JPH01319996A - 薄膜多層配線基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は薄膜多層配線基板の製造方法に係り。

特に、内層抵抗体とその接続に関連した製造方法°の改
良に関する。

〔従来の技術〕

薄膜多層配線基板の製造方法に関しては、内層抵抗体と
その接続が重要な技術的課題の一つである。

例えば特開昭６０　１３６３９１号公報には、抵抗体形
状を環状とし、その中心を一方の電極とし、外周全体を
他方の電極とすることにより、抵抗体を基板内の任意の
位置に形成可能とする方法が記載されている。

また、薄膜多層配線基板の入出力端子は、基板裏面に形
成するため、抵抗体の電極は、抵抗体形成層より下層（
基板裏面側の層）の配線と接続されることになる。また
、配線の高密度実装を要求される薄膜多層配線基板は、
下層から一層ず゛つ形成していく逐次積層法とする必要
がある。

そこで、上記特開昭Ｇ　Ｏ’１３　Ｇ　：３９１号公報
に記載されているように、抵抗体をスルホール導体によ
って下層配線と接続する必要がある。

〔発明が解決しようとする課題〕

、　　しかし、特開昭Ｇｏ−１３６３９１号公報に記載
されているように、スルホール導体形成後に電極膜と抵
抗膜を連続的に成膜し、それを加工する方法であると、
スルホール導体と電極膜との間の界面抵抗により接続抵
抗が大きくなり、またその影響により接続抵抗を含めた
抵抗値がばらつくという問題があった。

すなわち、スルホール導体は金属膜を加工して形成する
から、その上に抵抗膜および電極膜を生膜する前に、ス
ルホール導体の表面は大気にさらされ、酸化物などが生
じる。もし、スルホール導体と抵抗膜とが同種材質であ
れば、抵抗膜の成膜直前に短時間のエツチング処理を行
うなどの表面処理を行い、抵抗膜の成膜後に熱処理を施
すことによって、スルホール導体表面が大気にさらされ
ても、スルホール導体と抵抗膜との間の界面抵抗の発生
を防止できる。しかし、スルホール導体と抵抗膜は異種
材質であるから、このような方法によっては界面抵抗の
発生を防ぐことができなかった。

本発明の目的は、上記めような界面抵抗による内層抵抗
体の接続抵抗を大幅に減少させることができる、抵抗内
層ＷＩ膜多層配線基板の製造方法を提供することにある
。

〔課題を解決するための手段〕 上記目的は、絶縁層上に抵抗膜と第１電極膜を連続的に
成膜し、該抵抗膜および第１電極膜を部分的に除去して
該絶縁層にスルホールを形成したのち該第１？！を極膜
と同種材質の第２電極膜を成膜することにより達成され
る。

（作　用〕 抵抗膜と第１電極膜とは同種材質ではないが。

連続成膜であって抵抗膜の表面が第１電極膜の成膜前に
大気にさらされないため、抵抗膜と第１電極膜との間に
界面抵抗は生成しないか、生じても極めて小さな値とす
ることができる。

抵抗体の電極とＮもにスルホール導体となる第２電極膜
の成膜前に、第１電極膜の表面は大気にさらされるが、
両方の電極膜は同種材質であるため、第２ｉ１Ｅ極膜の
成膜の直前に第１電極膜の表面処理を行い、第２電極膜
の成膜後に熱処理を行うことにより、電極膜間の界間抵
抗の発生を防ぐことができる。

かくして、抵抗膜によって形成される抵抗体とスルホー
ル導体との間の接続抵抗を著しく小さくすることができ
る。

〔発明の実施例〕

以下、本発明の一実施例を第１図、第２図および第３図
を用いて説明する。

第１図は薄膜多層配線基板の抵抗層の一部を示す概略平
面図である。第２図は第１図のＡ−Ａ″線の概略断面図
であり、抵抗体およびその接続部の構造を示している。

第３図は、第１図および第２図に示した構造を得るまで
の各工程を説明するための概略断面図である。以下、工
程に従って製造方法および抵抗体とその接続構造につい
て説明する。

薄膜多層配線基板１０は第３図（ａ）に示すような状態
まで工程が進んだものとし、その後の工程について順次
説明する。なお、第３図（ａ）において、２０はアルミ
ニウム膜からなる配線である。

この薄膜多層配線基板１０の上に、ポリイミドワニス、
例えば日立化成工業（株）製のピー・アイ・キュー（Ｐ
　Ｉ　Ｑ）を回転塗布して硬化させることにより、第３
図（ｂ）に示すように絶縁層３０を形成する。

