JPH0766551A - 薄膜多層配線基板の製造方法 - Google Patents
薄膜多層配線基板の製造方法Info
- Publication number
- JPH0766551A JPH0766551A JP20743593A JP20743593A JPH0766551A JP H0766551 A JPH0766551 A JP H0766551A JP 20743593 A JP20743593 A JP 20743593A JP 20743593 A JP20743593 A JP 20743593A JP H0766551 A JPH0766551 A JP H0766551A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- resist
- polyimide
- layer
- insulating layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
- H05K3/061—Etching masks
- H05K3/064—Photoresists
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4644—Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】薄膜多層配線基板において、配線層および層間
絶縁層を低欠陥で形成するプロセスにおいて工程数増大
を抑えて薄膜多層配線を形成すること。 【構成】薄膜配線を形成するレジストをポリイミドまた
は感光性ポリイミドに置き換え、これをレジストとして
薄膜配線層を形成し、レジストを除去せずに層間絶縁層
であるポリイミドまたは感光性ポリイミドを形成する。 【効果】低欠陥の薄膜多層配線基板が得られる。また、
従来のダブルレジスト方式より工程数を少なくできるた
めコスト低減ができる。
絶縁層を低欠陥で形成するプロセスにおいて工程数増大
を抑えて薄膜多層配線を形成すること。 【構成】薄膜配線を形成するレジストをポリイミドまた
は感光性ポリイミドに置き換え、これをレジストとして
薄膜配線層を形成し、レジストを除去せずに層間絶縁層
であるポリイミドまたは感光性ポリイミドを形成する。 【効果】低欠陥の薄膜多層配線基板が得られる。また、
従来のダブルレジスト方式より工程数を少なくできるた
めコスト低減ができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は薄膜配線及びポリイミド
系の絶縁層からなる薄膜多層基板の配線及び絶縁層を低
欠陥で形成できる構造及びその製造方法に関する。
系の絶縁層からなる薄膜多層基板の配線及び絶縁層を低
欠陥で形成できる構造及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＬＳＩや薄膜多層基板の基板全面
にわたって配線及び層間絶縁層を低欠陥で形成する製造
方法には、配線に関してはマスク又はレジスト表面の異
物による配線断線不良、また、レジスト形成前、配線層
表面に異物が付着し、配線断線が発生する。これらを防
止する配線の製造方法の例を図５に示す。その製造方法
には（ａ）のようにレジストを２層形成するダブルレジ
スト方式により配線を形成する方法と、図５（ｂ）のよ
うに配線層を２層以上の積層膜配線とし積層膜それぞれ
にたいして、レジストを形成しながら配線を形成する方
法がある。その他に図５（ｃ）のようにまず配線を通常
方法により形成し、その上に同材料の配線膜を成膜し、
下の配線を覆うようにレジストを形成し配線を形成する
方法がある。
にわたって配線及び層間絶縁層を低欠陥で形成する製造
方法には、配線に関してはマスク又はレジスト表面の異
物による配線断線不良、また、レジスト形成前、配線層
表面に異物が付着し、配線断線が発生する。これらを防
止する配線の製造方法の例を図５に示す。その製造方法
には（ａ）のようにレジストを２層形成するダブルレジ
スト方式により配線を形成する方法と、図５（ｂ）のよ
うに配線層を２層以上の積層膜配線とし積層膜それぞれ
にたいして、レジストを形成しながら配線を形成する方
法がある。その他に図５（ｃ）のようにまず配線を通常
方法により形成し、その上に同材料の配線膜を成膜し、
下の配線を覆うようにレジストを形成し配線を形成する
方法がある。
【０００３】また、絶縁層に関してはポリイミド塗布時
の気泡または異物の取り込みによる欠陥を防止する製造
方法の例を図６に示す。その製造方法には（ａ）のよう
にポリイミドを２層塗布しスルホールを形成する方法と
