JPH02250318A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH02250318A JPH02250318A JP7353289A JP7353289A JPH02250318A JP H02250318 A JPH02250318 A JP H02250318A JP 7353289 A JP7353289 A JP 7353289A JP 7353289 A JP7353289 A JP 7353289A JP H02250318 A JPH02250318 A JP H02250318A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 32
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 9
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 33
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 20
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 12
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 25
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 5
- 239000005365 phosphate glass Substances 0.000 abstract 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体基板表面上にリンガラス膜り有する半
導体装置の製造方法に関するものである。
導体装置の製造方法に関するものである。
従来の技術
半導体装置のパッシベーション膜としてはシリコン酸化
膜とリンガラス膜とからなる二重膜が周知である。リン
ガラス膜はＮ型不純物の供給源（拡散源）として広く使
用されている。
膜とリンガラス膜とからなる二重膜が周知である。リン
ガラス膜はＮ型不純物の供給源（拡散源）として広く使
用されている。
このパッシベーション膜１に＊用に供するときには、ホ
トレジスト模との密着性を高める必要があることから、
またリンガラス膜’ｋＮ型不純物の拡散源として用いる
場合リン濃度を高くしたことによる配線用金属膜の腐食
を防止する必要があることから、リンガラス膜上にさら
にシリコン酸化膜を形成し、三重膜としている。
トレジスト模との密着性を高める必要があることから、
またリンガラス膜’ｋＮ型不純物の拡散源として用いる
場合リン濃度を高くしたことによる配線用金属膜の腐食
を防止する必要があることから、リンガラス膜上にさら
にシリコン酸化膜を形成し、三重膜としている。
発明が解決しようとする課題
ところが上記従来方法で構成された三重膜からなるパッ
シベーション膜には次のような問題がある。すなわち、
第２図に示すように、半導体基板１の表面上に第１のシ
リコン酸化膜２、リンガラス膜３および第２のシリコン
酸化膜４を順次形成して構成されたパッシベーション膜
に電極形成用の穴をエツチングにより形成する際、リン
ガラス膜３とシリコン酸化膜２．４とのエラチングレー
トノ大幅な相途から、エツチングにより形成した半導体
基板１の表面上の￥！ｌ極穴５の断面は第２のシリコン
酸化膜４がひさし状にせ９出した形状となる。この形状
になると、その後でＫＭ法により形成される金属膜６に
よる電極配線が断線状態となυ、半導体装置が機能しな
いという間Ｂ’に有していた。
シベーション膜には次のような問題がある。すなわち、
第２図に示すように、半導体基板１の表面上に第１のシ
リコン酸化膜２、リンガラス膜３および第２のシリコン
酸化膜４を順次形成して構成されたパッシベーション膜
に電極形成用の穴をエツチングにより形成する際、リン
ガラス膜３とシリコン酸化膜２．４とのエラチングレー
トノ大幅な相途から、エツチングにより形成した半導体
基板１の表面上の￥！ｌ極穴５の断面は第２のシリコン
酸化膜４がひさし状にせ９出した形状となる。この形状
になると、その後でＫＭ法により形成される金属膜６に
よる電極配線が断線状態となυ、半導体装置が機能しな
いという間Ｂ’に有していた。
