JPH0661616A - フォトレジスト膜の形成方法 - Google Patents
フォトレジスト膜の形成方法Info
- Publication number
- JPH0661616A JPH0661616A JP20808392A JP20808392A JPH0661616A JP H0661616 A JPH0661616 A JP H0661616A JP 20808392 A JP20808392 A JP 20808392A JP 20808392 A JP20808392 A JP 20808392A JP H0661616 A JPH0661616 A JP H0661616A
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- Japan
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- photoresist
- layer
- film
- thin film
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- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明はフォトレジスト膜の形成方法に関し、
塩素系処理液を使用することなくフォトレジストの現像
を行うことを目的とする。 【構成】エッチングすべき導体薄膜１上に２層のフォト
レジスト膜２、３を形成するフォトレジスト膜の形成方
法であって、前記２層のフォトレジスト膜２、３の内、
第１層のレジストには、ゴム系フォトレジストが使用さ
れるとともに、第２層のレジストには、アクリル樹脂系
フォトレジストが使用され、かつ、前記ゴム系フォトレ
ジストの現像工程には、現像液にキシレンを、リンス液
に酢酸ブチルを使用し、アクリル樹脂系フォトレジスト
の現像工程には、現像液に酢酸ブチルを、リンス液にキ
シレンを使用するように構成する。
塩素系処理液を使用することなくフォトレジストの現像
を行うことを目的とする。 【構成】エッチングすべき導体薄膜１上に２層のフォト
レジスト膜２、３を形成するフォトレジスト膜の形成方
法であって、前記２層のフォトレジスト膜２、３の内、
第１層のレジストには、ゴム系フォトレジストが使用さ
れるとともに、第２層のレジストには、アクリル樹脂系
フォトレジストが使用され、かつ、前記ゴム系フォトレ
ジストの現像工程には、現像液にキシレンを、リンス液
に酢酸ブチルを使用し、アクリル樹脂系フォトレジスト
の現像工程には、現像液に酢酸ブチルを、リンス液にキ
シレンを使用するように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、フォトレジスト膜の形
成方法に関するものである。
成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に薄膜回路における導体パターン
は、基板全面に蒸着された導体薄膜を選択エッチングし
て形成される。導体薄膜を選択エッチングするには、導
体薄膜上にレジスト膜を形成することにより行われる
が、例えば多層配線を行う場合、下層の絶縁層等に凹凸
があり、導体薄膜に凹凸が生じている場合には、１層の
レジスト膜によって導体薄膜を完全に覆うことが不可能
となるために、２層のレジスト膜を積層した後、エッチ
ングを行う場合がある。
は、基板全面に蒸着された導体薄膜を選択エッチングし
て形成される。導体薄膜を選択エッチングするには、導
体薄膜上にレジスト膜を形成することにより行われる
が、例えば多層配線を行う場合、下層の絶縁層等に凹凸
があり、導体薄膜に凹凸が生じている場合には、１層の
レジスト膜によって導体薄膜を完全に覆うことが不可能
となるために、２層のレジスト膜を積層した後、エッチ
ングを行う場合がある。
【０００３】そして、従来、かかる２層のレジスト膜の
形成には、先ず、１層目にレジストとしてゴム系レジス
トを塗布した後、水銀ランプ等を光源として露光し、現
像液としてキシレンを、リンス液として酢酸ブチルを使
用して現像する。
形成には、先ず、１層目にレジストとしてゴム系レジス
トを塗布した後、水銀ランプ等を光源として露光し、現
像液としてキシレンを、リンス液として酢酸ブチルを使
用して現像する。
【０００４】この後、第２層としてアクリル樹脂系レジ
ストを塗布した後、露光し、現像液としてトリクロルエ
タンを、リンス液として純水を使用して現像が行われ
る。
ストを塗布した後、露光し、現像液としてトリクロルエ
