JPS6091639A - フオトレジストパタ−ンの形成方法 - Google Patents
フオトレジストパタ−ンの形成方法Info
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- JPS6091639A JPS6091639A JP58199191A JP19919183A JPS6091639A JP S6091639 A JPS6091639 A JP S6091639A JP 58199191 A JP58199191 A JP 58199191A JP 19919183 A JP19919183 A JP 19919183A JP S6091639 A JPS6091639 A JP S6091639A
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- Japan
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- resist
- resist layer
- layer
- uncured
- pattern
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/095—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having more than one photosensitive layer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、フォトレジストを用いたパターンの形成方法
に係り、特に厚膜パターンに好適な形成方法に関する。
に係り、特に厚膜パターンに好適な形成方法に関する。
従来のこの種パターンの形成方法を第１図（ａ）〜（ｄ
）とともに説明する。基材ｌの表面を洗浄処理したのち
、同図＜ｂ）に示すように未硬化のフォトレジス）２’
（＋−形成し、次に同一（Ｃ）に示す如くマスク３を通
して露光せしめ、必要なパターン部分に相当する個所を
硬化させ、現像液で溶解処理して所望のパターン４をプ
レ成する。なお、図中の５はレジスト溶出部である。
）とともに説明する。基材ｌの表面を洗浄処理したのち
、同図＜ｂ）に示すように未硬化のフォトレジス）２’
（＋−形成し、次に同一（Ｃ）に示す如くマスク３を通
して露光せしめ、必要なパターン部分に相当する個所を
硬化させ、現像液で溶解処理して所望のパターン４をプ
レ成する。なお、図中の５はレジスト溶出部である。
この例では露光部分が硬化するネガティブ形しジス）ｋ
用いたか、露光部分が現暉販で可溶化するポジティブ形
レジストも使用される。
用いたか、露光部分が現暉販で可溶化するポジティブ形
レジストも使用される。
ところで従来は比較的厚いパターンを形成する場合も１
糧類のフォトレジストを用いて基材上に厚く粗布し、１
回の現１永処理でパターンを形成していた。フォトレジ
ストの厚さが厚くなればそれだけ現渾処理に時間かかか
るから、淳膜のノくターンを得るためには現障処理に長
時間を擬し、本来必要でちるパターンまでも基材から剥
離、脱洛する可能性が太さく、さらにパターン再現の信
頼性に乏しく、品質上にも問題がある。またこのような
ことが生じないようにするためには、感光ならびに現鐵
工程會厳輩に処理する必要があり、作業性が著しく悪く
なる。
糧類のフォトレジストを用いて基材上に厚く粗布し、１
回の現１永処理でパターンを形成していた。フォトレジ
ストの厚さが厚くなればそれだけ現渾処理に時間かかか
るから、淳膜のノくターンを得るためには現障処理に長
時間を擬し、本来必要でちるパターンまでも基材から剥
離、脱洛する可能性が太さく、さらにパターン再現の信
頼性に乏しく、品質上にも問題がある。またこのような
ことが生じないようにするためには、感光ならびに現鐵
工程會厳輩に処理する必要があり、作業性が著しく悪く
なる。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、このような従来技術の欠点を解消し、
パターンの剥離、脱落がなく、パターン再現の信頼性が
高く、微細なパターンの形成が可能なフォトレジストパ
ターンの形成方法を提供するにある。
パターンの剥離、脱落がなく、パターン再現の信頼性が
高く、微細なパターンの形成が可能なフォトレジストパ
ターンの形成方法を提供するにある。
この目的を達成するため、本発明は、基板上に例えばア
ルカリ性溶液可醗形レジスト（あるいは肩機液体可溶形