図６（ｂ）のようにスルホール形成用のレジストをこの
レジストの欠陥を防止するためにダブルレジスト方式と
しスルホールを形成する方法がある。また、図６（ｃ）
のように上記２つの方法を組み合わせた方法もある。ま
た、配線間すなわちスペース部分の層間絶縁層が２層構
造の製造方法が特開昭６２−２４５６１号公報に記載さ
れている。
の気泡または異物の取り込みによる欠陥を防止する製造
方法の例を図６に示す。その製造方法には（ａ）のよう
にポリイミドを２層塗布しスルホールを形成する方法と
図６（ｂ）のようにスルホール形成用のレジストをこの
レジストの欠陥を防止するためにダブルレジスト方式と
しスルホールを形成する方法がある。また、図６（ｃ）
のように上記２つの方法を組み合わせた方法もある。ま
た、配線間すなわちスペース部分の層間絶縁層が２層構
造の製造方法が特開昭６２−２４５６１号公報に記載さ
れている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】近年、ＬＳＩや、それ
を搭載した実装基板に用いる薄膜多層配線において、配
線層や絶縁層を基板全面にわたって無欠陥に形成するこ
と、かつ高スループット性が要求されている。
を搭載した実装基板に用いる薄膜多層配線において、配
線層や絶縁層を基板全面にわたって無欠陥に形成するこ
と、かつ高スループット性が要求されている。
【０００５】上記従来技術の製造方法には、それぞれ次
のような問題点がある。図５（ａ）はフォトレジスト形
成工程中の異物に対して不完全であり、配線層の膜自体
の欠陥に対応できない。図５（ｂ）は配線膜自体の欠陥
に対応できない。図５（ｃ）薄膜と薄膜との層間密着力
低下および界面抵抗取り込みの問題がある。図６（ａ）
フォトレジスト形成工程中の異物に対して不完全であ
り、大きな異物には対応できない。図６（ｂ）はポリイ
イミド膜の欠陥と大きな異物には対応できない。また、
薄膜多層配線を形成するには図５の配線層形成方法と図
６の絶縁層形成方法を合わせるため、工程数が増大する
問題がある。
のような問題点がある。図５（ａ）はフォトレジスト形
成工程中の異物に対して不完全であり、配線層の膜自体
の欠陥に対応できない。図５（ｂ）は配線膜自体の欠陥
に対応できない。図５（ｃ）薄膜と薄膜との層間密着力
低下および界面抵抗取り込みの問題がある。図６（ａ）
フォトレジスト形成工程中の異物に対して不完全であ
り、大きな異物には対応できない。図６（ｂ）はポリイ
イミド膜の欠陥と大きな異物には対応できない。また、
薄膜多層配線を形成するには図５の配線層形成方法と図
６の絶縁層形成方法を合わせるため、工程数が増大する
問題がある。
【０００６】本発明は、上記のような問題点を解決し、
製造コスト低減及びスループツト向上を可能とした薄膜
多層配線の製造方法を目的としている。
製造コスト低減及びスループツト向上を可能とした薄膜
多層配線の製造方法を目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】配線およびその上に絶縁
層を形成する多層配線において配線形成用のレジストを
ポリイミドと、このポリイミドを被覆したレジストのダ
ブルレジストとすること。すなわちポリイミドを１層目
（下層）のレジストとし、このレジストの上に２層目
（上層）の従来のレジストを１層目（下層）のレジスト
より一回り大きく形成する。このダブルレジストにより
配線の形成を行い、その上に絶縁層のポリイミドを形成
する。さらに硬化を明確にするため配線層を多層化する
ことにより、配線層自体の欠陥にも対応できる効果があ
る。しかし、配線層端部の段差が大きくなるのでこれを
考慮する必要がある。
層を形成する多層配線において配線形成用のレジストを
ポリイミドと、このポリイミドを被覆したレジストのダ
ブルレジストとすること。すなわちポリイミドを１層目
（下層）のレジストとし、このレジストの上に２層目
（上層）の従来のレジストを１層目（下層）のレジスト
より一回り大きく形成する。このダブルレジストにより
配線の形成を行い、その上に絶縁層のポリイミドを形成
する。さらに硬化を明確にするため配線層を多層化する
ことにより、配線層自体の欠陥にも対応できる効果があ
る。しかし、配線層端部の段差が大きくなるのでこれを
考慮する必要がある。
【０００８】
【作用】上記手段により配線形成用のレジスト欠陥は、
ダブルレジストにより低減できる。また、絶縁層は配線
上で２層構造となり絶縁層形成時の不良を低減できる。
ダブルレジストにより低減できる。また、絶縁層は配線
上で２層構造となり絶縁層形成時の不良を低減できる。
