアルミニウムを主
成分としたアルミ化合物をエッチングにより除去し、信
頼性の高い多層配線の製造技術を得る。
【００１５】
【実施例】以下本発明における半導体装置の製造方法の
実施例を図面を用いて説明する。図１〜図５は、本発明
における半導体装置の製造方法を示す断面図である。
実施例を図面を用いて説明する。図１〜図５は、本発明
における半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【００１６】まず図１に示すように、半導体基板１７上
に第１アルミ配線１５を形成し、さらにこの第１アルミ
配線１５上にシリコン酸化膜からなる層間絶縁膜１３を
形成する。その後、回転塗布法によりレジスト１１を全
面に形成し、所定のホトマスクを用いて露光し、現像処
理を行い、レジスト１１をパターニングする。
に第１アルミ配線１５を形成し、さらにこの第１アルミ
配線１５上にシリコン酸化膜からなる層間絶縁膜１３を
形成する。その後、回転塗布法によりレジスト１１を全
面に形成し、所定のホトマスクを用いて露光し、現像処
理を行い、レジスト１１をパターニングする。
【００１７】つぎに図２に示すように、パターニングし
たレジスト１１をエッチングマスクとして、層間絶縁膜
１３を四フッ化炭素を主成分とするエッチングガスを用
いたドライエッチング法により、スルーホール２３を形
成する。
たレジスト１１をエッチングマスクとして、層間絶縁膜
１３を四フッ化炭素を主成分とするエッチングガスを用
いたドライエッチング法により、スルーホール２３を形
成する。
【００１８】スルーホール２３形成の際、スルーホール
２３の底面部に層間絶縁膜１３が残らないように、層間
絶縁膜１３のオーバーエッチングをほどこす。このと
き、第１アルミ配線１５の表面がスルーホール２３の底
面部で露出すると、エッチングガスによりスルーホール
２３内に露出した第１アルミ配線１５の表面が削られ、
図２に示すように、スルーホール２３の内壁にアルミ化
合物１９が堆積する。このアルミ化合物１９は、アルミ
ニウムを主成分としている。
２３の底面部に層間絶縁膜１３が残らないように、層間
絶縁膜１３のオーバーエッチングをほどこす。このと
き、第１アルミ配線１５の表面がスルーホール２３の底
面部で露出すると、エッチングガスによりスルーホール
２３内に露出した第１アルミ配線１５の表面が削られ、
図２に示すように、スルーホール２３の内壁にアルミ化
合物１９が堆積する。このアルミ化合物１９は、アルミ
ニウムを主成分としている。
【００１９】つぎに図３に示すように、層間絶縁膜１３
にスルーホール２３を形成後、エッチングマスクとして
用いた、レジスト１１を酸素プラズマを用いて灰化して
除去する。この図３に示すように、アルミ化合物１９は
酸素プラズマでは除去することはできず、スルーホール
２３の内壁の周辺部に冠状に残る。このアルミ化合物１
９は、酸素プラズマを用いた灰化処理により、アルミニ
ウムの酸化物であるアルミナに変化している。
にスルーホール２３を形成後、エッチングマスクとして
用いた、レジスト１１を酸素プラズマを用いて灰化して
除去する。この図３に示すように、アルミ化合物１９は
酸素プラズマでは除去することはできず、スルーホール
２３の内壁の周辺部に冠状に残る。このアルミ化合物１
９は、酸素プラズマを用いた灰化処理により、アルミニ
ウムの酸化物であるアルミナに変化している。
【００２０】つぎに図４に示すように、冠状に残ったア
ルミ化合物１９を、アルミニウムのエッチング溶液、た
とえば、リン酸：酢酸：硝酸：水＝７５：１５：３：５
の体積比で混合した溶液に４０％フッ化アンモン（ＮＨ
4 Ｆ）水溶液を、このアルミニウムのエッチング溶液の
体積の１．５％以上混合したエッチング溶液でエッチン
グを行なう。
ルミ化合物１９を、アルミニウムのエッチング溶液、た
とえば、リン酸：酢酸：硝酸：水＝７５：１５：３：５
の体積比で混合した溶液に４０％フッ化アンモン（ＮＨ
4 Ｆ）水溶液を、このアルミニウムのエッチング溶液の
体積の１．５％以上混合したエッチング溶液でエッチン
グを行なう。
【００２１】アルミニウムのエッチング溶液とフッ化ア
ンモン水溶液とを混合することで、アルミニウムとアル
ミナのエッチング速度の選択性が得られ、アルミナのエ
ッチング速度がアルミニウムより速くなる。
ンモン水溶液とを混合することで、アルミニウムとアル
ミナのエッチング速度の選択性が得られ、アルミナのエ
ッチング速度がアルミニウムより速くなる。
【００２２】このアルミニウムのエッチング溶液にフッ
化アンモン水溶液を添加したエッチング溶液では、フッ
化アンモン水溶液の量が１．５％未満では、アルミニウ
ムのエッチング速度がアルミナのエッチング速度より速
くなるため、用いることができない。
化アンモン水溶液を添加したエッチング溶液では、フッ
化アンモン水溶液の量が１．５％未満では、アルミニウ
ムのエッチング速度がアルミナのエッチング速度より速
くなるため、用いることができない。
【００２３】アルミニウムのエッチング溶液にフッ化ア
ンモン水溶液を添加したエッチング溶液は、アルミニウ
ムのエッチング溶液が主成分であるため、スルーホール
２３内に露出した第１アルミ配線１５の表面がわずかの
膜厚でエッチングされるが、スルーホール２３内壁のア
ルミ化合物１９は、完全に除去できる。
ンモン水溶液を添加したエッチング溶液は、アルミニウ
ムのエッチング溶液が主成分であるため、スルーホール
２３内に露出した第１アルミ配線１５の表面がわずかの
膜厚でエッチングされるが、スルーホール２３内壁のア
ルミ化合物１９は、完全に除去できる。
【００２４】つぎに図５に示すように、アルミ化合物１
８を除去したのち、第２アルミ配線２１を形成する。第
２アルミ配線２１は、スルーホール２３領域で断線する
ことなく、第２アルミ配線２１と第１アルミ配線１５と
は、スルーホール２３領域で電気的接続を行うことがで
きる。この結果、信頼性の高い第１アルミ配線１５と第
２アルミ配線２１との電気的接続が得られる。