レジスト）などからなる未硬化の第ルジスト層を形成し
、その第ルジスト層の上に第ルジスト層とは適用現１家
液の異なる例えば有機液体可溶形レジスト（あるいはア
ルカリ性溶液可溶形レジスト）などからなる未硬化の第
２レジスト層を形成して、マスクを通して前記積層レジ
スト層全露光せしめて必擬なパターン部分に相当する個
所を硬化させたのち、前記第２レジスト層の未硬化部分
のみを浴解し得る例えば有機液体（あるいはアルカリ性
溶欣）などからなる第２現皺液によって前記未硬化部分
を溶解除去し、次に第ルジスト層の未硬化部分のみを溶
解し得る例えばアルカリ性溶敵（あるいは有機液体）な
どからなるＨ１現１＃！液によって第２レジストの未硬
化部分を溶解除去して積層構造のパターンを形成したこ
とを特徴とするものである。
ルカリ性溶液可醗形レジスト（あるいは肩機液体可溶形
レジスト）などからなる未硬化の第ルジスト層を形成し
、その第ルジスト層の上に第ルジスト層とは適用現１家
液の異なる例えば有機液体可溶形レジスト（あるいはア
ルカリ性溶液可溶形レジスト）などからなる未硬化の第
２レジスト層を形成して、マスクを通して前記積層レジ
スト層全露光せしめて必擬なパターン部分に相当する個
所を硬化させたのち、前記第２レジスト層の未硬化部分
のみを浴解し得る例えば有機液体（あるいはアルカリ性
溶欣）などからなる第２現皺液によって前記未硬化部分
を溶解除去し、次に第ルジスト層の未硬化部分のみを溶
解し得る例えばアルカリ性溶敵（あるいは有機液体）な
どからなるＨ１現１＃！液によって第２レジストの未硬
化部分を溶解除去して積層構造のパターンを形成したこ
とを特徴とするものである。
本発明において基材としては、例えば錆、鉄。
アルミニウム、クロム、ニッケル、金、銀、白金。
パラジウム、ステンレス、黄銅、洋白などの金属。
ポリイミド、ポリエステル、フェノール、ガラス。
セラミックス、ガラス入りエポキシなどの絶縁材。
あるいはこれら絶縁祠に無電解または゛電解により銅、
ニッケル、クロム、金、銀、白金などの金属をメッキし
たものなどが用いられる。
ニッケル、クロム、金、銀、白金などの金属をメッキし
たものなどが用いられる。
本発明においてｍ ＩＩ Ｑとしては、炭酸す） ＩＪ
ウム水Ｍｒ＆’Ｆ ｉ、 ｌ、 １− ） ＩＪジクロ
ルタンなどが好適である。
ウム水Ｍｒ＆’Ｆ ｉ、 ｌ、 １− ） ＩＪジクロ
ルタンなどが好適である。
次に本発明の９１実施例を第２図（ａ）〜（２））とと
もに説明する。基月１の表面を洗浄処理したのち、同図
（ｂｌに示すように基材１の表面に、５μｍ膜厚のアル
カリ性沼欣に可泪な未硬化の第ルジスト層６（東京応用
化学社製 製品名ＵＰレジスト−ＩＡ）μｍ布して形成
する。そして同図（Ｃ）に示すように第ルジスト層６の
上に、５μｍ膜厚の有機液体に可溶な未硬化の第２レジ
スト層７（東京応用化学社製 製品名ＯＰレジス）−１
ｓ）を塗布して形成する。このようにしてトータルの膜
厚が（資）μｍの２層構造を有するレジスト層を設け、
同図（ｄ）に示すようにマスク３七通して感光波長域に
含む光線を必ｉｔ照射する。この露光により同図（ｅ）
に示す如く必要なパターン部分に相当する個所を硬化し
て、第ルジスト層６および第２レジスト層７にそれぞれ
硬化部分８，９を形成する。
もに説明する。基月１の表面を洗浄処理したのち、同図
（ｂｌに示すように基材１の表面に、５μｍ膜厚のアル
カリ性沼欣に可泪な未硬化の第ルジスト層６（東京応用
化学社製 製品名ＵＰレジスト−ＩＡ）μｍ布して形成
する。そして同図（Ｃ）に示すように第ルジスト層６の
上に、５μｍ膜厚の有機液体に可溶な未硬化の第２レジ
スト層７（東京応用化学社製 製品名ＯＰレジス）−１
ｓ）を塗布して形成する。このようにしてトータルの膜
厚が（資）μｍの２層構造を有するレジスト層を設け、
同図（ｄ）に示すようにマスク３七通して感光波長域に
含む光線を必ｉｔ照射する。この露光により同図（ｅ）
に示す如く必要なパターン部分に相当する個所を硬化し
て、第ルジスト層６および第２レジスト層７にそれぞれ
硬化部分８，９を形成する。
ついでｇｌ！２レジスト層７のうちで未硬化の部分のみ
會溶解する第２現像猷（１，ｌ、 １−） ！Ｊジクロ
ルタン）ｔ−用い、その未硬化部分を溶解除去して、第
２レジスト浴出部１０を形成する。この第１段階の現像
処理のとき、第２現隊液は第ルジスト層６の未硬化部分
は俗解しないから、基材ｌと第ルジスト層６との密着は
阻害されない。この現１永処理が終了したのち、今度は
第ルジスト層６のうちで未硬化の部分のみを俗解する第
ｌ現１象欣（ｌ〜２重量九の炭酸す） ＩＪウム水浴欣
