JPS6362352A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS6362352A JPS6362352A JP20726186A JP20726186A JPS6362352A JP S6362352 A JPS6362352 A JP S6362352A JP 20726186 A JP20726186 A JP 20726186A JP 20726186 A JP20726186 A JP 20726186A JP S6362352 A JPS6362352 A JP S6362352A
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- phosphorus glass
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- Pending
Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体基板表面上に燐ガラス膜を有する半導
体装置の製造方法に関する。
体装置の製造方法に関する。
従来の技術
近年、半導体基板表面上に形成した燐ガラス膜は、汚染
可動イオンを防止するパッシベーション膜として、また
、Ｎ型不純物の供給源としても広く使用されている。
可動イオンを防止するパッシベーション膜として、また
、Ｎ型不純物の供給源としても広く使用されている。
以下に従来の半導体装置の製造方法について説明する。
第２図は従来の半導体装置の構造を示す要部断面図であ
る。第２図において、１は半導体基板、２は第１のシリ
コン酸化膜、３は燐ガラス膜、４は第２のシリコン酸化
膜、５は電極穴、６は配線用金属膜である。
る。第２図において、１は半導体基板、２は第１のシリ
コン酸化膜、３は燐ガラス膜、４は第２のシリコン酸化
膜、５は電極穴、６は配線用金属膜である。
通常の場合、半導体装置のパッシベーション膜としては
シリコン酸化膜２と燐ガラス膜３とからなる二重膜であ
るが、このパッシベーション膜を実用に供するときには
ホトレジスト膜との密着性を良くする必要があることか
ら、燐ガラス膜３上にさらにシリコン酸化膜４を形成し
た三重膜として用いる。さらに、燐ガラス膜３をＮ型不
純物の拡散源として用いる場合の燐ガラス膜３のＪｊ！
Ｉ濃度は高い。したがって、配線用金属膜の腐食を防ぐ
ためにも三重膜を必要とする。
シリコン酸化膜２と燐ガラス膜３とからなる二重膜であ
るが、このパッシベーション膜を実用に供するときには
ホトレジスト膜との密着性を良くする必要があることか
ら、燐ガラス膜３上にさらにシリコン酸化膜４を形成し
た三重膜として用いる。さらに、燐ガラス膜３をＮ型不
純物の拡散源として用いる場合の燐ガラス膜３のＪｊ！
Ｉ濃度は高い。したがって、配線用金属膜の腐食を防ぐ
ためにも三重膜を必要とする。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、上記の従来の構成では、電極形成用の電
極穴５をエツチングにより形成する際、燐ガラス膜とシ
リコン酸化膜とのエツチング速度の大幅な相違から、エ
ツチングにより形成した半導体装置の断面は、第２図に
示すように、第２のシリコン酸化膜４が逆テーパー状に
なる。この形状になると、その後で蒸着法により形成す
る電極の配線用金属膜６が断線状態となり、半導体装置
が機能しないという欠点を有していた。
極穴５をエツチングにより形成する際、燐ガラス膜とシ
リコン酸化膜とのエツチング速度の大幅な相違から、エ
ツチングにより形成した半導体装置の断面は、第２図に
示すように、第２のシリコン酸化膜４が逆テーパー状に
なる。この形状になると、その後で蒸着法により形成す
る電極の配線用金属膜６が断線状態となり、半導体装置
が機能しないという欠点を有していた。
本発明は上記従来の問題点を解決するもので、上述した
断線の生じない改良された半導体装置の製造方法を提供
することを目的とする。
断線の生じない改良された半導体装置の製造方法を提供
することを目的とする。
間組点を解決するための手段
この目的を達成するために、本発明の半導体装置の製造
方法は、半導体基板上の第１のシリコン酸化膜上に、第
１の燐ガラス膜を形成した後、さらに低濃度の第２の燐
ガラス膜を形成する三重膜の構成となし、これに、ホト
レジスト膜パターンを用いて電極穴を形成する工程を有
している。
方法は、半導体基板上の第１のシリコン酸化膜上に、第
１の燐ガラス膜を形成した後、さらに低濃度の第２の燐
ガラス膜を形成する三重膜の構成となし、これに、ホト
レジスト膜パターンを用いて電極穴を形成する工程を有
している。
作用
この構成によって、電極穴を形成する際に生じていた最
上層膜の逆テーパーを防止でき、さらに、第２．第１の
各燐ガラス膜が濃度差をもつものであるため、若干の正
テーパーの形状となり、電極配線の断線の防止を実現す
ることができる。
上層膜の逆テーパーを防止でき、さらに、第２．第１の
各燐ガラス膜が濃度差をもつものであるため、若干の正
テーパーの形状となり、電極配線の断線の防止を実現す
ることができる。
実施例
以下本発明の一実施例について、図面を参照しながら説
明する。
明する。
第１図ａ−ｄは本発明の実施例における半導体装置の製
造工程の工程順断面図を示すものである。本発明の実施
にあたって、まず、第１図ａのように、半導体基板１を
準備する。次に、第１図すのように、半導体基板１の表
面上に第１のシリコン酸化膜２．第１の燐ガラス膜３お
よび第１の燐ガラス膜より低燐濃度の第２の燐ガラス１
ＪＩ３１を順次形成する。これらの膜の形成は周知の方
法によって行われる。この三重膜に、第１図Ｃのように
、ホトレジスト膜を用いる周知のホトエツチング法によ
り所定個所に電極穴５が形成される。
造工程の工程順断面図を示すものである。本発明の実施
にあたって、まず、第１図ａのように、半導体基板１を
準備する。次に、第１図すのように、半導体基板１の表
面上に第１のシリコン酸化膜２．第１の燐ガラス膜３お
よび第１の燐ガラス膜より低燐濃度の第２の燐ガラス１
ＪＩ３１を順次形成する。これらの膜の形成は周知の方
法によって行われる。この三重膜に、第１図Ｃのように
、ホトレジスト膜を用いる周知のホトエツチング法によ
り所定個所に電極穴５が形成される。
第２の燐ガラス膜３１は、この電極穴５の形成の工程で
