JPH06283644A - 半導体装置用部品のめっき方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体装置等の製造においてめっき厚を任意
に適宜設定し、まためっき厚を均一の厚さに設けること
ができるようにする。 【構成】 基材１０上にポジ型のレジスト１２を塗布し
て露光、現像し、前記基材１０面にめっき部Ａを露出さ
せた後、基材１０にめっきを施して前記めっき部Ａにめ
っき層１４を形成し、次に、前記基材上のレジスト１２
を露光、現像して基材上で前記めっき部Ａ以外の部位に
めっき部Ｂを露出させた後、基材１０にめっきを施して
前記めっき部Ａに対しては前記めっき層１４を下地と
し、前記めっき部Ｂに対しては基材１０を下地としてめ
っき層１６ａ、１６ｂを形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はリードフレームあるいは
セラミック基板等にめっきを施す際に使用する半導体装
置用部品のめっき方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】リードフレームあるいはセラミック基板
等の半導体装置用部品の製造にあたってはインナーリー
ドのボンディング部に保護めっきを施すといっためっき
による処理技術が一般的に利用されている。めっきの利
用方法としてはこの他、導体部上に厚くめっきを施すこ
とによって導体厚を厚くしたり、導体パターンを多層に
形成した場合に層間で導体パターンを接続するビアをめ
っきによって形成するといったことがなされている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところで、リードフレ
ームあるいはセラミック基板等にめっきを施す場合、め
っき部分の広狭のパターンの相違によって形成されるめ
っき層の厚さにばらつきが生じるという問題がある。た
とえば、セラミック基板上に広幅の導体部とビアの端面
のような狭小な導体部とがあった場合、同一の処理でめ
っきを施すと広い導体部に形成されるめっき層は薄くな
り、小さな導体部ではめっき層が厚くなる。これは、導
体部の広狭によってめっき電流にばらつきが生じ、小さ
な導体部に対して電流が集中してめっきがつきやすくな
るからである。

【０００４】このようなめっき層の厚さのばらつきを防
止する方法としては、めっきの際に電流が均一になるよ
うにあらかじめめっきの不要部にもめっきが成長するよ
うに導体部を設け、全体を均一のめっき厚になるように
する方法や、めっき治具を用いて電流が偏って集中しな
いようにすることがなされている。しかしながら、きわ
めて微細なパターンを形成する製品や余分のスペースが
ない製品等ではこのような方法をとることはできない
し、めっき厚を正確にはコントロールできないことか
ら、種々のパターンを形成する半導体装置製品等ではよ
り確実にめっきを施すことができる方法が求められてい
る。

【０００５】本発明はこれら問題点を解消すべくなされ
たものであり、その目的とするところは半導体装置用の
パッケージのようにきわめて微細で種々のパターンを有
する製品であってもめっき層を均一厚に形成することが
でき、まためっき層の厚さを的確にコントロールして特
性的に優れた製品を得ることができる半導体装置用部品
のめっき方法を提供しようとするものである。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため次の構成を備える。すなわち、基材上にポジ型
のレジストを塗布して露光、現像し、前記基材面に第１
のめっき部を露出させた後、該基材にめっきを施して前
記第１のめっき部に第１のめっき層を形成し、次に、前
記基材上のレジストを露光、現像して前記基材面の前記
第１のめっき部以外の部位に第２のめっき部を露出させ
た後、該基材にめっきを施して前記第１のめっき部に対
しては前記第１のめっき層を下地とし、前記第２のめっ
き部に対しては基材を下地として第２のめっき層を形成
することを特徴とする。また、基材上に設ける第１のめ
っき層の厚さを、第１のめっき部と第２のめっき部で第
２のめっき層の被着性の相違によるめっき厚の差を補償
する厚さに設定することにより、前記第１のめっき部と
前記第２のめっき部でめっき層の全体厚を均一に設定す
ることを特徴とする。