）盆用い、第１レジメ） Ｉ−ｆ ６の未硬化部分を浴
騎除去して、第ルジス） Ｒ↑出Ｆ５１ｉ１１を形成す
る〔同図（ｇ）参照〕。
會溶解する第２現像猷（１，ｌ、 １−） ！Ｊジクロ
ルタン）ｔ−用い、その未硬化部分を溶解除去して、第
２レジスト浴出部１０を形成する。この第１段階の現像
処理のとき、第２現隊液は第ルジスト層６の未硬化部分
は俗解しないから、基材ｌと第ルジスト層６との密着は
阻害されない。この現１永処理が終了したのち、今度は
第ルジスト層６のうちで未硬化の部分のみを俗解する第
ｌ現１象欣（ｌ〜２重量九の炭酸す） ＩＪウム水浴欣
）盆用い、第１レジメ） Ｉ−ｆ ６の未硬化部分を浴
騎除去して、第ルジス） Ｒ↑出Ｆ５１ｉ１１を形成す
る〔同図（ｇ）参照〕。
この第２段階のＪ、１１．隊処理のとき、第１現１き欣
は第２レジス） 層７ 舎ｒ６１ｎ’ｆしないから、そ
れの硬化部分９がＹ合解によって形状か及わるようたこ
とはない。このように第ルジスト層６ならびに第２レジ
スト層７のそれそ」Ｌの未硬化部８，９によって、）ヅ
［望の膜厚１イ］−するフォトレジストパターンが構成
される。
は第２レジス） 層７ 舎ｒ６１ｎ’ｆしないから、そ
れの硬化部分９がＹ合解によって形状か及わるようたこ
とはない。このように第ルジスト層６ならびに第２レジ
スト層７のそれそ」Ｌの未硬化部８，９によって、）ヅ
［望の膜厚１イ］−するフォトレジストパターンが構成
される。
第３図（ａｌ〜（ｆ）は木うＩ−、明の第２実施例ｒ説
明するための図て、第１実施例と相違する点は第２レジ
ストＩ＝ ６ ＋’） ＩＩ：ｑ厚か第２レジスト層７
のそれに比べて極端に薄い点である。他の構成や工程な
どは第ｌ実施例と同１〉）であるので、そ」１らの説明
は噛略する。この実施例の場合、第２レジスト層７が比
較的厚膜で、それの現詠処理には時間かかかるが、その
際に用いしれる現１家欣は第２レジスト涌６の未硬化部
分會７金屑しないから、処理時間が長くても基材ｌと第
ルジスト層６との布層は阻蕾されず、レジストの剥離、
脱溶などの心配はない。この場合も算ルジスト層らなら
びに第２レジスト層７のそれぞれの未硬化部８，９によ
って、所望の膜厚を有するフォトレジストパターンが構
成される。
明するための図て、第１実施例と相違する点は第２レジ
ストＩ＝ ６ ＋’） ＩＩ：ｑ厚か第２レジスト層７
のそれに比べて極端に薄い点である。他の構成や工程な
どは第ｌ実施例と同１〉）であるので、そ」１らの説明
は噛略する。この実施例の場合、第２レジスト層７が比
較的厚膜で、それの現詠処理には時間かかかるが、その
際に用いしれる現１家欣は第２レジスト涌６の未硬化部
分會７金屑しないから、処理時間が長くても基材ｌと第
ルジスト層６との布層は阻蕾されず、レジストの剥離、
脱溶などの心配はない。この場合も算ルジスト層らなら
びに第２レジスト層７のそれぞれの未硬化部８，９によ
って、所望の膜厚を有するフォトレジストパターンが構
成される。
この実施例の場合のように、所望の膜厚のうち第ルジス
ト層６の方を薄くすると、換言すれば第ルジスト層６を
第２レジスト層７よりも薄くすると、第ルジスト層６の
現欺処理時間が第１実施Ｖ１」のものよりも更に短縮さ
れ、レジストの剥離防止に有効である。
ト層６の方を薄くすると、換言すれば第ルジスト層６を
第２レジスト層７よりも薄くすると、第ルジスト層６の
現欺処理時間が第１実施Ｖ１」のものよりも更に短縮さ
れ、レジストの剥離防止に有効である。
前記実施例では第ルジスト層６としてアルカリ性浴液に
可溶でかつ有機液体に不溶なレジストを、第２レジスト
層７として有機液体に可溶でかつアルカリ性浴液に不溶
なレジメ）ｋそれぞれ用いたか、逆に、第２レジスト〜
６として有機液体に可溶でかつアルカリ性拵液に不溶Ｉ
Ｌレジストを、第２レジスト層７としてアルカリ性Ｒ４
液に可溶でかつ有機液体に不溶なレジストを用いても構
わな（−０ 第ルジスト層６と第２レジスト層７は、両者の密着性の
点から同系統の拐負のものが望ましい。
可溶でかつ有機液体に不溶なレジストを、第２レジスト
層７として有機液体に可溶でかつアルカリ性浴液に不溶
なレジメ）ｋそれぞれ用いたか、逆に、第２レジスト〜
６として有機液体に可溶でかつアルカリ性拵液に不溶Ｉ
Ｌレジストを、第２レジスト層７としてアルカリ性Ｒ４
液に可溶でかつ有機液体に不溶なレジストを用いても構
わな（−０ 第ルジスト層６と第２レジスト層７は、両者の密着性の
点から同系統の拐負のものが望ましい。
前記実施例では両方のレジストとも液状タイプのものを