ホトレジスト膜（図示せず）との密着性を適度に緩和し
、正のテーパーを形成する。これによって、電極穴５は
、底部から出口に向って断面積が次第に大きくなるテー
パー形状となる。しかる後、第１図ｄのように、電極穴
５および第２の燐ガラス膜３１上の選択された個所に、
周知の蒸着法により、金属膜６を形成する。金属膜６は
電極穴５の出口付近の第２の燐ガラス膜３１の開口部分
が鈍角になっているため、断線のおそれがな（なる。な
お、符号１．２，３，５．６の各構成部分は従来例の構
成と同じものである。
ホトレジスト膜（図示せず）との密着性を適度に緩和し
、正のテーパーを形成する。これによって、電極穴５は
、底部から出口に向って断面積が次第に大きくなるテー
パー形状となる。しかる後、第１図ｄのように、電極穴
５および第２の燐ガラス膜３１上の選択された個所に、
周知の蒸着法により、金属膜６を形成する。金属膜６は
電極穴５の出口付近の第２の燐ガラス膜３１の開口部分
が鈍角になっているため、断線のおそれがな（なる。な
お、符号１．２，３，５．６の各構成部分は従来例の構
成と同じものである。
発明の効果
以上のように、本発明は第１の燐ガラス膜上に、これよ
り低燐濃度の第２の燐ガラス膜を形成することにより、
電極穴形成が好ましいテーパー状となり、同電極穴に配
線用金属膜を形成したとき、配線の断線を防止すること
が出きるとともに、配線用金属膜の腐食を防止する効果
も合せもった、優れた半導体装置を実現できるものであ
る。
り低燐濃度の第２の燐ガラス膜を形成することにより、
電極穴形成が好ましいテーパー状となり、同電極穴に配
線用金属膜を形成したとき、配線の断線を防止すること
が出きるとともに、配線用金属膜の腐食を防止する効果
も合せもった、優れた半導体装置を実現できるものであ
る。
第１図ａ−ｄは本発明の実施例における半導体装置の製
造工程を示す工程順断面図、第２図は従来の半導体装置
の要部断面図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・第１のシリ
コン酸化膜、３・・・・・・第１の燐ガラス膜、３１・
・・・・・第２の低濃度燐ガラス膜、４・・・・・・第
２のシリコン酸化膜、５・・・・・・電極穴、６・・・
・・・配線用金属膜。
造工程を示す工程順断面図、第２図は従来の半導体装置
の要部断面図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・第１のシリ
コン酸化膜、３・・・・・・第１の燐ガラス膜、３１・
・・・・・第２の低濃度燐ガラス膜、４・・・・・・第
２のシリコン酸化膜、５・・・・・・電極穴、６・・・
・・・配線用金属膜。
Claims (1)
- 半導体基板表面上に形成されたシリコン酸化膜上に第１
の燐ガラス膜および第２の燐ガラス膜を順次形成する工
程と、前記第２の燐ガラス膜上にホトレジスト膜を形成
し、ホトエッチング法により半導体基板表面上に形成さ
れているシリコン酸化膜と前記第１および第２の燐ガラ
ス膜を選択的に除去し半導体基板表面を露出する電極穴
を形成する工程と、前記第２の燐ガラス膜の表面部分上
および前記電極穴により露出した前記半導体基板表面上
に金属膜を形成する工程とを備えた半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20726186A JPS6362352A (ja) | 1986-09-03 | 1986-09-03 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20726186A JPS6362352A (ja) | 1986-09-03 | 1986-09-03 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6362352A true JPS6362352A (ja) | 1988-03-18 |
Family
ID=16536861
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20726186A Pending JPS6362352A (ja) | 1986-09-03 | 1986-09-03 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6362352A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008244056A (ja) * | 2007-03-27 | 2008-10-09 | Mitsubishi Electric Corp | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
| JP2015167261A (ja) * | 1995-11-27 | 2015-09-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5788735A (en) * | 1980-11-21 | 1982-06-02 | Fujitsu Ltd | Preparation of semiconductor device |
-
1986
- 1986-09-03 JP JP20726186A patent/JPS6362352A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5788735A (en) * | 1980-11-21 | 1982-06-02 | Fujitsu Ltd | Preparation of semiconductor device |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015167261A (ja) * | 1995-11-27 | 2015-09-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| JP2008244056A (ja) * | 2007-03-27 | 2008-10-09 | Mitsubishi Electric Corp | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
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