JPH03171735A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、半導体回路の金属配線パターン形成の際、金
属配線パターンの腐食を防止する半導体装置の製造方法
に関するものである。

従来の技術 近年、半導体装置の製造方法は、パターンの微細化に伴
い、アルミニウム（Ａ！），　シリコン（Ｓｉ）に、銅
（Ｃｕ）等のアルミニウム（Ａｉ’）以外の金属を添加
した材料を用いて、ドライエッチングにより、金属配線
パターンが形成されている。

以下、従来の半導体装置の製造方法におけるアルミ配線
パターン形成工程について、説明する。

まず、半導体基板上に、Ａｉ’−Ｓｉ−Ｃｕ膜を蒸着し
、フォトリソ工程により所望のレジストパターンを形戊
する。次にドライエッチ工程において、レジストをマス
クとして、ｋｌ−Ｓｉ−Ｃｕ膜をエッチングする。次に
、アッシングにより、レジストを灰化し、続いて発煙硝
酸等によるウエットクリーニング処理を行い、アルミ配
線パターンを形成する。

発明が解決しようとする課題 以上述べたような従来の半導体装置の製造方法では、ウ
エットクリー二冫グ工程において、ウエットクリーニン
グ液中の負イオンにより、アルミ配線パターンの中のア
ルミニウム（Ａｊ７）がイオンとなって溶解し、腐食が
発生する場合がある。

第４図は、従来の半導体装置の製造方法において、腐食
が発生した時のアルミ配線パターンの一部を示すもので
ある。１１はアルミ配線パターンで、１２は腐食である
。この腐食１２の発生には、ドライエッチング工程にお
いて、アルミ配線パターン１１の側壁に入り込んだ塩素
（Ｃｌ）やアルミ配線パターン１１中の銅（Ｃ　ｕ）が
関与していると考えられている。

このように、上記従来の方法では、アルミ配線パターン
に腐食が発生するため、アルミ配線の信頼性が低下する
という問題があった。

本発明は上記従来の問題点を解決するもので、腐食の発
生しない、高信頼性の配線パターンを形成することがで
きる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする
。

課題を解決するための手段 この目的を達成するために、本発明の半導体装置の製造
方法は、金属膜による配線パターンの形戊時に、配線パ
ターンの他に所定の条件で配置されたダミーパターンを
形戒することを特徴としている。

作用 この方法によって、ダミーパターンに、腐食を集中発生
させて、配線パターンの腐食を防止するため、高信頼性
の配線パターンを形成することができる。

実施例 以下、本発明の一実施例について、図面を参照しながら
説明する。

第１〜３図はそれぞれ本発明の一実施例における半導体
装置の製造方法によるダミーパターンの配置を示す平面
図、断面構造を示す断面図、および腐食発生時の状況を
示す平面図である。第１図において、１はアルミ配線パ
ターン領域、２はアルミダミーパターン、３はコンタク
ト穴である。第２図において、４はＰ型半導体基板、５
はＬＯＣＯＳ，６はＰ＋拡散層、７は層間絶縁膜である
。第３図において、８は腐食である。

以上のように構成された半導体装置の製造方法について
、以下、詳細に説明する。

まず第１図に示すように、アルミ配線パターン領域１の
周辺にアルミ配線パターンｌとの間隔を３μｍ以上あけ
、配線幅２μｍ以上のアルミダミーパターン２を配置す
る。アルミダミーパターン２はコンタクト穴３により、
Ｐ型拡散層と接続している。

このようなダミーパターンの条件は発明者の研究によっ
て見出されたものであって、金属パターンの幅，間隔，
拡散層との接続状態と、金属腐食の発生頻度の関係を調
べた結果、前述の条件を満たす金属パターンに集中して
腐食が発生することがわかったのである。

これは金属パターンの幅が２μｍ以上で、隣接する他の
パターンとの間隔が３μｍ以上のときにはドライエッチ
ング工程において、マスクとなっているレジストが金属
パターンの側壁に再付着しにくいため金属パターンの側
壁が露出しやすく、腐食性の塩素の影響を受けやすいた
めだと考えられる。また、Ｐ型拡散層に接続することに
よって金属パターンが相対的に正電位となり、ウエット
クリーニング工程で腐食に関与する負イオンを引きつけ
やすいためだと考えられる。第２図は第１図のアルミダ
ミーパターン２の直線ＡＢ部の断面構造を示している。

Ｐ型半導体基板４の表面に、ＬＯＣＯＳ５，Ｐ十拡散層
６，層間絶縁膜７を形成し、コンタクト穴形成後、アル
ミ配線ダミーパターン２を形成する。アルミダミーパタ
ーン２は、Ｐ＋拡散層６を経て、Ｐ型半導体基板４に接
続している。第３図において、ドライエッチ，アッシン
グ．ウエットクリーニング後、腐食８が発生した場合の
アルミ配線パターンを示している。腐食８は、アルミダ
ミーパターン２にのみ、発生している。

これは、前述の条件を備えたダミーパターンと、同条件
を満たさない配線パターンが共存する場合、すでに述べ
たメカニズムによってタミーパターンに腐食が集中する
傾向があることに加えて、腐食に関与すると考えられて
いる負イオンがダミーパターンの腐食時に多量に消費さ
れるため、配線パターンではほとんど腐食が発生しなく
なるためである。

なお本実施例ではアルミ配線パターン領域１の周辺にア
ルミダミーパターンを１列だけ設けたが、これは複数列
のアルミダミーパターンでもよい。その場合にはアルミ
ダミーパターンの各列の間隔を３μｍ以上とっておけば
よい。

また、本実施例においては、金属膜としてアルミを用い
たが、タングステン（Ｗ）等の高融点金属など、配線と
して利用できる材料であればよい。

発明の効果 以上のように本発明は、Ｐ型拡散層に接続した金属ダミ
ーパターンを所定の配置で設けることにより腐食の発生
をダミーパターンに集中させ、高信頼性の金属配線を形
成することができる優れた半導体装置の製造方法を実現
できるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例におけるアルミダミ−パターン
の配置図、第２図は前記アルミダミーパターンのコンタ
クト穴付近の断面図、第３図は腐食発生時の状況を示し
た図であり、第４図は従来の腐食発生時のアルミ配線パ
ターンの一部を示した図である。 １・・・・・・アルミ配線パターン、２・・・・・・ア
ルミ配線ダミーパターン、３・・・・・・コンタクト穴
、４・・・・・・Ｐ型半導体基板、６・・・・・・Ｐ゛
拡散層。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. Ｐ型領域を有する半導体基板上に金属膜を被着し、前記
   金属膜の一部をエッチングして所望の配線パターンを形
   成する工程において、前記配線パターンの他に、前記金
   属膜の一部で前記Ｐ型領域に接続するダミーパターンが
   形成され、前記ダミーパターンは線幅が２μｍ以上に選
   定され、さらに隣接する前記配線パターンと３μｍ以上
   離して設けられることを特徴とする半導体装置の製造方
   法。