【０００９】このことから、本製造方法にとすることに
より欠陥を低減し、かつ工程数を低減できる。
より欠陥を低減し、かつ工程数を低減できる。
【００１０】
【実施例】（実施例１）図１に工程図を示す。まず基板
上にポリイミドを形成し、その上に配線層となる薄膜を
形成する。その上に感光性ポリイミドを塗布し露光、現
像、ベークを行い配線形成用のレジスト兼層間絶縁層を
形成する。この時このレジストは本来の配線幅より一回
り小さくする。さらにこの感光性ポリイミドからなる配
線形成用のレジストの上に従来のレジスト材料を使用し
露光、現像、ベークを行い本来の配線形成用のレジスト
を形成する。このダブルレジストを用いて配線層のエッ
チングを行った後にレジスト除去を行い、配線が形成さ
れる。この配線上にポリイミドを塗布、ベークを行い層
間絶縁層を形成する。次にスルホール用のレジストを形
成し、ポリイミドをエッチングしスルホールを形成す
る。
上にポリイミドを形成し、その上に配線層となる薄膜を
形成する。その上に感光性ポリイミドを塗布し露光、現
像、ベークを行い配線形成用のレジスト兼層間絶縁層を
形成する。この時このレジストは本来の配線幅より一回
り小さくする。さらにこの感光性ポリイミドからなる配
線形成用のレジストの上に従来のレジスト材料を使用し
露光、現像、ベークを行い本来の配線形成用のレジスト
を形成する。このダブルレジストを用いて配線層のエッ
チングを行った後にレジスト除去を行い、配線が形成さ
れる。この配線上にポリイミドを塗布、ベークを行い層
間絶縁層を形成する。次にスルホール用のレジストを形
成し、ポリイミドをエッチングしスルホールを形成す
る。
【００１１】（実施例２）図２に工程図を示す。まず基
板上にポリイミドを形成し、その上に配線層となる薄膜
を形成する。その上にポリイミドを塗布しベークを行
い、本来の配線幅より一回り小さいレジストによりポリ
イミドをエツチングする。さらにこのポリイミドからな
る配線形成用のレジストの上に従来のレジスト材料によ
り、本来の配線形成用のレジストを形成する。このダブ
ルレジストを用いて配線層のエッチングを行った後にレ
ジスト除去を行い、配線が形成される。この配線及びポ
リイミド上に感光性ポリイミドを塗布、露光、現像、ベ
ークを行い層間絶縁層を形成する。
板上にポリイミドを形成し、その上に配線層となる薄膜
を形成する。その上にポリイミドを塗布しベークを行
い、本来の配線幅より一回り小さいレジストによりポリ
イミドをエツチングする。さらにこのポリイミドからな
る配線形成用のレジストの上に従来のレジスト材料によ
り、本来の配線形成用のレジストを形成する。このダブ
ルレジストを用いて配線層のエッチングを行った後にレ
ジスト除去を行い、配線が形成される。この配線及びポ
リイミド上に感光性ポリイミドを塗布、露光、現像、ベ
ークを行い層間絶縁層を形成する。
【００１２】（実施例３）図３に工程図を示す。まず基
板上にポリイミドを形成し、その上に配線層である多層
積層薄膜を形成する。その上に感光性ポリイミドを塗布
し露光、現像、ベークを行い配線形成用のレジスト兼層
間絶縁層を形成する。この時このレジストは本来の配線
幅より一回り小さくする。このレジスト兼層間絶縁層に
より上層配線膜をエッチングする。さらにこの感光性ポ
リイミドからなる配線形成用のレジストの上に従来のレ
ジスト材料を使用し露光、現像、ベークを行い本来の配
線形成用のレジストを形成し、下層配線膜をエツチング
することにより配線が形成される。この配線上にポリイ
ミドを塗布、ベークを行い層間絶縁層を形成する。次に
スルホール用のレジストを形成し、ポリイミドをエッチ
ングしスルホールを形成する。
板上にポリイミドを形成し、その上に配線層である多層
積層薄膜を形成する。その上に感光性ポリイミドを塗布
し露光、現像、ベークを行い配線形成用のレジスト兼層
間絶縁層を形成する。この時このレジストは本来の配線
幅より一回り小さくする。このレジスト兼層間絶縁層に
より上層配線膜をエッチングする。さらにこの感光性ポ
リイミドからなる配線形成用のレジストの上に従来のレ
ジスト材料を使用し露光、現像、ベークを行い本来の配
線形成用のレジストを形成し、下層配線膜をエツチング
することにより配線が形成される。この配線上にポリイ
ミドを塗布、ベークを行い層間絶縁層を形成する。次に
スルホール用のレジストを形成し、ポリイミドをエッチ
ングしスルホールを形成する。
【００１３】（実施例４）図４に工程図を示す。まず基
板上にポリイミドを形成し、その上に配線層である多層
積層薄膜を形成する。その上にポリイミドを塗布し、ベ