【０００７】

【作用】基材上にめっきを施す際に、めっき部位に応じ
てめっきを複数回重ねることによってめっき部に設ける
めっき層の厚さを任意にコントロールする。ポジ型レジ
ストを使用することによって、露光、現像して基材上に
第１のめっき部を形成した後、新たに第２のめっき部を
追加形成することができ、めっきを重ねる処理に好適に
使用できるとともに、位置決めが正確にできて精度の高
いめっきが可能になる。

【０００８】

【実施例】以下、本発明の好適な実施例を添付図面に基
づいて詳細に説明する。図１は本発明に係るめっき方法
を適用して導体基材１０上にめっき層を形成する方法を
示す説明図である。図では説明上、導体基材１０上で広
範囲にめっきする部分Ａと狭範囲でめっきする部分Ｂの
２か所にめっき層を形成するとして処理手順を示してい
る。図１(a) は導体基材１０上に所定パターンでめっき
を施すため、レジスト１２をコーティングした状態を示
す。なお、ここで使用するレジスト１２はポジ型のレジ
ストである。

【０００９】次に、レジスト１２を露光、現像し、ま
ず、広範囲のめっき部分Ａについて導体基材１０を露出
させ（図１(b) ）、第１回目のめっきを施してＡ部分に
めっき層１４を形成する（図１(c) ）。次に、レジスト
１２に再度露光、現像処理を施し、狭範囲のめっき部分
Ｂについて導体基材１０を露出させる（図１(d))。

【００１０】次いで、Ａ部分とＢ部分の両方に対し第２
回目のめっきを施し、Ａ部分についてはめっき層１４の
上層にめっき層１６ａを形成し、Ｂ部分については導体
基材１０上にめっき層１６ｂを形成する（図１(e))図１
(f) は導体基材１０上からレジスト１２を除去し、導体
基材１０上にめっき層を形成した状態を示す。

【００１１】本実施例のめっき方法は、導体基材１０上
で広範囲のめっき部分Ａと狭範囲のめっき部分Ｂについ
て、別々にめっきを施し、これらのめっき部分で生じる
めっき厚の差をあらかじめめっき部分Ａに設けるめっき
層１４によって補償して、最終的に均一の厚さにするこ
とを特徴とする。広範囲のめっき部分Ａについては狭範
囲のめっき部分Ｂにくらべてめっきが薄くなるので、広
範囲部分についてはめっき層１４をあらかじめ設けるこ
とによって、全体としてめっき層を均一にすることがで
きる。

【００１２】実施例は導体基材１０上でＡ部分とＢ部分
の２種類のめっき部を有する例であるが、実際の製品で
はめっき部分がいくつかの異なるパターンに分かれてい
る場合がある。この場合には、各めっき部分のめっきの
被着性に応じてパターンごとに上記のめっき操作を繰り
返し、段階に応じた補償用のめっき層を形成することに
よって最終的に均一厚さのめっき層を得ることができ
る。

【００１３】実施例ではレジスト１２としてポジ型のレ
ジストを使用しているから前工程で形成したパターンに
加えて新たにパターンを追加形成することができ、パタ
ーン形成が容易にできるという利点がある。すなわち、
ポジ型のレジストでは露光した部位がエッチングによっ
て除去されるから、実施例のように、まずレジスト１２
でＡ部分を除去した後、新たにＢ部分を除去するといっ
た使い方が可能である。この方法によれば、本実施例の
ように段階を追ってめっき層を重ねていく方法に好適に
利用することができ、パターン形成のためにレジストを
塗布しなおすといった操作が不要であり、正確に位置出
しして露光することにより高精度で微細パターンを形成
でき、高密度パターンを有する半導体装置の製造に好適
に利用することができる。