８を除去したのち、第２アルミ配線２１を形成する。第
２アルミ配線２１は、スルーホール２３領域で断線する
ことなく、第２アルミ配線２１と第１アルミ配線１５と
は、スルーホール２３領域で電気的接続を行うことがで
きる。この結果、信頼性の高い第１アルミ配線１５と第
２アルミ配線２１との電気的接続が得られる。
【００２５】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明の
半導体装置の製造方法は、下層がアルミ配線でその上に
形成した層間絶縁膜に、下層のアルミ配線と接合を目的
としたスルーホールを形成する場合に、スルーホール内
の側壁に形成されるアルミ化合物をエッチングにより除
去している。この結果、スルーホール内で第２アルミ配
線が断線することがなくなり、下層の第１アルミ配線と
上層の第２アルミ配線とのスルーホール内での接続を完
全に行うことができ、信頼性の高い半導体装置が得られ
る効果がある。
半導体装置の製造方法は、下層がアルミ配線でその上に
形成した層間絶縁膜に、下層のアルミ配線と接合を目的
としたスルーホールを形成する場合に、スルーホール内
の側壁に形成されるアルミ化合物をエッチングにより除
去している。この結果、スルーホール内で第２アルミ配
線が断線することがなくなり、下層の第１アルミ配線と
上層の第２アルミ配線とのスルーホール内での接続を完
全に行うことができ、信頼性の高い半導体装置が得られ
る効果がある。
【図１】本発明の実施例における多層アルミ配線を有す
る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図２】本発明の実施例における多層アルミ配線を有す
る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図３】本発明の実施例における多層アルミ配線を有す
る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図４】本発明の実施例における多層アルミ配線を有す
る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図５】本発明の実施例における多層アルミ配線を有す
る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図６】従来技術における多層アルミ配線を有する半導
体装置の製造方法を示す断面図である。
体装置の製造方法を示す断面図である。
１１ レジスト １３ 層間絶縁膜 １５ 第１アルミ配線 １７ 半導体基板 １９ アルミ化合物 ２１ 第２アルミ配線 ２３ スルーホール
Claims (1)
- 【請求項１】 多層アルミ配線を有する半導体装置の製
造方法において、半導体基板に第１アルミ配線を形成
し、全面に層間絶縁膜を形成し、層間絶縁膜上にレジス
トを形成し、レジストをパターニングする工程と、レジ
ストをマスクにして層間絶縁膜をドライエッチングによ
りエッチングしてスルーホールを形成する工程と、レジ
ストを酸素プラズマを用いて灰化処理して除去する工程
と、リン酸と酢酸と硝酸とフッ化アンモンとの混合溶液
に半導体基板を浸漬する工程と、第２アルミ配線を形成
する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7315792A JPH05235176A (ja) | 1992-02-25 | 1992-02-25 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7315792A JPH05235176A (ja) | 1992-02-25 | 1992-02-25 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05235176A true JPH05235176A (ja) | 1993-09-10 |
Family
ID=13510064
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7315792A Pending JPH05235176A (ja) | 1992-02-25 | 1992-02-25 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05235176A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6012469A (en) * | 1997-09-17 | 2000-01-11 | Micron Technology, Inc. | Etch residue clean |
| JP2018049105A (ja) * | 2016-09-21 | 2018-03-29 | 大日本印刷株式会社 | パターン形成方法、凹凸構造体の製造方法及びレプリカモールドの製造方法 |
-
1992
- 1992-02-25 JP JP7315792A patent/JPH05235176A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6012469A (en) * | 1997-09-17 | 2000-01-11 | Micron Technology, Inc. | Etch residue clean |
| US6192899B1 (en) | 1997-09-17 | 2001-02-27 | Micron Technology, Inc. | Etch residue clean with aqueous HF/organic solution |
| JP2018049105A (ja) * | 2016-09-21 | 2018-03-29 | 大日本印刷株式会社 | パターン形成方法、凹凸構造体の製造方法及びレプリカモールドの製造方法 |
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