ークを行い層間絶縁層を形成する。この層間絶縁層を配
線形成用のレジストより一回り小さいレジストによりポ
リイミドをエッチングし、さらに上層配線膜をエッチン
グする。その後レジストを剥離する。さらにこの上に従
来のレジスト材料を使用し露光、現像、ベークを行い本
来の配線形成用のレジストを形成し、下層配線膜をエツ
チングすることにより配線が形成される。この配線上に
感光性ポリイミドを塗布、露光、現像、ベークを行い層
間絶縁層を形成する。
板上にポリイミドを形成し、その上に配線層である多層
積層薄膜を形成する。その上にポリイミドを塗布し、ベ
ークを行い層間絶縁層を形成する。この層間絶縁層を配
線形成用のレジストより一回り小さいレジストによりポ
リイミドをエッチングし、さらに上層配線膜をエッチン
グする。その後レジストを剥離する。さらにこの上に従
来のレジスト材料を使用し露光、現像、ベークを行い本
来の配線形成用のレジストを形成し、下層配線膜をエツ
チングすることにより配線が形成される。この配線上に
感光性ポリイミドを塗布、露光、現像、ベークを行い層
間絶縁層を形成する。
【００１４】本実施例によれば、フォト工程起因の配線
及び絶縁層の欠陥の防止が可能であり、工程数増加を押
さえることができる。
及び絶縁層の欠陥の防止が可能であり、工程数増加を押
さえることができる。
【００１５】
【発明の効果】本発明は、上述のように薄膜配線及び層
間絶縁層形成時のフォト工程起因による欠陥を防止でき
るため、低欠陥の薄膜多層配線基板を得ることができ
る。
間絶縁層形成時のフォト工程起因による欠陥を防止でき
るため、低欠陥の薄膜多層配線基板を得ることができ
る。
【００１６】また、工程数を抑えることができるため、
コスト増大幅を小さくできる。
コスト増大幅を小さくできる。
【図１】本発明実施例１の工程を示す図である。
【図２】本発明実施例２の工程を示す図である。
【図３】本発明実施例３の工程を示す図である。
【図４】本発明実施例４の工程を示す図である。
【図５】従来の配線形成工程を示す図である。
【図６】従来の層間絶縁層形成工程を示す図である。
１…第１配線層、 ２…第１レジスト、 ３…第２レジスト、 ４…基板、 ５…第１配線層と同材料の配線層、 ６…第２配線層、 ７…第１層間絶縁層、 ８…第２層間絶縁層、 ９…感光性ポリイミド、 １０…ポリイミド、 １１…ポリイミド用レジスト。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｋ 3/06 Ｌ
Claims (4)
- 【請求項１】配線およびその上に絶縁層を形成する多層
配線において、配線形成用のレジストを感光性ポリイミ
ドと、この感光性ポリイミドを被覆したレジストのダブ
ルレジスト形式、すなわち感光性ポリイミドをレジスト
と使用し、このレジストにより配線の形成を行い、その
上に絶縁層のポリイミドを形成することを特徴とする薄
膜多層配線基板の製造方法。 - 【請求項２】請求項１において、ダブルレジスト内の感
光性ポリイミドをポリイミドとし、絶縁層を感光性ポリ
イミドとしたことを特徴とする薄膜多層配線基板の製造
方法。 - 【請求項３】請求項１において、配線を２層以上の積層
膜としたことを特徴とする薄膜多層配線基板の製造方
法。 - 【請求項４】請求項２において、配線を２層以上の積層
膜としたことを特徴とする薄膜多層配線基板の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20743593A JPH0766551A (ja) | 1993-08-23 | 1993-08-23 | 薄膜多層配線基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20743593A JPH0766551A (ja) | 1993-08-23 | 1993-08-23 | 薄膜多層配線基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0766551A true JPH0766551A (ja) | 1995-03-10 |
Family
ID=16539726
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20743593A Pending JPH0766551A (ja) | 1993-08-23 | 1993-08-23 | 薄膜多層配線基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0766551A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014224937A (ja) * | 2013-05-17 | 2014-12-04 | 大日本印刷株式会社 | 配線付き表示装置用前面保護板とその製造方法、及び表示装置 |
