JPH03142925A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH03142925A JPH03142925A JP28237489A JP28237489A JPH03142925A JP H03142925 A JPH03142925 A JP H03142925A JP 28237489 A JP28237489 A JP 28237489A JP 28237489 A JP28237489 A JP 28237489A JP H03142925 A JPH03142925 A JP H03142925A
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- Pending
Links
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
［産業上の利用分野］
本発明は、半導体装置における配線の接続方法に関する
。 ［従来の技術］ 従来の半導体装置の製造方法では、第２図（ａ）のよう
にＮ°拡散層２０２が形成されている半導体基板２０１
上に眉間絶縁ｌ１２０３を形成した後、第２図（ｂ）の
ようにフォトリソ技術およびエツチング法により眉間絶
縁膜２０３にコンタクトホールを開孔し、気相成長法に
よりコンタクトホール内に選択的にタングステン２０４
を形成してから、第２図（Ｃ）のように金属配線２０５
を形成していた。
。 ［従来の技術］ 従来の半導体装置の製造方法では、第２図（ａ）のよう
にＮ°拡散層２０２が形成されている半導体基板２０１
上に眉間絶縁ｌ１２０３を形成した後、第２図（ｂ）の
ようにフォトリソ技術およびエツチング法により眉間絶
縁膜２０３にコンタクトホールを開孔し、気相成長法に
よりコンタクトホール内に選択的にタングステン２０４
を形成してから、第２図（Ｃ）のように金属配線２０５
を形成していた。
本発明は、半導体基板の上方に形成された第１の絶縁体
上に、前記第１の絶縁体とは異なるコンタクトホール内
にタングステンを形成する工程、前記コンタクトホール
内にタングステン上に予めコンタクトホールとなるよう
に設計された領域に形成されたフォトレジストをマスク
として、前記第１の絶縁体、前記コンタクトホール内に
タングステンをエツチングしてコンタクトホールを形成
する工程、前記コンタクトホール内にタングステンを形
成する工程、 前記コンタクトホール内にタングステンを形成する工程
、 前記コンタクトホール内にタングステン上に、導電体層
を形成する工程、 前記第２の絶縁体上に予め配線となるように設計された
領域に形成されたフォトレジストをマスクとして、前記
導電体層をエツチングし、配線を形成する工程、よりな
ることを特徴とする。
上に、前記第１の絶縁体とは異なるコンタクトホール内
にタングステンを形成する工程、前記コンタクトホール
内にタングステン上に予めコンタクトホールとなるよう
に設計された領域に形成されたフォトレジストをマスク
として、前記第１の絶縁体、前記コンタクトホール内に
タングステンをエツチングしてコンタクトホールを形成
する工程、前記コンタクトホール内にタングステンを形
成する工程、 前記コンタクトホール内にタングステンを形成する工程
、 前記コンタクトホール内にタングステン上に、導電体層
を形成する工程、 前記第２の絶縁体上に予め配線となるように設計された
領域に形成されたフォトレジストをマスクとして、前記
導電体層をエツチングし、配線を形成する工程、よりな
ることを特徴とする。
本発明である半導体装置の製造方法は、基本約１；は第
１図（ａ）〜（ｆ）に示される製造方法である。 １０１はシリコン基板、１０２は不純物拡散層、１０３
はシリコン窒化膜、１０４シリコン酸化膜である。１０
５は不純物拡散層上方にのみ堆積しているタングステン
、１０６は導電体層であるアルミ・銅合金層である。 以下に、本発明の実施例を第１図の工程断面図に従って
、工程の詳細を順に説明する。 まず、第１図（ａ）のようにシリコン基板１０１上に、
予め拡散層となるように設計された領域に形成されたフ
ォトレジストをマスクとして、イオン打ち込み法により
、リンイオンを打ち込んでＮ゛拡散層１０２を形成する
。 次に、第１図（ｂ）のように； 気相成長法によって、