タンを、リンス液として純水を使用して現像が行われ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述した従来
例において、アクリル系レジストの現像液としてトリク
ロルエタンを使用するために、有害であり、環境問題上
も好ましくないという欠点を有するものであった。
例において、アクリル系レジストの現像液としてトリク
ロルエタンを使用するために、有害であり、環境問題上
も好ましくないという欠点を有するものであった。
【０００６】本発明は、以上の欠点を解消すべくなされ
たものであって、塩素系処理液を使用することなく導体
薄膜上に２層のレジスト膜を形成することのできるフォ
トレジスト膜の形成方法を提供することを目的とする。
たものであって、塩素系処理液を使用することなく導体
薄膜上に２層のレジスト膜を形成することのできるフォ
トレジスト膜の形成方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明によれば上記目的
は、エッチングすべき導体薄膜１上に２層のフォトレジ
スト膜２、３を形成するフォトレジスト膜の形成方法で
あって、前記２層のフォトレジスト膜２、３の内、第１
層のレジストには、ゴム系フォトレジストが使用される
とともに、第２層のレジストには、アクリル樹脂系フォ
トレジストが使用され、かつ、前記ゴム系フォトレジス
トの現像工程には、現像液にキシレンを、リンス液に酢
酸ブチルを使用し、アクリル樹脂系フォトレジストの現
像工程には、現像液に酢酸ブチルを、リンス液にキシレ
ンを使用するフォトレジスト膜の形成方法を提供するこ
とにより達成される。
は、エッチングすべき導体薄膜１上に２層のフォトレジ
スト膜２、３を形成するフォトレジスト膜の形成方法で
あって、前記２層のフォトレジスト膜２、３の内、第１
層のレジストには、ゴム系フォトレジストが使用される
とともに、第２層のレジストには、アクリル樹脂系フォ
トレジストが使用され、かつ、前記ゴム系フォトレジス
トの現像工程には、現像液にキシレンを、リンス液に酢
酸ブチルを使用し、アクリル樹脂系フォトレジストの現
像工程には、現像液に酢酸ブチルを、リンス液にキシレ
ンを使用するフォトレジスト膜の形成方法を提供するこ
とにより達成される。
【０００８】
【作用】本発明において、第１層のレジストとしてゴム
系フォトレジストが、第２層のレジストとしてアクリル
樹脂系フォトレジストが各々使用される。一方、かかる
組み合わせにおいて、ゴム系フォトレジストは、キシレ
ンに溶解するが、酢酸ブチルには溶解せず、アクリル樹
脂系フォトレジストは、酢酸ブチルに溶解してキシレン
には溶解しないという関係がある。
系フォトレジストが、第２層のレジストとしてアクリル
樹脂系フォトレジストが各々使用される。一方、かかる
組み合わせにおいて、ゴム系フォトレジストは、キシレ
ンに溶解するが、酢酸ブチルには溶解せず、アクリル樹
脂系フォトレジストは、酢酸ブチルに溶解してキシレン
には溶解しないという関係がある。
【０００９】本発明は、以上の点に着目してなされたも
のであって、同一処理液を、第１層と第２層で交換して
使用することを可能にしたものである。
のであって、同一処理液を、第１層と第２層で交換して
使用することを可能にしたものである。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例を添付図面に基づいて
詳細に説明する。図１は、基板４上に薄膜回路パターン
を形成する工程を示すもので、図１（ａ）は第１層のフ
ォトレジストを現像する状態を示し、図１（ｂ）は第２
層のフォトレジスト膜３を形成した状態を示す。
詳細に説明する。図１は、基板４上に薄膜回路パターン
を形成する工程を示すもので、図１（ａ）は第１層のフ
ォトレジストを現像する状態を示し、図１（ｂ）は第２
層のフォトレジスト膜３を形成した状態を示す。
【００１１】この実施例における基板４は、複数層の信
号層を内層に形成したセラミック多層基板であり、内層
間は、ヴィアを介して適宜接続されている。また、基板
４上に積層される薄膜回路パターンとの接続を取るため
に、内層の信号層は、ヴィア５を介して基板４表面に引
き出される。
号層を内層に形成したセラミック多層基板であり、内層
間は、ヴィアを介して適宜接続されている。また、基板
４上に積層される薄膜回路パターンとの接続を取るため
に、内層の信号層は、ヴィア５を介して基板４表面に引
き出される。
【００１２】かかる基板４上に薄膜回路パターンを形成