| CN112585813A (zh) * | 2018-08-24 | 2021-03-30 | 京瓷株式会社 | 构造体、天线、无线通信模块以及无线通信设备 |
-
1993
- 1993-08-23 JP JP20743593A patent/JPH0766551A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014224937A (ja) * | 2013-05-17 | 2014-12-04 | 大日本印刷株式会社 | 配線付き表示装置用前面保護板とその製造方法、及び表示装置 |
| CN112585813A (zh) * | 2018-08-24 | 2021-03-30 | 京瓷株式会社 | 构造体、天线、无线通信模块以及无线通信设备 |
| JPWO2020040228A1 (ja) * | 2018-08-24 | 2021-08-12 | 京セラ株式会社 | 構造体、アンテナ、無線通信モジュール、および無線通信機器 |
| US11876297B2 (en) | 2018-08-24 | 2024-01-16 | Kyocera Corporation | Structure, antenna, wireless communication module, and wireless communication device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3506441A (en) | Double photoresist processing | |
| US20070087457A1 (en) | Method for inspecting and mending defect of photo-resist and manufacturing process of printed circuit board | |
| JPH0844038A (ja) | マスターマスク作成装置及び半導体装置の製造方法 | |
| JPH0766551A (ja) | 薄膜多層配線基板の製造方法 | |
| JP2002190674A (ja) | 多層フレキシブル配線板の製造方法 | |
| JPH05259615A (ja) | 回路導体の形成方法 | |
| US5234745A (en) | Method of forming an insulating layer on a printed circuit board | |
| JPH09260560A (ja) | リードフレーム及びその製造方法 | |
| JP2000077414A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2644847B2 (ja) | 多層配線基板及びその製造方法 | |
| JPH0661616A (ja) | フォトレジスト膜の形成方法 | |
| JPH07288280A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH05323574A (ja) | 露光マスクとその露光マスクによって製造される多層基板 | |
| JPH02142195A (ja) | 薄膜配線形成方法 | |
| JP2000181074A (ja) | 感光層の露光方法 | |
| JPH05190545A (ja) | ビアホール形成方法 | |
| JPH06236885A (ja) | ポリシリコン多層構造の半導体装置のパターン形成方法 | |
| JPH02137292A (ja) | プリント配線板の製造方法 | |
| JPH0322587A (ja) | 層間絶縁膜における開孔部の形成方法 | |
| JPS5821839B2 (ja) | プリント板 | |
| JPH0621239A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPH1168311A (ja) | プリント配線板の製造方法 | |
| JPH01319996A (ja) | 薄膜多層配線基板の製造方法 | |
| JPH01122140A (ja) | 多層配線の形成方法 | |
| JPS62243341A (ja) | 半導体装置の製造方法 |