【００１４】上記実施例で示したように本発明方法によ
れば、いろいろなパターンのめっき部に対して均一な厚
さにめっき層を形成することが可能である一方、めっき
層の厚さを部分的に変えてめっきを行うことができる。
すなわち、リードフレームのダムバーのように後工程で
削除するような部位については薄くめっき層を形成する
といったことも容易に可能である。そして、ステンレス
基板上に電鋳方法でリードフレームを形成する方法に、
本方法を適用することによって適宜部位の厚さを変えた
リードフレームを簡単に得ることができる。

【００１５】図２は導体パターンを多層に形成した半導
体装置で層間の接続に本発明方法を適用した例を示す。
図２(a) は導体パターン１８ａ、１８ｂを有する下層の
絶縁層１８の表面にレジスト１２を塗布し、露光現像し
た後、めっきを施して導体パターン１８ａ上にめっき層
２０を設けた状態である。

【００１６】次いで、レジスト１２を再度露光、現像し
て導体パターン１８ｂを露出させ、めっきを施してめっ
き層２２ａ、２２ｂを設ける（図２(b) ）。めっき層２
２ａは先のめっきによって形成しためっき層２０を下地
として形成され、めっき層２２ｂは導体パターン１８ｂ
を下地として形成される。めっき層２２ａはめっき層２
２ｂよりも若干厚く形成される。

【００１７】レジスト１２を除去することによって図２
(c) に示すように下層の絶縁層１８上にめっき層２０、
２２ａとめっき層２２ｂが残る。次いでこれらめっき層
に対し保護めっきとしてニッケルめっき２４を設け（図
２(c) ）、めっき層２２ｂを埋没させるようにして上層
の絶縁層２６を設ける。めっき層２０、２２ａは絶縁層
２６と同厚に延出し、層間の導体パターンを接続するた
めのビアとして機能する。

【００１８】このように、本発明に係る半導体装置用部
品のめっき方法は多層に形成された導体パターンを接続
するビア形成用としても利用することができる。本発明
に係るめっき方法は上述した実施例に限らす、製品に応
じた種々の応用利用が可能である。

【００１９】

【発明の効果】本発明に係る半導体装置用部品のめっき
方法によれば、上述したように、半導体装置等の製造に
おいてめっき厚のばらつきを防止して均一厚さのめっき
層を形成することができ、また任意にめっき厚を変えた
製品を容易に得ることができる。また、微細なめっきパ
ターンの形成も確実にでき、高密度なパターンを有する
半導体装置の製造等に対しても有効に利用することがで
きる等の著効を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明方法のめっき方法を示す説明図である。

【図２】本発明に係るめっき方法を多層の半導体装置の
製造に適用した例を示す説明図である。

【符号の説明】

１０ 導体基材 １２ レジスト １４ めっき層 １６ａ、１６ｂ めっき層 １８ 絶縁層 １８ａ、１８ｂ 導体パターン ２０ めっき層 ２２ａ、２２ｂ めっき層 ２４ ニッケルめっき ２６ 絶縁層

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基材上にポジ型のレジストを塗布して露
   光、現像し、前記基材面に第１のめっき部を露出させた
   後、 該基材にめっきを施して前記第１のめっき部に第１のめ
   っき層を形成し、 次に、前記基材上のレジストを露光、現像して前記基材
   面の前記第１のめっき部以外の部位に第２のめっき部を
   露出させた後、 該基材にめっきを施して前記第１のめっき部に対しては
   前記第１のめっき層を下地とし、前記第２のめっき部に
   対しては基材を下地として第２のめっき層を形成するこ
   とを特徴とする半導体装置用部品のめっき方法。
2. 【請求項２】 基材上に設ける第１のめっき層の厚さ
   を、第１のめっき部と第２のめっき部で第２のめっき層
   の被着性の相違によるめっき厚の差を補償する厚さに設
   定することにより、 前記第１のめっき部と前記第２のめっき部でめっき層の
   全体厚を均一に設定することを特徴とする請求項１記載
   の半導体装置用部品のめっき方法。