するために、先ず、基板４全面に導体をスパッタリング
して導体薄膜１を形成し、この後、該導体薄膜１のヴィ
アランド形成部を残して残部をエッチング除去するため
にフォトレジスト膜２、３を形成する。
するために、先ず、基板４全面に導体をスパッタリング
して導体薄膜１を形成し、この後、該導体薄膜１のヴィ
アランド形成部を残して残部をエッチング除去するため
にフォトレジスト膜２、３を形成する。
【００１３】図示のように、第１層の薄膜回路パターン
を形成する場合には、導体薄膜１は平坦に形成される
が、多層薄膜基板において、ポリイミド絶縁層にはヴィ
ア５箇所における凹み等が存在するために導体薄膜１の
平坦度は低く、１層のフォトレジストでは導体薄膜１を
完全に覆うことができないために、フォトレジスト膜
は、２層形成される。
を形成する場合には、導体薄膜１は平坦に形成される
が、多層薄膜基板において、ポリイミド絶縁層にはヴィ
ア５箇所における凹み等が存在するために導体薄膜１の
平坦度は低く、１層のフォトレジストでは導体薄膜１を
完全に覆うことができないために、フォトレジスト膜
は、２層形成される。
【００１４】以下、フォトレジスト膜２、３の形成工程
を説明する。先ず、上記導体薄膜１上にフォトレジスト
２ａをスピンコートする。１層のフォトレジスト２ａと
しては、環化ゴム系フォトレジストが使用され、導体薄
膜１上にスピンコートした後、約８０°Ｃでプリベーク
される。
を説明する。先ず、上記導体薄膜１上にフォトレジスト
２ａをスピンコートする。１層のフォトレジスト２ａと
しては、環化ゴム系フォトレジストが使用され、導体薄
膜１上にスピンコートした後、約８０°Ｃでプリベーク
される。
【００１５】この後、レジスト層２ａ上に適宜のパター
ンを描いたマスクを被せ、例えば水銀ランプ等を光源と
して露光し、現像する。環化ゴム系フォトレジストは、
キシレンに溶解することから、該１層のレジストは、キ
シレンを現像液として現像され、リンス液としては、酢
酸ブチルが使用される。現像が終了した第１層のレジス
ト層は、約１４０°Ｃでハードベークされ第１層のフォ
トレジスト膜２が形成される。
ンを描いたマスクを被せ、例えば水銀ランプ等を光源と
して露光し、現像する。環化ゴム系フォトレジストは、
キシレンに溶解することから、該１層のレジストは、キ
シレンを現像液として現像され、リンス液としては、酢
酸ブチルが使用される。現像が終了した第１層のレジス
ト層は、約１４０°Ｃでハードベークされ第１層のフォ
トレジスト膜２が形成される。
【００１６】以上のようにして形成された第１層のフォ
トレジスト膜２上に第２層のフォトレジスト膜３を形成
するために、該第１層フォトレジスト膜２上にアクリル
酸樹脂を主成分とするアクリル樹脂系フォトレジストが
スピンコートされる。このレジスト層に、上述した第１
層のフォトレジスト膜２の形成工程と同様に、プリベー
ク、露光、現像、ハードベークを経て第２層のフォトレ
ジスト膜３が形成される。
トレジスト膜２上に第２層のフォトレジスト膜３を形成
するために、該第１層フォトレジスト膜２上にアクリル
酸樹脂を主成分とするアクリル樹脂系フォトレジストが
スピンコートされる。このレジスト層に、上述した第１
層のフォトレジスト膜２の形成工程と同様に、プリベー
ク、露光、現像、ハードベークを経て第２層のフォトレ
ジスト膜３が形成される。
【００１７】ここで、上記第２層のレジスト層の現像
は、アクリル酸樹脂が酢酸ブチル、および酢酸ブチル系
溶剤に対して可溶であることを利用して、現像液として
上記第１層のフォトレジスト膜２、３の現像工程でリン
ス液として使用された酢酸ブチルが使用される。また、
リンス液としては、第１層のフォトレジスト膜２の現像
工程で現像液として使用されたキシレンが使用される。
は、アクリル酸樹脂が酢酸ブチル、および酢酸ブチル系
溶剤に対して可溶であることを利用して、現像液として
上記第１層のフォトレジスト膜２、３の現像工程でリン
ス液として使用された酢酸ブチルが使用される。また、
リンス液としては、第１層のフォトレジスト膜２の現像
工程で現像液として使用されたキシレンが使用される。
【００１８】以上のようにして、同一種類の処理液を使
用して２種類のレジスト層の現像を行うことにより形成
された２層のフォトレジスト膜２、３を導体薄膜１上に
形成した後、導体薄膜１を周知の方法によりエッチング
することにより、薄膜回路パターンが形成される。
用して２種類のレジスト層の現像を行うことにより形成
された２層のフォトレジスト膜２、３を導体薄膜１上に