本発明は上記従来の問題を解決するものであり、ｔｆ＠
配線に＃線の生じない半導体装置の製造方法を提供する
ことを目的とするものである。
配線に＃線の生じない半導体装置の製造方法を提供する
ことを目的とするものである。
課題を解決するための手段
上記問題を解決するため本発明の半導体装置の製造方法
は、半導体基板表面上にシリコン酸化膜を形成する工程
と、前記シリコン酸化膜上に深さ方向にリン濃度が変化
したリンガラス膜を形成する工程と、前記リンガラス膜
上にホトレジスト膜を形成し、ホトエツチング法により
前記半導体基板表面上に形成されている前記シリコン酸
化膜および前記リンガラス膜を選択的に除去し半導体基
板表面を露出してｔＷ穴を形成する工程と、前記リンガ
ラス膜の表面部分上および前記ｖＬ極穴によυ露出した
前記半導体基板表面上に金属膜を形成する工程とを備え
友ものである。
は、半導体基板表面上にシリコン酸化膜を形成する工程
と、前記シリコン酸化膜上に深さ方向にリン濃度が変化
したリンガラス膜を形成する工程と、前記リンガラス膜
上にホトレジスト膜を形成し、ホトエツチング法により
前記半導体基板表面上に形成されている前記シリコン酸
化膜および前記リンガラス膜を選択的に除去し半導体基
板表面を露出してｔＷ穴を形成する工程と、前記リンガ
ラス膜の表面部分上および前記ｖＬ極穴によυ露出した
前記半導体基板表面上に金属膜を形成する工程とを備え
友ものである。
作用
上記製造方法により、シリコン酸化膜上に形成するリン
ガラス膜を深さ方向にリン濃度が変化するように形成す
ることによって、ホトエツチング法で′ａＬ極大を形成
する際、リンガラス膜とホトレジス）［との密着性が適
度に緩和され、電極穴は底部から表面に向って断面積が
大きくなる正テーパー形状となる。よって、リンガラス
膜の表面部分上および電極穴により露出した半導体基板
表面上に形成する金属膜による配線の断線が防止される
。
ガラス膜を深さ方向にリン濃度が変化するように形成す
ることによって、ホトエツチング法で′ａＬ極大を形成
する際、リンガラス膜とホトレジス）［との密着性が適
度に緩和され、電極穴は底部から表面に向って断面積が
大きくなる正テーパー形状となる。よって、リンガラス
膜の表面部分上および電極穴により露出した半導体基板
表面上に形成する金属膜による配線の断線が防止される
。
実施例
以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。
第１図（ａ）〜（ｄｌは本発明の一実施例として半導体
装置の製造工程を順に示す半導体装置の断面図である。
装置の製造工程を順に示す半導体装置の断面図である。
本発明の実施にあたって、まず第１図（ａ）に示すのよ
うＫ、半導体基板１１を準備する。
うＫ、半導体基板１１を準備する。
次に第１図１ｂ）に示すＡように、半導体基板１１の表
面上に従来の周知の方法によりシリコン酸化膜１２ ｋ
形成し、さらにシリコン酸化膜１２の上に、化学的気相
成長法によって膜中のリン濃度を深さ方向に制御してリ
ンガラス膜１３ を形成する。そのリン濃度変化は、テ
ーパー角θの設定で決められる。
面上に従来の周知の方法によりシリコン酸化膜１２ ｋ
形成し、さらにシリコン酸化膜１２の上に、化学的気相
成長法によって膜中のリン濃度を深さ方向に制御してリ
ンガラス膜１３ を形成する。そのリン濃度変化は、テ
ーパー角θの設定で決められる。
この二重膜に、第１図（Ｃ）のように、フおトレジスト
膜を用いる周知のホトエツチング法によシ所定個所に′
ｗｔ、極穴１５に一形成する。リンガラス膜１３の上層
部のリン濃度金ホトレジスト膜とのＶｊ１着性を適度に
緩和するよう設定すること、すなわち上層部のリン濃度
を下層部のリン濃度よシ濃くすることで、従来例の第２
図に示すように電極穴１５の断面が逆テーパー状にひさ
しがせり出し丸形状となることを防止する。これによっ
て、電極穴１５は、電極Ａｍの底部から出口に向って、
断面積が次第に大きくなる正テーパー形状となる。
膜を用いる周知のホトエツチング法によシ所定個所に′
ｗｔ、極穴１５に一形成する。リンガラス膜１３の上層
部のリン濃度金ホトレジスト膜とのＶｊ１着性を適度に
緩和するよう設定すること、すなわち上層部のリン濃度
を下層部のリン濃度よシ濃くすることで、従来例の第２
図に示すように電極穴１５の断面が逆テーパー状にひさ
しがせり出し丸形状となることを防止する。これによっ