用いたか、円方がドライフィルムタイプのものでも侑わ
ないし、また−万が敵状タイプのレジストで、他方かド
ライフィルムタイプのものでもよい。特にその場合、基
祠の微細な凹凸面への密着性と露光表面の平坦度の点か
ら、第ルジスト層６が液状タイプのもので、第２レジス
ト層７がドライフィルムタイプのものでそれぞれ形成さ
れる方か望ましい。
用いたか、円方がドライフィルムタイプのものでも侑わ
ないし、また−万が敵状タイプのレジストで、他方かド
ライフィルムタイプのものでもよい。特にその場合、基
祠の微細な凹凸面への密着性と露光表面の平坦度の点か
ら、第ルジスト層６が液状タイプのもので、第２レジス
ト層７がドライフィルムタイプのものでそれぞれ形成さ
れる方か望ましい。
前記実施例では路光１積にマスクγレジスト層から若±
Ｉ’ｆｔＥ Ｌ、なか、パターンの解１致度の点からは
マスクかレジスト１ｍに接−「るコンタクト露光が好ま
しい。
Ｉ’ｆｔＥ Ｌ、なか、パターンの解１致度の点からは
マスクかレジスト１ｍに接−「るコンタクト露光が好ま
しい。
前記実施例では２層＋１１）造のレジスト層について説
明したか、仝光ψ」はこれに限定されるものではなく、
第ルジスト層と第２レジスト層との組合せで３層以上の
多層構造のレジスト層ｒ形成することもで胚る。この場
合は、例えば第ルジスト層−第２レジスト層−纂ルシス
ト層のように、第ルジスト層と第２レジス） Ｍｔとが
交互に重合−「る必要かある。
明したか、仝光ψ」はこれに限定されるものではなく、
第ルジスト層と第２レジスト層との組合せで３層以上の
多層構造のレジスト層ｒ形成することもで胚る。この場
合は、例えば第ルジスト層−第２レジスト層−纂ルシス
ト層のように、第ルジスト層と第２レジス） Ｍｔとが
交互に重合−「る必要かある。
前記実施例ではネガティブ形フォトレジストを用いたが
、ポジティブ形フォトレジスト會使用することもできる
。
、ポジティブ形フォトレジスト會使用することもできる
。
本発明は前述のような構成になっており、レジスト層を
第２レジスト１−と第２レジスト層に分けたから、最も
剥離の起き易い基材と密着している第ルジスト層の現１
屡処理時間は短くなる。このことによりレジストパター
ンの剥離、脱溶が防止でさ、露光ならびに現陣工程の管
理か油冷化され、製造歩留りの向上ならびにパターン再
現のイぎ頼性の向上か図れる。
第２レジスト１−と第２レジスト層に分けたから、最も
剥離の起き易い基材と密着している第ルジスト層の現１
屡処理時間は短くなる。このことによりレジストパター
ンの剥離、脱溶が防止でさ、露光ならびに現陣工程の管
理か油冷化され、製造歩留りの向上ならびにパターン再
現のイぎ頼性の向上か図れる。
第１図（ａ）、 （ｂ）、 （Ｃ）、 （ｄ）は従来の
フォトレジスト形成力法を説明するための断面図、第２
図（ａ〕、Φン。 （Ｃ）、 （ｄ）、 （ｅ）、 （ｆ）、 （ｇ）およ
び第３１Ｗ（ａ）、 （ｂ）、 （ＣＬ （ｄ）。 （ｅ）、 （ｆ）は本発明の各実施例に係るフォトレジ
スト形成方法上説明するための断面図である。 ｌ・・・・・・基材、３・・・・・・マスク、６・・・
・・・第２レジスト層、７・・・・・・第２レジスト層
、８，９・・・・・・硬化部。 １０・・・・・・ｋ Ｉ Ｖ シスｔ４出部、１１・・
・・・・第２レジスト浴出品。 第１図 （ａ） （ｂ） （Ｊ） （ｄ） 第２図 （ａ） （ｂ） （ｅ） （ｆ） （（ｊ〕 第３図 （ａ） （ｂ） （Ｃ） ３ （ｄ） （ｅ） （１）
フォトレジスト形成力法を説明するための断面図、第２
図（ａ〕、Φン。 （Ｃ）、 （ｄ）、 （ｅ）、 （ｆ）、 （ｇ）およ
び第３１Ｗ（ａ）、 （ｂ）、 （ＣＬ （ｄ）。 （ｅ）、 （ｆ）は本発明の各実施例に係るフォトレジ
スト形成方法上説明するための断面図である。 ｌ・・・・・・基材、３・・・・・・マスク、６・・・
・・・第２レジスト層、７・・・・・・第２レジスト層
、８，９・・・・・・硬化部。 １０・・・・・・ｋ Ｉ Ｖ シスｔ４出部、１１・・
・・・・第２レジスト浴出品。 第１図 （ａ） （ｂ） （Ｊ） （ｄ） 第２図 （ａ） （ｂ） （ｅ） （ｆ） （（ｊ〕 第３図 （ａ） （ｂ） （Ｃ） ３ （ｄ） （ｅ） （１）
Claims (3)
- （１） 基板上に未硬化の第ルジスト層を形成し、その
１ｉ１４ルジスト層の上に第ルジスト層とは適用現像液
の異なる未自史化の第２レジス’ｐＮｉｋ形成して、マ
スクを通して前記積層レジスト層ｒ露光せしめて必要な
パターン部分に相当する個所を硬化させたのち、前記第
２レジスト層の未硬化部分のみに浴解し得る第２現簡液