形成した後、導体薄膜１を周知の方法によりエッチング
することにより、薄膜回路パターンが形成される。
【００１９】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、塩素系溶剤を使用することなくフォトレジス
トの現像を行うことができる。
によれば、塩素系溶剤を使用することなくフォトレジス
トの現像を行うことができる。
【００２０】また、第１、第２のレジスト層の現像に際
して同一の処理液を使用することができるために、溶剤
管理等を簡単にすることができる。
して同一の処理液を使用することができるために、溶剤
管理等を簡単にすることができる。
【図１】本発明の実施例を示す図である。
１ 導体薄膜 ２、３ フォトレジスト膜
Claims (1)
- 【請求項１】エッチングすべき導体薄膜(１)上に２層の
フォトレジスト膜(２、３)を形成するフォトレジスト膜
の形成方法であって、 前記２層のフォトレジスト膜(２、３)の内、第１層のレ
ジストには、ゴム系フォトレジストが使用されるととも
に、第２層のレジストには、アクリル樹脂系フォトレジ
ストが使用され、 かつ、前記ゴム系フォトレジストの現像工程には、現像
液にキシレンを、リンス液に酢酸ブチルを使用し、 アクリル樹脂系フォトレジストの現像工程には、現像液
に酢酸ブチルを、リンス液にキシレンを使用するフォト
レジスト膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20808392A JPH0661616A (ja) | 1992-08-04 | 1992-08-04 | フォトレジスト膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20808392A JPH0661616A (ja) | 1992-08-04 | 1992-08-04 | フォトレジスト膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0661616A true JPH0661616A (ja) | 1994-03-04 |
Family
ID=16550365
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20808392A Withdrawn JPH0661616A (ja) | 1992-08-04 | 1992-08-04 | フォトレジスト膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0661616A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012178407A (ja) * | 2011-02-25 | 2012-09-13 | Mitsubishi Paper Mills Ltd | 導電パターンの作製方法 |
| JP2012204627A (ja) * | 2011-03-25 | 2012-10-22 | Mitsubishi Paper Mills Ltd | 導電パターンの作製方法 |
| CN112859523A (zh) * | 2019-11-12 | 2021-05-28 | 台湾永光化学工业股份有限公司 | 聚酰亚胺正型光刻胶组合物 |
-
1992
- 1992-08-04 JP JP20808392A patent/JPH0661616A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012178407A (ja) * | 2011-02-25 | 2012-09-13 | Mitsubishi Paper Mills Ltd | 導電パターンの作製方法 |
| JP2012204627A (ja) * | 2011-03-25 | 2012-10-22 | Mitsubishi Paper Mills Ltd | 導電パターンの作製方法 |
| CN112859523A (zh) * | 2019-11-12 | 2021-05-28 | 台湾永光化学工业股份有限公司 | 聚酰亚胺正型光刻胶组合物 |
| CN112859523B (zh) * | 2019-11-12 | 2024-04-26 | 台湾永光化学工业股份有限公司 | 聚酰亚胺正型光刻胶组合物 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991005 |