JPS61263138A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS61263138A JPS61263138A JP10541985A JP10541985A JPS61263138A JP S61263138 A JPS61263138 A JP S61263138A JP 10541985 A JP10541985 A JP 10541985A JP 10541985 A JP10541985 A JP 10541985A JP S61263138 A JPS61263138 A JP S61263138A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating film
- impurities
- etching
- thickness
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上皇且且立！
本発明は基板と配線層とのステップカバレッジの良好な
半導体装置の製造方法に関する。
半導体装置の製造方法に関する。
従来叫皮五
集積回路の高密度化に伴い、半導体素子における金属配
線の幅を細く、また厚さも薄くする必要がある。したが
って半導体素子の製造プロセス途中で生じる基板の段差
部での配線切れも起こりやすくなる。
線の幅を細く、また厚さも薄くする必要がある。したが
って半導体素子の製造プロセス途中で生じる基板の段差
部での配線切れも起こりやすくなる。
この段差部での配線切れを防止する、即ち、ステップカ
バレッジの改善手段として熱処理あるいはプラズマ処理
等により段差を滑らかにする方法が知られるが、これら
は特性上あるいは再現性に問題がある。
バレッジの改善手段として熱処理あるいはプラズマ処理
等により段差を滑らかにする方法が知られるが、これら
は特性上あるいは再現性に問題がある。
そこで従来、特開昭５９−１３３４８号公報に示されて
いるように、積層した複数の絶縁層の各層のエツチング
レートの差を利用して段差部をテーパー状に成形する方
法が用いられている。
いるように、積層した複数の絶縁層の各層のエツチング
レートの差を利用して段差部をテーパー状に成形する方
法が用いられている。
＜”しよ゛と る口 与
複数の絶縁層を設ける方法では段差部をテーパー状にす
るために設けた二層目以降の絶縁膜の膜厚だけ全体とし
て絶縁膜の厚みが増加してしまう。
るために設けた二層目以降の絶縁膜の膜厚だけ全体とし
て絶縁膜の厚みが増加してしまう。
したがって絶縁膜を開口した場合に生じる段差も単層絶
縁膜に比べて大きくなり、配線切れを防ぐには段差部を
より緩やかなテーパー状に形成しなければならない。よ
って隣接する開口部相互の間隔を大きくとる必要があり
、素子の微細化を制限していた。
縁膜に比べて大きくなり、配線切れを防ぐには段差部を
より緩やかなテーパー状に形成しなければならない。よ
って隣接する開口部相互の間隔を大きくとる必要があり
、素子の微細化を制限していた。
そこで、この発明は、絶縁膜の膜厚を増加することなく
テーパー状段差部を簡便に再現性よく形成することので
きる半導体装置の製造方法を提供することを目的として
いる。
テーパー状段差部を簡便に再現性よく形成することので
きる半導体装置の製造方法を提供することを目的として
いる。
、 占 り° るための
本発明では基板上を覆う絶縁膜の表面付近に不純物を注
入し、一層の絶縁膜内でその表面付近のエツチングレー
トを他の部分のそれと異ならせ、このエツチングレート
の差を利用して絶縁膜に側面がテーパー状である開口部
を形成した。
入し、一層の絶縁膜内でその表面付近のエツチングレー
トを他の部分のそれと異ならせ、このエツチングレート
の差を利用して絶縁膜に側面がテーパー状である開口部
を形成した。
作且
不純物が注入された領域でのエツチングレートが注入さ
れない領域のそれより大きくなる。そこで絶縁膜の表面
付近にのみ不純物を注入すると絶縁膜表面よりエツチン
グが進むにつれて次第にエツチングレートが小さくなっ
て絶縁膜をテーパー状に開口することができる。テーパ
ー角は不純物の注入量及び注入の深さによって任意に設
定可能であるが、表面付近にのみ集中して不純物を注入
するので絶縁膜全体では不純物濃度は低く不純物のアウ
トフュージョンによる特性の劣化は起こらない。
れない領域のそれより大きくなる。そこで絶縁膜の表面
付近にのみ不純物を注入すると絶縁膜表面よりエツチン
グが進むにつれて次第にエツチングレートが小さくなっ
て絶縁膜をテーパー状に開口することができる。テーパ
ー角は不純物の注入量及び注入の深さによって任意に設
定可能であるが、表面付近にのみ集中して不純物を注入
するので絶縁膜全体では不純物濃度は低く不純物のアウ
トフュージョンによる特性の劣化は起こらない。
災胤■
第１図（ａｌ乃至ｆｄ）に対応させて本発明の詳細な説
明する。
明する。
（ａ） 内部に拡散領域が形成された基板１０の表面
は絶縁膜２０で覆われている。本実施例の場合絶縁膜２
０は拡散領域の形成時に成長したＳｉＯ□膜である。
は絶縁膜２０で覆われている。本実施例の場合絶縁膜２
０は拡散領域の形成時に成長したＳｉＯ□膜である。
（ｂ） 絶縁膜２０の表面よりプロジェクションレン
ジが膜厚より小さくなるよう、部ち表面付近に集中させ
て例えばＰＨ０３＋イオンなどの不純物３ｏを注入し、
５００〜８００℃の熱処理で不純物３０の活性化を行う
。
ジが膜厚より小さくなるよう、部ち表面付近に集中させ
て例えばＰＨ０３＋イオンなどの不純物３ｏを注入し、
５００〜８００℃の熱処理で不純物３０の活性化を行う
。
このとき注入は固相または気相拡散法によってもよいが
イオン注入法によれば絶縁膜２０の表面でなく内部の任
意の深さに不純物の最大濃度領域を設定できるので、後
に配線層を被着したとき不純物のアウトフュージョンに
よる配線層腐食やマイグレーションの発生をさらに起こ
りにくくできる。
イオン注入法によれば絶縁膜２０の表面でなく内部の任
意の深さに不純物の最大濃度領域を設定できるので、後