シリコン窒化膜１０３を４０００人、シリコン酸化膜１
０４を２０００人、この順に堆積して２層構造を持った
層間絶縁膜を形成する′。シリコン窒化ｌ！１０３はソ
ースガスにアンモニアとジクロルシランを用い、シリコ
ン酸化［１１０４はモノシランと酸素を用いた。 次に、第１図（Ｃ）のようにコンタクトホールとなるよ
うに設計された領域に形成されたフォトレジストをマス
クとして、シリコン窒化膜１０３とシリコン酸化ｊ１１
０４をエツチングすることにより、Ｎ０拡散１！１０２
とのコンタクトホールを形成する。エツチングガスは、
シリコン窒化ｊ１１０３に対してはＣＨ２Ｆ ２を用い
、シリコン酸化膜１０４に対してはＣＨＦ ３を用いた
。 次に、第１図（ｄ）に示すように、気相成長法により、
ＷＦａをソースガスとしてタングステン１０５を４００
０人形成する。このときタングステン１０５はＮ゛拡散
層上に選択的に成長するが、シリコン酸化［１１０４上
にも、わずかに島状のタングステンが成長し、シリコン
酸化膜１０４の表面には凹凸が生じる。 次に、第１図（ｅ）のように、弗酸を用いたウェットエ
ツチングにより、表面に凹凸を持つシリコン酸化膜１０
４を除去して、シリコン窒化膜１０３の平坦な表面を露
出させる。このとき、コンタクトホールの上部において
は、タングステン１０−５とシリコン窒化膜１０３の間
に段差はない。 次に、第１図（ｆ）のように、スパッター法により、シ
リコン窒化１１１０３の上方にアルミ・銅合金層１０６
を８０００人形成する。シリコン窒化膜１０３上には島
状タングステンによる凹凸がないので、アルミ・銅合金
層１０６は平坦な膜となる。その後、予め配線となるよ
うに設計された領域に形成されたフォトレジストをマス
クとしてアルミ・銅合金層１０６をエツチングして配線
が完成する。 以上、リンを不純物として含むＮ０拡散層とのコンタク
トホールを例にとって、本発明の例を説明してきたが、
拡散層に含まれる不純物は何でも良く、また不純物を含
まないシリコン基板とのコンタクトホールにおいても同
様の効果が期待できる。 さらに、上記実施例ではシリコン窒化膜、シリコン酸化
膜の順に堆積した眉間絶縁膜を例として説明したが、こ
の他にも、例えばシリコン酸化膜、シリコン窒化膜の順
に堆積した眉間絶縁膜でもかまわない。 〔発明の効果〕 以上述べた本発明によれば、コンタクトホール上部にお
いて、配線の良好な被覆性を確保できると同時に、平坦
な層間絶縁膜上に配線を形成できるので、配線の短絡や
断線が防止でき、高い信頼性を持つ半導体装置を製造で
きる。
１図（ａ）〜（ｆ）に示される製造方法である。 １０１はシリコン基板、１０２は不純物拡散層、１０３
はシリコン窒化膜、１０４シリコン酸化膜である。１０
５は不純物拡散層上方にのみ堆積しているタングステン
、１０６は導電体層であるアルミ・銅合金層である。 以下に、本発明の実施例を第１図の工程断面図に従って
、工程の詳細を順に説明する。 まず、第１図（ａ）のようにシリコン基板１０１上に、
予め拡散層となるように設計された領域に形成されたフ
ォトレジストをマスクとして、イオン打ち込み法により
、リンイオンを打ち込んでＮ゛拡散層１０２を形成する
。 次に、第１図（ｂ）のように； 気相成長法によって、
シリコン窒化膜１０３を４０００人、シリコン酸化膜１
０４を２０００人、この順に堆積して２層構造を持った
層間絶縁膜を形成する′。シリコン窒化ｌ！１０３はソ
ースガスにアンモニアとジクロルシランを用い、シリコ
ン酸化［１１０４はモノシランと酸素を用いた。 次に、第１図（Ｃ）のようにコンタクトホールとなるよ
うに設計された領域に形成されたフォトレジストをマス
クとして、シリコン窒化膜１０３とシリコン酸化ｊ１１
０４をエツチングすることにより、Ｎ０拡散１！１０２
とのコンタクトホールを形成する。エツチングガスは、
シリコン窒化ｊ１１０３に対してはＣＨ２Ｆ ２を用い
、シリコン酸化膜１０４に対してはＣＨＦ ３を用いた
。 次に、第１図（ｄ）に示すように、気相成長法により、
ＷＦａをソースガスとしてタングステン１０５を４００
０人形成する。このときタングステン１０５はＮ゛拡散
層上に選択的に成長するが、シリコン酸化［１１０４上
にも、わずかに島状のタングステンが成長し、シリコン
酸化膜１０４の表面には凹凸が生じる。 次に、第１図（ｅ）のように、弗酸を用いたウェットエ