て、電極穴１５は、電極Ａｍの底部から出口に向って、
断面積が次第に大きくなる正テーパー形状となる。
しかる後、第１図ｔｄｌに示すように、電ｔｇ穴１５お
よびリンガラス［１３の上の選択された個所に、周知の
蒸着法により、配線用金属膜１６を形成する。
よびリンガラス［１３の上の選択された個所に、周知の
蒸着法により、配線用金属膜１６を形成する。
上記製造方法により、ｖＬｆｉｊｉ穴１５の出穴付５の
リンガラス膜１３の開口部分が正テーパー状に鈍角にな
るため、金属膜１６により形成された配線の断線を防止
することができる。
リンガラス膜１３の開口部分が正テーパー状に鈍角にな
るため、金属膜１６により形成された配線の断線を防止
することができる。
発明の効果
以上のように本発明によれば、リンガラス膜の濃度を深
さ方向に変化させることにより、ホトエツチング法で形
成する電極穴の形状が好ましい正テーパー状となり、電
極穴により露出した半導体基板上およびリンガラス膜の
表面部分に形成されるｌｋ３線用金属膜による配線のけ
ｒ線を防止することができる。さらに、リンガラス膜の
濃度を変化させることにより配線用金属膜の腐食を防止
する効果も得ることができ、優れた半導体装置の製造方
法を提供することができる。
さ方向に変化させることにより、ホトエツチング法で形
成する電極穴の形状が好ましい正テーパー状となり、電
極穴により露出した半導体基板上およびリンガラス膜の
表面部分に形成されるｌｋ３線用金属膜による配線のけ
ｒ線を防止することができる。さらに、リンガラス膜の
濃度を変化させることにより配線用金属膜の腐食を防止
する効果も得ることができ、優れた半導体装置の製造方
法を提供することができる。
第１図（ａ）〜（ｄｌは本発明の一実施例として半導体
装置の製造工程を順に示す半導体装置の断面図、第２図
は従来の半導体装置の要部断面図である。 １１・・・半導体基板、１２・・・シリコン酸化膜、３
・・・リンガラス膜、１５・・・電極穴、１６・・・配
線用金属膜、０・・・テーパー角度。 代理人 森 本 義 弘第１図 第２
装置の製造工程を順に示す半導体装置の断面図、第２図
は従来の半導体装置の要部断面図である。 １１・・・半導体基板、１２・・・シリコン酸化膜、３
・・・リンガラス膜、１５・・・電極穴、１６・・・配
線用金属膜、０・・・テーパー角度。 代理人 森 本 義 弘第１図 第２
Claims (1)
- １、半導体基板表面上にシリコン酸化膜を形成する工程
と、前記シリコン酸化膜上に深さ方向にリン濃度が変化
したリンガラス膜を形成する工程と、前記リンガラス膜
上にホトレジスト膜を形成し、ホトエッチング法により
前記半導体基板表面上に形成されている前記シリコン酸
化膜および前記リンガラス膜を選択的に除去し半導体基
板表面を露出して電極穴を形成する工程と、前記リンガ
ラス膜の表面部分上および前記電極穴により露出した前
記半導体基板表面上に金属膜を形成する工程とを備えた
半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7353289A JPH02250318A (ja) | 1989-03-23 | 1989-03-23 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7353289A JPH02250318A (ja) | 1989-03-23 | 1989-03-23 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02250318A true JPH02250318A (ja) | 1990-10-08 |
Family
ID=13520937
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7353289A Pending JPH02250318A (ja) | 1989-03-23 | 1989-03-23 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02250318A (ja) |
-
1989
- 1989-03-23 JP JP7353289A patent/JPH02250318A/ja active Pending
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