次に第３図（ｂ）に示すように、絶縁層３０の上に、ク
ロム−シリコン系の抵抗膜４と、アルミニウムの電極膜
５１をスパッタリングによって連続的に成膜する。

前述のように、連続成膜による抵抗膜４と電極膜５１と
の間の界面抵抗は、無視できる程度まで小さくすること
ができる。

次に、下層の配線２０との接続用スルホールを形成する
部分の抵抗膜４および電極膜５１を、通常のホトエツチ
ング工程によって除去し、第３図（ｃ）に示す状態にす
る。なお、抵抗膜４と電極膜５１は材質が異なるから、
当然のことながら、まず電極膜５１の材質用のエツチン
グ液を用いてレジス１〜マスクを介して電極膜５１の選
択エツチングを行い１次に抵抗膜４の材質用のエツチン
グを用い、抵抗膜４の選択エツチングを行うことになる
。

次に通常のホトエツチング工程により、抵抗膜４および
電極膜５１の開口部に対応した部分の絶縁層３０をエツ
チングし、第３図（ｄ）に示すように下層の配ＩＪＡ２
０に達するスルホール６ｏ、６１を形成する。

次にスルファミン酸溶液を用い、電極膜５１の表面と、
スルホール６０，６１内の配線２０の表面処理を行って
から、第３図（ｅ）に示すように、アルミニウムの電極
膜５２をスパッタリングにより成膜し、熱処理する。な
お、電極膜５２は抵抗体電極だけでなく、スルホール導
体も兼ねるが、上記表面処理と熱処理により、電極膜５
２と下層の電極膜５１との間および配線２０との間の界
面抵抗は極めて小さくなる。

次に、通常のホ１−エッチング工程により、スルホール
６０を中心に電極膜５１．５２を環状に除去し、熱処理
を行う。この状態が第３図（ｆ）であり、第１図及び第
２図に示すような構造が得られる。なお、必要ならば、
さらに通常の薄膜工程によって絶縁層と配線層を所定層
数だけ形成することにより、最終的構造を得る。

こ＼までの説明から明らかなように、金属膜５１．５２
を除去して露出させた、抵抗膜４のスルホール６０を中
心とした環状の部分４ａが抵抗体として働く。そして、
この抵抗体４ａは、中心部において電極膜５１とスルホ
ール導体（６０）を兼ねる電極膜５２を介して下層の配
線２０と接続され、また周辺部において電極膜５１およ
びスルホール導体（６”ｌ）を兼ねる電極膜５２によっ
て下層の別の配線２０と接続される。

こ−で、上述のように電極膜５１と抵抗膜４との間の界
面抵抗、電極膜５１．５２間の界面抵抗、および電極膜
５２と配線２０との間の界面抵抗は極めて小さくできる
から、抵抗体４ａの接続抵抗は従来よりも大幅に減る０
例えば接続抵抗を１０ｍΩ程度まで減らすことができる
。

なお、実施例で示した円環形状の抵抗体は、その配置上
の利点があるが、抵抗体の形状はこれに限定されるもの
ではない。

また、抵抗膜と上下の電極膜の材質も必要に応じ変更し
てよい、たりし、界面抵抗を減らすために上下の電極膜
、それと接続する下層配線を同種材質にする。　− 〔発明の効果〕 以上の説明から明らかなように、本発明によれば、内層
抵抗体の接続抵抗を大幅に減らして界面抵抗による影響
を受けに＜＞シた薄膜多層配線基板を実現することがで
きる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例に係る薄膜多層配線基板の抵
抗層の一部を示す概略平面図、第２図は第１図のＡ−Ａ
’線の概略断面図、第３図は第１図および第２図に示し
た構造を得るまでの各工程を説明するための概略断面図
である。 ４・・・抵抗膜、　　４ａ・・・抵抗体、　２０・・・
配線、３０・・・絶縁層、　５１．５２・・・電極膜、
６０、６１・・・スルホール。 端１図 第　　２　　図 ３０　：　＊Ｈ４４：　ａＪＮ４に ５１．５２　：　　ｔｊ’　ｈＬ　　　　　　　　　　
　６０，６’ｌ　＝　スｔｔ　＊　−１し第　　３　　
図　（α） 第　３　図（し） 第　　３　　図　（Ｃ） 第　　３　　図　（ｄ） 第　　３　　図　（ＣＬ） 第　　３　　図　（１）

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）絶縁層上に抵抗膜と第１電極膜を連続的に成膜し
   、該抵抗膜および第１電極膜を部分的に除去して該絶縁
   層にスルホールを形成したのち該第１電極膜と同種材質
   の第２電極膜を成膜することを特徴とする薄膜多層配線
   基板の製造方法。