ツチングにより、表面に凹凸を持つシリコン酸化膜１０
４を除去して、シリコン窒化膜１０３の平坦な表面を露
出させる。このとき、コンタクトホールの上部において
は、タングステン１０−５とシリコン窒化膜１０３の間
に段差はない。 次に、第１図（ｆ）のように、スパッター法により、シ
リコン窒化１１１０３の上方にアルミ・銅合金層１０６
を８０００人形成する。シリコン窒化膜１０３上には島
状タングステンによる凹凸がないので、アルミ・銅合金
層１０６は平坦な膜となる。その後、予め配線となるよ
うに設計された領域に形成されたフォトレジストをマス
クとしてアルミ・銅合金層１０６をエツチングして配線
が完成する。 以上、リンを不純物として含むＮ０拡散層とのコンタク
トホールを例にとって、本発明の例を説明してきたが、
拡散層に含まれる不純物は何でも良く、また不純物を含
まないシリコン基板とのコンタクトホールにおいても同
様の効果が期待できる。 さらに、上記実施例ではシリコン窒化膜、シリコン酸化
膜の順に堆積した眉間絶縁膜を例として説明したが、こ
の他にも、例えばシリコン酸化膜、シリコン窒化膜の順
に堆積した眉間絶縁膜でもかまわない。 〔発明の効果〕 以上述べた本発明によれば、コンタクトホール上部にお
いて、配線の良好な被覆性を確保できると同時に、平坦
な層間絶縁膜上に配線を形成できるので、配線の短絡や
断線が防止でき、高い信頼性を持つ半導体装置を製造で
きる。
第１図（ａ）〜（ｆ）は、本発明の半導体装置の製造方
法を示す工程断面図。 第２図（ａ）〜（Ｃ）は、従来の半導体装置の製造方法
を示す工程断面図。 １０１．２０１ 半導体基板 １０２．２０２ Ｎ’拡散層 １０３ 窒化珪素膜 １０４．２０３ 酸化珪素膜（層間絶縁膜）１０５．
２０４ タングステン
法を示す工程断面図。 第２図（ａ）〜（Ｃ）は、従来の半導体装置の製造方法
を示す工程断面図。 １０１．２０１ 半導体基板 １０２．２０２ Ｎ’拡散層 １０３ 窒化珪素膜 １０４．２０３ 酸化珪素膜（層間絶縁膜）１０５．
２０４ タングステン
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体基板の上方に形成された第１の絶縁体上に、前
記第１の絶縁体とは異なる第２の絶縁体を形成する工程
、 前記第２の絶縁体上に予めコンタクトホールとなるよう
に設計された領域以外に形成されたフォトレジストをマ
スクとして、前記第１の絶縁体、前記第２の絶縁体をエ
ッチングしてコンタクトホールを形成する工程、 前記コンタクトホール内にタングステンを形成する工程
、 前記第２の絶縁体をエッチングして除去する工程、 前記第２の絶縁体上に、導電体層を形成する工程、 前記導電体層上に予め配線となるように設計された領域
に形成されたフォトレジストをマスクとして、前記導電
体層をエッチングし、配線を形成する工程、 よりなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28237489A JPH03142925A (ja) | 1989-10-30 | 1989-10-30 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28237489A JPH03142925A (ja) | 1989-10-30 | 1989-10-30 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03142925A true JPH03142925A (ja) | 1991-06-18 |
Family
ID=17651572
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28237489A Pending JPH03142925A (ja) | 1989-10-30 | 1989-10-30 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03142925A (ja) |
-
1989
- 1989-10-30 JP JP28237489A patent/JPH03142925A/ja active Pending
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