に配線層を被着したとき不純物のアウトフュージョンに
よる配線層腐食やマイグレーションの発生をさらに起こ
りにくくできる。
（Ｃ） 絶縁膜２０の開口すべき部分を除、いてその
表面にレジスト４０を被着する。゛ （ｄ） レジスト４０をマスクとして等方性エツチン
グを行う。不純物３０が注入された領域はエツチングレ
ートが大きく、厚さ方向にエツチングが進むにつれて横
方向にもエツチングが進み、絶縁膜２０の開口が完了す
ると所定角のテーパー状の段差部２１が形成される。
表面にレジスト４０を被着する。゛ （ｄ） レジスト４０をマスクとして等方性エツチン
グを行う。不純物３０が注入された領域はエツチングレ
ートが大きく、厚さ方向にエツチングが進むにつれて横
方向にもエツチングが進み、絶縁膜２０の開口が完了す
ると所定角のテーパー状の段差部２１が形成される。
その後、蒸着エツチングを行い、Ａ１等の金属配線層を
形成する。
形成する。
発凱夏処来
絶縁膜の開口にあたり、ステップカバレッジを良好にす
るためのテーパー状段差部を簡便に再現性よく形成する
際、絶縁膜の膜厚が増加することがない。したがって、
段差そのものが大きくならず高密度化のためテーパー角
を大きくしても配線切れが起こりにくい。またキャパシ
タンス形成時など薄い絶縁膜が望まれる場合に増加した
膜厚分の絶縁膜を取り除く工程を省くことができる。
るためのテーパー状段差部を簡便に再現性よく形成する
際、絶縁膜の膜厚が増加することがない。したがって、
段差そのものが大きくならず高密度化のためテーパー角
を大きくしても配線切れが起こりにくい。またキャパシ
タンス形成時など薄い絶縁膜が望まれる場合に増加した
膜厚分の絶縁膜を取り除く工程を省くことができる。
第１図は本発明の実施例を示す説明図である。
１０・・・基板
２０・・・絶縁膜
２１・・・段差部
３０・・・不純物
４０・・・レジスト。
Claims (1)
- （１）基板上を覆う絶縁膜の開口にあたり、絶縁膜の表
面よりその膜厚以下の深さの領域に不純物を注入し、絶
縁膜の表面の開口すべき部分以外を覆ったレジストをマ
スクとして等方性エッチングを行い、テーパー状の段差
部を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10541985A JPS61263138A (ja) | 1985-05-16 | 1985-05-16 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10541985A JPS61263138A (ja) | 1985-05-16 | 1985-05-16 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61263138A true JPS61263138A (ja) | 1986-11-21 |
Family
ID=14407080
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10541985A Pending JPS61263138A (ja) | 1985-05-16 | 1985-05-16 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61263138A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| USRE35655E (en) * | 1986-07-29 | 1997-11-11 | Showa Aluminum Corporation | Condenser for use in a car cooling system |
| USRE35711E (en) * | 1986-07-29 | 1998-01-06 | Showa Aluminum Corporation | Condenser for use in a car cooling system |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5417663A (en) * | 1977-07-08 | 1979-02-09 | Nec Corp | Manufacture of semiconductor device |
| JPS5538090A (en) * | 1978-09-11 | 1980-03-17 | Nec Kyushu Ltd | Production for semiconductor device |
-
1985
- 1985-05-16 JP JP10541985A patent/JPS61263138A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5417663A (en) * | 1977-07-08 | 1979-02-09 | Nec Corp | Manufacture of semiconductor device |
| JPS5538090A (en) * | 1978-09-11 | 1980-03-17 | Nec Kyushu Ltd | Production for semiconductor device |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| USRE35655E (en) * | 1986-07-29 | 1997-11-11 | Showa Aluminum Corporation | Condenser for use in a car cooling system |
| USRE35711E (en) * | 1986-07-29 | 1998-01-06 | Showa Aluminum Corporation | Condenser for use in a car cooling system |
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