によって前記未硬化部分を俗解除去し、次に第ルジスト
層の本硬化部分のみを浴解し得る第１現閾敵によって第
ルジスト層の未硯化抽分會浴解除去して積層ｔ！ｌＩ）
造のパターンを形成したことを特徴とするフォトレジス
トパターンの形成方法。 - （２）特許請求の範囲！４ （１１項記載において、前
記第ルジスト層および第２レジスト層のいずれか一方の
レジスＮΔがアルカリ性溶欣で溶解するレジストで構成
され、他方のレジストがＭ機液体で溶解するレジストで
構成され、前記第１机１象欣および第２現像液のいずれ
か一方の現録欣がアルカリ溶液で構成され、他方の現＠
漱が有機成体で構成されることを特徴とするフォトレジ
ストパターンの形成方法。 - （３）％許請求の範囲第（１）項記載において、前記第
ルジスト層が第２レジスト層よりも薄いことを％徴とす
るフォトレジストパターンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58199191A JPS6091639A (ja) | 1983-10-26 | 1983-10-26 | フオトレジストパタ−ンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58199191A JPS6091639A (ja) | 1983-10-26 | 1983-10-26 | フオトレジストパタ−ンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6091639A true JPS6091639A (ja) | 1985-05-23 |
Family
ID=16403652
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58199191A Pending JPS6091639A (ja) | 1983-10-26 | 1983-10-26 | フオトレジストパタ−ンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6091639A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| EP1519227A2 (en) * | 2003-09-23 | 2005-03-30 | INFM Istituto Nazionale per la Fisica della Materia | Method for fabricating complex three-dimensional structures on the submicrometric scale by combined lithography of two resists |
Citations (5)
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| JPS5324782A (en) * | 1976-08-20 | 1978-03-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Forming method of high molecular film patterns by negative resist |
| JPS564236A (en) * | 1979-06-25 | 1981-01-17 | Nec Corp | Manufacture of photoresist film pattern |
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-
1983
- 1983-10-26 JP JP58199191A patent/JPS6091639A/ja active Pending
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| US7588882B2 (en) | 2003-09-23 | 2009-09-15 | Infm Instituto Nazionale Per La Fisica Della Materia | Method for fabricating complex three-dimensional structures on the submicrometric scale by combined lithography of two resists |
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